柳州射频前端芯片项目招商引资方案【模板范本】.docx
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1、泓域咨询/柳州射频前端芯片项目招商引资方案目录第一章 行业发展分析6一、 行业面临的机遇与挑战6二、 半导体行业基本情况9三、 5G时代将为射频前端带来新的技术挑战12第二章 项目背景分析16一、 射频前端行业基本情况16二、 物联网领域将迎来持续快速增长18三、 集成电路设计行业基本情况19四、 大力扶持中小企业发展20五、 项目实施的必要性20第三章 项目概况22一、 项目名称及项目单位22二、 项目建设地点22三、 可行性研究范围22四、 编制依据和技术原则22五、 建设背景、规模23六、 项目建设进度24七、 环境影响24八、 建设投资估算24九、 项目主要技术经济指标25主要经济指标
2、一览表25十、 主要结论及建议27第四章 建设内容与产品方案28一、 建设规模及主要建设内容28二、 产品规划方案及生产纲领28产品规划方案一览表28第五章 项目选址可行性分析30一、 项目选址原则30二、 建设区基本情况30三、 培育壮大战略性新兴产业33四、 全面启动三年攻坚行动34五、 项目选址综合评价34第六章 发展规划分析35一、 公司发展规划35二、 保障措施39第七章 SWOT分析42一、 优势分析(S)42二、 劣势分析(W)44三、 机会分析(O)44四、 威胁分析(T)46第八章 项目规划进度50一、 项目进度安排50项目实施进度计划一览表50二、 项目实施保障措施51第九
3、章 技术方案52一、 企业技术研发分析52二、 项目技术工艺分析54三、 质量管理56四、 设备选型方案57主要设备购置一览表57第十章 劳动安全生产59一、 编制依据59二、 防范措施62三、 预期效果评价64第十一章 人力资源分析65一、 人力资源配置65劳动定员一览表65二、 员工技能培训65第十二章 项目投资计划68一、 投资估算的依据和说明68二、 建设投资估算69建设投资估算表71三、 建设期利息71建设期利息估算表71四、 流动资金73流动资金估算表73五、 总投资74总投资及构成一览表74六、 资金筹措与投资计划75项目投资计划与资金筹措一览表76第十三章 经济效益77一、 基
4、本假设及基础参数选取77二、 经济评价财务测算77营业收入、税金及附加和增值税估算表77综合总成本费用估算表79利润及利润分配表81三、 项目盈利能力分析82项目投资现金流量表83四、 财务生存能力分析85五、 偿债能力分析85借款还本付息计划表86六、 经济评价结论87第十四章 招标及投资方案88一、 项目招标依据88二、 项目招标范围88三、 招标要求88四、 招标组织方式90五、 招标信息发布92第十五章 总结93第十六章 附表95主要经济指标一览表95建设投资估算表96建设期利息估算表97固定资产投资估算表98流动资金估算表99总投资及构成一览表100项目投资计划与资金筹措一览表101
5、营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表102固定资产折旧费估算表103无形资产和其他资产摊销估算表104利润及利润分配表105项目投资现金流量表106借款还本付息计划表107建筑工程投资一览表108项目实施进度计划一览表109主要设备购置一览表110能耗分析一览表110第一章 行业发展分析一、 行业面临的机遇与挑战1、行业面临的机遇(1)下游市场增长潜力巨大根据IDC预测,2020年至2025年全球智能手机行业出货量的年复合增长率约为3.6%,2021年全球5G智能手机出货渗透率将超过40%,预计到2025年将增长到69%,可带动5G智能手机产业链规模的快速扩容。5G物联
6、网面向高速、大带宽、海量连接的连接需求,4G物联网面向广泛的中低速物联网应用场景,随着万物互联时代的到来,预计将获得较大的增长机遇。(2)射频前端的技术升级构筑更高的技术门槛随着通信制式从2G、3G、4G到5G的演进,功率放大器的技术难度不断提升,要求功率放大器公司具备深厚的技术积累和研发实力,且射频前端模组集成度、小型化的趋势明显,功率放大器公司除了需要掌握核心的射频前端芯片设计外,还需要具备模组、基板等更加全面的设计能力。从射频功率放大器产业的发展趋势来看,在不同通信制式时期涌现出了不同的公司,取得性能、规模和专利技术优势的公司能率先实现战略卡位,占据先发地位,快速成长壮大,而后进入者在产
7、品性能上迭代速度较慢,规模优势无法充分显现,而且通常采取技术跟随策略从而导致专利风险,使得后进入者处于竞争劣势地位。(3)射频前端国产替代助推国产公司快速成长2020年全球射频前端市场的前五大供应商均为国际厂商,国产公司的市场份额相对较低,并且在射频前端器件中LNA、射频开关等领域的国产化程度相对较高,在PA、滤波器等领域的国产化程度相对较低。随着终端智能手机国产品牌的崛起以及背靠中国完善的智能手机供应链优势,下游客户出于优化成本结构、提高核心器件的自主可控、快速的本地化服务支持等方面的考虑,对上游核心芯片的国产化需求不断提升,推动国产射频前端公司快速成长。另一方面,中国市场拥有全球最完善的5
8、G通信基础设施和产业链,5G智能手机的出货量领先全球,对上游的5G射频前端需求更为强劲。随着国产射频前端公司的发展壮大,在产业链里的话语权不断提升,将逐渐参与定义射频前端模组的标准,从行业的追随者变为引领者。(4)国家政策支持集成电路是国家的支柱性产业,是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量,不仅对国民经济和生产生活至关重要,而且对国家的信息安全与综合国力具有战略性意义。因此,大力发展集成电路产业势在必行。为顺应全球集成电路产业蓬勃发展的潮流,抓住下游旺盛的应用需求,把握产业升级的历史性机遇,实现芯片自主自强,进一步提升国家的信息安全和信息化水平,近年来我国先后推出关于印发国家规划布局内重点
9、软件和集成电路设计领域的通知新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要等一系列政策,为集成电路产业发展注入新动力,让产业迎来加速成长的新阶段。未来,国家政策红利的持续指引,将会让集成电路产业获得更深入的关注和更持续资本助力,加速产业的变革与发展,帮助集成电路产业在国家产业生态体系内实现弯道超车。2、行业面临的挑战(1)国产射频前端公司相比国际头部厂商存在差距在产品线上,3GHz以下的PAMiD、L-PAMiD高集成度射频前端模组复杂度较高,需要高性能滤波器、双工器资源,国产厂商普遍缺乏相应布局,从而导致在高集成度
10、模组上落后于国际厂商。在客户上,国际头部射频前端公司已经形成品牌优势,国产厂商全面进入高端客户、高端产品线的供应体系还需要较长时间。在知识产权上,国际头部射频前端公司在既有技术路线上拥有完善的知识产权布局,主导射频前端方案的制定,国产厂商需要持续创新和长期积累方能跨越知识产权壁垒。(2)行业竞争逐渐激烈在5G新周期、国产替代的大背景下,国产射频前端领域逐渐成为关注焦点,在资本的支持下众多初创型企业纷纷布局射频前端领域,新进入者为了扩大市场份额、抢占客户资源,通常采用价格竞争,打乱了市场价格体系和供应链,阶段性的降低了行业的平均盈利水平。(3)射频器件研发人才储备相对不足射频属于模拟芯片中的重要
11、分支,高频信号处理的难度较大,技术门槛较高,不仅需要芯片设计工程兼具数字电路和模拟电路的专业背景,还需要工程师长期的经验积累和技术沉淀。优秀的射频芯片工程师通常需要10年以上的培养周期,且随着通信制式的演进对研发人员的素质提出了更高的要求。目前行业内的研发人才较为短缺,各厂商对优秀研发人才的争夺逐渐加剧。二、 半导体行业基本情况1、全球半导体行业及集成电路行业简介半导体行业是利用介于导体和绝缘体之间的材料制作器件、电路等而衍生出的电子元器件产业,包括集成电路、分立器件、传感器、光电子等细分领域。随着制造工艺、材料体系的不断演进,半导体已经在各行各业中发挥着非常重要的作用,已经成为现代信息社会的
12、基石,是实现智能化、电气化的重要支撑力量。自1999年以来,尽管半导体行业存在一定的周期性波动,但总销售金额整体呈现上升的趋势,从1999年1,494亿美元增长至2021年的5,559亿美元,2021年总销售额同比增长26.2%。全球半导体行业中集成电路的市场规模占比达到83.29%,集成电路是指是采用特定的加工工艺,按照一定的电路互联,把一个电路中所需的晶体管、电容、电阻等有源无源器件,集成在一小块半导体晶片上并装在一个管壳内,成为能执行特定电路或系统功能的微型结构,其中包含逻辑电路、记忆体(存储)、微处理器和模拟电路四大类产品类型。2、中国半导体行业简介在国民经济和信息产业高速发展、发达国
13、家集成电路产业逐渐向发展中国家不断转移、半导体行业的国产替代等一系列因素的共同作用下,我国半导体产业近年来发展十分迅速。2016年以来中国的半导体行业销售额呈现上升趋势,得益于中国庞大的人口基数和市场容量,自2009年以来中国半导体市场规模已经超过美洲、欧洲和日本,成为全球最大的半导体消费市场,2021年中国半导体市场规模为1,901亿美元(实际消费部分),占全球半导体行业的总销售额比例达到34%。另一方面,中国作为全球最大、产业链最全的制造中心,电子产品畅销全球,因此中国对半导体的需求除满足本土市场消费外,还需要辐射全球。近年来中国进口半导体金额总体呈现上升趋势,截至2021年总进口金额达到
14、4,623亿美元,占2021年全球半导体销售总额的比例约为83%,体现了中国市场与全球半导体市场较高的关联度。考虑到进口金额中包含部分完成晶圆制造后进口到中国进行封测再出口等情形,2021年中国半导体贸易净逆差(进口金额减去出口金额)达到2,597亿美元,亦大幅超过中国市场的半导体消费需求。尽管近年来中国的半导体行业已经取得快速成长,但依然存在总体规模较小、技术实力较弱、高端芯片受制于人的问题,根据ICinsights发布的2021McCleanReport,2020年中国芯片市场规模为1,434亿美元,其中中国自主生产的芯片规模为227亿美元,芯片自给率为15.9%,预计到2025年芯片自给
15、率也只能达到19.4%,国产替代空间广阔。半导体行业是支撑经济社会发展和保证国家安全的战略性、基础性和先导性产业,影响着社会信息化进程,是决胜未来智能时代的关键。作为强化国家战略科技力量的重要一环,集成电路这一前沿领域已被列入中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要,未来将在该领域实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。半导体行业也将成为我国深入实施创新驱动发展战略的重要部分,为全面建设社会主义现代化国家、实现第二个百年奋斗目标贡献力量。三、 5G时代将为射频前端带来新的技术挑战1、5G射频功率放大器技术难度明显提升,推高射频PA公司产品升级的技术门槛在4
16、G时代,无线通信的频率一般最高不超过3GHz,带宽一般不超过20MHz。为了进一步提高通信速率,5G通信要求更高的通信频率、更大的通信带宽。2017年12月,3GPPRelease155GNR规范(简称R15)获得3GPP标准化协会通过,成为商用5G产品的基础。2020年7月,3GPPRelease16版本正式通过,R16不仅增强了5G的功能,还更多兼顾了成本、效率、效能等因素,使通信基础投资发挥更大的效益。该规范规定5GNR(5G新空口)频谱包含Sub-6GHz的频率范围1(FR1)和毫米波的频率范围2(FR2),其中FR1的频率范围为410MHz7125MHz(因大部分频谱规划及R15版本
17、均在6GHz以下,业界通俗称sub-6GHz),FR2的频率范围为24250MHz-52600MHz。考虑到经济性和兼容性,5GFR1是目前全球主流的5G部署频段,5GNR在FR1Sub-6GHz的频率范围内共定义多个频段,其中包含了与4GLTE协议复用频段的5G重耕频段,该类频段的通信频率一般低于3GHz;以及5G新频段,该类频段的通信频率一般介于3GHz到6GHz之间。FR1的5G新频段中n77、n78和n79已成为5G在Sub-6GHz频率的部署主力频段,频率范围覆盖3.3GHz至5.0GHz。此频段的PA设计难度大幅增加,首先,5G新频段的通信频率相比4G大幅提升,高频要求更高的放大功
18、率以抵减传播路径损耗,大大提升了PA的设计难度;其次,5G新频段的信号通信带宽大幅超过4G通信的信号带宽,PA芯片在支持大带宽信号时会带来增益下降,推高功率的难度进一步提升;同时5G宽带通信系统会带来较高的峰均比,从而导致PA线性度较难保障,为解决线性度难题PA需要设计较大的功率回退,从而导致PA的效率下降、发热增加,因此提升PA效率又成为设计难点;最后,由于射频前端需同时兼容更多的通信线路,器件数量上升,在有限的面积下需要更高的集成度,5G射频前端集成化模组的设计越来越重要。因此,更高频率的5G新频段为射频前端、功率放大器芯片的设计带来较大挑战。进一步地,在5G毫米波通信领域,通信频率处于3
19、0GHz左右,通信频率大幅提升,依赖全新的射频前端器件硬件结构和工作方式,对射频前端技术的要求进一步提升。在5G重耕频段,尽管通信频率与4G共频,但对带宽的要求进一步增加,宽带通信导致PA线性度及功率增益较难保障。综上所述,5G通信技术为PA芯片的设计带来较大挑战,射频PA厂商必须跨越5G射频的技术门槛,快速推出性能优良、成本适宜的射频前端芯片,才能在与国际厂商的竞争中取得一席之地。此外,PA芯片一般均会采用砷化镓材料相关工艺,其与主流的硅基工艺差异较大,熟悉砷化镓器件的特性并积累砷化镓器件的设计经验均需要较长时间,对于从事滤波器、LNA、开关、天线等其他射频前端公司而言,具备较高的进入壁垒。
20、2、5G射频模组中PA芯片的重要性进一步提升,产业影响力进一步凸显在3GHz以下的通信频段内,无线通信主力部署的通信频率主要集中在1GHz3GHz,包含了大量FDDLTE、TDDLTE及TD-SCDMA等无线通信频段并最早支持载波聚合,同时还包含GPS、Wi-Fi2.4G、蓝牙等重要的非蜂窝通信频段,导致该频段范围内各通信频段的分布较为密集,处理密集频段间的干扰主要依赖滤波器。因此,多频段、高性能的滤波器和双工器在3GHz以下通信频率的重要性极高,而该频段商用时间较长,PA技术已经相对成熟,已有多家国产射频前端公司在该领域实现突破。随着5G通信向3GHz以上通信频率拓展,该频段范围内频谱资源丰
21、富,干扰频段较少,对滤波器性能的要求相对下降,而PA芯片的设计难度大幅提升。因此,在3GHz以上通信频段中高性能PA的重要性逐渐凸显,已成为5G新频段射频前端的关键瓶颈。3、5G通信对射频前端的集成度要求更高,对射频厂商的系统化设计能力提出挑战4GLTE通信时代射频前端既可以采用分立方案,也可以采用模组方案,一般而言采用模组方案可以获得更高的集成度和更优的性能,主要用于高端手机,而采用分立方案亦能满足需求,但其性能中等,主要用于中低端手机。为满足5G通信需求,射频前端器件的数量大幅上升,在智能手机空间受限下无法采用分立方案,且采用分立方案将带来较长的终端调试周期和调试成本。因此,在5G新频段领
22、域一般采用L-PAMiF、L-FEM等模组形式。在射频前端模组化趋势下,一方面要求射频前端公司拥有较强的芯片设计能力,包括PA、LNA、开关、滤波器等,尽可能覆盖各类型的器件类型从而提升模组的一致性和可靠性,提升开发效率;另一方面,射频前端集成度的提高,需要射频前端公司具备较强的集成化模组设计能力,通过优化器件布局,提高集成度和良率,从而提升射频前端的整体性能,同时还要求射频前端公司具备良好的SiP封装工艺积累,尤其是采用有利于提高射频前端模组性能和集成度的倒装(Flipchip)封装工艺,考验射频前端厂商在芯片设计与封装设计的结合能力。第二章 项目背景分析一、 射频前端行业基本情况移动通信主
23、要包含无线接入网、传输网和核心网构成,无线接入网负责终端与基站的无线电磁波的信号通信,传输网和核心网则通过有线介质做信息的传输和处理,以完成通信。无线通信模块包括了天线、射频前端、射频收发机和基带信号处理器四个部分,其中射频前端是无线通信设备的核心组成之一,包含的器件可分为功率放大器(PA)、低频噪声放大器(LNA)、滤波器(Filters)、开关(Switches)和调谐器(AntennaTuner)等类别。射频前端芯片属于集成电路中的模拟芯片,主要处理高频射频模拟信号,在模拟芯片中属于进入门槛较高、设计难度较大的细分领域。而射频前端芯片的PA芯片直接决定了无线通信信号的强弱、稳定性、功耗等
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