光电子发射探测器PPT课件.ppt
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1、关于光电子发射探测器第一张,PPT共四十九页,创作于2022年6月3.1 光电子发射效应概述:光电子发射效应(外光电效应),逸出物质表面 的电子叫做光电子。物理基础:爱因斯坦方程:物体的逸出功或功函数 :物体逸出表面时的速度一.金属的光电子发射图-1说明金属能级分布规律:EF:费米能级 EA:表面势垒的高度,也称金属对电子的亲和势。第二张,PPT共四十九页,创作于2022年6月情况1:T=0K时,能量最大电子处于费米能级上 (3-1)电子逸出表面的运动能:当各种散射损耗=0时,最大,金属逸出功:代入公式3-1得:此为:T=0K时,爱因斯坦方程。第三张,PPT共四十九页,创作于2022年6月情况
2、2:T0K时:由图3-1可知,存在高于费米能级的电子因此 电子存在,存在 的一个拖尾。爱因斯坦方程不再成立!思考:为什么T0时爱因斯坦方程不成立?特例:常温时,的电子很少,拖尾现象很小,近似认为爱因斯坦定律在室温下是成立的。二、半导体的光电子发射为什么金属发射电子少而半导体易于发射?第四张,PPT共四十九页,创作于2022年6月 表面逸出功高。金属:表面反射强,对光辐射的吸收率低。内部存在大量电子,相互碰撞损失能量。对入射光反射系数小,吸收系数大,在长波限就 有电子发射。:趋向表面运动的过程中 阴极层导电性适中:损失能量比金属小;半导体 :传导电子的补充不发生 困难。半导体中存在着大量的发射中
3、心(价带中有大的 电子密度)。小的光电逸出功,较高的量子效率。第五张,PPT共四十九页,创作于2022年6月半导体中光电子发射过程:(三步)对光电子的吸收:逸出 :在半导体中,对光电导有贡献。本征发射:本征吸收系数高,量子效率高2030%。光电子:杂质发射:浓度1%,量子效率低,约为1%,吸收系数低。自由载流子发射:微不足道。第六张,PPT共四十九页,创作于2022年6月光电子向表面的运动电子散射可以忽略。晶格散射和光电子与价带中电子碰撞。半导体的本征吸收系数大:,光电子效率越高,630mm深度。避免二次电子空穴对:产生条件:能量是半导体带隙能量的23倍。选Eg高的半导体,可避免二次发射。克服
4、表面势能的逸出能量大于表面势垒否?本征半导体:逸出功:第七张,PPT共四十九页,创作于2022年6月杂质半导体:两部分能量:电子从发射中心激发到导带所需的最低能量。从导带底逸出所需的最低能量(电子亲和势)。第八张,PPT共四十九页,创作于2022年6月3.2光电子发射材料纯金属材料有三大类表面吸附一层其他元素的金属和半导体材料。光电阴极:(光电管,光电倍增管,变像管,像增强管和一些摄像管等)。一、光电阴极的主要参数1.灵敏度光照灵敏度:(白光灵敏度,积分灵敏度)光电阴极在一定的白光(色温为2856K的钨丝灯)照射下,阴极光电流与入射的光通量之比。单位为A/lm。第九张,PPT共四十九页,创作于
5、2022年6月色光灵敏度:局部光谱区域的积分灵敏度在某些特定的波长下,通常用特性已知的滤光片插入光路,然后测得的光电流与未插入滤光片时阴极所受光照的光通量之比。和光照灵敏度的比值。蓝光灵敏度:QB24 蓝白比红光灵敏度:HB11 红白比红外灵敏度:HWB3 红外白比图3-5为滤光片的光谱透射比第十张,PPT共四十九页,创作于2022年6月光谱灵敏度:表示一定波长的单色辐射照到光电阴极上,阴极光电流与入射的单色辐射通量之比。单位:mA/W,A/W。量子效率:量子产额:一定波长的光子入射到光电阴极时,该阴极所发射的光电子数与入射的光子数之比值。和光谱灵敏度间的关系第十一张,PPT共四十九页,创作于
6、2022年6月光谱响应曲线:光电阴极的光谱灵敏度或量子效率与入射辐射波长的关系曲线。注意:真空光电器件中的光波灵敏度极限主要由光电阴极材料的长波限 决定。实际上由阴极材料本身的能级和电子亲和势决定。热电子发射:定义:光电阴极中有少数电子的热能大于光电阴极逸出功,因此产生热电子发射。室温下的典型值:10-1610-17Acm-2电流密度。作用:引起热噪声,限制探测器的灵敏度极限。第十二张,PPT共四十九页,创作于2022年6月二、常用光电发射材料良好光电发射材料应具备的条件:光吸收系数大;光电子在体内传输过程中的能量损失小;表面势垒低,使表面逸出几率大。常见材料的发射特性:金属:反射大吸收小碰撞
7、能量损失大逸出功大紫外光能量大,只能做紫外探测器半导体:反射小吸收大碰撞小能量损失少逸出功小可用到近红外区第十三张,PPT共四十九页,创作于2022年6月(一)银化铯阴极结构:见图a。光谱特性:见图b长波限:1.2m两个峰值350nm;800nm。是最早出现的近红外灵敏器,具有重要的军事应用价值。缺点:a.灵敏度低:光照灵敏度:30A/lm辐射灵敏度3mA/lm;量子效率在峰值波长处:1%第十四张,PPT共四十九页,创作于2022年6月b.热噪声大:热电子发射密度:10-1110-14A/cm2(室温)其值超过任何其它光电阴极。c.长期受光照会产生严重的疲劳现象,疲劳后光谱响应会发生变化。(二
8、)单碱锑化物光电阴极组成:碱金属与锑,铅,铋,铊等生成的金属化合物具有极其宝贵的光电发射性能。CiSb、NaSb、KSb、RbSb、CsSb等。常用的锑铯CsSb阴极性能:量子效率高:蓝光区、峰值处:30%(比Ag-O-Cs高30倍)第十五张,PPT共四十九页,创作于2022年6月可见光区(积分响应度):70150A/lm长波限:0.7m左右,对红外和红光不灵敏见图3-7。热噪声:热电子发射密度10-16A/cm2 优于Ag-O-Cs疲劳特性:制作工艺简单,广泛用于紫外和可见光。第十六张,PPT共四十九页,创作于2022年6月(三)多碱锑化物光电阴极当锑和几种碱金属形成化合物时,具有较高的响应
9、度,其中有双碱、三碱、四碱,统称为多碱光电阴极。锑钾钠 锑钾钠铯峰值波长:0.4 紫外近红外 850 930nm长波限量子效率:25%较高光照灵敏度:50A/lm 150A/lm400 A/lm热发射电流密度:10-1710-18A/cm210-1410-16A/cm2光电疲劳效应:小微小特点:耐高温(175OC)工作稳定性好第十七张,PPT共四十九页,创作于2022年6月(四)紫外光电阴极1.紫外光辐射能量高量子效率高。2.日盲型光电阴极:要有合适的窗口材料。3.碲化铯CsTe 0.32m碘化铯CsI 0.2 m 100280nm 长波限三、负电子亲和势材料定义:负电子亲和势(NEA):半导
10、体表面做特别处理,使表面区域能带弯曲,真空能级降到导带之下,使有效的电子亲和势为负值。正电子亲和势(PEA):表面的真空能级位于导带之上。第十八张,PPT共四十九页,创作于2022年6月特点前所未有的高灵敏度;长波极限到红外。工作原理以Si-Cs2O光电阴极材料为例:基底型Si材料表面涂Cs Cs2O 表面形成耗尽层耗尽层电位下降Ed能级弯曲.对于型i半导体,发射阈值:形成P-N结合能级弯曲后,P型Si的光电子需克服的有效亲和势为:(基准 )亲和势为负值,说明只要光电子突破禁带,就能发射光电子.详见图3-8:第十九张,PPT共四十九页,创作于2022年6月3.特点量子效率高:负电子亲和势光电阴
11、极的逸出深度:数微米.普遍多碱阴极的逸出深度:几十纳米.光谱响应延伸到红外,光谱响应率均匀什么叫长波限?光子的最小能量必须大于光电发射阈值或功函数,否则电子就不会逸出物质表面,这个最小能量对应的波长称为阈值波长(长波限).(禁带能级)(禁带+亲和势)第二十张,PPT共四十九页,创作于2022年6月对于正电子亲和势光电阴极:阈值波长:对于负电子亲和势光电阴极:阈值波长:GaAs光电阴极 :为1.4eV :约为890nm。热电子发射小:负电子亲和势材料本身的禁带宽度一般比较宽,如果没有强电场作用,热电子发射小。10-16A/cm2第二十一张,PPT共四十九页,创作于2022年6月光电子能量集中光光
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