济宁存储设备项目申请报告.docx
《济宁存储设备项目申请报告.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《济宁存储设备项目申请报告.docx(140页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/济宁存储设备项目申请报告济宁存储设备项目申请报告xx(集团)有限公司目录第一章 背景、必要性分析9一、 行业发展面临的机遇与挑战9二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线11三、 全球半导体存储产业概况13四、 加快建设制造业强市16第二章 项目概述17一、 项目概述17二、 项目提出的理由19三、 项目总投资及资金构成20四、 资金筹措方案20五、 项目预期经济效益规划目标21六、 项目建设进度规划21七、 环境影响21八、 报告编制依据和原则22九、 研究范围23十、 研究结论23十一、 主要经济指标一览表24主要经济指标一览表24第三章 建设单位基本情况26一、 公司基本信息
2、26二、 公司简介26三、 公司竞争优势27四、 公司主要财务数据28公司合并资产负债表主要数据28公司合并利润表主要数据29五、 核心人员介绍29六、 经营宗旨31七、 公司发展规划31第四章 行业发展分析33一、 半导体存储产业链特征33二、 行业发展现状及未来发展趋势34三、 半导体存储器简介34第五章 项目选址可行性分析37一、 项目选址原则37二、 建设区基本情况37三、 提升产业链供应链水平40四、 项目选址综合评价42第六章 建筑技术分析43一、 项目工程设计总体要求43二、 建设方案44三、 建筑工程建设指标45建筑工程投资一览表45第七章 运营管理模式47一、 公司经营宗旨4
3、7二、 公司的目标、主要职责47三、 各部门职责及权限48四、 财务会计制度51第八章 法人治理55一、 股东权利及义务55二、 董事58三、 高级管理人员62四、 监事65第九章 发展规划66一、 公司发展规划66二、 保障措施67第十章 项目节能方案70一、 项目节能概述70二、 能源消费种类和数量分析71能耗分析一览表72三、 项目节能措施72四、 节能综合评价73第十一章 技术方案75一、 企业技术研发分析75二、 项目技术工艺分析77三、 质量管理78四、 设备选型方案79主要设备购置一览表80第十二章 原辅材料及成品分析81一、 项目建设期原辅材料供应情况81二、 项目运营期原辅材
4、料供应及质量管理81第十三章 劳动安全生产83一、 编制依据83二、 防范措施84三、 预期效果评价88第十四章 人力资源配置90一、 人力资源配置90劳动定员一览表90二、 员工技能培训90第十五章 投资估算93一、 投资估算的依据和说明93二、 建设投资估算94建设投资估算表96三、 建设期利息96建设期利息估算表96四、 流动资金98流动资金估算表98五、 总投资99总投资及构成一览表99六、 资金筹措与投资计划100项目投资计划与资金筹措一览表101第十六章 经济效益及财务分析102一、 经济评价财务测算102营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表103固定资产折
5、旧费估算表104无形资产和其他资产摊销估算表105利润及利润分配表107二、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表109三、 偿债能力分析110借款还本付息计划表111第十七章 项目招投标方案113一、 项目招标依据113二、 项目招标范围113三、 招标要求113四、 招标组织方式115五、 招标信息发布117第十八章 项目风险分析118一、 项目风险分析118二、 项目风险对策120第十九章 总结评价说明122第二十章 补充表格124主要经济指标一览表124建设投资估算表125建设期利息估算表126固定资产投资估算表127流动资金估算表128总投资及构成一览表129项目投资计划与资金筹
6、措一览表130营业收入、税金及附加和增值税估算表131综合总成本费用估算表131固定资产折旧费估算表132无形资产和其他资产摊销估算表133利润及利润分配表134项目投资现金流量表135借款还本付息计划表136建筑工程投资一览表137项目实施进度计划一览表138主要设备购置一览表139能耗分析一览表139本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 背景、必要性分析一、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇(1)国家政策高度重视
7、集成电路行业发展集成电路产业是现代信息产业的基础和核心产业之一。近年来,为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展,国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法规和产业政策,国家层面也设立相应产业投资基金,给行业注入新动力。(2)下游应用行业蓬勃发展,国内市场对存储器芯片需求较大存储器行业的发展主要取决于下游的终端应用领域。随着一系列国家战略的持续深入实施,下游制造业的升级换代进程加快,其中消费电子、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速。下游市场处于蓬勃发展的态势,直接推动存储器产业链的持续扩张,有利于维持存储器行业
8、需求端的规模增长。(3)存储产业链向大陆转移带来的机遇随着国内集成电路行业的发展,全球集成电路行业经历了向中国转移的过程,中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场。在这一趋势带动下,存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线,下游晶圆加工工艺持续改进,国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平,为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。(4)信创产业助力存储行业发展近年来,国家大力推动信创产业发展,从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件,再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。而存储是信创产业的关键一环,当前信创产业处于全面提速阶段,
9、必将对整个国产存储产业链起到带动作用。2、行业挑战(1)高端技术人才不足在市场需求增长、国家政策支持、产业中心转移等利好因素下,高端技术才是企业抓住机遇、发展壮大的关键。国内具备战略视野和产业运营经验的领军型人才和国际高端技术人才相对稀缺。(2)国内存储晶圆制造能力仍需进一步实现突破存储晶圆制造能力是存储产业实力的重要体现,当前世界先进的存储晶圆制造工艺及主要市场份额仍掌握在国外存储原厂手中,国内存储晶圆制造仍处于起步阶段,专利和技术积累相对薄弱,虽然长江存储、合肥长鑫等存储原厂已经实现量产,但与国外存储原厂在技术和市场份额方面仍存在较大差距。(3)我国集成电路基础技术有待提升国际市场上主流的
10、集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。国内同行业的厂商仍处于一个成长的阶段,与国际大厂依然存在技术差距,尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板,目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。因此,产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路行业的发展。二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛,早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势,全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累,不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片
11、功耗,随着制程工艺不断逼近极限,芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高,研发资本投入不断增加。同时,主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能,维持规模优势和市场份额。1、NANDFlash市场竞争格局及技术路线NANDFlash全球市场高度集中,根据Omdia(IHSMarkit)数据,2020年全球NANDFlash市场规模为571.95亿美元,由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK海力士、英特尔六家公司主导,其中三星电子全球市场份额约34%,此外,SK海力士收购英特尔NANDFlash业务已于2021年获得主要市场监管当局批准,全球NANDFlash市场将进一步集中。技术路
12、线方面,主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash存储密度。目前,存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位(bit)量和提升3DNANDFlash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量,NANDFlash分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC(Single-levelCell)为每个存储单元存储的数据只有1位,而MLC(Multi-levelCell)、TLC(Triple-levelCell)和QLC(Quad-LevelCell)每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位,存储密度梯度提升。传统NANDFlash为平面闪存(2DNAND),3DNAND使
13、用多层垂直堆叠技术,拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子2013年率先开发出可以商业化应用的24层3DNAND,2020年3DNAND高端先进制程进入176层阶段。2、DRAM市场竞争格局及技术路线DRAM全球市场相较于NANDFlash更为集中,2020年全球DRAM市场规模为663.83亿美元,由三星电子、SK海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面,行业龙头三星电子于2014年率先实现20纳米制程量产(4GbDDR3DRAM),将技术路线竞争引入20nm时代,此后DRAM制程大约每两年实现一次突破,从1Xnm(16nm-19nm)到1Ynm(14nm-16nm
14、)到1Znm(12-14nm)。2021年1月,美光科技率先宣布量产1nm(接近10nm)DRAM产品,主流原厂开始进入1nm制程阶段。目前市场高端制程为1Znm,该制程生产的芯片主要标准规格包括DDR4X/5及LPDDR4X/5。3、中国大陆存储晶圆仍处于发展初期近年来,在集成电路产业政策和国家集成电路基金等市场资本的扶持推动下,中国在DRAM与NANDFlash两大存储核心领域均取得关键技术突破,以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂技术实力与国际主流原厂快速缩小;依托中国市场广阔需求,市场份额取得实质进展。尽管国产晶圆生产取得实质进展,但是国产晶圆在技术实力和市场规模方面与国际存储
15、原厂仍有显著差距。三、 全球半导体存储产业概况1、全球半导体存储产业在波动中呈现总体增长趋势半导体存储器作为电子系统的基本组成部分,是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一。随着现代电子信息系统的数据存储需求指数级增长,半导体存储出货量持续大幅增长,另一方面,由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破,单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势,市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势。2、DRAM与NANDFlash是半导体存储的主流市场半导体存储市场中,DRAM和NANDFlash占据主导地位,根据ICInsights数据,2019年全球半导体存储器市场中DRAM占比达58%,N
16、ANDFlash约占40%,此外NORFlash占据约1%的市场份额。随着电子产品对即时响应速度和数据处理速度的要求不断提高和CPU升级迭代,DRAM器件的主流存储容量亦持续扩大。近年来随着NANDFlash技术不断发展,单位存储成本的经济效益不断优化,应用场景持续拓展,用户需求不断攀升。在长期增长的总体趋势下,DRAM和NANDFlash的短期市场规模与产品价格受到晶圆技术迭代与产能投放、下游端市场需求、渠道市场备货,以及全球贸易环境等多重因素影响,供求平衡较为敏感。(1)NANDFlash市场根据Omdia(IHSMarkit)数据,2020年全球NANDFlash市场实现销售额为571.
17、95亿美元,较2019年增长24.17%。2012年至2017年,全球NANDFlash在数据爆炸中保持持续稳定增长,特别是2016年至2018年初,受4G智能手机等移动终端需求驱动,以及存储原厂的生产工艺从2D向3D升级造成的产能切换,NANDFlash供不应求,量价齐升,市场快速扩张。2018年初,4G智能手机市场经过数年发展趋于饱和,同时存储原厂基本完成3DNANDFlash的工艺升级,导致晶圆单位存储密度大幅度提升,NANDFlash供过于求,价格迎来拐点并持续下跌,而由于存储原厂产能投放充足,存储原厂持续将产能传导至渠道市场,市场规模仍保持增长惯性,直至2019年大幅回落。2020年
18、受新冠疫情影响,居家办公、远程通信需求持续拉动个人电脑、服务器市场增长,同时全球产能受疫情管制措施干扰,DRAM与NANDFlash价格上涨,2020年市场规模实现增长。(2)DRAM市场根据Omdia(IHSMarkit)数据,2020年全球DRAM市场实现销售额为663.83亿美元,较2019年小幅增长6.75%。DRAM市场由于集中度更高,主要供应商的产能布局和市场需求之间的动态平衡更为脆弱,存储原厂产能规划对市场价格和总体规模影响较大。2018年由于三大存储原厂DRAM制程切换中产能储备不足,与NANDFlash年初即迎来价格拐点不同,市场缺货行情支撑DRAM价格仍然保持增长至2018
19、第三季度,并助推2018年市场规模实现较高增长,此后DRAM与NANDFlash同样受疲软需求拖累,2019年DRAM价格及市场规模均大幅跳水,2020年市场需求有所恢复性增长。四、 加快建设制造业强市实施制造强市战略,推动制造业比重稳步提升、质效大幅跃升,打造全省先进制造中心。到2025年,着力培育2个国家级先进制造业产业集群和15家制造业上市企业。完善链式整合、园区支撑、集群带动、协同发展的新路径,围绕先进制造业“231”产业集群引进大项目、发展大产业、建设大基地,培育形成高端装备、高端化工2个千亿级产业集群,新一代信息技术500亿级产业集群,新材料产业、医药产业2个400亿级产业集群,新
20、能源产业300亿级产业集群。高端装备产业集群。主攻工程机械、液压专用装备、农机装备、汽车及零部件等,提升工程机械国家新型工业化示范基地建设水平,建成国内知名的农机装备、专用汽车产业集群和汽车零部件生产基地。到2025年,规模以上企业达到1100家,营业收入达到1500亿元。第二章 项目概述一、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:济宁存储设备项目2、承办单位名称:xx(集团)有限公司3、项目性质:扩建4、项目建设地点:xx(以最终选址方案为准)5、项目联系人:黎xx(二)主办单位基本情况公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品
21、服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,走绿色、协调和可持续发展道路,不断优化供给结构,提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,以提质增效为中心,以提升创新能力为主线,降成本、补短板,推进供给侧结构性改革。公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念,遵循“以客户需求为中心,坚持高
22、端精品战略,提高最高的服务价值”的服务理念,奉行“唯才是用,唯德重用”的人才理念,致力于为客户量身定制出完美解决方案,满足高端市场高品质的需求。公司自成立以来,坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本,强调服务,一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革,实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一,质量第一,信誉第一”为原则,在产品质量上精益求精,追求完美,对客户以诚相待,互动双赢。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约56.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水
23、、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xxx套存储设备/年。二、 项目提出的理由DRAM全球市场相较于NANDFlash更为集中,2020年全球DRAM市场规模为663.83亿美元,由三星电子、SK海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面,行业龙头三星电子于2014年率先实现20纳米制程量产(4GbDDR3DRAM),将技术路线竞争引入20nm时代,此后DRAM制程大约每两年实现一次突破,从1Xnm(16nm-19nm)到1Ynm(14nm-16nm)到1Znm(12-14nm)。2021年1月,美光科技率先宣布量产1n
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 济宁 存储 设备 项目 申请报告
限制150内