反激变压器设计实例(二).docx
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1、反激变压器设计实例(二)目录反激变压器设计实例(二)1导论1一自跟踪电压抑制22. 反激变换器“缓冲”电路33. 选择反击变换器功率元件43.1 输入整流器和电容器43.2 原边开关晶体管43.3 副边整流二极管53.4 输出电容54. 电路搭接和输出结果5总结6导论 前面第一节已经将反激变换器的变压器具体参数计算出来,这里整个反激电路最核心的部件已经确定,我们可以利用saber建立电路拓扑,由saber得出最初的输出参数结果。首先进行开环控制,输出电容随便输出一个值(由于C1作为输出储能单元,其容值估算应考虑到输出的伏秒,也有人用12uF/W进行大概估算),这里选取1000uF作为输出电容。
2、初始设计中的输出要求12V/3A,故负载选择4欧姆电阻,对于5V/10A的输出,通过调节负载和占空比可以达到。由实际测量可得,1mm线径的平均电感和电阻值分别为6uH/匝和2.6m/匝,寄生电感通常为5%,由于副边匝数较少,可不考虑寄生电感,所以原边寄生电感为27uH,电阻为11.57m,最终结果如图1所示。图1.反激电路主拓扑图2.开关管电压、输出电压、输出电流首先由输出情况可以看出,变压器的设计还是满足要求的。查看图2中开关管电压曲线可以看出,其开关应力过高,不做处理会导致开关管导通瞬间由于高压而击穿。 在反激变换器中,有两个主要原因会引起高开关应力。这两个原因都与晶体管自带感性负载关断特
3、性有关。最明显的影响是由于变压器漏感的存在,集电极电压在关断边沿会产生过电压。其次,不是很明显的影响是如果没有采用负载线整形技术,开关关断期间会出现很高的二次测击穿应力。一自跟踪电压抑制 当警惕管所在电路中带感性或变压器负载,在晶体管关断时,由于有能量存储在电感或变压器漏感的磁场中,在其集电极将会产生高压。在反激变换器中,储存在变压器中的大部分能量在反激期间将会传递到副边。可是由于漏感的存在,在反激期间开始时,除非采用一定形式的电压抑制,集电极电压会有增加的趋势。 在图3中,变压器漏感、输出电容电感和副边电路的回路电感集中为LTL,并折算到变压器原边与原边主电感Lp相串联。考虑在关断后紧接着导
4、通这个动作,在此期间T1原边绕组中已建立电流。当晶体管Q关断时,由于反激作用所有的变压器电压会反向。不考虑输出整流二极管压降,副边电压Vs不会超过输出电压Vc。由于漏感LTL,Q的集电极部分地脱离该钳位作用,而储存在LTL中的能量将使集电极电压更加正。如果没提供钳位电路D2、C2,由于储存在LTL中的能量会重新进入Q集电极的漏电容中,则反激电压将高到具有破坏性的程度。 可是在图3中,稳态条件下要求的钳位作用由元件D2、C2和R2提供。C2的电压充到比反馈回来的副边反激电压稍高一些。当Q关断,集电极电压反激到该值,此时二极管D2导通并保持电压为常数(C2与得到的能量相比较大)。在钳位作用完毕时,
5、C2上的电压比开始值稍高。在周期的维持阶段,由于向R2放电,C2上的电压回到他原来的值。因此多余的反激能量消耗在R2上。如果所有的条件保持恒定,减小R2的值或漏感LTL,钳位电压就会减小。图3.用于反激变换器原边降低应力的自跟踪集电极电压箝位图4.集电极电压波形,表示电压箝位作用 由于反激超调具有有用的功能,因此不希望使钳位电压太低。在反激作用期间,它提供附加的电压以驱动电流进入副边漏感。这使变压器副边反激电流更加快速增加,改善了变压器效率并减小了R2上的损耗。这对低电压、大电流的输出尤为重要,因为此时漏感相对较大。所以选择较低的R2值,导致钳位电压太低是错误的。最大允许的原边电压超调量由晶体
6、管VCEX额定值控制,应不低于反馈的副边电压的30%。如需要,应使用较少的副边匝数。 如果储存在LTL中的能量较大,要避免R2上有过多的损耗,则要用能量恢复绕组和二极管来替代该电网络,就像在正激变换器中使用的一样。这可将多余的反激能量送回电源。 很明显,为了高效率并使Q上的应力最小,漏感LTL应尽可能小。这可由变压器原副边良好的绝缘来得到。同时也需要选择具有最小电感的输出电容,并且最重要的是副边电路的回路电感应最小。后者可通过使导线与变压器尽可能近耦合,且合理绕制而得到。音质电路板的走线应成对平行紧密耦合,距离要小。主意这些细节会提供高效率、好的调节性以与在反激电源中有好的交叉调节性。2. 反
7、激变换器“缓冲”电路副边的击穿应力问题常由“缓冲电路”来解决。图5表示一典型电路。缓冲网络的设计在后续的文章中会详细进行介绍。在离线反激变换器中为了减少副边击穿应力,需要在开关晶体管两端跨接缓冲网络。同时常常需要缓冲整流二极管来减少击穿应力以与RF辐射问题。在图5中,典型反激变换器的缓冲元件Ds、Rs、和Cs跨接在Q两端,其作用是在Q关断时为原边感应驱动电流提供旁路和减少Q集电极的电压变化率。 工作原理如下:当Q开始关断时,其集电极上的电压将会升高,原边电流将经过二极管Ds转移到电容Cs。晶体管Q关断非常快,其集电极上的dv/dt将由关断时集电极原有的电流和Cs的值来决定。集电极的电压会突然升
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