衡水IGBT项目实施方案【模板参考】.docx
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1、泓域咨询/衡水IGBT项目实施方案衡水IGBT项目实施方案xx有限责任公司目录第一章 背景、必要性分析8一、 传统领域:家电、工业及其他市场稳健增长8二、 功率半导体市场稳健增长,IGBT增速领先9三、 主动对接国家重大战略,加快打造三大增长极11第二章 行业、市场分析12一、 光伏&储能:IGBT第二增量市场,国产化率有待提升12二、 供给端:缺货涨价潮助力国产替代加速,2022年国产化率有望达38%行业国产率较低,2019年仅12%13三、 SiC:优势突出,预计未来六年CAGR超34%16第三章 项目承办单位基本情况18一、 公司基本信息18二、 公司简介18三、 公司竞争优势19四、
2、公司主要财务数据20公司合并资产负债表主要数据20公司合并利润表主要数据21五、 核心人员介绍21六、 经营宗旨23七、 公司发展规划23第四章 项目总论25一、 项目概述25二、 项目提出的理由27三、 项目总投资及资金构成28四、 资金筹措方案28五、 项目预期经济效益规划目标28六、 项目建设进度规划29七、 环境影响29八、 报告编制依据和原则29九、 研究范围31十、 研究结论31十一、 主要经济指标一览表31主要经济指标一览表31第五章 建筑技术方案说明34一、 项目工程设计总体要求34二、 建设方案35三、 建筑工程建设指标36建筑工程投资一览表36第六章 产品方案38一、 建设
3、规模及主要建设内容38二、 产品规划方案及生产纲领38产品规划方案一览表38第七章 运营模式41一、 公司经营宗旨41二、 公司的目标、主要职责41三、 各部门职责及权限42四、 财务会计制度46第八章 SWOT分析49一、 优势分析(S)49二、 劣势分析(W)50三、 机会分析(O)51四、 威胁分析(T)52第九章 原辅材料成品管理60一、 项目建设期原辅材料供应情况60二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理60第十章 劳动安全生产62一、 编制依据62二、 防范措施63三、 预期效果评价66第十一章 工艺技术说明67一、 企业技术研发分析67二、 项目技术工艺分析70三、 质量管理71
4、四、 设备选型方案72主要设备购置一览表73第十二章 组织架构分析74一、 人力资源配置74劳动定员一览表74二、 员工技能培训74第十三章 投资计划方案76一、 投资估算的依据和说明76二、 建设投资估算77建设投资估算表79三、 建设期利息79建设期利息估算表79四、 流动资金81流动资金估算表81五、 总投资82总投资及构成一览表82六、 资金筹措与投资计划83项目投资计划与资金筹措一览表84第十四章 项目经济效益分析85一、 基本假设及基础参数选取85二、 经济评价财务测算85营业收入、税金及附加和增值税估算表85综合总成本费用估算表87利润及利润分配表89三、 项目盈利能力分析89项
5、目投资现金流量表91四、 财务生存能力分析92五、 偿债能力分析93借款还本付息计划表94六、 经济评价结论94第十五章 风险评估分析96一、 项目风险分析96二、 项目风险对策98第十六章 总结101第十七章 附表附录103主要经济指标一览表103建设投资估算表104建设期利息估算表105固定资产投资估算表106流动资金估算表107总投资及构成一览表108项目投资计划与资金筹措一览表109营业收入、税金及附加和增值税估算表110综合总成本费用估算表110利润及利润分配表111项目投资现金流量表112借款还本付息计划表114本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析
6、模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 背景、必要性分析一、 传统领域:家电、工业及其他市场稳健增长白电领域:IGBT主要应用于变频空调、变频冰箱、变频洗衣机,主要产品为IPM和IGBT单管。2020年中国家用变频空调出货量为8337万台、渗透率为58%,中国变频洗衣机销量达2627万台、渗透率为42%,中国变频冰箱销量达2506万台、渗透率为30%,假设未来每年变频空调、变频洗衣机、变频冰箱渗透率提升3%,变频空调单台IGBT价值量为40元,变频冰箱、变频洗衣机单台IGBT价值量为10元,对应2020、2025、2030年中国白
7、电IGBT市场规模达54、70、85亿元,20202025年CAGR达5%,20202030年CAGR达5%。考虑中国空调产量占比达80%、冰箱产量占比达60%、洗衣机产量占比达40%,对应2020、2025、2030年全球白电IGBT市场规模达73、94、115亿元。工业及其他领域:2020年全球IGBT市场规模达67亿美元(折合人民币459亿元),中国IGBT市场规模达26亿美元(折合人民币179亿元),扣除新能源车、光伏储能、白电领域市场需求,估算其他领域(主要包括工业、轨交、电源等领域)全球市场规模达303亿元、中国市场规模达81亿元,预计未来全球、中国其他领域以4%、6%的增速稳健增
8、长,对应2025、2030年全球市场规模达369、449亿元,中国市场规模达109、146亿元。工控领域:主要应用领域涵盖变频器、逆变焊机、UPS。根据相关上市公司的采购成本构成估算变频器、逆变焊机、UPS中IGBT价值量占比为11%、5%、12%。预计2025、2030年全球工控IGBT市场规模达266、322亿元,五年、十年CAGR达4%、4%。二、 功率半导体市场稳健增长,IGBT增速领先功率半导体是电子装臵中电能转换与电路控制的核心,是能够支持高电压、大电流的半导体,主要用于改变电压、频率、电力转换(将直流(DC)转换为交流(AC),将交流(AC)转为为直流(DC)。功率半导体主要产品
9、包括功率器件(二极管、IGBT、MOS、BJT)、功率IC,二极管、晶闸管、BJT属于第一代功率半导体器件,MOS、IGBT属于第二代功率半导体器件,附加值更高。2020年全球功率半导体市场规模达452亿美元,中国市场占比约为40%,功率IC市场规模达243亿元(占比54%),功率器件&模块市场规模达209亿美元(占比46%)、20162020年CAGR达7%,从市场规模占比来看,整流器、MOSFET、IGBT是最重要的功率器件,市场占比达19%、41%、31%,从成长性来看,IGBT成长性最佳、20162020年CAGR达14%。二极管:是不可控型功率半导体器件,主要用于将交流电转换为直流电
10、,功能类似于机械单向阀,在一个方向上以最小的电阻传导电流,称为正向,同时防止电流流向相反的方向。优点在于结构和原理简单,缺点在于无法控制通断且电流只能正向流通。晶闸管:又称为可控硅整流器,是一种大功率开关型半导体器件能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。MOS(绝缘栅型场效应管):金氧半场效晶体管,是一种全控型电压驱动器件,依照其工作载流子的极性不同可分为“N型”和“P型”,正持续栅极电压控制开通,负持续栅极电压控制并保持关断,具有开关频率高速度快、输入阻抗高、抗击穿性好、驱动功率小、驱动电路简单、开关速度快
11、等优点,主要缺点在于通态压降大,电流、电压额定低等。MOSFET主要运用于消费电子、通讯、工业、汽车电子等领域的中小功率场合例如电脑电源、充电桩等。2020年MOS市场规模为81亿元,20162020年CAGR达9%。 JT(双极型晶体管):是一种全控型电流驱动器件,具有三个引脚(基极、集电极和发射极)和两个结(P结和N结),晶体管中的电荷流动主要由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移作用。双极性晶体管能够放大信号,同时具有通态压降小、通态损耗小的优点,适合给可预测电流消耗的设备供电,被用于构成放大器电路、驱动扬声器和电动机等设备,并广泛运用于航天航空、医疗机械和机器人等领域。BJT的主要缺点在
12、于驱动功率大,频率低,在高电压工作条件下电流增益很低。IGBT(绝缘栅双极型晶体管):是由MOS、BJT组成的复合全控型功率半导体,兼具MOS输入阻扛高、BJT导通电压低的两大优势,驱动功率小且饱和电压低,适用于高压、大电流领域,是电力电子装臵的CPU。三、 主动对接国家重大战略,加快打造三大增长极推进雄安衡水协作区建设,围绕近期“雄安建设、衡水配套”、远期“雄安研发、衡水制造”目标,重点在安平、饶阳和深州布局绿色建材、装配式建筑、绿色食品、智能家居及农副产品加工专业园区,配套建设交通路网和物流体系,培育经济发展新引擎。做大做强市高新区,突出抓好科技创新项目落地,积极承接京津科技成果转化,寻求
13、与雄安新区形成研发制造一体化发展,争创国家高新区。高起点推进滨湖新区建设,着力创建国家5A级旅游景区,发展教育、会议会展、总部经济和品牌赛事等多元业态,打造充满活力的美丽湖城“城市客厅”。第二章 行业、市场分析一、 光伏&储能:IGBT第二增量市场,国产化率有待提升预计2025年全球光伏&储能IGBT市场规模达108亿元、20202025年CAGR达30%,2030年全球光伏&储能IGBT市场规模达280亿元,20202030年CGAR达25%。IGBT是光伏逆变器、储能逆变器的核心器件,集中式光伏主要采用IGBT模块,分部式光伏主要采用IGBT单管或模块(单相一般采用IGBT单管,三相可选择
14、IGBT单管或模块)。光伏的功率半导体单MW价值量为20005000欧元,储能功率半导体单MW价值量为25003500欧元,估算IGBT的单价为3000欧元/MW(折合2100万元/GW)。IGBT占原材料采购成本的11%12%,原材料成本占营业成本的93%94%,过去三年毛利率平均值为35%,IGBT价值量占逆变器市场规模的7%。预计2025、2030年光伏&储能逆变器出货量达542、1650GW,市场规模达1500、3999亿元,对应全球光伏&储能IGBT市场规模达108、280亿元,20202025年CAGR达30%、20202030年CAGR达25%,行业增量主要来源于三个方面:1)新
15、增需求:受益于全球光伏新增装机量高速增长,预计2025、2030年光伏逆变器新增需求为400GW、1000GW;2)替换需求:逆变器中IGBT、电容等电子元器件受内部环境、器件温度和电流谐波的影响,使用寿命往往低于电站运营周期(尤其是早期逆变器产品),存在存量市场的替换需求,预计2025、2030年光伏逆变器替换需求分别为22、50GW;3)储能需求:储能是实现可再生能源高占比的必经之路,随着储能渗透率提升,预计2025、2030年储能逆变器渗透率为30%、60%,新增需求分别为120、600GW。二、 供给端:缺货涨价潮助力国产替代加速,2022年国产化率有望达38%行业国产率较低,2019
16、年仅12%从全球IGBT竞争格局来看,行业较为集中,根据Yole,2020年行业CR3达50%,英飞凌是行业绝对龙头、市占率达27%。分产品类型来看:IGBT单管主要应用于小功率家用电器、分部式光伏逆变器、小功率变频器,制造工艺为环氧注塑工艺。2020年行业CR3达53%,英飞凌是行业绝对龙头、市占率超29%,国内士兰微市占率达2.6%、位居第十名。IPM模块应用于白色家电中的变频空调、变频洗衣机,制造工艺为环氧注塑工艺。2020年行业CR3达62%,三菱是行业绝对龙头、市占率达33%,国内士兰微市占率达1.6%、位居第九名,华微电子市占率为0.9%、位居第十名。IGBT模块应用于大功率变频器
17、、电焊机、新能源车、集中式光伏等领域,制造工艺为灌胶工艺。2020年行业CR3达58%,英飞凌是行业绝对龙头、市占率达36%,国内斯达半导市占率达2.8%、位居第六名。行业国产化率较低,2019年仅12%。根据Yole,从产量来看,2015年国内自给率为10%、2019年国内自给率仅12%,行业自给率缓慢提升。考虑海外产品规格更高、预计从市场规模口径来看国产化率更低。分行业来看:新能源车国产率较高,光伏国产化率接近于0。1)新能源车:得益于近年来中国新能源车市场蓬勃发展,带动国内IGBT厂商快速成长,新能源车国产化率相较较高,2019年比亚迪、斯达市占率达20%、17%。2020年斯达半导生产
18、的汽车级IGBT模块合计配套超过20万套新能源车汽车、市占率达15%。2)光伏&储能:2020年国内该领域国产化率接近为0。根据固德威2021年年报,“IGBT元器件国内生产商较少,与进口部件相比,产品稳定性、技术指标存在一定差异。目前,国产IGBT元器件、IC半导体的性能稳定性及相关技术指标未能完全满足公司产品的技术要求,预计短期内不能完全实现进口替代。”3)工业:斯达半导是国内工控IGBT龙头,2019、2020年斯达工控和电源行业收入达6、7亿元,对应市占率约为7%、9%,工控行业国产化率较低。缺货涨价潮助力国产替代加速,2022年行业国产化率有望达38%2020年以来,需求端得益于新能
19、源车、光伏需求爆发,供给端海外疫情反复限制海外产能,IGBT供需失衡,海外大厂交期持续上升,价格持续上升。得益于缺货涨价潮,IGBT行业国产化率快速提升。1)2021年英飞凌功率半导体业务收入同增20%,国内上市公司斯达半导体IGBT收入同增75%,士兰微IGBT业务收入实现翻倍增长,比亚迪半导功率半导体收入同增152%,中车时代功率半导体收入同增33%,新洁能IGBT收入同增529%。2)2020、2021年国内上市公司IGBT收入达31、57亿元,同增59%、88%,国产化率达为17%、25%,提升5pct、8pct。分行业来看:新能源车、新能源发电、工控、白电领域国产化率快速攀升。1)新
20、能源车:2021年比亚迪半导、斯达半导、时代电气车载IGBT收入约为13、5、2亿元,同比均实现翻倍增长,国产化率超30%。2)工业:斯达半导是国内工控IGBT龙头,士兰微、华润微、宏微科技等企业亦有出货。2021年斯达半导工控和电源IGBT收入约为11亿元、同增51%、市占率约为12%,国产化率进一步提升。3)白电:士兰微是国内IPM龙头,新洁能、扬杰科技等企业亦有出货。2021年士兰微IPM收入达8.6亿元,白电领域IPM模块出货量超3800万颗,同比实现翻倍增长,出货量市占率达20%,国产化率快速攀升。4)2021年斯达半导、时代电气、扬杰科技、新洁能光伏IGBT收入均为几千万,且处于快
21、速放量阶段。三、 SiC:优势突出,预计未来六年CAGR超34%第三代半导体材料逐渐成为半导体技术升级的重点方向。第一代半导体材料以硅(Si)、锗(Ge)等为代表,第二代化合物材料以砷化镓(GaAs)等为代表,第三代宽禁带材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表。SiCMOSFETS优势突出,更适合高压领域。相对于Si基材料,SiCMOSFETS具有低导通损耗、低开关损耗、高开关频率、高功率密度等优点,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,适用于新能源车、风电光伏等高压领域,在800V高压平台的电动汽车可以充分体现快充、节能的优势。根据Yole,2021年全球SiC功率器件市场规模
22、达11亿美元,2027年达63亿美元、六年CAGR达34%,其中汽车领域SiC市场增速最快,预计2027年达50亿美元、六年CAGR达39%。预计2025、2030年新能源车SiC模块市场达218、478亿元,五年、十年CAGR达72%、42%。目前SiC模块主要应用于高性能四驱车的后驱,特斯拉、比亚迪、小鹏均采用该方案,假设2025、2030年SiC模块渗透率提升至15%、25%,考虑SiC模块价格持续下降,预计2025、2030年新能源车SiC模块市场达218、478亿元,五年、十年CAGR达72%、42%。考虑SiC模块对IGBT的替代效应,预计2025、2030年新能源车IGBT市场达
23、325、574亿元,五年、十年CAGR达45%、28%。目前国内功率企业积极布局SiC市场,其车载潜在市场空间更大。第三章 项目承办单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称:xx有限责任公司2、法定代表人:冯xx3、注册资本:1010万元4、统一社会信用代码:xxxxxxxxxxxxx5、登记机关:xxx市场监督管理局6、成立日期:2015-4-187、营业期限:2015-4-18至无固定期限8、注册地址:xx市xx区xx9、经营范围:从事IGBT相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项
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