模拟电子技术基础期末试题(西安交大).pdf
《模拟电子技术基础期末试题(西安交大).pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模拟电子技术基础期末试题(西安交大).pdf(13页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、-模电试题模电试题三、计算题三、计算题(每题每题 1010 分分,共共0 0 分)分)某放大电路输入电阻 Rk,如果用A 电流源驱动,放大电路短路输出电流为 10mA,开路输出电压为 1。求放大电路接 4负载电阻时的电压增益 Av、电流增益 Ai、功率增益 A。二极管电路如图题所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出 AO 两端电压 VAO。设二极管是理想的。-3电路如图题所示,设JT 的=0,VBE0.6 V,ICO、CE可忽略不计,试分析当开关 S 分别接通 A、B、三位置时,JT 各工作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流 Ic。4.电路参数如图所示,FT 工作点上的
2、互导 gm=m,设 rdRd。(1)画出电路的小信号模型;()求电压增益 Av;()求放大器的输入电阻。-.电路如图所示,假设运放是理想的,试写出电路输出电压 Vo 的值。-6.由运放组成的 BT 电流放大系数的测试电路如图所示,设 BJT的 VBE07。(1)求出BJ的、b、e 各极的电位值;(2)若电压表读数为 2mV,试求 BJT 的值。一、选择题一、选择题(每题每题 2 2 分分,共共 2 2分分)(1)P结加正向电压时,P结将。A.A.变窄 B.基本不变 C.变宽-(2)稳压管的稳压区是其工作在。A.正向导通 B.反向截止 反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压
3、应为。.前者反偏、后者也反偏 B.B.前者正偏、后者反偏 前者正偏、后者也正偏(4)在本征半导体中加入元素可形成 N 型半导体。.五价 B.四价.三价(5)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。.增大 B.不变 C.减小(6)工作在放大区的某三极管,如果当 I从A 增大到 2A时,IC从 1mA 变为 2mA,那么它的约为。83B.91C.C.1(7)已知变压器副边电压有效值U2为0V,采用桥式整流LC3(2)(为电网电压的周期)。测得输出电压平均值 UO可能的数值为.14VB.B.1VC.9D.4.5V(8)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获
4、得的最大。A.A.交流功率 B.直流功率 C交直流功率(9)功率放大电路的转换效率是指。A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B B最大输出功率与电源提供的平均功率之比晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比-(1)在 OTL 乙类功放电路中,若最大输出功率为 1W,则电路中功放管的集电极最大功耗约为。A1WB0.5.0.2W二、判断题(每题二、判断题(每题 2 2 分,共分,共 2020 分分)(1)因为型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()()PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()(3)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 RGS大的特点
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模拟 电子技术 基础 期末 试题 西安 交大
限制150内