唐山平板显示靶材项目招商引资方案【模板】.docx
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1、泓域咨询/唐山平板显示靶材项目招商引资方案唐山平板显示靶材项目招商引资方案xx集团有限公司目录第一章 市场预测9一、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲9二、 显示面板靶材市场规模预测11三、 靶材在平板显示中的应用12第二章 项目建设背景及必要性分析15一、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展15二、 供给:日企占据国内市场主导地位,国产替代逐渐提速18三、 加快发展现代产业体系,培育高质量发展新动能22第三章 项目建设单位说明26一、 公司基本信息26二、 公司简介26三、 公司竞争优势27四、 公司主要财务数据28公司合并资产负债表主要数据28公司合并利
2、润表主要数据28五、 核心人员介绍29六、 经营宗旨31七、 公司发展规划31第四章 绪论36一、 项目名称及项目单位36二、 项目建设地点36三、 可行性研究范围36四、 编制依据和技术原则36五、 建设背景、规模37六、 项目建设进度38七、 环境影响38八、 建设投资估算38九、 项目主要技术经济指标39主要经济指标一览表39十、 主要结论及建议41第五章 建设方案与产品规划42一、 建设规模及主要建设内容42二、 产品规划方案及生产纲领42产品规划方案一览表42第六章 建筑工程可行性分析44一、 项目工程设计总体要求44二、 建设方案44三、 建筑工程建设指标48建筑工程投资一览表48
3、第七章 法人治理结构50一、 股东权利及义务50二、 董事52三、 高级管理人员57四、 监事59第八章 发展规划分析62一、 公司发展规划62二、 保障措施66第九章 运营管理模式69一、 公司经营宗旨69二、 公司的目标、主要职责69三、 各部门职责及权限70四、 财务会计制度73第十章 劳动安全生产79一、 编制依据79二、 防范措施82三、 预期效果评价86第十一章 项目节能方案87一、 项目节能概述87二、 能源消费种类和数量分析88能耗分析一览表89三、 项目节能措施89四、 节能综合评价91第十二章 原辅材料分析92一、 项目建设期原辅材料供应情况92二、 项目运营期原辅材料供应
4、及质量管理92第十三章 投资计划94一、 投资估算的依据和说明94二、 建设投资估算95建设投资估算表97三、 建设期利息97建设期利息估算表97四、 流动资金99流动资金估算表99五、 总投资100总投资及构成一览表100六、 资金筹措与投资计划101项目投资计划与资金筹措一览表102第十四章 项目经济效益评价103一、 基本假设及基础参数选取103二、 经济评价财务测算103营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表105利润及利润分配表107三、 项目盈利能力分析108项目投资现金流量表109四、 财务生存能力分析111五、 偿债能力分析111借款还本付息计划表112六
5、、 经济评价结论113第十五章 风险分析114一、 项目风险分析114二、 项目风险对策116第十六章 招标方案118一、 项目招标依据118二、 项目招标范围118三、 招标要求118四、 招标组织方式119五、 招标信息发布122第十七章 项目综合评价123第十八章 附表125建设投资估算表125建设期利息估算表125固定资产投资估算表126流动资金估算表127总投资及构成一览表128项目投资计划与资金筹措一览表129营业收入、税金及附加和增值税估算表130综合总成本费用估算表131固定资产折旧费估算表132无形资产和其他资产摊销估算表133利润及利润分配表133项目投资现金流量表134报
6、告说明高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料,通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。在下游应用领域中,半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高,随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来,相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展,同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关,为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求,所需要的溅射靶材纯度不断攀升,通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。根据谨慎财务估算,项目总投资35913.41万元,其中:建设
7、投资27367.66万元,占项目总投资的76.20%;建设期利息389.53万元,占项目总投资的1.08%;流动资金8156.22万元,占项目总投资的22.71%。项目正常运营每年营业收入68200.00万元,综合总成本费用58521.05万元,净利润7050.49万元,财务内部收益率12.96%,财务净现值2981.59万元,全部投资回收期6.74年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本项目生产所需的原辅材料来源广泛,产品市场需求旺盛,潜力巨大;本项目产品生产技术先进,产品质量、成本具有较强的竞争力,三废排放少,能够达到国家排放标准;本项目场地及周边环境经考察
8、适合本项目建设;项目产品畅销,经济效益好,抗风险能力强,社会效益显著,符合国家的产业政策。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 市场预测一、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来,靶材是制备功能薄膜的核心原材料,主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域,实现导电或阻挡等功能。2020年全球靶材市场规模约188亿美元,我国靶材市场规模为46亿美元。从供给来看,四家日美巨头占据80%靶材市场,国
9、内溅射靶材主要应用于中低端产品,国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代,技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导体产业加速向国内转移,预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元,21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展,其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面,日美厂商约占90%份额,但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破,同时产能也在不断扩张,预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。国产替代+产品迭代,我国显示
10、面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺,可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等,纯度和技术要求仅次于半导体,一般在4N甚至5N以上,但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升,预计25年我国FDP靶材市场规模将达50亿美元,21-25年CAGR为18.9%。此外预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看,我国显示面板靶材高度依赖进口,日企在国内市场仍然占据主导地位,国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主,国产替代正逐渐加速。Hit量产元年开启,靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的
11、使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池,纯度一般在4N以上。随着HIT电池和薄膜电池的发展,预计25年我国市场规模将接近38亿美元,21-25年CAGR为56.1%。供给方面,由于国内薄膜电池及HIT电池市场规模尚小,相关靶材企业也较少,多处起步阶段,其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大,此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作,常用材料为钴(3N)/镍/铁合金/铬/碲、硒(4N)/稀土-迁移金属(3N)等,主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主,中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国
12、产化水平极低,且记录媒体研发重心主要在半导体存储,预计传统机械键盘成长空间有限,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。二、 显示面板靶材市场规模预测受益平板显示面板需求上涨和我国平板显示面板国产替代提升,预计2025年我国FDP用靶材市场规模将达到320亿元(折合约50亿美元),预计21-25年CAGR为18.9%。整体来看,全球显示面板出货量增长已趋于平稳,参考Frost&Sullivan数据,2021-2025年全球显示面板出货量增速不断降低,预计2024年全球显示面板出货量将达到2.73亿平方米,2020-2024年年均复合增速仅为2.9
13、%。我国平板显示面板出货量增速明显快于全球显示面板增速,2020-2024年年均复合增速为6.3%,,国产替代趋势明显,预计2024年我国显示面板出货量将占全球显示面板出货量的42.5%。受益平板显示面板需求上涨和我国平板显示面板国产替代提升,我国显示面板靶材市场预计也将保持较快增长,参考IHS预测,预计2025年我国FDP用靶材市场规模将达到320亿元(折合约50亿美元),预计21-25年CAGR为18.9%。在全球显示面板靶材中的占比将提升到57.7%。三、 靶材在平板显示中的应用若根据工艺的不同,FPD行业用靶材也可大致分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射用靶材主要为Cu、Al、Mo和I
14、GZO等材料。IGZO为TFT激活层,一般用于手机LTPOOLED技术和大尺寸OLED技术。IGZO也可以被用于LCD的制造和X-ray探测器的制造。在国内的LCD生产中,BOEB18和B19用IGZO作为TFT激活层。在老旧产线中,京东方也利用IGZO来替代a-Si以生产精度更高的X-ray探测器。ITO和IZO为透明导电电极。其中ITO被广泛的运用于OLED和LCD的制造中,而IZO时而会被用于顶发射OLED的阴极来使用。Cu、Al、Mo和Ti等金属则做为金属走线,被广泛的运用于Array的TFT生产中,其中钼或者合金材料靶材常作为OLED器件的阴极使用,此外铝靶也可作为阴极使用。蒸镀用靶
15、材一般为Ag和Mg两种金属。Ag和Mg合金一般用于小尺寸OLED面板产线中的阴极制作。除此以外,Ag也可以作为顶发射OLED器件中的阳极反射层使用。其中薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)是当前的主流平面显示技术,金属溅射靶材则是制造TFT-LCD过程中最关键的材料之一。薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有轻薄、功耗低、成本低等优点,目前TFT-LCD大约占80%以上的显示面板市场份额。这类显示面板是由大量的液晶显示单元阵列组成(如4K分辨率的屏幕含有800多万个显示单元阵列),而每一个液晶显示单元,都由一个单独的薄膜晶体管(TFT)所控制和驱动。薄膜晶体管阵列的制作原理,是在真空条
16、件下,利用离子束流去轰击固体,使固体表面的原子电离后沉积在玻璃基板上,经过反复多次的“沉积+刻蚀”,一层层(一般为712层)地堆积制作出薄膜晶体管阵列。这种被轰击的固体,即用溅射法沉积薄膜的原材料,就被称作溅射靶材。除LCD外,近年来快速发展的OLED面板产业靶材需求增长也十分明显。OLED典型结构是在氧化铟锡(ITO)玻璃上制作一层几十纳米厚的发光材料,ITO透明电极作为器件的阳极,钼或者合金材料作为器件的阴极。从阴阳2极分别注入电子和空穴,在一定电压驱动下,被注入的电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层并复合,形成激子并使发光分子产生单态激子,单态激子衰减发光。平板显示制造中
17、主要使用的靶材为钼铝铜金属靶材和氧化铟锡(ITO)靶材,部分平板显示企业也会用到钛靶、钽靶、铌靶、铬靶以及银靶等。其中钼靶材和ITO靶材合计需求占比在60%70%左右。但由于各家企业所采用的溅射工艺不同,其所选的溅射靶材也有区别。如,京东方用铜靶、铝靶、钼靶和钼铌靶,韩国三星用钽靶、钛靶,但不用钼铌靶,中电熊猫用钛靶,但不用钼靶、钽靶等。以8.5代液晶显示面板生产线为例,一条8.5代线每年靶材的大致消耗120套铝靶、110套铜靶、60套钼靶、5套钼铌10靶。此外据新材料产业新型显示产业的ITO靶材市场探讨,目前国内单条8.5代线ITO靶材年需求量约40吨,6代线ITO靶材年需求量约20吨。第二
18、章 项目建设背景及必要性分析一、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求
19、,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳化,相对于8英寸晶圆而言,12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势2:多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目
20、前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线工艺的应用量在逐步增大,因此,铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上,从全球晶圆厂产能建设情况来看,12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线由于具有更低的电迁移效应,及更低的电阻,有降低功耗、提高运算速度等作用,应用量在逐步增大。据SEMI数据显示,如今12英寸晶
21、圆约占64%,8英寸晶圆占比达26%,其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出,也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。因此,芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰,因可靠性、抗干扰性、低成本等优势,110nm以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势3:高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料,通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。在下游应用领域中,半导体产业对溅射靶
22、材和溅射薄膜的品质要求最高,随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来,相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展,同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关,为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求,所需要的溅射靶材纯度不断攀升,通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内,美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒,依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位,议价能力强,国内溅射靶材的高纯金属原料多数也依靠日美进
23、口。但经过多年的靶材技术开发,近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破,已开始逐步实现国产替代。二、 供给:日企占据国内市场主导地位,国产替代逐渐提速我国显示面板靶材高度依赖进口,日企在国内市场仍然占据主导地位,但国产替代逐渐提速。当前该领域竞争格局以攀时、世泰科、贺利氏、爱发科、住友化学、JX金属等为代表的国外少数几家跨国集团占据主导地位,其中攀时、世泰科等厂商是全球钼靶材的主要供应商,住友化学、爱发科等厂商占据了全球铝靶材的大部分市场,三井矿业、JX金属、优美科等厂商是全球ITO靶材的主要供应商,爱发科、JX金属等厂商是全球铜靶材的主要供应商。国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、有
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