臻镭科技：臻镭科技2022年半年度报告.PDF

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1、2022 年半年度报告 1/136 公司代码：688270 公司简称：臻镭科技 浙江臻镭科技股份有限公司浙江臻镭科技股份有限公司 20222022 年半年度报告年半年度报告 2022 年半年度报告 2/136 重要提示重要提示 一、一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半半年度报告内容的真实年度报告内容的真实性性、准确、准确性性、完整完整性性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、二、重大风险提示重大风险提示 报告期内，不存在对公

2、司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析：五、风险因素”部分内容。三、三、公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议。董事会会议。四、四、本半年度报告本半年度报告未经审计未经审计。五、五、公司负责人公司负责人张兵张兵、主管会计工作负责人、主管会计工作负责人李娜李娜及会计机构负责人（会计主管人员）及会计机构负责人（会计主管人员）李娜李娜声明：声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。六、六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案董事会决议通过的本报告期利

3、润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、七、是否是否存在存在公司治理特殊安排等重要事项公司治理特殊安排等重要事项 适用 不适用 八、八、前瞻性陈述的风险声明前瞻性陈述的风险声明 适用 不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。九、九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？否 十一、十一、是否存在半数是否存在半数以上以上董事无法保证公司所披露董事无法保证公司所披露半半年度报

4、告的真实性、准确性和完整性年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、十二、其他其他 适用 不适用 2022 年半年度报告 3/136 目录目录 第一节第一节 释义释义.4 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标.6 第三节第三节 管理层讨论与分析管理层讨论与分析.9 第四节第四节 公司治理公司治理.27 第五节第五节 环境与社会责任环境与社会责任.28 第六节第六节 重要事项重要事项.30 第七节第七节 股份变动及股东情况股份变动及股东情况.41 第八节第八节 优先股相关情况优先股相关情况.45 第九节第九节 债券相关情况债券相关情况.45 第十节第十节 财务报告财务报告

5、.46 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表。报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。2022 年半年度报告 4/136 第一节第一节 释义释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：常用词语释义 公司、本公司、母公司、股份公司、臻镭科技、指 浙江臻镭科技股份有限公司 城芯科技、城芯公司 指 杭州城芯科技有限公司，发行人全资子公司 航芯源、航芯源公司 指 浙江航芯源集成电路科技有限公司，发行人全资子公司 集迈科、集迈科公司 指 浙江集迈科微电子有限公司 钰煌投资、钰煌公司 指 杭州钰煌投资管理有限公司

6、基尔区块链 指 杭州基尔区块链科技有限公司 公司章程 指 浙江臻镭科技股份有限公司章程 公司法 指 中华人民共和国公司法 证券法 指 中华人民共和国证券法 报告期 指 2022 年 1-6 月 元、万元 指 人民币元、人民币万元?芯片、集成电路、IC 指 集成电路是一种微型电子器件或部件，采用相应的工艺，将所需的晶体管、电阻、电容和电感等电子元器件按照要求连接起来，制作在同一晶圆衬底上，实现特定功能的电路。IC 是集成电路（Integrated Circuit）的英文缩写，芯片是集成电路的俗称 晶圆厂 指 晶圆代工厂，指专门负责芯片制造的企业 晶圆 指 又称 Wafer、圆片、晶片，用以制造集

7、成电路的圆形硅或化合物晶体半导体材料 封测 指“封装、测试”的简称；“封装”指为芯片安装外壳，实现固定、密封、导热、屏蔽和保护芯片的作用；“测试”指检测封装后的芯片功能、性能指标是否满足要求 光罩 指 又称光掩模、掩模版（英文称为：Mask、Photomask 或 Reticle），是生产晶圆（晶片）的模具。光罩是根据芯片设计公司设计的集成电路版图来生产制作的，一套光罩按照芯片的复杂程度通常有几层到几十层，晶圆制造商根据制作完成的光罩进行晶圆生产 流片 指 为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一个电路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检验电路是否具备所需要的功能和性能。如果

8、流片成功，就可以大规模地制造芯片；反之，则需定位原因，并进行相应的优化设计上述过程一般称之为工程试作流片。在工程试作流片成功后进行的大规模批量生产则称之为量产流片 列装 指 一种装备经设计定型后被列入军队的装备序列并批量装备 相控阵雷达 指 利用电子技术控制阵列天线各辐射单元的相 位，使天线波束指向在空间快速变化的雷达。其特点是：目标容量大、数据率高，可同时监视和跟踪多目标；具有搜索识别、跟踪、制导等多种功能；对复杂目标环境的适应能力强，抗干扰性能好，可靠性高 数字相控阵 指 采用数字算法实现波束形成或同时多波束的相控阵系统 模拟芯片 指 一种处理连续性模拟信号的集成电路。狭义的模拟芯片，其内

9、部电路完全由模拟电路的基本模块构成；广义的模拟芯片还包括数模混合信号芯片和射频前端芯片 数模混合芯片 指 一种结合模拟电路和数字电路功能的集成电路。其内部既能包2022 年半年度报告 5/136 含电压源、电流源、运算放大器、比较器等模拟电路基本模块，又能包含反相器、寄存器、触发器、微处理器、存储器等数字电路基本模块 微波 指 频率范围为 300MHz300GHz 的电磁波，是无线电波中一个有限频带的简称，即波长在 1 毫米1 米之间的电磁波。根据频率由低到高依次包括：L 波段（12GHz）、S 波段（24GHz）、C波段（48GHz）、X 波段（812GHz）、Ku 波段（1218GHz）、

10、K 波段（1826.5GHz）、Ka 波段（26.540GHz）、Q 波段（3050GHz）等 毫米波 指 微波中一类高频的电磁波，频率范围为 30GHz300GHz，波长在1 毫米10 毫米之间 射频、RF 指 Radio Frequency，简称 RF，一种高频交流变化的电磁波，频率范围在 300kHz300GHz 之间 终端射频前端芯片 指 将无线电信号转换成一定的无线电信号波形，并通过天线谐振发送出去的电子元器件，具备处理高频连续小信号的功能，包括天线开关、低噪声放大器、功率放大器和滤波器等，主要用于手机和物联网等无线场景 射频收发芯片 指 位于射频前端芯片与基带芯片之间，具有频率变换

11、、滤波、增益控制和采样等功能，实现数字信号和模拟信号的互相转换 终 端 射 频 开 关、RF Switch 指 构成终端射频前端的一种芯片，主要用于射频链路中不同方向（接收或发射）、不同频率的信道切换 终端低噪声放大器、LNA 指 Low-Noise Amplifier，简称 LNA，构成终端射频前端的一种芯片，主要用于天线接收的信号放大，以便于后级的电子设备处理 终端射频功率放大器、PA 指 Power Amplifier，简称 PA，构成终端射频前端的一种芯片，是各种无线发射机的重要组成部分，将调制振荡电路所产生的射频信号功率放大，以输出到天线上辐射出去 电源管理芯片 指 在电子设备系统中

12、负责电能的变换、分配、检测及其它电能管理功能的芯片 T/R 组件、T/R 射频微系统 指 一个无线收发系统连接中频处理单元与天线之间的部分，实现射频信号的发射、接收、放大、移相、衰减、滤波和信道切换等功能 ADC/DAC 指 模数转换器/数模转化器 SDR 指 软件定义无线电 射频微系统 指 在传统模组基础上，采用垂直互联、MEMS 硅腔、TSV 硅转接板、高精度 MMIC 微组装以及晶圆级键合等技术，将多功能异质芯片及无源器件进行一体化三维异构集成，形成多种高集成度、高可靠性的微系统产品 基带处理芯片 指 用来合成发射的基带信号或对接收到的信号进行解码的芯片 馈电网络 指 对相控阵天线中对各

13、个天线单元进行馈电和馈相的网络 信号处理机 指 实现数据记录、信号调制解调、自动跟踪、目标识别等功能的电子设备 雷达 指 利用电磁波探测目标，并测定其距离、方位、速度的一种电子设备 2022 年半年度报告 6/136 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标 一、一、公司基本情况公司基本情况 公司的中文名称 浙江臻镭科技股份有限公司 公司的中文简称 臻镭科技 公司的外文名称 Great Microwave Technology Co.,Ltd.公司的外文名称缩写 GREAT MICROWAVE 公司的法定代表人 张兵 公司注册地址 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路 3 号 5

14、 幢 502 室 公司注册地址的历史变更情况 2017 年 3 月 1 日注册地址由杭州市余杭区仓前街道绿汀路 1 号 1 幢 565 室变更为杭州市西湖区西园三路 3号 5 幢 502 室；2017 年 3 月 9 日注册地址由杭州市西湖区西园三路 3 号 5 幢 502 室变更为杭州市西湖区三墩镇西园三路 3 号 5 幢 502 室；2017 年 5 月 4 日注册地址由杭州市西湖区三墩镇西园三路 3 号 5 幢 502 室变更为浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路 3 号 5 幢502 室 公司办公地址 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路 3 号 B 幢 6 楼 公司办公地址的邮政编码 310

15、030 公司网址 http:/ 报告期内变更情况查询索引 无 二、二、联系人和联系方式联系人和联系方式 董事会秘书 （信息披露境内代表）证券事务代表 姓名 李娜 孙飞飞 联系地址 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号B幢6楼 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号B幢6楼 电话 0571-81023677 0571-81023677 传真 0571-81023675 0571-81023675 电子信箱 三、三、信息披露及备置地点变更情况简介信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 中国证券报、上海证券报、证券时报、证券日报、经济参考网 登载半年度报告的网站地址 公司半年度报告

16、备置地点 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号B幢6楼公司证券部 报告期内变更情况查询索引 无 四、四、公司股票公司股票/存托凭证简况存托凭证简况 (一一)公司股票简况公司股票简况 适用 不适用 2022 年半年度报告 7/136 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所科创板 臻镭科技 688270 不适用 (二二)公司公司存托凭证存托凭证简简况况 适用 不适用 五、五、其他有关资料其他有关资料 适用 不适用 六、六、公司主要会计数据和财务指标公司主要会计数据和财务指标 (一一)主要会计数据主要会计数据 单位：元 币种：人民币 主

17、要会计数据 本报告期（16月）上年同期 本报告期比上年同期增减(%)营业收入 104,846,515.85 83,738,925.86 25.21 归属于上市公司股东的净利润 50,400,694.31 40,917,388.92 23.18 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 45,472,074.27 38,760,217.89 17.32 经营活动产生的现金流量净额-18,012,223.15 14,351,662.25 不适用 本报告期末 上年度末 本报告期末比上年度末增减(%)归属于上市公司股东的净资产 2,017,006,871.64 460,546,368.02 337

18、.96 总资产 2,066,878,250.90 502,307,000.73 311.48 (二二)主要财务指标主要财务指标 主要财务指标 本报告期（16月）上年同期 本报告期比上年同期增减(%)基本每股收益（元股）0.48 0.50-4.00 稀释每股收益（元股）0.48 0.50-4.00 扣除非经常性损益后的基本每股收益（元股）0.43 0.47-8.51 加权平均净资产收益率（%）2.87 10.71 减少 7.84 个百分点 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%）2.59 10.14 减少 7.55 个百分点 研发投入占营业收入的比例（%）28.04 21.16 增加 6.

19、88 个百分点 公司主要会计数据和财务指标的说明 适用 不适用 2022 年 1-6 月公司实现营业收入 104,846,515.85 元，较上年同期增长 25.21%。实现归属于母公司所有者的净利润为 50,400,694.31 元，较上年同期增长 23.18%；截止 2022 年 6 月 30日公司总资产 2,066,878,250.90 元，归属于上市公司股东的净资产为 2,017,006,871.64 元。2022 年半年度报告 8/136 2022 年上半年公司不断开发新产品、积极开拓新客户，强化内部管理，营业收入和净利润实现稳定增长。七、七、境内外会计准则下会计数据差异境内外会计准

20、则下会计数据差异 适用 不适用 八、八、非经常性损益项目和金额非经常性损益项目和金额 适用 不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 金额 附注（如适用）非流动资产处置损益 越权审批，或无正式批准文件，或偶发性的税收返还、减免 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外 4,471,191.83 计入当期损益的对非金融企业收取的资金占用费 企业取得子公司、联营企业及合营企业的投资成本小于取得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允价值产生的收益 非货币性资产交换损益 委托他人投资或管理资产的损益 因不可抗力因素，如

21、遭受自然灾害而计提的各项资产减值准备 债务重组损益 企业重组费用，如安置职工的支出、整合费用等 交易价格显失公允的交易产生的超过公允价值部分的损益 同一控制下企业合并产生的子公司期初至合并日的当期净损益 与公司正常经营业务无关的或有事项产生的损益 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益 457,427.72 单独进行减值测试的应收款项、合同资产减值准备转回 对外委托贷款取得的损益 2022 年半年度报告 9/

22、136 采用公允价值模式进行后续计量的投资性房地产公允价值变动产生的损益 根据税收、会计等法律、法规的要求对当期损益进行一次性调整对当期损益的影响 受托经营取得的托管费收入 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 0.49 其他符合非经常性损益定义的损益项目 减：所得税影响额 少数股东权益影响额（税后）合计 4,928,620.04 将公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1 号非经常性损益中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明 适用 不适用 九、九、非企业会计准则业绩指标说明非企业会计准则业绩指标说明 适用 不适用 第三节第三节 管理层讨论与分析管理层讨论与分析 一、一、报告

23、期内公司所属行业及主营业务情况说明报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 （一）所属行业情况 近年来，中国集成电路行业受到各级政府的高度重视和国家产业政策的重点支持，国家陆续出台了多项政策，如国务院关于印发“十四五”数字经济发展规划的通知关于加强产融合作推动工业绿色发展的指导意见中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035 年远景目标纲要新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策等，鼓励集成电路行业的发展。正是在这样的背景下，集成电路被喻为现代工业的“粮食”，是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，被确定为国家战略先导产业。20

24、22 年上半年，我国共进口集成电路 2797 亿块，同比减少 10.4%；进口总金额为1.3511 万亿元人民币，同比上升 5.5%。此外，在 2022 年上半年，我国集成电路共出口 1410 亿块，同比减少 6.8%；出口总金额为 4993 亿元人民币，同比上升 16.4%。公司自设立以来，始终坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略，凭借深耕射频集成电路设计产业多年，通过自主正向研发，市场对公司产品的认可度不断提升，公司业务开拓迅速，销售收入持续增长，报告期内保持持续盈利，公司现已成为国内行业通信、雷达领域中射频芯片、微系统及模组核心供应商之一。（二）主营业务情况 2022 年半年度报告 1

25、0/136 1.主要业务情况 公司专注于集成电路芯片和微系统的研发、生产和销售，并围绕相关产品提供技术服务。公司主要产品包括终端射频前端芯片、射频收发芯片及高速高精度 ADC/DAC、电源管理芯片、微系统及模组等，为客户提供从天线到信号处理之间的芯片及微系统产品和技术解决方案。公司产品及技术已广泛应用于无线通信终端、通信雷达系统、电子系统供配电等特种行业领域，并逐步拓展至移动通信系统、卫星互联网等民用领域。2.主要产品和服务情况 1）终端射频前端芯片 报告期内，公司深度优化国产半导体工艺线和宽带功放匹配技术，新研 6 款高压、宽带、高线性功放，实现 3GHz 以下全频段高效大功率输出，产品体积

26、小、可靠性高、应用简单，广泛适用于大功率背负电台和车载电台通信，极大简化了客户的匹配工作，并提升性能和降低成本，为国内首批商业应用产品。另外，公司进一步优化大功率多路开关产品，适配于大功率功放，形成系列套片。新研 4 款金属管壳封氮化镓功放管，覆盖 50W 以内功率等级，指标优于国内外知名公司同类产品。2）射频收发芯片及高速高精度 ADC/DAC 芯片 报告期内，公司开展 4 款射频收发芯片及高速高精度 ADC/DAC 的研制工作，实现 3 款射频收发芯片及高速高精度 ADC/DAC 的定型量产，进一步巩固了在射频收发芯片及高速高精度 ADC/DAC领域的先发优势，持续推进了新产品定义与既有产

27、品的性能提升。公司研发的四通道可多芯片同步的 ADC、四通道高线性 DAC、低功耗时钟分配芯片实现量产，多项产品性能比肩国际友商，在国内终端通信、相控阵通信、相控阵雷达、声呐设备、数据链、一体化综合电子系统等领域中已得到广泛应用；另外围绕客户需求、市场与技术发展趋势，公司定义了宽带射频收发芯片、多通道高速高精度 ADC/DAC 等升级型产品，在工作频段、带宽等性能指标上实现进一步提升，维持技术优势；并定义了多通道低功耗高精度 ADC、窄带高线性收发芯片等新型产品，其线性度、带内杂散、片上频综相噪等指标性能在窄带抗干扰通信领域具备竞争优势。3）电源管理芯片 报告期内，公司电源管理芯片团队形成了负

28、载点电源芯片、低压差线性稳压器、T/R 电源管理芯片、MOSFET 和 GaN 驱动器、PWM 控制器、微模块电源、固态电子开关、电荷泵、电池均衡器等产品线。公司新研了 8 款用于 T/R 组件的电源管理芯片，包括电源调制、串并转换、逻辑门等，以适配最新的 T/R 组件电源调制与控制模式。新研了 6 款低压差线性稳压器，输入电压覆盖-20V20V 需求，具有并联均流能力，满足噪声敏感模块 AD/DA、PLL、VCO 等供电应用需求。新研了 6 款微模块电源，具有高可靠、小体积、高功率密度等特点，满足航天器中高集成领域点负载电源应用需求。其中新研面向宇航应用的高集成度多拓扑隔离控制芯片 C426

29、03RH，单芯片集成 PWM 控制、源副边驱动、同步整流、过压过流过温保护等功能，可大幅降低当前宇航隔离电源2022 年半年度报告 11/136 产品的体积；以公司 MT0720RH 为代表的抗辐照微模块电源，具备单路 20A 或者双路 10A 的输出电流能力，实现完整的开关电源变换功能，并满足宇航环境适应性要求。4）微系统及模组 报告期内公司新研发了 5 款高集成、轻量化的射频微系统产品，主要应用于新一代的数据链、导引头和低慢小目标探测雷达等领域。公司研发的微系统产品相较于传统产品，通过多层内嵌芯片的三维堆叠极大地提高了功能集成度、产品重量可大幅缩减至传统 TR 组件的 10%以内，并通过具

30、有高一致性的半导体晶圆级量产加工使成本缩减至原先的 30%，满足了新一代装备向小型化、高性能、低成本方向发展的需求。二、二、核心核心技术与研发技术与研发进展进展 1.核心技术核心技术及其及其先进性先进性以及报告期内以及报告期内的变化情况的变化情况 公司是国内少数能够在特种行业领域提供终端射频前端芯片、射频收发芯片及高速高精度ADC/DAC、电源管理芯片、微系统及模组等产品整体解决方案及技术服务的企业之一，在国产装备跨越式发展中起到重要作用，公司研制的集成电路芯片产品技术性能达到国内一流、国际先进水平。公司产品作为国家重大装备中的核心芯片，具有较高的技术门槛，已在国内形成较强的先发优势。预计未来

31、一定期间内，公司通过持续的研发投入和新产品开发，仍将在相关领域内保持有利的市场地位。（一）核心技术情况 序号序号 主要主要应用应用产品产品 核心技术核心技术 名称名称 技术技术来源来源 主要应用主要应用和贡献和贡献 核心技术说明核心技术说明 1 终端射频前端芯片 基于低通滤波器结构有耗式匹配电路技术 自主研发 宽带高效率功放芯片设计 为了解决宽带匹配问题，研究出一个具有广泛适用性的分析及计算理论，基于低通滤波结构的宽带有耗匹配结构，其核心思想在于将输入寄生电容作为低通滤波器的到地并联电容构成一低通滤波器。根据输入有效电容值构造二阶低通滤波器，在不加外输入匹配时，直接匹配到系统阻抗，具有明显的带

32、宽和集成度优势 2 带阈值跟踪和温度补偿功能的有源偏置电路技术 自主研发 提升功放、低噪放温度稳定性和线性度 改进镜像电流源的偏置电路，增加反馈回路，补偿电压源的波动。利用片上电阻的温度变化特性，根据环境温度变化进行阈值电压补偿，使放大器输出稳定在一定范围，保证放大器的稳定工作，具有明显的宽温优势 3 功放堆叠技术 自主研发 宽带高功率功放芯片设计 针对单管胞击穿电压低、输出寄生电容大的缺点，进行管胞堆叠设计，提升器件的工作电压和输出功率，并减小寄生电容，达到宽带匹配的效果。2022 年半年度报告 12/136 序号序号 主要主要应用应用产品产品 核心技术核心技术 名称名称 技术技术来源来源

33、主要应用主要应用和贡献和贡献 核心技术说明核心技术说明 4 开关耐受功率提升技术 自主研发 高耐受功率开关芯片设计 结合开关器件模型，优化前馈电容容值，对栅漏电压、栅源电压进行合理分配，研制高耐受功率射频开关器件 5 射频收发芯片 宽窄带信号兼容大动态范围接收通道设计技术 自主研发 提升芯片射频、模拟通道的动态范围 宽带多模应用存在小信号、强干扰的应用场景，要求接收机具备大动态范围。根据系统需求选择合适的接收机体系架构，同时在可实现高比特模数转换器精度的前提下，进一步比较和选择接收通道的低噪放、混频器、滤波器等模拟单元不同模型架构的增益、噪声系数、线性度，并进行系统仿真选择相关参数经过设计后得

34、到的最优值，具有明显的高动态指标优势 6 低杂散低噪声发射通道设计技术 自主研发 满足发射通道输出信号对带外的杂波和镜频提供尽可能高的抑制的要求 在选择合适的发射机架构满足多种模式宽频需要基础上，优化发射通道各模块的电路设计及校正算法，使发射通道同时满足输出信号带外的频谱纯净度要求，并对带外的杂波和镜频提供尽可能高的抑制，具有明显的杂波与噪声抑制指标优势 7 多芯片同步设计技术 自主研发 芯片具备多片同步功能 相控阵系统的多通道需要具备统一的相位特性来进行波束合成，往往采用时钟馈线系统实现，在频率较高时实现难度大、功耗高，该技术设计了片上可同步的本振及时钟电路，降低了相控阵系统中时钟同步网络的

35、实现难度以及功耗，具有多通道组阵同步优势 8 电源管理芯片 耐辐射微型磁隔离固体电子开关设计技术 自主研发 满足不同客户对磁隔离固体电子开关微型化、耐辐射需求 耐辐射磁隔离固体电子开关是航天能源供配电系统的核心器件，传统的磁隔离固体电子开关采用磁性线圈和分立器件进行搭建，不仅体积大且保护监测功能简单。公司拥有高压大电流耐辐射微型化磁隔离固体电子开关设计能力，成功量产了耐辐射微型磁隔离固体电子开关芯片，将磁隔离线圈和保护监测功能在芯片内集成，最终实现超小体积全功能保护的耐辐射磁隔离固体电子开关，该技术方案较国内外相关磁隔离固体电子开关芯片具有明显的耐辐射和集成度优势 9 耐辐射 T/R组件电源管

36、理芯片设计技术 自主研发 满足客户对耐辐射T/R 组件电源管理芯片小型化、芯片化需求 传统 T/R 组件中存在大量非微波芯片，如波控、电源调制、功率管、负压保护、栅压调节等一系列芯片，占用了 T/R 组件大量的体积、功耗，公司拥有耐辐射 T/R 电源管理系统工艺融合设计能力，成功量产了全功能耐辐射 T/R 组件电源管理芯片，将所有非射频功能芯片整合至单芯片中，并可 IP 化嵌入至微波单片中，最终实现2022 年半年度报告 13/136 序号序号 主要主要应用应用产品产品 核心技术核心技术 名称名称 技术技术来源来源 主要应用主要应用和贡献和贡献 核心技术说明核心技术说明 T/R 组件小型化、芯

37、片化，该技术方案较国内外相关 T/R 电源管理芯片具有明显耐辐射和集成度优势 10 高可靠/耐辐射、高功率密度微电源模块设计技术 自主研发 满足客户对电源超小体积超高功率密度的需求 传统开关电源电路需要控制器、功率管、电感、变压器、电容和外部配置等大量电路，占用电路板面积且需要用户自行配置调试。公司拥有高密度多通道电源微系统设计能力，将外围磁性器件进行微模块内集成，已研制出多款高功率密度、高可靠或耐辐射的微电源模块，可将多路开关电源集成到微小型封装内，实现超小体积超高功率密度应用，该方案较国内外相关高功率密度微电源模块具有一定集成度优势和明显高可靠或者耐辐射优势 11 耐辐射隔离开关电源控制芯

38、片设计技术 自主研发 满足客户对隔离开关电源系统超小体积超高功率密度的需求 传统隔离开关电源控制器需要 PWM 控制器、隔离反馈、功率管、隔离变压器、去耦电容和外围配置阻容等大量电路，占用电路板面积较大。公司拥有多拓扑高频率隔离控制驱动器芯片设计能力，可支持交错正激、推挽、半桥及全桥隔离电源拓扑，具有预偏置启动和同步整流、功率管驱动能力，方便外围电源拓扑设计，并具有打嗝过流、过温过压等保护模式，该技术方案较国内外相关隔离开关电源控制芯片具有明显耐辐射和集成度优势。12 T/R射频微系统及模组 三维异构微系统无源结构与多物理场综合设计技术 自主研发 满足客户对 T/R 射频微系统小型化、轻量化、

39、高密度集成的需求 通过对三维异构集成相控阵 T/R 微系统进行详细的电、热设计，实现典型无源结构的高精度模型提取，建立可支持用户仿真的 PDK 模型库，利用多物理场仿真软件分析射频功放芯片在三维集成结构中的散热过程，评估立体散热设计的散热效果，以及电磁-热-力多物理场联合作用下，热应力形变等多物理场问题对 TR 微系统产生的电性能和可靠性方面的影响，具有高精度和快速设计收敛优势 13 多通道 T/R射频微系统数字、模拟、射频隔离度优化设计技术 自主研发 满足客户对 T/R 射频微系统多通道集成、高隔离度的需求 相较于传统的多通道 T/R 组件，多通道T/R 射频微系统将电源管理芯片、数字控制芯

40、片和射频芯片采用三维堆叠的形式集成在很小的硅基板上，其集成度特别高，各种信号之间的串扰问题将变得不容忽视。因此在多通道 T/R 射频微系统的设计过程中，必须对通道间的隔离特性进行研究，了解信号干扰的机理，建立量化的通道隔离模型，采用多种手段优化通道间的隔离，具有高隔离、抗干扰指标优势 2022 年半年度报告 14/136 （二）技术先进性及其表征 公司掌握的上述核心技术先进性的具体表征情况如下：序号序号 核心技术名称核心技术名称 先进性具体表征先进性具体表征 1 基于低通滤波器结构有耗式匹配电路技术 该项技术能够实现功放超宽带匹配，在全频带内实现小于 1dB 的增益平坦度，而且采用有耗结构增加

41、电路稳定性，大幅减少外围匹配电路设计复杂度 2 带阈值跟踪和温度补偿功能的有源偏置电路技术 该项技术针对低噪放项目进行详细的分析建模，在理论和数值分析上获取低噪放产品设计的关键数值，快速获取电路的各项初始参数，减少设计迭代时间，工作温度可扩展至-55125，具有宽温工作优势 3 功放堆叠技术 管胞堆叠技术可有效提升器件的工作电压，进而提高器件的输出功率，并减小输出寄生电容，满足高压高功率宽带器件应用需求 4 开关耐受功率提升技术 基于电压悬浮结构，结合开关器件模型参数，对前馈电容进行优化设计，有效缩短设计周期，提升不同工作电压下射频开关的耐受功率能力 5 宽窄带信号兼容大动态范围接收通道设计技

42、术 终端类设备需支持多种模式，中频带宽变化很大，该技术的优势在于使得射频收发芯片支持 20kHz60MHz 的中频信号收发，且在各个增益下具备低噪底、高线性特征，在各个带宽下具备较大的直流抑制、镜频抑制性能等，动态范围大于 60dB，覆盖绝大多数通信雷达系统要求 6 低相噪快速跳频宽温频率综合器设计技术 频率综合器是射频收发器的核心模块，公司通过多年的技术积累，自主研发的频率综合器同时具备低相噪、宽温、快速跳频特征，可满足宽带高信噪比通信、窄带抗干扰通信等应用需求，全温相噪低于-100dBc/Hz100kHz 7 多芯片同步设计技术 相控阵系统往往需要提供同步的高频时钟同步网络实现多通道的相位

43、一致性，该技术使得相控阵仅需提供低频的同步信号即可实现多通道、多芯片间小数频综相位同步，降低了相控阵系统中同步网络的实现难度以及功耗，多通道相位同步一致性优于 3，具有多通道组阵同步优势 8 耐辐射微型磁隔离固体电子开关设计技术 单颗芯片集成片上磁隔离器件，具备完整的单边供电、隔离能量传递、隔离数传、隔离驱动、短路保护、反时限过流保护、过温保护和状态隔离指示等功能，在大幅减小磁隔离固体电子开关产品体积的同时还具备丰富的保护功能和耐辐射适应性，体积较传统方案缩小 50%以上 9 耐辐射 T/R 组件电源管理芯片设计技术 单颗芯片集成脉冲调制、栅压调节、串并转换、负压驱动、负压保护等所有非微波芯片

44、组所需的功能，并研制 T/R 组件专用数字控制与保护联动机制和快速收发切换电源脉冲调制技术，具备在统一工艺条件下的单芯片集成和耐辐射工作优势，体积较传统方案缩小50%以上 10 高功率密度微电源模块设计技术 单颗电源微模块内集成开关电源控制器、功率开关管、电感、去耦电容、环路调节阻容等开关电源核心元器件与外围电路，并研制可将磁性器件集成在微模块内或芯片片内的超高密度集成技术，实现单一封装或芯片内完整的开关电源变换功能，具备高能量密度多通道电源微系统的小型化高可靠工作优势 11 耐辐射隔离开关电源控制芯片设计技术 单颗芯片集成源、副边控制器，可支持交错正激、反激、推挽、半桥及全桥隔离电源拓扑，同

45、时内置预偏置启动、死区时间调节同步整流、电压模/电流模控制、高精度电压输出、软启动、打嗝保护、斜坡补偿斜率可调、2MHz 工作频率、前沿消隐、外部信号同2022 年半年度报告 15/136 序号序号 核心技术名称核心技术名称 先进性具体表征先进性具体表征 步、逐周期限流、过压过温过流保护等模块，并将功率管驱动器内置，具有灵活多变的工作模式和较少外围电路优势 12 三维异构微系统无源结构与多物理场综合设计技术 通过对三维异构集成相控阵 T/R 微系统进行详细的电、热设计，实现典型无源结构的高精度模型提取，建立可支持用户仿真的 PDK 模型库，大大缩短了产品的开发的时间，提高了产品一致性。利用多物

46、理场仿真软件分析射频功放芯片在三维集成结构中的散热过程，评估立体散热设计的散热效果，以及电磁-热-力多物理场联合作用下，热应力形变等多物理场问题对 TR 微系统产生的电性能和可靠性方面的影响，产品的散热性能成倍增加 13 多通道 T/R 射频微系统数字、模拟、射频隔离度优化设计技术 多通道 T/R 射频微系统将电源管理芯片、数字控制芯片和射频芯片采用三维堆叠的形式集成在很小的硅基板上，通过建立量化的通道隔离模型和隔离度优化设计技术。多通道 T/R 射频微系统的设计过程中，各种信号之间无串扰，隔离度增加 20dB 以上，可满足绝大多数通信雷达系统使用要求 国家科学技术奖项获奖情况 适用 不适用

47、国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况 适用 不适用 2.报告期内获得的研发成报告期内获得的研发成果果 截至 2022 年 6 月 30 日，公司及控股子公司拥有已获授予专利权的专利 33 项，其中境内授权专利 32 项，境外授权专利 1 项，其中发明专利 32 项，实用新型专利 1 项，该等专利不存在质押、司法查封等权利受限制的情形。报告期内公司未申请新的知识产权。3.研发研发投入投入情况表情况表 单位：元 本期数 上年同期数 变化幅度（%）费用化研发投入 29,398,146.44 17,723,313.70 65.87 资本化研发投入 0 0 不适用 研发投入合计 29

48、,398,146.44 17,723,313.70 65.87 研发投入总额占营业收入比例（%）28.04 21.16 增加 6.88 个百分点 研发投入资本化的比重（%）0 0 不适用 研发投入总额较上年发生重大变化的原因研发投入总额较上年发生重大变化的原因 适用 不适用 公司报告期内研发投入 29,398,146.44 元，同比增长 65.87%，主要系报告期内公司不断引进高水平研发人才，通过持续加大研发投入以保持技术创新优势。研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明 适用 不适用 2022 年半年度报告 16/136 4.在研在研项

49、目情况项目情况 适用 不适用 单位：万元 序号 项目名称 本期投入金额 累计投入金额 进展或阶段性成果 拟达到目标 技术水平 具体应用前景 1 宇航高可靠精密电源系统套片研究 814.29 1,914.16 已完成电源系统套片设计仿真，其中与之匹配的开关电源控制器、线性电源点负载等芯片已进入样品阶段 针对宇航电源系统高可靠性、高冗余、全功能监测保护特性，实现开关电源控制、线性电源点负载、隔离高压驱动、专用控制保护等系列套片，可接入一次母线进行高压隔离开关变换，并具有二次高精度稳压、开关保护、高速驱动控制等功能，可重构形成多型多参数电源变换系统 国内领先 空间电源变换与控制保护系统 2 宽带高线

50、性射频收发芯片研究 489.24 2,579.26 完成样片的研制生产、多通道同步验证、QEC 校准算法、DPD 算法验证 针对 5G 通信、基站等领域实现ADRV9009 射频收发芯片功能替代，具备两收两发、一观测通道，片上实现处理器，带宽大于 200MHz 国际先进 智能终端、5G 通信和基站 3 多路射频直采收发芯片及同步收发系统研究 513.23 1,300.24 完成多路直采收发芯片的设计和仿真验证 实现具备同步能力的 8 收 8 发宽带直采收发芯片，并基于所研芯片实现多通道同步收发板卡，具有宽带、大动态、高集成度等特征 国内领先 数字相控阵、宽带中频收发系统 4 宽带高线性高效率射