临汾半导体靶材项目实施方案(参考范文).docx
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1、泓域咨询/临汾半导体靶材项目实施方案报告说明半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线,110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。根据谨慎财务估算,项目总投资40281.31万元,其中:建设投资31260.14万元,占项目总投资的77.60%;建设期利息824.59万元,占项目总投资的
2、2.05%;流动资金8196.58万元,占项目总投资的20.35%。项目正常运营每年营业收入74600.00万元,综合总成本费用55738.86万元,净利润13826.38万元,财务内部收益率27.02%,财务净现值20294.36万元,全部投资回收期5.38年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据
3、参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 项目投资背景分析8一、 全球半导体靶材市场规模预测8二、 国外主要半导体供应商基本情况8三、 靶材在半导体中的应用9四、 强化战略定力10五、 项目实施的必要性11第二章 市场预测13一、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展13二、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲16第三章 项目概况19一、 项目概述19二、 项目提出的理由21三、 项目总投资及资金构成21四、 资金筹措方案21五、 项目预期经济效益规划目标22六、 项目建设进度规划22七、 环境影响22八、 报告编制依据和原则
4、23九、 研究范围24十、 研究结论24十一、 主要经济指标一览表24主要经济指标一览表25第四章 项目建设单位说明27一、 公司基本信息27二、 公司简介27三、 公司竞争优势28四、 公司主要财务数据30公司合并资产负债表主要数据30公司合并利润表主要数据30五、 核心人员介绍31六、 经营宗旨33七、 公司发展规划33第五章 建设规模与产品方案40一、 建设规模及主要建设内容40二、 产品规划方案及生产纲领40产品规划方案一览表40第六章 项目选址42一、 项目选址原则42二、 建设区基本情况42三、 持续激发市场主体活力44四、 项目选址综合评价44第七章 发展规划46一、 公司发展规
5、划46二、 保障措施52第八章 SWOT分析说明54一、 优势分析(S)54二、 劣势分析(W)56三、 机会分析(O)56四、 威胁分析(T)57第九章 法人治理61一、 股东权利及义务61二、 董事63三、 高级管理人员68四、 监事71第十章 组织架构分析73一、 人力资源配置73劳动定员一览表73二、 员工技能培训73第十一章 节能方案76一、 项目节能概述76二、 能源消费种类和数量分析77能耗分析一览表78三、 项目节能措施78四、 节能综合评价81第十二章 工艺技术及设备选型82一、 企业技术研发分析82二、 项目技术工艺分析85三、 质量管理86四、 设备选型方案87主要设备购
6、置一览表88第十三章 进度计划方案89一、 项目进度安排89项目实施进度计划一览表89二、 项目实施保障措施90第十四章 投资估算及资金筹措91一、 投资估算的依据和说明91二、 建设投资估算92建设投资估算表94三、 建设期利息94建设期利息估算表94四、 流动资金96流动资金估算表96五、 总投资97总投资及构成一览表97六、 资金筹措与投资计划98项目投资计划与资金筹措一览表99第十五章 项目经济效益100一、 基本假设及基础参数选取100二、 经济评价财务测算100营业收入、税金及附加和增值税估算表100综合总成本费用估算表102利润及利润分配表104三、 项目盈利能力分析104项目投
7、资现金流量表106四、 财务生存能力分析107五、 偿债能力分析108借款还本付息计划表109六、 经济评价结论109第十六章 项目招投标方案111一、 项目招标依据111二、 项目招标范围111三、 招标要求111四、 招标组织方式112五、 招标信息发布113第十七章 项目综合评价说明114第十八章 附表附件116营业收入、税金及附加和增值税估算表116综合总成本费用估算表116固定资产折旧费估算表117无形资产和其他资产摊销估算表118利润及利润分配表119项目投资现金流量表120借款还本付息计划表121建设投资估算表122建设投资估算表122建设期利息估算表123固定资产投资估算表12
8、4流动资金估算表125总投资及构成一览表126项目投资计划与资金筹措一览表127第一章 项目投资背景分析一、 全球半导体靶材市场规模预测半导体行业已步入新一轮景气周期,预计2025年全球半导体晶圆制造材料销售额预计将达到604亿美元,封装材料销售额将达到248亿美元。根据wind及SEMI数据显示,2011-2020年,全球半导体晶圆制造材料销售额年均复合增长率为4.1%,封装材料销售额年均复合增长率为-1.6%,2020年,因5G普及、新冠肺炎疫情推升宅经济需求,全球半导体需求攀高,全球半导体材料销售额年增4.9%至553亿美元,其中晶圆制造材料占比63%,销售额为349亿美元;半导体封装材
9、料204亿美元。据Gartner,经过2019年的周期性调整,半导体行业已步入新一轮景气周期。假设2020-2025年全球半导体晶圆制造材料销售额CAGR与ICInsights预测全球晶圆制造市场规模CAGR基本保持一致,为11.6%,预计2025年全球半导体晶圆制造材料销售额预计将达到604亿美元,同时假设21-25年全球半导体封测材料销售额CAGR与Frost&Sullivan预测全球封测行业市场规模CAGR保持一致,为4.0%,封装材料销售额将达到248亿美元。二、 国外主要半导体供应商基本情况日矿金属、东曹公司以及美国的霍尼韦尔、普莱克斯公司,四家靶材制造国际巨头,占据了全球半导体芯片
10、用靶材市场约90%的份额。半导体靶材技术含量极高,处于靶材应用场景顶端,市场集中度极高,日矿金属、东曹公司以及美国的霍尼韦尔、普莱克斯公司,四家靶材制造国际巨头,占据了全球半导体芯片用靶材市场约90%的份额。凭借着先发优势,美日等国的靶材企业已经具备了从金属材料的高纯化制备到靶材制造的完备的技术垂直整合能力,在全球高端电子制造用靶材市场占据着绝对的领先地位。三、 靶材在半导体中的应用半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一,也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。半导体芯片的制作过程可分为芯片设计、晶圆制造
11、、芯片封装和芯片测试四大环节,其中,在晶圆制造和芯片封装这两个环节中都需要用到金属溅射靶材。其中,靶材在晶圆制造环节主要被用作金属溅镀,常采用PVD工艺进行镀膜,通常使用纯度在5N5及以上的铜靶、铝靶、钽靶、钛靶以及部分合金靶等;靶材在芯片封装环节常用作贴片焊线的镀膜,常采用高纯及超高纯金属铜靶、铝靶、钽靶等。半导体芯片用金属溅射靶材的作用,就是给芯片上制作传递信息的金属导线。具体工艺过程为,在完成溅射工艺后,使各种靶材表面的原子一层一层地沉积在半导体芯片的表面上,然后再通过的特殊加工工艺,将沉积在芯片表面的金属薄膜刻蚀成纳米级别的金属线,将芯片内部数以亿计的微型晶体管相互连接起来,从而起到传
12、递信号的作用。半导体靶材市场在半导体晶圆制造材料市场中占比约2.6%,在封装材料市场中占比约2.7%。据SEMI统计,2011-2015年,在晶圆制造材料中,溅射靶材约占晶圆制造材料市场的2.6%。在封装测试材料中,溅射靶材约占封装测试材料市场的2.7%。全球半导体靶材市场规模与全球半导体材料市场规模变化趋势相近。四、 强化战略定力心中有目标,脚下才有力量。面对严峻复杂的发展形势,我们必须保持战略定力,统筹战略设计与战术运用,以确定性应对不确定性,以大概率思维应对小概率事件,以非凡之策破解非常困难。要切实增强“四个意识”、坚定“四个自信”、做到“两个维护”,始终对党绝对忠诚,秉持用政治眼光观察
13、和分析问题、不折不扣落实中央省委市委决策部署的政治定力;要紧紧围绕省委“四为四高两同步”总体思路和要求、市委“1343”工作思路,秉持锚定目标、一以贯之、一干到底的发展定力;要强化聚焦不散光、贯彻不走样、紧跟不掉队,秉持抓发展、抓经济、抓项目久久为功的工作定力,以更坚决的意志、更有力的行动,在把握战略全局中推进各项工作。五、 项目实施的必要性(一)现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公
14、司通过优化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。(二)公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断研发新产品,提升产品精密化程度,将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。第二章 市场预测一、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工
15、艺已经从130nm提升至7nm,晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大
16、尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳化,相对于8英寸晶圆而言,12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势2:多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线,110n
17、m晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线工艺的应用量在逐步增大,因此,铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上,从全球晶圆厂产能建设情况来看,12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线由于具有更低的电迁移效应,及更低的电阻,有降低功耗、提高运算速度等作用,应用量在逐步增大。据SEMI数据显示,如今12英寸晶圆约占64%,8英寸晶圆占比达26%,其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于
18、在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出,也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。因此,芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰,因可靠性、抗干扰性、低成本等优势,110nm以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势3:高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料,通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。在下游应用领域中,半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高,随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来,相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展,同时也对溅
19、射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关,为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求,所需要的溅射靶材纯度不断攀升,通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内,美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒,依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位,议价能力强,国内溅射靶材的高纯金属原料多数也依靠日美进口。但经过多年的靶材技术开发,近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破,已开始逐步实现国产替代。二、
20、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来,靶材是制备功能薄膜的核心原材料,主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域,实现导电或阻挡等功能。2020年全球靶材市场规模约188亿美元,我国靶材市场规模为46亿美元。从供给来看,四家日美巨头占据80%靶材市场,国内溅射靶材主要应用于中低端产品,国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代,技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导体产业加速向国内转移,预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元,
21、21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展,其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面,日美厂商约占90%份额,但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破,同时产能也在不断扩张,预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。国产替代+产品迭代,我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺,可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等,纯度和技术要求仅次于半导体,一般在4N甚至5N以上,但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升,预计2
22、5年我国FDP靶材市场规模将达50亿美元,21-25年CAGR为18.9%。此外预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看,我国显示面板靶材高度依赖进口,日企在国内市场仍然占据主导地位,国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主,国产替代正逐渐加速。Hit量产元年开启,靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池,纯度一般在4N以上。随着HIT电池和薄膜电池的发展,预计25年我国市场规模将接近38亿美元,21-25年CAGR为56.1%。供给方面,由于国内薄膜电池及HIT电池市场规模尚小,相关靶材企业也较少,多处起步阶段,其中先导稀材、江丰电子等产能
23、相对较大,此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作,常用材料为钴(3N)/镍/铁合金/铬/碲、硒(4N)/稀土-迁移金属(3N)等,主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主,中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低,且记录媒体研发重心主要在半导体存储,预计传统机械键盘成长空间有限,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。第三章 项目概况一、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:临汾半导体靶材项目2、承办单位名称:xx有限责
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