孝感存储器项目申请报告.docx
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1、泓域咨询/孝感存储器项目申请报告目录第一章 市场分析8一、 行业发展面临的机遇与挑战8二、 半导体存储器简介10第二章 项目背景分析13一、 全球半导体存储产业概况13二、 半导体存储产业链特征15三、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线16四、 积极融入新发展格局,全面提升开放发展水平19第三章 绪论21一、 项目名称及项目单位21二、 项目建设地点21三、 可行性研究范围21四、 编制依据和技术原则22五、 建设背景、规模22六、 项目建设进度23七、 环境影响23八、 建设投资估算24九、 项目主要技术经济指标24主要经济指标一览表25十、 主要结论及建议26第四章 项目选址可行性分析
2、27一、 项目选址原则27二、 建设区基本情况27三、 优化区域布局,推进区域协调发展31四、 加快构建现代产业体系,夯实市域经济发展底盘35五、 项目选址综合评价37第五章 建筑技术方案说明38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案40三、 建筑工程建设指标41建筑工程投资一览表41第六章 SWOT分析说明43一、 优势分析(S)43二、 劣势分析(W)44三、 机会分析(O)45四、 威胁分析(T)45第七章 法人治理51一、 股东权利及义务51二、 董事53三、 高级管理人员58四、 监事60第八章 项目进度计划62一、 项目进度安排62项目实施进度计划一览表62二、 项目实施保障
3、措施63第九章 劳动安全生产64一、 编制依据64二、 防范措施67三、 预期效果评价69第十章 项目节能方案71一、 项目节能概述71二、 能源消费种类和数量分析72能耗分析一览表73三、 项目节能措施73四、 节能综合评价74第十一章 工艺技术说明75一、 企业技术研发分析75二、 项目技术工艺分析78三、 质量管理79四、 设备选型方案80主要设备购置一览表81第十二章 组织机构管理83一、 人力资源配置83劳动定员一览表83二、 员工技能培训83第十三章 投资方案分析85一、 投资估算的编制说明85二、 建设投资估算85建设投资估算表87三、 建设期利息87建设期利息估算表88四、 流
4、动资金89流动资金估算表89五、 项目总投资90总投资及构成一览表90六、 资金筹措与投资计划91项目投资计划与资金筹措一览表92第十四章 经济效益94一、 经济评价财务测算94营业收入、税金及附加和增值税估算表94综合总成本费用估算表95固定资产折旧费估算表96无形资产和其他资产摊销估算表97利润及利润分配表99二、 项目盈利能力分析99项目投资现金流量表101三、 偿债能力分析102借款还本付息计划表103第十五章 项目招标、投标分析105一、 项目招标依据105二、 项目招标范围105三、 招标要求106四、 招标组织方式108五、 招标信息发布112第十六章 总结评价说明113第十七章
5、 补充表格115主要经济指标一览表115建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121营业收入、税金及附加和增值税估算表122综合总成本费用估算表122固定资产折旧费估算表123无形资产和其他资产摊销估算表124利润及利润分配表125项目投资现金流量表126借款还本付息计划表127建筑工程投资一览表128项目实施进度计划一览表129主要设备购置一览表130能耗分析一览表130报告说明半导体存储器作为电子系统的基本组成部分,是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一。随着现代电子信息系统的数据存储需求
6、指数级增长,半导体存储出货量持续大幅增长,另一方面,由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破,单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势,市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势。根据谨慎财务估算,项目总投资10038.70万元,其中:建设投资8055.53万元,占项目总投资的80.24%;建设期利息104.76万元,占项目总投资的1.04%;流动资金1878.41万元,占项目总投资的18.71%。项目正常运营每年营业收入19700.00万元,综合总成本费用15528.28万元,净利润3049.88万元,财务内部收益率23.18%,财务净现值3402.20万元,全部投资回收期5.3
7、6年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。经初步分析评价,项目不仅有显著的经济效益,而且其社会救益、生态效益非常显著,项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定,构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好,项目的实施不但是可行而且是十分必要的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 市场分析一、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇(1)国家政策高度重视集成电路行业发展集成电路
8、产业是现代信息产业的基础和核心产业之一。近年来,为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展,国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法规和产业政策,国家层面也设立相应产业投资基金,给行业注入新动力。(2)下游应用行业蓬勃发展,国内市场对存储器芯片需求较大存储器行业的发展主要取决于下游的终端应用领域。随着一系列国家战略的持续深入实施,下游制造业的升级换代进程加快,其中消费电子、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速。下游市场处于蓬勃发展的态势,直接推动存储器产业链的持续扩张,有利于维持存储器行业需求端的规模增长。(3)
9、存储产业链向大陆转移带来的机遇随着国内集成电路行业的发展,全球集成电路行业经历了向中国转移的过程,中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场。在这一趋势带动下,存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线,下游晶圆加工工艺持续改进,国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平,为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。(4)信创产业助力存储行业发展近年来,国家大力推动信创产业发展,从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件,再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。而存储是信创产业的关键一环,当前信创产业处于全面提速阶段,必将对整个国产存储产业链
10、起到带动作用。2、行业挑战(1)高端技术人才不足在市场需求增长、国家政策支持、产业中心转移等利好因素下,高端技术才是企业抓住机遇、发展壮大的关键。国内具备战略视野和产业运营经验的领军型人才和国际高端技术人才相对稀缺。(2)国内存储晶圆制造能力仍需进一步实现突破存储晶圆制造能力是存储产业实力的重要体现,当前世界先进的存储晶圆制造工艺及主要市场份额仍掌握在国外存储原厂手中,国内存储晶圆制造仍处于起步阶段,专利和技术积累相对薄弱,虽然长江存储、合肥长鑫等存储原厂已经实现量产,但与国外存储原厂在技术和市场份额方面仍存在较大差距。(3)我国集成电路基础技术有待提升国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四
11、十年以上的发展。国内同行业的厂商仍处于一个成长的阶段,与国际大厂依然存在技术差距,尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板,目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。因此,产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路行业的发展。二、 半导体存储器简介存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件,半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储,存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放,半导体存储是集成电路的重要分支。1、易失性存储易失性存储主要指随机存取存储器(RAM)。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于R
12、AM可以实现对数据的高速读写,因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储,进一步分为动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。动态随机存取存储器(DRAM)需要在维持通电的同时,通过周期性刷新来维持数据,故称“动态”存储器。DRAM结构简单,因此单位面积的存储密度显著高于SRAM,但访问速度慢于SRAM;此外,由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据,因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器,主要用作CPU处理数据的临时存储装置,广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。2、非易
13、失性存储非易失性存储主要指只读存储器(ROM),无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的ROM产品信息首次写入后即固定下来,以非破坏性读出方式工作,只能读出而无法修改或再次写入信息,故称“只读”存储器。ROM经过不断演变发展,经过掩膜只读存储器(MaskROM)、可编程只读存储器(PROM)、可编程可擦除只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(Flash)等阶段,已经突破原有的“只读”限制。Flash主要包括NANDFlash和NORFlash。NANDFlash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管,存储密度远
14、高于其他ROM;在正常使用情况下,Flash所存的电荷(数据)可长期保存;同时,NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案,是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NORFlash特点在于允许CPU直接从存储单元中读取代码执行(eXecuteInPlace,XIP),即应用程序可直接在Flash内运行,而不必再读到系统RAM中;但NORFlash写入和擦除速度慢,因此不适宜作为大容量存储器,仅在小容量场景具有成本效益。第二章 项目背景分析一、 全球半导体存储产业概况1、全球半导体存储产业在波动中呈现总体增长趋势半导体存储器作
15、为电子系统的基本组成部分,是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一。随着现代电子信息系统的数据存储需求指数级增长,半导体存储出货量持续大幅增长,另一方面,由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破,单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势,市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势。2、DRAM与NANDFlash是半导体存储的主流市场半导体存储市场中,DRAM和NANDFlash占据主导地位,根据ICInsights数据,2019年全球半导体存储器市场中DRAM占比达58%,NANDFlash约占40%,此外NORFlash占据约1%的市场份额。随着电子产品对即时响应速度和数据处理
16、速度的要求不断提高和CPU升级迭代,DRAM器件的主流存储容量亦持续扩大。近年来随着NANDFlash技术不断发展,单位存储成本的经济效益不断优化,应用场景持续拓展,用户需求不断攀升。在长期增长的总体趋势下,DRAM和NANDFlash的短期市场规模与产品价格受到晶圆技术迭代与产能投放、下游端市场需求、渠道市场备货,以及全球贸易环境等多重因素影响,供求平衡较为敏感。(1)NANDFlash市场根据Omdia(IHSMarkit)数据,2020年全球NANDFlash市场实现销售额为571.95亿美元,较2019年增长24.17%。2012年至2017年,全球NANDFlash在数据爆炸中保持持
17、续稳定增长,特别是2016年至2018年初,受4G智能手机等移动终端需求驱动,以及存储原厂的生产工艺从2D向3D升级造成的产能切换,NANDFlash供不应求,量价齐升,市场快速扩张。2018年初,4G智能手机市场经过数年发展趋于饱和,同时存储原厂基本完成3DNANDFlash的工艺升级,导致晶圆单位存储密度大幅度提升,NANDFlash供过于求,价格迎来拐点并持续下跌,而由于存储原厂产能投放充足,存储原厂持续将产能传导至渠道市场,市场规模仍保持增长惯性,直至2019年大幅回落。2020年受新冠疫情影响,居家办公、远程通信需求持续拉动个人电脑、服务器市场增长,同时全球产能受疫情管制措施干扰,D
18、RAM与NANDFlash价格上涨,2020年市场规模实现增长。(2)DRAM市场根据Omdia(IHSMarkit)数据,2020年全球DRAM市场实现销售额为663.83亿美元,较2019年小幅增长6.75%。DRAM市场由于集中度更高,主要供应商的产能布局和市场需求之间的动态平衡更为脆弱,存储原厂产能规划对市场价格和总体规模影响较大。2018年由于三大存储原厂DRAM制程切换中产能储备不足,与NANDFlash年初即迎来价格拐点不同,市场缺货行情支撑DRAM价格仍然保持增长至2018第三季度,并助推2018年市场规模实现较高增长,此后DRAM与NANDFlash同样受疲软需求拖累,201
19、9年DRAM价格及市场规模均大幅跳水,2020年市场需求有所恢复性增长。二、 半导体存储产业链特征半导体存储产业链形态与逻辑芯片产业有所不同。逻辑芯片产业从1990年代起,受降低成本和提升效率等要素驱动,原来主流的IDM(设计-制造垂直整合)模式向产业链分工模式切换,Fabless(设计)、Foundry(制造)、Test(测试)各环节开始独立,产业链纵向分化;而半导体存储器由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密,半导体存储主要晶圆厂仍采用IDM模式经营。同时,半导体存储器核心功能即为数据存储,存储晶圆标准化程度高,应用场景所需的功能则在NANDFlash主控芯片设计、固件开发以及SiP封装
20、等产业链后端环节实现。因此存储原厂完成晶圆制造后,仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。由于以上的产业特征,部分存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透,同时独立的存储器供应商(含品牌商)应运而生。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆IC设计与提升晶圆制程,在产品应用领域,囿于产品化成本等要素限制,原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户(如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户)。存储原厂的目标市场之外,仍存在极为广泛的应用场景和市场需求,包括细分行业存储需求(如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联网硬件等)以及主流应用市场中小客户
21、的需求。存储器厂商面向下游细分行业客户的客制化需求,进行晶圆分析、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计、芯片测试、提供后端的技术支持等,将标准化存储晶圆转化为存储产品,扩展了半导体存储器的应用场景,提升了半导体存储器在各类应用场景的适用性,推动实现存储晶圆的产品化,是半导体存储产业链承上启下的重要环节。领先的存储器厂商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉,推动存储产品企业塑造自身的品牌形象,进而巩固其市场地位并改善利润空间,推动其增加研发投入,形成良性循环。三、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛,早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本
22、投入不断积累市场竞争优势,全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累,不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗,随着制程工艺不断逼近极限,芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高,研发资本投入不断增加。同时,主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能,维持规模优势和市场份额。1、NANDFlash市场竞争格局及技术路线NANDFlash全球市场高度集中,根据Omdia(IHSMarkit)数据,2020年全球NANDFlash市场规模为571.95亿美元,由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK海力士、英特尔六家公司主导,其
23、中三星电子全球市场份额约34%,此外,SK海力士收购英特尔NANDFlash业务已于2021年获得主要市场监管当局批准,全球NANDFlash市场将进一步集中。技术路线方面,主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash存储密度。目前,存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位(bit)量和提升3DNANDFlash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量,NANDFlash分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC(Single-levelCell)为每个存储单元存储的数据只有1位,而MLC(Multi-levelCell)、TLC(Triple-levelCell)和
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