第18讲高频直接调频电路PPT讲稿.ppt
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1、第18讲高频直接调频电路1第1页,共51页,编辑于2022年,星期日间接调频:间接调频:对调制信号先积分后调相对调制信号先积分后调相 (fC 较稳定,但是频偏小较稳定,但是频偏小 )直接调频:直接调频:对振荡器直接进行频率调制对振荡器直接进行频率调制 (可获大频偏,但可获大频偏,但 fC 不稳定不稳定)请一班请一班5 5位同学位同学:实现实现图图6-156-15电路仿真电路仿真请二班请二班5 5位同学位同学:实现(旧版)实现(旧版)图图7-167-16电路仿真电路仿真请三班请三班5 5位同学位同学:实现实现图图6-29a6-29a电路仿真电路仿真请四班请四班5 5位同学位同学:实现实现图图6-
2、29b6-29b电路仿真电路仿真请五班请五班5 5位同学位同学:实现实现图图6-276-27电路仿真电路仿真2第2页,共51页,编辑于2022年,星期日 压控振荡器的振荡频率随调制信号线性变化压控振荡器的振荡频率随调制信号线性变化,压控振荡器的中心频率即为载波频率压控振荡器的中心频率即为载波频率。若被控制的是若被控制的是LCLC振荡器振荡器,则则只需控制振荡回路的只需控制振荡回路的某个元件某个元件(L(L或或C),C),使其参数随调制电压变化使其参数随调制电压变化,就可达就可达到直接调频的目的。到直接调频的目的。直接调频法直接调频法3第3页,共51页,编辑于2022年,星期日1.1.调制特性调
3、制特性 要线性要线性调频电路输出电压调频电路输出电压的频率偏移与调制的频率偏移与调制电压的关系(电压的关系(fV )一一.调频电路的指标:调频电路的指标:4第4页,共51页,编辑于2022年,星期日4.4.相对相对频偏频偏 1%大频偏大频偏 1%小频偏小频偏3.3.中心频率中心频率(载波频率载波频率)要稳定要稳定2.2.调制灵敏度:调制灵敏度:)V/Hz(WD=vfKf5第5页,共51页,编辑于2022年,星期日PN结的电容效应结的电容效应电容效应包括两部分电容效应包括两部分势垒电容势垒电容扩散电容扩散电容(a)PN 结加正向电压结加正向电压(b)PN 结加反向电压结加反向电压-N空间空间电荷
4、区电荷区PVRI+UN空间空间电荷区电荷区PRI+-UV6第6页,共51页,编辑于2022年,星期日应满足:应满足:|V VQ Q|V V m mC C1 1 隔直作用隔直作用C C2 2 高频滤波电容高频滤波电容L L1 1 高频扼流圈高频扼流圈变容二极管直接调频电路利用结电容受反向外加电压控制而变化来实现调频。利用结电容受反向外加电压控制而变化来实现调频。7第7页,共51页,编辑于2022年,星期日加在变容管上的电压加在变容管上的电压8第8页,共51页,编辑于2022年,星期日图图7-7-13 变容二极管作为回路总电容的直接调频电路变容二极管作为回路总电容的直接调频电路9第9页,共51页,
5、编辑于2022年,星期日140MHz的变容管直接调频电路的变容管直接调频电路 150pF10第10页,共51页,编辑于2022年,星期日L L1 1与变容管与变容管CjCj构成振荡回路并与晶体管构成振荡回路并与晶体管Q1Q1接成电感三点式接成电感三点式 振荡电路。振荡电路。变容管的直流电压偏置从正电源稳压电路中通过两个变容管的直流电压偏置从正电源稳压电路中通过两个470W470W 电位器取出一部分提供,作为电位器取出一部分提供,作为V VQ Q。调制信号通过调制信号通过1.7mH1.7mH的高频扼流圈的高频扼流圈L L2 2和两个和两个150pF150pF电容电容 C1 C1、C2C2接成的接
6、成的p p型滤波网络加到变容管上。型滤波网络加到变容管上。11第11页,共51页,编辑于2022年,星期日两个对接的变容二极管部分接入的直接调频电路两个对接的变容二极管部分接入的直接调频电路 (1 1)两个变容二极管串联后的总电容)两个变容二极管串联后的总电容(2 2)两两变变容容二二极极管管反反向向串串联联,对对高高频频信信号号而而言言,加加到到两两管管的的高高频频电电压压降降低低一一半半,可可减减弱弱高高频频电电压压对对结结电电压压的的影影响响,另另外外在在高高频频电电压压的的任任 一一 半半 周周 内内,一一 个个 变变 容容 管管 寄寄 生生 电电 容容 增增 大大,而而 另另 一一
7、个个减少,从而消弱寄生调制。减少,从而消弱寄生调制。12第12页,共51页,编辑于2022年,星期日 图示是一个电容式话筒调频发射机实例。图示是一个电容式话筒调频发射机实例。电容话筒在声波作用下,内部的金属薄膜产生振动,会引起薄膜电容话筒在声波作用下,内部的金属薄膜产生振动,会引起薄膜与另一电极之间电容量的变化。如果把电容式话筒直接接到振荡器的与另一电极之间电容量的变化。如果把电容式话筒直接接到振荡器的谐振回路中,作为回路电抗就可构成调频电路。谐振回路中,作为回路电抗就可构成调频电路。13第13页,共51页,编辑于2022年,星期日 电电容容式式话话筒筒振振荡荡器器是是电电容容三三点点式式电电
8、路路,它它利利用用了了晶晶体体管管的的极极间间电电容容。电电容容话话筒筒直直接接并并联联在在振振荡荡回回路路两两端端,用用声声波直接进行调频。波直接进行调频。图图(b b)是是电电容容式式话话筒筒的的原原理理图图,金金属属膜膜片片与与金金属属板板之之间间形形成成电电容容,声声音音使使膜膜片片振振动动,两两片片间间距距随随声声音音强强弱弱而而变变化化,因因而而电电容容 量量 也也 随随 声声 音音 强强 弱弱 而而 变变 化化。在在 正正 常常 声声 压压 下下,电电容量变化较小,为获得足够的频偏应选择较高的载频。容量变化较小,为获得足够的频偏应选择较高的载频。14第14页,共51页,编辑于20
9、22年,星期日 这种调频发射机载频约在几十兆赫兹到几百兆赫兹之间。这种调频发射机载频约在几十兆赫兹到几百兆赫兹之间。耳语时,频偏约有耳语时,频偏约有2kHz2kHz;大声说话时,频偏约大声说话时,频偏约40kHz40kHz左右;左右;高声呼喊时,频偏可达高声呼喊时,频偏可达75kHz75kHz。这种电路没有音频放大器所造成的非线性失真,易于获得这种电路没有音频放大器所造成的非线性失真,易于获得较好的音质。这种调频发射机只有一级振荡器,输出功率小,较好的音质。这种调频发射机只有一级振荡器,输出功率小,频率稳定度差,但体积小,重量轻。频率稳定度差,但体积小,重量轻。15第15页,共51页,编辑于2
10、022年,星期日Cj+Cj0 反向电压反向电压v =0 时的结电容时的结电容VD PN结内建电位差结内建电位差(很小很小)电容的变化指数电容的变化指数 变容二极管直接调频原理分析Cjv 16第16页,共51页,编辑于2022年,星期日CjQ当调制信号为:当调制信号为:=gWgW+)cos1()(0tVVVVVVCQDmDQDjCjv 结电容的调制度结电容的调制度M17第17页,共51页,编辑于2022年,星期日结电容的调制度结电容的调制度静态结电容动态结电容18第18页,共51页,编辑于2022年,星期日瞬时振荡角频率为瞬时振荡角频率为:19第19页,共51页,编辑于2022年,星期日线性调制
11、线性调制调制特性分析调制特性分析最大频偏最大频偏20第20页,共51页,编辑于2022年,星期日调制特性分析调制特性分析利用函数展开幂级数利用函数展开幂级数21第21页,共51页,编辑于2022年,星期日最大角频偏最大角频偏中心频率偏移中心频率偏移调制灵敏度调制灵敏度22第22页,共51页,编辑于2022年,星期日例例 调频振荡回路有电感调频振荡回路有电感L L和变容二极管组成。和变容二极管组成。L=2mH,变容二极管的参数为变容二极管的参数为:(1)(1)载波载波fc(2)(2)由调制信号引起的载波漂移由调制信号引起的载波漂移fc(3)(3)最大频偏最大频偏fm(4)(4)调频系数调频系数k
12、f(5)(5)二阶失真系数二阶失真系数23第23页,共51页,编辑于2022年,星期日解解24第24页,共51页,编辑于2022年,星期日25第25页,共51页,编辑于2022年,星期日26第26页,共51页,编辑于2022年,星期日C3为高频滤波电容变容管部分接入振荡回路变容管部分接入振荡回路27第27页,共51页,编辑于2022年,星期日动态结电容 C1、C2 的引入,使的引入,使Cj 对回路总电容的影响减小,从而对回路总电容的影响减小,从而 c c 的稳的稳定性提高定性提高28第28页,共51页,编辑于2022年,星期日C30.002uF20pF调频波输出调频波输出 2例:对图例:对图6
13、-15所示的变容管直接调频电路。所示的变容管直接调频电路。1.说明电路中各元件的作用;说明电路中各元件的作用;2.画出该调频振荡器的高频通路、变容管的直流通路和音频通路。画出该调频振荡器的高频通路、变容管的直流通路和音频通路。3.若已知若已知u(t)=Umcos(2104t)(V),变容管结电容,变容管结电容Cj=80(UQ+u)0.5(pF),调频指数调频指数mf=5,当,当u=0时的振荡频率为时的振荡频率为fc=90MHz,试求变容管所需,试求变容管所需的直流偏置电压的直流偏置电压UQ,调频波的最大频偏,调频波的最大频偏fm以及调制信号的振幅以及调制信号的振幅Um。29第29页,共51页,
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