株洲存储设备项目招商引资方案.docx

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1、泓域咨询/株洲存储设备项目招商引资方案目录第一章 绪论8一、 项目名称及投资人8二、 编制原则8三、 编制依据8四、 编制范围及内容9五、 项目建设背景10六、 结论分析12主要经济指标一览表13第二章 行业、市场分析16一、 行业发展现状及未来发展趋势16二、 全球半导体存储产业概况16第三章 项目建设背景、必要性19一、 产业链下游应用场景丰富，市场需求广阔19二、 半导体存储器简介22三、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线24四、 加快建设具有核心竞争力的科技创新引领区27五、 建设高标准市场体系30六、 项目实施的必要性30第四章 建设内容与产品方案32一、 建设规模及主要建设内容

2、32二、 产品规划方案及生产纲领32产品规划方案一览表32第五章 项目选址可行性分析34一、 项目选址原则34二、 建设区基本情况34三、 大力优化营商环境36四、 项目选址综合评价36第六章 SWOT分析说明38一、 优势分析（S）38二、 劣势分析（W）40三、 机会分析（O）40四、 威胁分析（T）41第七章 发展规划分析49一、 公司发展规划49二、 保障措施50第八章 工艺技术说明52一、 企业技术研发分析52二、 项目技术工艺分析54三、 质量管理55四、 设备选型方案56主要设备购置一览表57第九章 节能方案说明58一、 项目节能概述58二、 能源消费种类和数量分析59能耗分析一

3、览表60三、 项目节能措施60四、 节能综合评价61第十章 环境保护方案62一、 编制依据62二、 环境影响合理性分析63三、 建设期大气环境影响分析63四、 建设期水环境影响分析63五、 建设期固体废弃物环境影响分析64六、 建设期声环境影响分析64七、 环境管理分析65八、 结论及建议69第十一章 投资计划70一、 投资估算的依据和说明70二、 建设投资估算71建设投资估算表75三、 建设期利息75建设期利息估算表75固定资产投资估算表77四、 流动资金77流动资金估算表78五、 项目总投资79总投资及构成一览表79六、 资金筹措与投资计划80项目投资计划与资金筹措一览表80第十二章 经济

4、效益分析82一、 经济评价财务测算82营业收入、税金及附加和增值税估算表82综合总成本费用估算表83固定资产折旧费估算表84无形资产和其他资产摊销估算表85利润及利润分配表87二、 项目盈利能力分析87项目投资现金流量表89三、 偿债能力分析90借款还本付息计划表91第十三章 项目招投标方案93一、 项目招标依据93二、 项目招标范围93三、 招标要求93四、 招标组织方式94五、 招标信息发布97第十四章 项目总结分析98第十五章 附表100建设投资估算表100建设期利息估算表100固定资产投资估算表101流动资金估算表102总投资及构成一览表103项目投资计划与资金筹措一览表104营业收入

5、、税金及附加和增值税估算表105综合总成本费用估算表106固定资产折旧费估算表107无形资产和其他资产摊销估算表108利润及利润分配表108项目投资现金流量表109报告说明全球智能手机市场得益于3G/4G通信网络的建设，出货量自2010年的3.05亿台迅速攀升至2016年的14.73亿台。2017年开始智能手机趋向饱和，主要是随着4G通信普及，4G智能手机增量市场触及天花板，智能手机整体出货量主要受存量市场手机单位容量增长驱动。2019年是5G商用化元年，随着5G逐渐普及，新一轮的换机周期开启。据Omida（IHSMarkit）预测，2020-2025年，5G智能手机出货量年均复合增长率（CA

6、GR）将达到约44.95%。同时，智能手机对于NANDFlash需求不仅取决于手机出货量，同时取决于单台手机的存储容量。根据Omdia（IHSMarkit）数据，单台智能手机的RAM模块（LPDDR）和ROM模块（嵌入式NANDFlash）均在经历持续、大幅的提升。随着5G手机渗透率的逐步提升，智能手机的性能进一步升级，RAM扩容是CPU提升处理速率的必要条件。功能更为强大的移动终端将允许手机搭载功能更为复杂、占据存储容量更大的软件程序，且消费者通过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消费习惯亦会进一步持续推动智能手机ROM扩容。根据谨慎财务估算，项目总投资24619.96万元，其中：建设投资1

7、9320.41万元，占项目总投资的78.47%；建设期利息210.77万元，占项目总投资的0.86%；流动资金5088.78万元，占项目总投资的20.67%。项目正常运营每年营业收入50200.00万元，综合总成本费用38123.21万元，净利润8852.57万元，财务内部收益率28.19%，财务净现值20308.92万元，全部投资回收期4.95年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响

8、经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称株洲存储设备项目（二）项目投资人xx有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx。二、 编制原则按照“保证生产，简化辅助”的原则进行设计，尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下，综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度，采取有效的环境保护措施，使生

9、产中的排放物符合国家排放标准和规定，重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。三、 编制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要；2、投资项目可行性研究指南；3、相关财务制度、会计制度；4、投资项目可行性研究指南；5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件；6、根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料；7、可行性研究与项目评价；8、建设项目经济评价方法与参数；9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资料、项目方案及基础材料。四、 编制范围及内容1、项目提出的背景及建设必要性；2、市场需求预测；3、建设规模及产品方案；4、建设地点与建设条性；5、工程技术方案；6、公用工

10、程及辅助设施方案；7、环境保护、安全防护及节能；8、企业组织机构及劳动定员；9、建设实施与工程进度安排；10、投资估算及资金筹措；11、经济评价。五、 项目建设背景NANDFlash中，嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑，移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中，LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR主要应用于服务器、个人电脑等。“十四五”时期株洲发展仍处于重要战略机遇期。从全球看，当今世界正经历百年未有之大变局，新一轮科技革命和产业变革深入发展，国际力量

11、对比深刻调整，和平与发展仍然是时代主题，人类命运共同体理念深入人心，同时新冠肺炎疫情加剧了大变局的演进，国际环境日趋复杂，不稳定性不确定性明显增加。从全国看，我国已转向高质量发展阶段，拥有全球最完整、规模最大的工业体系，制度优势显著、物质基础雄厚、人力资源丰富，随着以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局加快构建，国内统一市场建设边际效应加快释放，内需市场潜力巨大，带来的有效投资和消费升级将有力拉动经济增长。从我省看，立足“一带一部”区位优势，长江经济带发展、中部地区崛起等国家战略交汇，共建“一带一路”、自贸试验区加快建设引领开放发展，特别是“三高四新”战略实施，将进一步集聚和放

12、大湖南比较优势。从株洲看，国省战略叠加带来区域发展新机遇，我市既可向北共建长江经济带、向东对接长三角一体化发展、向南承接粤港澳大湾区产业转移、向西密切成渝双城经济圈协作，又有长株潭城市群一体化、湘赣边开放合作等区域战略深入实施，发展空间更加广阔；新一轮科技革命提供了产业升级新动力，特别是依托国家创新型城市建设，在新一轮产业布局和新兴产业崛起“窗口期”抢占更多发展先机；实施“三高四新”战略赋予了发展新使命，我市产业基础厚实、创新能力突出、职教资源丰富、营商环境优良、政治生态清朗，作为长株潭核心增长极的重要组成部分，完全可以争取更大政策支持、整合更多资源，在湖南打造“三个高地”上增强核的意识，强化

13、核的担当，发挥核心引擎作用，在推动高质量发展上走在前列，在促进共同富裕上引领示范。同时，我市发展不平衡不充分问题依然突出，特别是县域经济、 农业农村、对外开放等方面水平有待进一步提高，生态环保、社会治理、民生保障等领域存在薄弱环节，高质量发展能力有待进一步提升。综合判断，“十四五”期间，株洲发展仍处于重要战略机遇期，机遇和挑战都有新的发展变化。全市上下要准确把握新阶段我市发展的新特征新要求，善于在危机中育先机、于变局中开新局，在全面建设社会主义现代化新征程中展现更大担当作为。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx，占地面积约57.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形

14、成年产xxx套存储设备的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资24619.96万元，其中：建设投资19320.41万元，占项目总投资的78.47%；建设期利息210.77万元，占项目总投资的0.86%；流动资金5088.78万元，占项目总投资的20.67%。（五）资金筹措项目总投资24619.96万元，根据资金筹措方案，xx有限公司计划自筹资金（资本金）16017.18万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额8602.78万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（S

15、P）：50200.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：38123.21万元。3、项目达产年净利润（NP）：8852.57万元。4、财务内部收益率（FIRR）：28.19%。5、全部投资回收期（Pt）：4.95年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：15000.25万元（产值）。（七）社会效益本项目生产所需的原辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术先进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅销，经济效益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策。本项目实施后，可满足

16、国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积38000.00约57.00亩1.1总建筑面积66878.241.2基底面积24700.001.3投资强度万元/亩327.562总投资万元24619.962.1建设投资万元19320.412.1.1工程费用万元16796.462.1.2其他费用万元1999.882.1.3预备费万元524.072.2建设期利息万元210.772.3流动资金万元508

17、8.783资金筹措万元24619.963.1自筹资金万元16017.183.2银行贷款万元8602.784营业收入万元50200.00正常运营年份5总成本费用万元38123.216利润总额万元11803.437净利润万元8852.578所得税万元2950.869增值税万元2278.0310税金及附加万元273.3611纳税总额万元5502.2512工业增加值万元18463.6613盈亏平衡点万元15000.25产值14回收期年4.9515内部收益率28.19%所得税后16财务净现值万元20308.92所得税后第二章 行业、市场分析一、 行业发展现状及未来发展趋势集成电路产业是现代信息产业的基础

18、，集成电路主要分为存储芯片、逻辑芯片、模拟芯片、微处理器芯片等。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2020年全球集成电路产业规模为3,612.26亿美元，其中存储芯片规模为1,174.82亿美元，约占集成电路产业总体规模的32.52%，与逻辑芯片共同构成集成电路产业的两大支柱。二、 全球半导体存储产业概况1、全球半导体存储产业在波动中呈现总体增长趋势半导体存储器作为电子系统的基本组成部分，是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一。随着现代电子信息系统的数据存储需求指数级增长，半导体存储出货量持续大幅增长，另一方面，由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破，单位存储成本在长期曲线中

19、呈现单边下降趋势，市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势。2、DRAM与NANDFlash是半导体存储的主流市场半导体存储市场中，DRAM和NANDFlash占据主导地位，根据ICInsights数据，2019年全球半导体存储器市场中DRAM占比达58%，NANDFlash约占40%，此外NORFlash占据约1%的市场份额。随着电子产品对即时响应速度和数据处理速度的要求不断提高和CPU升级迭代，DRAM器件的主流存储容量亦持续扩大。近年来随着NANDFlash技术不断发展，单位存储成本的经济效益不断优化，应用场景持续拓展，用户需求不断攀升。在长期增长的总体趋势下，DRAM和NAN

20、DFlash的短期市场规模与产品价格受到晶圆技术迭代与产能投放、下游端市场需求、渠道市场备货，以及全球贸易环境等多重因素影响，供求平衡较为敏感。（1）NANDFlash市场根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球NANDFlash市场实现销售额为571.95亿美元，较2019年增长24.17%。2012年至2017年，全球NANDFlash在数据爆炸中保持持续稳定增长，特别是2016年至2018年初，受4G智能手机等移动终端需求驱动，以及存储原厂的生产工艺从2D向3D升级造成的产能切换，NANDFlash供不应求，量价齐升，市场快速扩张。2018年初，4G智能手机市场经过数年发

21、展趋于饱和，同时存储原厂基本完成3DNANDFlash的工艺升级，导致晶圆单位存储密度大幅度提升，NANDFlash供过于求，价格迎来拐点并持续下跌，而由于存储原厂产能投放充足，存储原厂持续将产能传导至渠道市场，市场规模仍保持增长惯性，直至2019年大幅回落。2020年受新冠疫情影响，居家办公、远程通信需求持续拉动个人电脑、服务器市场增长，同时全球产能受疫情管制措施干扰，DRAM与NANDFlash价格上涨，2020年市场规模实现增长。（2）DRAM市场根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球DRAM市场实现销售额为663.83亿美元，较2019年小幅增长6.75%。DRAM市

22、场由于集中度更高，主要供应商的产能布局和市场需求之间的动态平衡更为脆弱，存储原厂产能规划对市场价格和总体规模影响较大。2018年由于三大存储原厂DRAM制程切换中产能储备不足，与NANDFlash年初即迎来价格拐点不同，市场缺货行情支撑DRAM价格仍然保持增长至2018第三季度，并助推2018年市场规模实现较高增长，此后DRAM与NANDFlash同样受疲软需求拖累，2019年DRAM价格及市场规模均大幅跳水，2020年市场需求有所恢复性增长。第三章 项目建设背景、必要性一、 产业链下游应用场景丰富，市场需求广阔存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、可穿戴设备、物联网硬

23、件、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样，涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。半导体存储器根据下游应用场景形成了不同的产品形态，NANDFlash主要包括嵌入式存储（用于电子移动终端低功耗场景）、固态硬盘（大容量存储场景）、移动存储（便携式存储场景）等，其中嵌入式存储与固态硬盘是NANDFlash的主要产品类别，市场规模占NANDFlash市场85%以上。NANDFlash中，嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑，移动存储广泛应用于

24、各类消费者领域。DRAM中，LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR主要应用于服务器、个人电脑等。1、智能手机市场随着移动通信技术的发展和移动互联网的普及，作为半导体存储下游重要的细分市场，智能手机的景气度是NANDFlash，特别是嵌入式存储市场发展的核心驱动力。全球智能手机市场得益于3G/4G通信网络的建设，出货量自2010年的3.05亿台迅速攀升至2016年的14.73亿台。2017年开始智能手机趋向饱和，主要是随着4G通信普及，4G智能手机增量市场触及天花板，智能手机整体出货量主要受存量市场手机单位容量增长驱动。

25、2019年是5G商用化元年，随着5G逐渐普及，新一轮的换机周期开启。据Omida（IHSMarkit）预测，2020-2025年，5G智能手机出货量年均复合增长率（CAGR）将达到约44.95%。同时，智能手机对于NANDFlash需求不仅取决于手机出货量，同时取决于单台手机的存储容量。根据Omdia（IHSMarkit）数据，单台智能手机的RAM模块（LPDDR）和ROM模块（嵌入式NANDFlash）均在经历持续、大幅的提升。随着5G手机渗透率的逐步提升，智能手机的性能进一步升级，RAM扩容是CPU提升处理速率的必要条件。功能更为强大的移动终端将允许手机搭载功能更为复杂、占据存储容量更大的

26、软件程序，且消费者通过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消费习惯亦会进一步持续推动智能手机ROM扩容。2、数据中心市场近年来，云计算、大数据、物联网、人工智能等市场规模不断扩大，数据量呈现几何级增长，数据中心固定投资不断增加。据国际数据公司（IDC）预测，全球数据总量预计2020年达到44ZB，我国数据量将达到8,060EB，占全球数据总量的18%。数据爆发式增长为存储行业带来巨大的需求空间。一方面互联网巨头纷纷自建数据中心，同时传统企业上云进程加快，两者共同带动服务器数据存储市场规模快速增长。根据国际数据公司（IDC）统计，2019年第四季度全球服务器出货量340万台，同比增长14%，服务器

27、厂商收入同比增长7.5%至254亿美元。在数据中心作为新型基础设施加快建设的背景下，服务器/数据存储的市场规模将继续快速增长，该细分领域的需求将大幅增加。3、个人电脑（PC）市场个人电脑（PC）市场曾是磁性存储器的主要市场之一，由于NANDFlashSSD的制造成本较高，PC端数据存储过去主要使用机械硬盘（HDD）。HDD是以磁性材料为存储载体的存储器，在平整的磁性表面存储和检索数字数据。近年来，随着NANDFlash单位存储经济效益持续凸显，同时笔记本电脑，特别是轻薄笔记本电脑对存储物理空间限制严格，SSD对HDD的替代效应显著。同时，PC与其他消费电子产品相同，正在经历性能和数据存储需求的

28、持续增长。随着消费者处理数据的需求不断增加，单台设备的存储容量需求亦持续增加。4、移动存储消费市场用户对于可靠的存储解决方案的需求是移动存储消费市场存在的前提，经过多年的发展，移动存储消费市场已经充分发展，产品形态以U盘、存储卡以及移动便携SSD产品为主，产品形态趋于成熟，需求稳中有降，整体市场进入成熟期，移动存储消费市场的品牌作用日益凸显。5、汽车电子市场随着汽车消费升级、新能源汽车的推广以及相关政策推动，汽车电动化和智能化将成为新趋势。随着智能化程度的不断加深，汽车正逐步完成由交通工具到移动终端的转变，同时也给存储行业带来新的市场机遇。当前，汽车产品中主要是信息娱乐系统、动力系统和高级驾驶

29、辅助（ADAS）系统中需要使用存储设备，随着自动化程度提高，所需的存储容量也随之增长。根据Gartner的数据显示，2019年全球ADAS中的NANDFlash存储消费达到2.2亿GB，同比增长214.29%，未来几年增速有所放缓但仍将保持强劲增长，预计至2024年，全球ADAS领域的NANDFlash存储消费将达到41.5亿GB，2019年-2024年复合增速达79.9%。二、 半导体存储器简介存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放，半导体存储是集成电路的重要分支。1、易失性存储易

30、失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。动态随机存取存储器（DRAM）需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于SRAM，但访问速度慢于SRAM；此外，由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存

31、储器，主要用作CPU处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。2、非易失性存储非易失性存储主要指只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的ROM产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信息，故称“只读”存储器。ROM经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器（MaskROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和快闪存储器（Flash）等阶段，已经突破原有的“只读”限制。Flash主要包括NANDFlash和NORFlash。N

32、ANDFlash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他ROM；在正常使用情况下，Flash所存的电荷（数据）可长期保存；同时，NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NORFlash特点在于允许CPU直接从存储单元中读取代码执行（eXecuteInPlace,XIP），即应用程序可直接在Flash内运行，而不必再读到系统RAM中；但NORFlash写入和擦除速度慢，因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。三、

33、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛，早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势，全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累，不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗，随着制程工艺不断逼近极限，芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高，研发资本投入不断增加。同时，主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能，维持规模优势和市场份额。1、NANDFlash市场竞争格局及技术路线NANDFlash全球市场高度集中，根据Omdia（IHSMarkit）数据，2

34、020年全球NANDFlash市场规模为571.95亿美元，由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK海力士、英特尔六家公司主导，其中三星电子全球市场份额约34%，此外，SK海力士收购英特尔NANDFlash业务已于2021年获得主要市场监管当局批准，全球NANDFlash市场将进一步集中。技术路线方面，主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash存储密度。目前，存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升3DNANDFlash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量，NANDFlash分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-level

35、Cell）为每个存储单元存储的数据只有1位，而MLC（Multi-levelCell）、TLC（Triple-levelCell）和QLC（Quad-LevelCell）每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位，存储密度梯度提升。传统NANDFlash为平面闪存（2DNAND），3DNAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子2013年率先开发出可以商业化应用的24层3DNAND，2020年3DNAND高端先进制程进入176层阶段。2、DRAM市场竞争格局及技术路线DRAM全球市场相较于NANDFlash更为集中，2020年全球DRAM市场规

36、模为663.83亿美元，由三星电子、SK海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面，行业龙头三星电子于2014年率先实现20纳米制程量产（4GbDDR3DRAM），将技术路线竞争引入20nm时代，此后DRAM制程大约每两年实现一次突破，从1Xnm（16nm-19nm）到1Ynm（14nm-16nm）到1Znm（12-14nm）。2021年1月，美光科技率先宣布量产1nm（接近10nm）DRAM产品，主流原厂开始进入1nm制程阶段。目前市场高端制程为1Znm，该制程生产的芯片主要标准规格包括DDR4X/5及LPDDR4X/5。3、中国大陆存储晶圆仍处于发展初期近年来，在集成电路产业政策和国家集成

37、电路基金等市场资本的扶持推动下，中国在DRAM与NANDFlash两大存储核心领域均取得关键技术突破，以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂技术实力与国际主流原厂快速缩小；依托中国市场广阔需求，市场份额取得实质进展。尽管国产晶圆生产取得实质进展，但是国产晶圆在技术实力和市场规模方面与国际存储原厂仍有显著差距。四、 加快建设具有核心竞争力的科技创新引领区面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康，充分发挥创新的核心作用，以长株潭国家自主创新示范区和国家创新型城市建设为抓手，大力实施关键核心技术攻关、基础研究发展、创新主体增量提质、中国动力谷人才行动、创新平台建设、

38、创新生态优化、科技成果转化等“创新引领七大计划”，全面塑造创新发展新优势，在打造具有核心竞争力的科技创新高地中彰显更大担当。（一）加强关键技术攻关和成果转化实施关键核心技术攻关计划，聚焦轨道交通、航空、新能源汽车、IGBT、人工智能、新材料等领域，突破一批“卡脖子”技术，提升重点领域基础研究和应用能力。实施基础研究发展计划，依托现有优势，加大研发投入，提升原始创新能力，推动前沿性颠覆性技术创新。实施科技成果转化计划，完善成果转移转化机制，优化科技成果考核评价体系，提高科技成果本地转化率。加快形成“产学研用”利益共同体，逐步健全“先确权、后转化”有效机制，打通基础研究、应用研究、产业转化的堵点，

39、构建顺畅高效的技术创新和转移转化体系。（二）强化企业创新主体地位实施创新主体增量提质计划，大力培育高新技术企业、科技型中小微企业，有效发挥大企业引领支撑作用，支持创新型中小微企业快速成长壮大，推动产业链上中下游、大中小企业协同创新。鼓励企业加大研发设计力度，支持企业参与“揭榜挂帅”、开展核心技术零部件和元器件、先进基础工艺、关键基础材料、产业技术基础等工业“四基”攻关，促进创新要素向企业集聚。（三）加大创新人才引进和培养力度牢固确立人才引领发展的战略地位，全面聚集人才，着力夯实高质量发展人才基础。实施中国动力谷人才计划，优化升级“人才30条”，建立与世界接轨的人才引培机制。紧贴重点产业链需求，

40、实行柔性引才用才，建设创新型专业人才队伍和人才智库，大力吸引青年人才，发挥领军人才作用，着力培养创新型、应用型、技能型人才。尊重人才、尊重知识、尊重创新，努力为各类人才提供宜居、宜业、宜创的生活环境，着力营造良好的创新创业氛围。健全人才评价激励制度，加快形成以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系。大力弘扬科学家精神、劳模精神、工匠精神，支持人才优先发展，打造中部地区创新人才汇聚新高地。（四）强化产学研合作和平台支撑能力推进产学研深度融合，鼓励各类企业、高校、科研机构加强国际与区域科技合作，采用新技术、研发新产品、创造新模式、培育新业态，提高科技成果吸纳和专业化生产能力。实施创新平

41、台建设计划，布局一批新型研发机构，加快国家先进轨道交通装备创新中心、湖南省新能源汽车协同创新研究院、国家永磁技术研究中心株洲基地等平台建设，争创国家功率半导体产业创新中心、国家中小航空发动机创新中心、国家轨道交通试验中心、国家新能源汽车监督检验中心等平台；优化组合现有国家级企业技术中心、国家级工程技术（研究）中心、国家级重点实验室、国家级监督检验中心等优质创新资源，运用科技创新券等方式，促进优质科研资源开放共享。培育建设一批创新型县市区，加快形成全域创新体系。（五）完善创新体制机制实施创新生态优化计划，推动项目、基地、人才、资金一体化配置，打造一流创新环境。完善专利导航决策制度和政策，建立以运

42、用为导向的高价值专利培育机制，提升产业核心竞争力。开展地理标志与专利、商标等多类型知识产权协同运用，支撑产业区域创新发展实践。改革科技投入方式，构建市场化多元化科技投入机制，完善金融支撑创新体系。强化知识产权运用和保护，积极推行职务发明创造知识产权归属和权益分享制度改革。加大科技奖励力度，完善科技奖励制度。五、 建设高标准市场体系落实国家高标准市场体系建设行动，加快建设统一开放、竞争有序的市场体系。实施深化要素市场化配置改革行动，建立规则统一、公开透明的资源要素交易平台，促进土地、劳动力、资本、技术、数据等要素自主有序流动。进一步提升资源要素出让效率，重点打通土地资源要素的城乡分割，加快建立城

43、乡统一、同权同价的建设用地市场。推进政府数据特许经营权价值评估和运营试点工作，加大对数据要素市场主体的培育力度。全面实行市场准入负面清单制度，加强信用株洲建设，建设全市一体化公共信用信息平台。六、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足

44、对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 建设内容与产品方案一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积38000.00（折合约57.00亩），预计场区规划总建筑面积66878.24。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx有限公司建设能力分析，

45、建设规模确定达产年产xxx套存储设备，预计年营业收入50200.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1存储设备套xxx2存储设备套xxx3存储设备套xxx4.套5.套6.套合计xxx50200.00

46、随着电子产品对即时响应速度和数据处理速度的要求不断提高和CPU升级迭代，DRAM器件的主流存储容量亦持续扩大。近年来随着NANDFlash技术不断发展，单位存储成本的经济效益不断优化，应用场景持续拓展，用户需求不断攀升。在长期增长的总体趋势下，DRAM和NANDFlash的短期市场规模与产品价格受到晶圆技术迭代与产能投放、下游端市场需求、渠道市场备货，以及全球贸易环境等多重因素影响，供求平衡较为敏感。第五章 项目选址可行性分析一、 项目选址原则1、符合城乡建设总体规划，应符合当地工业项目占地使用规划的要求，并与大气污染防治、水资源和自然生态保护相一致。2、项目选址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的敏感性目标。3、节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地。4、项目选址选择应提供足够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。5、项目选址应具备良好的生产基础条件，水源、电力、运输等生产要素供应充裕，能源供应有可靠的保障。6、项目选址应靠近交通主干道，具备便利的交通条件，有利于原料和产成