梧州存储器项目招商引资方案【模板范本】.docx
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1、泓域咨询/梧州存储器项目招商引资方案目录第一章 市场预测6一、 全球半导体存储产业概况6二、 行业发展面临的机遇与挑战8三、 产业链下游应用场景丰富,市场需求广阔10第二章 项目背景及必要性15一、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线15二、 半导体存储产业链特征17三、 提升产业链供应链现代化水平18四、 建强用好产业平台19五、 项目实施的必要性20第三章 项目总论21一、 项目名称及投资人21二、 编制原则21三、 编制依据22四、 编制范围及内容22五、 项目建设背景23六、 结论分析24主要经济指标一览表26第四章 建筑工程方案分析28一、 项目工程设计总体要求28二、 建设方案2
2、9三、 建筑工程建设指标29建筑工程投资一览表29第五章 项目选址方案31一、 项目选址原则31二、 建设区基本情况31三、 打造一流营商环境33四、 项目选址综合评价34第六章 运营模式分析35一、 公司经营宗旨35二、 公司的目标、主要职责35三、 各部门职责及权限36四、 财务会计制度39第七章 SWOT分析47一、 优势分析(S)47二、 劣势分析(W)49三、 机会分析(O)49四、 威胁分析(T)51第八章 环境保护分析59一、 环境保护综述59二、 建设期大气环境影响分析59三、 建设期水环境影响分析60四、 建设期固体废弃物环境影响分析61五、 建设期声环境影响分析62六、 环
3、境影响综合评价62第九章 原辅材料供应、成品管理63一、 项目建设期原辅材料供应情况63二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理63第十章 组织机构、人力资源分析65一、 人力资源配置65劳动定员一览表65二、 员工技能培训65第十一章 工艺技术及设备选型68一、 企业技术研发分析68二、 项目技术工艺分析70三、 质量管理72四、 设备选型方案73主要设备购置一览表74第十二章 投资方案75一、 投资估算的编制说明75二、 建设投资估算75建设投资估算表77三、 建设期利息77建设期利息估算表78四、 流动资金79流动资金估算表79五、 项目总投资80总投资及构成一览表80六、 资金筹措与投资
4、计划81项目投资计划与资金筹措一览表82第十三章 经济效益评价84一、 经济评价财务测算84营业收入、税金及附加和增值税估算表84综合总成本费用估算表85固定资产折旧费估算表86无形资产和其他资产摊销估算表87利润及利润分配表89二、 项目盈利能力分析89项目投资现金流量表91三、 偿债能力分析92借款还本付息计划表93第十四章 风险评估95一、 项目风险分析95二、 项目风险对策97第十五章 项目综合评价说明100第十六章 附表附录101营业收入、税金及附加和增值税估算表101综合总成本费用估算表101固定资产折旧费估算表102无形资产和其他资产摊销估算表103利润及利润分配表104项目投资
5、现金流量表105借款还本付息计划表106建设投资估算表107建设投资估算表107建设期利息估算表108固定资产投资估算表109流动资金估算表110总投资及构成一览表111项目投资计划与资金筹措一览表112第一章 市场预测一、 全球半导体存储产业概况1、全球半导体存储产业在波动中呈现总体增长趋势半导体存储器作为电子系统的基本组成部分,是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一。随着现代电子信息系统的数据存储需求指数级增长,半导体存储出货量持续大幅增长,另一方面,由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破,单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势,市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势
6、。2、DRAM与NANDFlash是半导体存储的主流市场半导体存储市场中,DRAM和NANDFlash占据主导地位,根据ICInsights数据,2019年全球半导体存储器市场中DRAM占比达58%,NANDFlash约占40%,此外NORFlash占据约1%的市场份额。随着电子产品对即时响应速度和数据处理速度的要求不断提高和CPU升级迭代,DRAM器件的主流存储容量亦持续扩大。近年来随着NANDFlash技术不断发展,单位存储成本的经济效益不断优化,应用场景持续拓展,用户需求不断攀升。在长期增长的总体趋势下,DRAM和NANDFlash的短期市场规模与产品价格受到晶圆技术迭代与产能投放、下游
7、端市场需求、渠道市场备货,以及全球贸易环境等多重因素影响,供求平衡较为敏感。(1)NANDFlash市场根据Omdia(IHSMarkit)数据,2020年全球NANDFlash市场实现销售额为571.95亿美元,较2019年增长24.17%。2012年至2017年,全球NANDFlash在数据爆炸中保持持续稳定增长,特别是2016年至2018年初,受4G智能手机等移动终端需求驱动,以及存储原厂的生产工艺从2D向3D升级造成的产能切换,NANDFlash供不应求,量价齐升,市场快速扩张。2018年初,4G智能手机市场经过数年发展趋于饱和,同时存储原厂基本完成3DNANDFlash的工艺升级,导
8、致晶圆单位存储密度大幅度提升,NANDFlash供过于求,价格迎来拐点并持续下跌,而由于存储原厂产能投放充足,存储原厂持续将产能传导至渠道市场,市场规模仍保持增长惯性,直至2019年大幅回落。2020年受新冠疫情影响,居家办公、远程通信需求持续拉动个人电脑、服务器市场增长,同时全球产能受疫情管制措施干扰,DRAM与NANDFlash价格上涨,2020年市场规模实现增长。(2)DRAM市场根据Omdia(IHSMarkit)数据,2020年全球DRAM市场实现销售额为663.83亿美元,较2019年小幅增长6.75%。DRAM市场由于集中度更高,主要供应商的产能布局和市场需求之间的动态平衡更为脆
9、弱,存储原厂产能规划对市场价格和总体规模影响较大。2018年由于三大存储原厂DRAM制程切换中产能储备不足,与NANDFlash年初即迎来价格拐点不同,市场缺货行情支撑DRAM价格仍然保持增长至2018第三季度,并助推2018年市场规模实现较高增长,此后DRAM与NANDFlash同样受疲软需求拖累,2019年DRAM价格及市场规模均大幅跳水,2020年市场需求有所恢复性增长。二、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇(1)国家政策高度重视集成电路行业发展集成电路产业是现代信息产业的基础和核心产业之一。近年来,为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展,国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资
10、、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法规和产业政策,国家层面也设立相应产业投资基金,给行业注入新动力。(2)下游应用行业蓬勃发展,国内市场对存储器芯片需求较大存储器行业的发展主要取决于下游的终端应用领域。随着一系列国家战略的持续深入实施,下游制造业的升级换代进程加快,其中消费电子、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速。下游市场处于蓬勃发展的态势,直接推动存储器产业链的持续扩张,有利于维持存储器行业需求端的规模增长。(3)存储产业链向大陆转移带来的机遇随着国内集成电路行业的发展,全球集成电路行业经历了向中国转移的过程,中国已经成为世界最大的集成电路芯片
11、市场。在这一趋势带动下,存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线,下游晶圆加工工艺持续改进,国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平,为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。(4)信创产业助力存储行业发展近年来,国家大力推动信创产业发展,从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件,再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。而存储是信创产业的关键一环,当前信创产业处于全面提速阶段,必将对整个国产存储产业链起到带动作用。2、行业挑战(1)高端技术人才不足在市场需求增长、国家政策支持、产业中心转移等利好因素下,高端技术才是企业抓住机遇、发
12、展壮大的关键。国内具备战略视野和产业运营经验的领军型人才和国际高端技术人才相对稀缺。(2)国内存储晶圆制造能力仍需进一步实现突破存储晶圆制造能力是存储产业实力的重要体现,当前世界先进的存储晶圆制造工艺及主要市场份额仍掌握在国外存储原厂手中,国内存储晶圆制造仍处于起步阶段,专利和技术积累相对薄弱,虽然长江存储、合肥长鑫等存储原厂已经实现量产,但与国外存储原厂在技术和市场份额方面仍存在较大差距。(3)我国集成电路基础技术有待提升国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。国内同行业的厂商仍处于一个成长的阶段,与国际大厂依然存在技术差距,尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显
13、的短板,目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。因此,产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路行业的发展。三、 产业链下游应用场景丰富,市场需求广阔存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、可穿戴设备、物联网硬件、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样,涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。半导体存储器根据下游应用场景形成了不同的产品形态,NANDFlash主要包括嵌入式存储(用于电子移动终端低功耗场景)、固态硬盘(大容量存储场景)、移动
14、存储(便携式存储场景)等,其中嵌入式存储与固态硬盘是NANDFlash的主要产品类别,市场规模占NANDFlash市场85%以上。NANDFlash中,嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动,固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑,移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中,LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品,近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品,DDR主要应用于服务器、个人电脑等。1、智能手机市场随着移动通信技术的发展和移动互联网的普及,作为半导体存储下游重要的细分市场,智能手机的景气度是NANDFlash,特别是嵌入式存储市场发展的核心驱
15、动力。全球智能手机市场得益于3G/4G通信网络的建设,出货量自2010年的3.05亿台迅速攀升至2016年的14.73亿台。2017年开始智能手机趋向饱和,主要是随着4G通信普及,4G智能手机增量市场触及天花板,智能手机整体出货量主要受存量市场手机单位容量增长驱动。2019年是5G商用化元年,随着5G逐渐普及,新一轮的换机周期开启。据Omida(IHSMarkit)预测,2020-2025年,5G智能手机出货量年均复合增长率(CAGR)将达到约44.95%。同时,智能手机对于NANDFlash需求不仅取决于手机出货量,同时取决于单台手机的存储容量。根据Omdia(IHSMarkit)数据,单台
16、智能手机的RAM模块(LPDDR)和ROM模块(嵌入式NANDFlash)均在经历持续、大幅的提升。随着5G手机渗透率的逐步提升,智能手机的性能进一步升级,RAM扩容是CPU提升处理速率的必要条件。功能更为强大的移动终端将允许手机搭载功能更为复杂、占据存储容量更大的软件程序,且消费者通过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消费习惯亦会进一步持续推动智能手机ROM扩容。2、数据中心市场近年来,云计算、大数据、物联网、人工智能等市场规模不断扩大,数据量呈现几何级增长,数据中心固定投资不断增加。据国际数据公司(IDC)预测,全球数据总量预计2020年达到44ZB,我国数据量将达到8,060EB,占全球
17、数据总量的18%。数据爆发式增长为存储行业带来巨大的需求空间。一方面互联网巨头纷纷自建数据中心,同时传统企业上云进程加快,两者共同带动服务器数据存储市场规模快速增长。根据国际数据公司(IDC)统计,2019年第四季度全球服务器出货量340万台,同比增长14%,服务器厂商收入同比增长7.5%至254亿美元。在数据中心作为新型基础设施加快建设的背景下,服务器/数据存储的市场规模将继续快速增长,该细分领域的需求将大幅增加。3、个人电脑(PC)市场个人电脑(PC)市场曾是磁性存储器的主要市场之一,由于NANDFlashSSD的制造成本较高,PC端数据存储过去主要使用机械硬盘(HDD)。HDD是以磁性材
18、料为存储载体的存储器,在平整的磁性表面存储和检索数字数据。近年来,随着NANDFlash单位存储经济效益持续凸显,同时笔记本电脑,特别是轻薄笔记本电脑对存储物理空间限制严格,SSD对HDD的替代效应显著。同时,PC与其他消费电子产品相同,正在经历性能和数据存储需求的持续增长。随着消费者处理数据的需求不断增加,单台设备的存储容量需求亦持续增加。4、移动存储消费市场用户对于可靠的存储解决方案的需求是移动存储消费市场存在的前提,经过多年的发展,移动存储消费市场已经充分发展,产品形态以U盘、存储卡以及移动便携SSD产品为主,产品形态趋于成熟,需求稳中有降,整体市场进入成熟期,移动存储消费市场的品牌作用
19、日益凸显。5、汽车电子市场随着汽车消费升级、新能源汽车的推广以及相关政策推动,汽车电动化和智能化将成为新趋势。随着智能化程度的不断加深,汽车正逐步完成由交通工具到移动终端的转变,同时也给存储行业带来新的市场机遇。当前,汽车产品中主要是信息娱乐系统、动力系统和高级驾驶辅助(ADAS)系统中需要使用存储设备,随着自动化程度提高,所需的存储容量也随之增长。根据Gartner的数据显示,2019年全球ADAS中的NANDFlash存储消费达到2.2亿GB,同比增长214.29%,未来几年增速有所放缓但仍将保持强劲增长,预计至2024年,全球ADAS领域的NANDFlash存储消费将达到41.5亿GB,
20、2019年-2024年复合增速达79.9%。第二章 项目背景及必要性一、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛,早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势,全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累,不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗,随着制程工艺不断逼近极限,芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高,研发资本投入不断增加。同时,主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能,维持规模优势和市场份额。1、NANDFlash市场竞争格局及技术路线NAND
21、Flash全球市场高度集中,根据Omdia(IHSMarkit)数据,2020年全球NANDFlash市场规模为571.95亿美元,由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK海力士、英特尔六家公司主导,其中三星电子全球市场份额约34%,此外,SK海力士收购英特尔NANDFlash业务已于2021年获得主要市场监管当局批准,全球NANDFlash市场将进一步集中。技术路线方面,主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash存储密度。目前,存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位(bit)量和提升3DNANDFlash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量,NANDFla
22、sh分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC(Single-levelCell)为每个存储单元存储的数据只有1位,而MLC(Multi-levelCell)、TLC(Triple-levelCell)和QLC(Quad-LevelCell)每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位,存储密度梯度提升。传统NANDFlash为平面闪存(2DNAND),3DNAND使用多层垂直堆叠技术,拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子2013年率先开发出可以商业化应用的24层3DNAND,2020年3DNAND高端先进制程进入176层阶段。2、DRAM市场竞争格局及技术路线DRA
23、M全球市场相较于NANDFlash更为集中,2020年全球DRAM市场规模为663.83亿美元,由三星电子、SK海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面,行业龙头三星电子于2014年率先实现20纳米制程量产(4GbDDR3DRAM),将技术路线竞争引入20nm时代,此后DRAM制程大约每两年实现一次突破,从1Xnm(16nm-19nm)到1Ynm(14nm-16nm)到1Znm(12-14nm)。2021年1月,美光科技率先宣布量产1nm(接近10nm)DRAM产品,主流原厂开始进入1nm制程阶段。目前市场高端制程为1Znm,该制程生产的芯片主要标准规格包括DDR4X/5及LPDDR4X/5
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