呼伦贝尔半导体靶材项目可行性研究报告.docx
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1、泓域咨询/呼伦贝尔半导体靶材项目可行性研究报告报告说明目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内,美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒,依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位,议价能力强,国内溅射靶材的高纯金属原料多数也依靠日美进口。但经过多年的靶材技术开发,近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破,已开始逐步实现国产替代。根据谨慎财务估算,项目总投资45017.18万元,其中:建设投资35778.19万元,占项目总投资的79.48%;建设期利息1048.41万元,占项目总投资的2.33%;流动资金8190.58
2、万元,占项目总投资的18.19%。项目正常运营每年营业收入99800.00万元,综合总成本费用81621.93万元,净利润13292.05万元,财务内部收益率23.04%,财务净现值17844.11万元,全部投资回收期5.71年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目建设符合国家产业政策,具有前瞻性;项目产品技术及工艺成熟,达到大批量生产的条件,且项目产品性能优越,是推广型产品;项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案;项目设施对环境的影响经评价分析是可行的;根据项目财务评价分析,经济效益好,在财务方面是充分可行的。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,
3、旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 市场分析9一、 全球半导体靶材市场规模预测9二、 国外主要半导体供应商基本情况9第二章 背景、必要性分析11一、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲11二、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展13三、 深入建设向北开放中俄蒙合作先导区,提升对外开放水平16第三章 项目概况18一、 项目名称及建设性质18二、 项目承办单位18三、 项目定位及建设理由19四、 报告编制说明21五、 项目建设选址22六、 项目生产规模23七、 建筑物建设规模23八、 环境影响23九、 项目总投
4、资及资金构成23十、 资金筹措方案24十一、 项目预期经济效益规划目标24十二、 项目建设进度规划24主要经济指标一览表25第四章 项目承办单位基本情况27一、 公司基本信息27二、 公司简介27三、 公司竞争优势28四、 公司主要财务数据30公司合并资产负债表主要数据30公司合并利润表主要数据30五、 核心人员介绍31六、 经营宗旨32七、 公司发展规划32第五章 建筑技术方案说明35一、 项目工程设计总体要求35二、 建设方案35三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表39第六章 项目选址可行性分析41一、 项目选址原则41二、 建设区基本情况41三、 建立健全科技创新体系,增强引领发
5、展源动力44四、 项目选址综合评价44第七章 建设规模与产品方案45一、 建设规模及主要建设内容45二、 产品规划方案及生产纲领45产品规划方案一览表46第八章 发展规划分析47一、 公司发展规划47二、 保障措施48第九章 法人治理51一、 股东权利及义务51二、 董事54三、 高级管理人员59四、 监事61第十章 运营模式分析64一、 公司经营宗旨64二、 公司的目标、主要职责64三、 各部门职责及权限65四、 财务会计制度68第十一章 工艺技术及设备选型74一、 企业技术研发分析74二、 项目技术工艺分析76三、 质量管理78四、 设备选型方案79主要设备购置一览表79第十二章 人力资源
6、分析81一、 人力资源配置81劳动定员一览表81二、 员工技能培训81第十三章 原辅材料成品管理84一、 项目建设期原辅材料供应情况84二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理84第十四章 项目节能分析85一、 项目节能概述85二、 能源消费种类和数量分析86能耗分析一览表86三、 项目节能措施87四、 节能综合评价88第十五章 安全生产分析89一、 编制依据89二、 防范措施90三、 预期效果评价94第十六章 项目投资计划96一、 投资估算的编制说明96二、 建设投资估算96建设投资估算表98三、 建设期利息98建设期利息估算表99四、 流动资金100流动资金估算表100五、 项目总投资101
7、总投资及构成一览表101六、 资金筹措与投资计划102项目投资计划与资金筹措一览表103第十七章 经济效益及财务分析105一、 基本假设及基础参数选取105二、 经济评价财务测算105营业收入、税金及附加和增值税估算表105综合总成本费用估算表107利润及利润分配表109三、 项目盈利能力分析110项目投资现金流量表111四、 财务生存能力分析113五、 偿债能力分析113借款还本付息计划表114六、 经济评价结论115第十八章 项目招标及投标分析116一、 项目招标依据116二、 项目招标范围116三、 招标要求117四、 招标组织方式119五、 招标信息发布121第十九章 总结评价说明12
8、2第二十章 附表附录124建设投资估算表124建设期利息估算表124固定资产投资估算表125流动资金估算表126总投资及构成一览表127项目投资计划与资金筹措一览表128营业收入、税金及附加和增值税估算表129综合总成本费用估算表130固定资产折旧费估算表131无形资产和其他资产摊销估算表132利润及利润分配表132项目投资现金流量表133第一章 市场分析一、 全球半导体靶材市场规模预测半导体行业已步入新一轮景气周期,预计2025年全球半导体晶圆制造材料销售额预计将达到604亿美元,封装材料销售额将达到248亿美元。根据wind及SEMI数据显示,2011-2020年,全球半导体晶圆制造材料销
9、售额年均复合增长率为4.1%,封装材料销售额年均复合增长率为-1.6%,2020年,因5G普及、新冠肺炎疫情推升宅经济需求,全球半导体需求攀高,全球半导体材料销售额年增4.9%至553亿美元,其中晶圆制造材料占比63%,销售额为349亿美元;半导体封装材料204亿美元。据Gartner,经过2019年的周期性调整,半导体行业已步入新一轮景气周期。假设2020-2025年全球半导体晶圆制造材料销售额CAGR与ICInsights预测全球晶圆制造市场规模CAGR基本保持一致,为11.6%,预计2025年全球半导体晶圆制造材料销售额预计将达到604亿美元,同时假设21-25年全球半导体封测材料销售额
10、CAGR与Frost&Sullivan预测全球封测行业市场规模CAGR保持一致,为4.0%,封装材料销售额将达到248亿美元。二、 国外主要半导体供应商基本情况日矿金属、东曹公司以及美国的霍尼韦尔、普莱克斯公司,四家靶材制造国际巨头,占据了全球半导体芯片用靶材市场约90%的份额。半导体靶材技术含量极高,处于靶材应用场景顶端,市场集中度极高,日矿金属、东曹公司以及美国的霍尼韦尔、普莱克斯公司,四家靶材制造国际巨头,占据了全球半导体芯片用靶材市场约90%的份额。凭借着先发优势,美日等国的靶材企业已经具备了从金属材料的高纯化制备到靶材制造的完备的技术垂直整合能力,在全球高端电子制造用靶材市场占据着绝
11、对的领先地位。第二章 背景、必要性分析一、 国产替代+技术革新,高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来,靶材是制备功能薄膜的核心原材料,主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域,实现导电或阻挡等功能。2020年全球靶材市场规模约188亿美元,我国靶材市场规模为46亿美元。从供给来看,四家日美巨头占据80%靶材市场,国内溅射靶材主要应用于中低端产品,国产替代需求强烈。产业转移加速靶材国产替代,技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域,纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导体产业加速向国内转移,预计25年我
12、国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元,21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展,其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面,日美厂商约占90%份额,但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破,同时产能也在不断扩张,预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。国产替代+产品迭代,我国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺,可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为Cu、Al、Mo和IGZO等,纯度和技术要求仅次于半导体,一般在4N甚至5N以上,但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板
13、需求上涨和我国显示面板国产替代提升,预计25年我国FDP靶材市场规模将达50亿美元,21-25年CAGR为18.9%。此外预计OLED用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看,我国显示面板靶材高度依赖进口,日企在国内市场仍然占据主导地位,国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主,国产替代正逐渐加速。Hit量产元年开启,靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和HIT光伏电池,纯度一般在4N以上。随着HIT电池和薄膜电池的发展,预计25年我国市场规模将接近38亿美元,21-25年CAGR为56.1%。供给方面,由于国内薄膜电池及HIT电池市场规模尚小,相关靶材企业也较少,
14、多处起步阶段,其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大,此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作,常用材料为钴(3N)/镍/铁合金/铬/碲、硒(4N)/稀土-迁移金属(3N)等,主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场以海外供应为主,中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低,且记录媒体研发重心主要在半导体存储,预计传统机械键盘成长空间有限,磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。二、 应用趋势:下游技术革新,溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度
15、化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,,对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关,随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步,溅射靶材也需要随之变化,随着半导体技术的不断发展,集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm,与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求,对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高,这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动
16、溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1:大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向,但随尺寸增加,靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加,对技术要求就越高。晶圆尺寸越大,可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积,得以达到效率最佳化,相对于8英寸晶圆而言,12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势2:多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材,其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺,一般来说110nm晶圆技术节点以上使用
17、铝导线,110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用,常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料,钽靶则配合铜靶使用,作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线工艺的应用量在逐步增大,因此,铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上,从全球晶圆厂产能建设情况来看,12寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展,铜导线由于具有更低的电迁移效应,及更低的电阻,有降低功耗、提高运算速度等作用,应用量在逐步增大。据SEMI数据显示,如今12英寸晶圆约占64%,8英寸晶圆占比达26%,其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。
18、但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出,也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。因此,芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰,因可靠性、抗干扰性、低成本等优势,110nm以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势3:高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料,通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。在下游应用领域中,半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高,随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来,相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向
19、发展,同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关,为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求,所需要的溅射靶材纯度不断攀升,通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%(5N5)甚至99.9999%(6N)以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内,美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒,依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位,议价能力强,国内溅射靶材的高纯金属原料多数也依靠日美进口。但经过多年的靶材技术开发,近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破,已开始逐步实
20、现国产替代。三、 深入建设向北开放中俄蒙合作先导区,提升对外开放水平依托满洲里国家重点开发开放试验区、综合保税区等开放平台,全方位融入中蒙俄经济走廊,纵深推进“海赤乔”国际次区域合作金三角建设,大力发展泛口岸经济。推动“通道经济”向“落地经济”转变、“大进大出”向“优进优出”转变,大力发展进口木材、农畜产品等落地加工。大力优化对外贸易结构,发展服务贸易、转口加工、物流业、跨境电子商务和跨境旅游业。充分发挥出口的促进作用,加快农产品出口基地建设。深化互联互通互融,改变口岸同质化竞争、孤立式运行状况,发挥满洲里“龙头”口岸作用,增强额布都格、黑山头等口岸服务功能,形成口岸带动、腹地支撑、边腹互动格
21、局。积极打造中欧班列集结中心,加快推进满洲里综合保税区、满洲里中俄边民互市贸易区、满洲里跨境电子商务综合试验区、满洲里陆上边境口岸型国家物流枢纽、满洲里国家边境旅游试验区建设。提高口岸通关信息化水平,重点打造呼伦贝尔电子口岸平台。实施贸易投资融合工程,落实好外商投资准入前国民待遇加负面清单管理等制度。深化与俄蒙毗邻地区合作,加强人文交流,完善政府间定期会晤机制,促进与俄蒙毗邻地区在经贸、旅游、文化、教育、体育、生态、红十字等领域合作不断取得新成果。第三章 项目概况一、 项目名称及建设性质(一)项目名称呼伦贝尔半导体靶材项目(二)项目建设性质本项目属于新建项目二、 项目承办单位(一)项目承办单位
22、名称xx集团有限公司(二)项目联系人史xx(三)项目建设单位概况展望未来,公司将围绕企业发展目标的实现,在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下,围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑,推动体制机制改革和管理及业务模式的创新,加强团队能力建设,提升核心竞争力,努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。公司自成立以来,坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本,强调服务,一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革,实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一,质量第一,信誉第一”为原则,在产品质量上精益求精,追求完美,对客户以诚
23、相待,互动双赢。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念,倡导“诚信尊重”的企业情怀;坚持“品质营造未来,细节决定成败”为质量方针;以“真诚服务赢得市场,以优质品质谋求发展”的营销思路;以科学发展观纵观全局,争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 公司坚持提升企业素质,即“企业管理水平进一步提高,人力资源结构进一步优化,人员素质进一步提升,安全生产意识和社会责任意识进一步增强,诚信经营水平进一步提高”,培育一批具有工匠精神的高素质企业员工,企业品牌影响力不断提升。三、 项目定位及建设理由半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括:铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材,以及镍铂、钨钛
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