高电压技术ppt (2)精选PPT.ppt
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1、高电压技术高电压技术ppt课件课件第1页,此课件共97页哦主要内容主要内容1 气体放电的主要形式2 气体中带电质点的产生和消失3 汤逊理论和流注理论4 不均匀电场中的放电过程5 冲击电压下气隙的击穿特性6 影响气体放电电压的因素7 提高气体介质电气强度的方法8 沿面放电第2页,此课件共97页哦1 气体放电的主要形式气体放电的主要形式1.1 气体放电的基本概念1.2 气体放电的主要形式第3页,此课件共97页哦1.1 气体放电的基本概念气体放电的基本概念1.1.1 气体放电1.1.2 气体的绝缘特性1.1.3 气体的电气强度第4页,此课件共97页哦1.1.1 气体放电气体放电气体放电:气体中流通电
2、流的各种形式气体击穿:气体电绝缘状态突变为良导电状态的过程沿面闪络:击穿发生在气体与液体、气体与固体交界面上工程上将击穿和闪络统称为放电第5页,此课件共97页哦1.1.2 气体的绝缘特性气体的绝缘特性气体指高压电气设备中常用的空气、SF6、以及高强度混合气体等气态绝缘介质v空气:架空线路、变压器外绝缘vSF6:SF6断路器和SF6全封闭组合电器空气是最廉价、应用最广、自动恢复绝缘的气体,因此我们主要研究空气的放电气体失去绝缘后,虽然可以自动恢复,但其放电所造成的事故已经发生,因此我们要研究气体的电气强度第6页,此课件共97页哦1.1.3 气体的电气强度气体的电气强度气体的电气强度表征气体耐受电
3、压作用的能力均匀电场中击穿电压Ub与间隙距离之比称为击穿场强Eb。我们把均匀电场中气隙的击穿场强Eb称为气体的电气强度v空气在标准状态下的电气强度为30kV/cm注意:不能把不均匀场中气隙Ub与间隙距离之比称为气体的电气强度,通常称之为平均击穿场强第7页,此课件共97页哦1.2 气体放电的主要形式气体放电的主要形式常见放电形式v辉光放电v电晕放电v火花放电v电弧放电注意:电晕放电时气隙未击穿,而辉光放电、火花放电、电弧放电均指击穿后的放电现象,且随条件不同,这些放电现象可相互转换。第8页,此课件共97页哦2 气体中带电质点的产生和消失气体中带电质点的产生和消失2.1 气体中带电质点的产生2.2
4、 气体中带电质点的消失第9页,此课件共97页哦2.1 气体中带电质点的产生气体中带电质点的产生碰撞电离v含义:电子或离子与气体分子碰撞,将电场能传递给气体分子引起电离的过程v因素:外电场强弱;能量的积累(行经距离x)v自由行程:一个质点在每两次碰撞间自由地通过的距离v平均自由行程:众多质点自由行程的平均值 比较电子与离子的碰撞电离第10页,此课件共97页哦2.1 气体中带电质点的产生(续气体中带电质点的产生(续1)v条件:Wi为气体分子的电离能注意:即使满足上述条件,不是每次碰撞都能引起电离v电子碰撞电离系数:一个电子在电场力作用下,沿电场方向行经单位距离平均发生碰撞电离的次数,汤逊第一电离系
5、数。v离子碰撞电离系数:一个正离子沿电场方向行经单位距离时平均发生的碰撞电离次数,汤逊第二电离系数。第11页,此课件共97页哦2.1 气体中带电质点的产生(续气体中带电质点的产生(续2)光电离v含义:由光辐射引起气体分子电离的过程,光电离产生的电子称为光电子。v来源:紫外线、宇宙射线、x射线等;异号带电质点复合成中性质点释放出光子;激励态分子回复到正常态释放出光子v条件:热电离v本质:气体分子热状态引起的碰撞电离和光电离的综合v条件:第12页,此课件共97页哦2.1 气体中带电质点的产生(续气体中带电质点的产生(续3)表面电离v含义:金属阴极表面发射电子的过程。v形式:正离子碰撞阴极 光电效应
6、 强场发射 热电子发射v表面电离系数:折合到每个碰撞阴极表面的正离子使阴极金属表面释放出的自由电子数,汤逊第三电离系数。v负离子的形成(电子附着系数:)电子行经单位距离时附着于中性原子的电子数目。第13页,此课件共97页哦2.2 气体中带电质点的消失气体中带电质点的消失电场作用下气体中带电质点的定向运动v带电质点一旦产生,在外电场作用下作定向运动,形成电导电流。v带电质点的运动速度 b为带电质点在电场中的迁移率v电子的迁移率比离子大2个数量级带电质点的扩散v带电质点从浓度较大区域转移到浓度较小区域的性质v电子扩散比离子扩散高3个数量级第14页,此课件共97页哦2.2 气体中带电质点的消失(续气
7、体中带电质点的消失(续1)带电质点的复合v正离子和负离子或电子相遇时,发生电荷的传递而相互中和还原为分子的过程。v复合过程要阻碍放电的发展,但在一定条件下又可因复合时的光辐射加剧放电的发展。v放电过程中的复合绝大多数是正、负离子之间的复合,参加复合的电子绝大多数是先形成负离子再与正离子复合第15页,此课件共97页哦小小 结结1.气体间隙中带电质点的产生和消失是气体放电的一对基本矛盾,气体放电的发展和终止取决于这两个过程谁占主导地位。2.强电场下,气体中带电质点的产生形式可以分为空间电离和表面电离。它们都与外界供给的能量有关,能量的形式主要是电场能、光辐射和热能,而能量的传递靠电子、光子或气体分
8、子的热运动,其传递的过程主要是碰撞,它是造成气体分子电离的有效过程。第16页,此课件共97页哦小小 结结电子碰撞电离电子碰撞电离 正离子碰撞电离正离子碰撞电离 碰撞电离碰撞电离光电离光电离热电离热电离空间电离空间电离表面电离表面电离负离子的形成负离子的形成正离子碰撞阴极正离子碰撞阴极光电效应光电效应强场发射强场发射热电子发射热电子发射电场作用下气体中带电质点的定向运动电场作用下气体中带电质点的定向运动带电质点的扩散带电质点的扩散带电质点的复合带电质点的复合带电质带电质点产生点产生带电质点带电质点消失消失气体放电发气体放电发展过程展过程第17页,此课件共97页哦3 汤逊理论和流注理论汤逊理论和流
9、注理论3.1 汤逊理论和巴申定律3.2 流注理论第18页,此课件共97页哦3.1 汤逊理论和巴申定律汤逊理论和巴申定律3.1.1 非自持放电和自持放电3.1.2 低气压下均匀电场自持放电的汤逊理论3.1.3 巴申定律3.1.4 汤逊理论的适用范围第19页,此课件共97页哦3.1.1 非自持放电和自持放电非自持放电和自持放电气体放电实验的伏安特性曲线非自持放电与自持放电的分界点第20页,此课件共97页哦3.1.1 非自持放电和自持放电(续非自持放电和自持放电(续1)实验分析vOA段:电流随电压升高而升高vAB段:电流仅取决于外电离因素与电压无关vBC段:电压升高碰撞电离增强但仍靠外电离维持(非自
10、持)vC点后:只靠外加电压就能维持(自持)注意:起始电压U0(非自持自持)均匀场:击穿电压Ub不均匀场:电晕起始电压,气隙仍绝缘,UbU0第21页,此课件共97页哦3.1.2 低气压下均匀电场自持放电的低气压下均匀电场自持放电的汤逊理论汤逊理论电子崩光电离初始电子电子个数2482n电子崩产生的正离子撞击阴极发生表面电离新的电子(如果去掉外电离因素)仍有后继电子放电自持第22页,此课件共97页哦3.1.2 低气压下均匀电场自持放电的低气压下均匀电场自持放电的汤逊理论汤逊理论 、过程过程设外电离因素在阴极表面产生的起始电子数为n0,当起始电子到达离阴极x处时,电子数为n,这n个电子行经dx后,又会
11、产生dn个新电子即 这就是包括起始电子在内的电子崩中的电子数,即为电子崩发展规律,它表征一个起始电子在向阳极运动过程到达阳极时产生的电子数。第23页,此课件共97页哦3.1.2 低气压下均匀电场自持放电的低气压下均匀电场自持放电的汤逊理论汤逊理论 过程气隙中碰撞电离而产生的正离子,即从阴极产生的一个电子消失在阳极前,由过程形成的正离子数。即过程这些正离子消失在阴极前,由过程在阴极上释放出二次电子数,即若表示由过程在阴极上重新产生一个电子,此时不再需要外电离因素就能使电离维持发展,即转入自持放电。第24页,此课件共97页哦3.1.2 低气压下均匀电场自持放电的低气压下均匀电场自持放电的汤逊理论汤
12、逊理论自持放电条件总结:(1)将电子崩和阴极上的过程作为气体自持放电的决定因素是汤逊理论的基础(2)汤逊理论的实质是:电子碰撞电离是气体放电的主要原因,二次电子来源于正离子撞击阴极表面使阴极表面逸出电子,逸出电子是维持气体放电的必要条件(3)逸出电子能否接替起始电子的作用是自持放电的判据第25页,此课件共97页哦3.1.3 巴申定律巴申定律根据自持放电条件,导出击穿电压的表达式A、B是与气体种类有关的常数,u0为气温不变的条件下,均匀电场中气体的自持放电起始电压等于气隙击穿电压。巴申定律:当气体成份和电极材料一定时,气体间隙击穿电压(ub)是气压(p)和极间距离(d)乘积的函数。第26页,此课
13、件共97页哦3.1.3 巴申定律巴申定律巴申定律的U型曲线第27页,此课件共97页哦3.1.3 巴申定律巴申定律原因:形成自持放电需要达到一定的电离数d,而这又取决于碰撞次数与电离概率的乘积。高气压、高真空都可以提高击穿电压,工程上已得到广泛应用(如:压缩空气开关、真空开关等)第28页,此课件共97页哦3.1.4 汤逊理论的适用范围汤逊理论的适用范围汤逊理论是在低气压pd较小条件下建立起来的,pd过大,汤逊理论就不再适用pd过大时(气压高、距离大)汤逊理论无法解释:v放电时间:很短v放电外形:具有分支的细通道v击穿电压:与理论计算不一致v阴极材料:无关汤逊理论适用于pd26.66kPa cm第
14、29页,此课件共97页哦3.2 流注理论流注理论3.2.1 空间电荷对电场的畸变3.2.2 高气压下均匀电场自持放电的流注理论3.2.3 流注理论对放电现象的解释第30页,此课件共97页哦3.2.1空间电荷对电场的畸变空间电荷对电场的畸变(1)电子崩崩头集中着电子,其后是正离子,形状似半球形锥体;(2)空间电荷分布极不均匀,大大加强了崩头及崩尾的电场,削弱了电子崩内部的电场;(3)崩头电场明显增强,有利于分子和离子的激励现象,当它们从激励态恢复到正常态时将放射出光子;电子崩内部电场削弱,有助于复合将放射出光子;(4)这些光子将导致空间光电离。第31页,此课件共97页哦3.2.2 高气压下均匀电
15、场自持放电的高气压下均匀电场自持放电的流注理论流注理论流注的形成和发展示意图第32页,此课件共97页哦3.2.2 高气压下均匀电场自持放电的高气压下均匀电场自持放电的流注理论(续流注理论(续1)(a)起始电子发生碰撞电离形成初始电子崩(b)初崩发展到阳极,电子中和,正离子作为空间电荷畸变原电场,加强正离子与阴极间电场,放射出大量光子(c)光电离产生二次电子,在加强的局部电场作用下形成二次崩(d)二次崩电子与正空间电荷汇合成流注通道,其端部又有二次崩留下的正电荷,加强局部电场产生新电子崩使其发展(e)流注头部电离过程迅速发展,放射出大量光子,引起空间光电离,流注前方出现新的二次崩,延长流注通道(
16、f)流注通道贯通,气隙击穿注意:流注速度为108109cm/s,而电子崩速度为107cm/s第33页,此课件共97页哦3.2.2 高气压下均匀电场自持放电的高气压下均匀电场自持放电的流注理论(续流注理论(续2)流注理论认为:形成流注的必要条件是电子崩发展到足够的程度后,电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸变,大大加强电子崩崩头和崩尾处的电场;另一方面电子崩中电荷密度很大,所以复合频繁,放射出的光子在这部分很强,电场区很容易成为引发新的空间光电离的辐射源,二次电子主要来源于空间光电离;气隙中一旦形成流注,放电就可由空间光电离自行维持。自持放电条件:第34页,此课件共97页哦3.2.3 流注理论对
17、放电现象的解释流注理论对放电现象的解释放电时间 二次崩的起始电子是光子形成的,而光子以光速传播,所以流注发展非常快放电外形 二次崩的发展具有不同的方位,所以流注的推进不可能均匀,而且具有分支阴极材料 大气条件下的气体放电不依赖阴极表面电离,而是靠空间光电离产生电子维持,因此与阴极材料无关第35页,此课件共97页哦小小 结结1.汤逊理论只适用于pd值较小的范围,流注理论只适用于pd值较大的范围,二者过渡值为pd=26.66kPacm;(1)汤逊理论的基本观点:电子碰撞电离是气体放电时电流倍增的主要过程,而阴极表面的电子发射是维持放电的必要条件(2)流注理论的基本观点:以汤逊理论的碰撞电离为基础,
18、强调空间电荷对电场的畸变作用,着重于用气体空间光电离来解释气体放电通道的发展过程;放电从起始到击穿并非碰撞电离连续量变的过程,当初始电子崩中离子数达108以上时,引起空间光电离质变,电子崩汇合成流注;流注一旦形成,放电转入自持第36页,此课件共97页哦小小 结结2.引起气体放电的外部原因有两个,其一是电场作用,其二是外电离因素。因此,我们把去掉外界因素作用后,放电立即停止的放电形式称为非自持放电;把由电场作用就能维持的放电称为自持放电。3.汤逊理论和流注理论自持放电条件的比较(1)汤逊理论:自持放电由阴极过程来维持 流注理论:依赖于空间光电离(2)系数的物理意义不同第37页,此课件共97页哦4
19、 不均匀电场中的放电过程不均匀电场中的放电过程4.1 电场不均匀程度的划分4.2 稍不均匀电场中的击穿过程4.3 极不均匀电场中的击穿过程第38页,此课件共97页哦4.1 电场不均匀程度的划分电场不均匀程度的划分球隙的放电特性与极间距离的关系球隙的放电特性与极间距离的关系1-击穿电压 2-电晕起始电压 3-放电不稳定区第39页,此课件共97页哦4.1 电场不均匀程度的划分(续电场不均匀程度的划分(续1)电场越不均匀,击穿电压和电晕起始电压之间的差别越大从放电观点看:电场的不均匀程度可以根据是否存在稳定的电晕放电来区分;从电场均匀程度看:可用电场的不均匀系数划分,f4时为极不均匀电场。第40页,
20、此课件共97页哦4.2 稍不均匀电场中的击穿过程稍不均匀电场中的击穿过程稍不均匀电场中的放电过程与均匀电场相似,属于流注击穿,击穿条件就是自持放电条件,无电晕产生但稍不均匀电场中场强并非处处相等,电离系数是空间坐标x的函数,因此自持放电条件为第41页,此课件共97页哦4.3 极不均匀电场中的击穿过程极不均匀电场中的击穿过程4.3.1 电晕放电4.3.2 极性效应4.3.3 长间隙放电第42页,此课件共97页哦4.3.1 电晕放电电晕放电定义:电场极不均匀时,在大曲率电极附近很薄一层空气中具备自持放电条件,放电仅局限在大曲率电极周围很小范围内,而整个气隙尚未击穿特点:电晕放电是极不均匀电场特有的
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