功率场效应晶体管PPT课件.ppt

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1、关于功率场效应晶体管第一张，PPT共十一页，创作于2022年6月1第三章第三章电力场效应晶体管电力场效应晶体管电力电力MOSFET的种类的种类按导电沟道可分为P沟道沟道和N沟道沟道。耗耗尽尽型型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增增强强型型对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型沟道增强型。1）电力）电力MOSFET的结构和工作原理的结构和工作原理第二张，PPT共十一页，创作于2022年6月2第三章第三章电力场效应晶体管电力场效应晶体管电力电力MOSFET的结构的结构是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别

2、。采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号第三张，PPT共十一页，创作于2022年6月32.3电力场效应晶体管电力场效应晶体管小功率MOS管是横向导电器件。电 力MOSFET大 都 采 用 垂 直 导 电 结 构，又 称 为VMOSFET（Vertical MOSFET）。按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和 具 有 垂 直 导 电 双 扩 散MOS结 构 的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。电力电力MOSFET的结构的

3、结构第四张，PPT共十一页，创作于2022年6月42.3电力场效应晶体管电力场效应晶体管截止截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电导电：在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反反型型层层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号电力电力MOSFET的工作原理的工作原理第五张，PPT共十一页，创作于2022年6月52.3电力场效应晶体管电力场效应晶体管(1)静态特性静态特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特

4、转移特性性。ID较大时，ID与与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨跨导导Gfs。010203050402468a)10203050400b)1020305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A图1-20电力MOSFET的转移特性和输出特性a)转移特性b)输出特性2）电力）电力MOSFET的基本特性的基本特性第六张，PPT共十一页，创作于2022年6月62.3电力场效应晶体管电力场效应晶体管截止区截止区（对应于GTR的截止区）饱和区饱和区（对应于GTR的放大区）非饱和区非饱和区（对应G

5、TR的饱和区）工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。图1-20电力MOSFET的转移特性和输出特性a)转移特性b)输出特性MOSFET的漏极伏安特性的漏极伏安特性：010203050402468a)10203050400b)10 20 305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A第七张，PPT共十一页，创作于2022年6月72.3电力场效应晶体管电力场效应晶体管开通过程开通过程

6、开通延迟时间开通延迟时间td(on)上升时间上升时间tr开开通通时时间间ton开通延迟时间与上升时间之和关断过程关断过程关断延迟时间关断延迟时间td(off)下降时间下降时间tf关关断断时时间间toff关断延迟时间和下降时间之和a）b)RsRGRFRLiDuGSupiD信号+UEiDOOOuptttuGSuGSPuTtd(on)trtd(off)tf图1-21电力MOSFET的开关过程a)测试电路b)开关过程波形up脉冲信号源，Rs信号源内阻，RG栅极电阻，RL负载电阻，RF检测漏极电流(2)动态特性动态特性第八张，PPT共十一页，创作于2022年6月82.3电力场效应晶体管电力场效应晶体管M

7、OSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。开关时间在10100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。MOSFET的开关速度的开关速度第九张，PPT共十一页，创作于2022年6月92.3电力场效应晶体管电力场效应晶体管3)电力电力MOSFET的主要参数的主要参数电力MOSFET电压定额(1)漏极电压漏极电压UDS(2)漏极直流电流漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值和漏极脉冲电流幅值IDM电力MOSFET电流定额(3)栅源电压栅源电压UGSUGS20V将导致绝缘层击穿。除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有：(4)极间电容极间电容极间电容CGS、CGD和CDS第十张，PPT共十一页，创作于2022年6月10感感谢谢大大家家观观看看第十一张，PPT共十一页，创作于2022年6月9/19/2022