昆明半导体光刻胶项目可行性研究报告_模板范文.docx
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1、泓域咨询/昆明半导体光刻胶项目可行性研究报告目录第一章 行业发展分析7一、 半导体光刻胶:技术难度最高,增速最快7二、 存储:容量提升+扩产是两大推动力10三、 全球百亿美金市场,显示+PCB+IC三大应用推动发展10第二章 项目概述13一、 项目名称及项目单位13二、 项目建设地点13三、 可行性研究范围13四、 编制依据和技术原则14五、 建设背景、规模15六、 项目建设进度16七、 环境影响16八、 建设投资估算16九、 项目主要技术经济指标17主要经济指标一览表17十、 主要结论及建议19第三章 建筑工程方案分析20一、 项目工程设计总体要求20二、 建设方案22三、 建筑工程建设指标
2、23建筑工程投资一览表23第四章 项目选址方案25一、 项目选址原则25二、 建设区基本情况25三、 狠抓招商引资工作27四、 提升对外开放水平28五、 项目选址综合评价29第五章 法人治理结构30一、 股东权利及义务30二、 董事35三、 高级管理人员40四、 监事42第六章 SWOT分析说明44一、 优势分析(S)44二、 劣势分析(W)46三、 机会分析(O)46四、 威胁分析(T)48第七章 发展规划53一、 公司发展规划53二、 保障措施59第八章 工艺技术说明61一、 企业技术研发分析61二、 项目技术工艺分析63三、 质量管理64四、 设备选型方案65主要设备购置一览表66第九章
3、 组织机构管理67一、 人力资源配置67劳动定员一览表67二、 员工技能培训67第十章 劳动安全生产分析70一、 编制依据70二、 防范措施71三、 预期效果评价75第十一章 原辅材料分析77一、 项目建设期原辅材料供应情况77二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理77第十二章 节能说明79一、 项目节能概述79二、 能源消费种类和数量分析80能耗分析一览表81三、 项目节能措施81四、 节能综合评价82第十三章 项目投资分析84一、 投资估算的依据和说明84二、 建设投资估算85建设投资估算表87三、 建设期利息87建设期利息估算表87四、 流动资金89流动资金估算表89五、 总投资90总投
4、资及构成一览表90六、 资金筹措与投资计划91项目投资计划与资金筹措一览表92第十四章 经济效益分析93一、 经济评价财务测算93营业收入、税金及附加和增值税估算表93综合总成本费用估算表94固定资产折旧费估算表95无形资产和其他资产摊销估算表96利润及利润分配表98二、 项目盈利能力分析98项目投资现金流量表100三、 偿债能力分析101借款还本付息计划表102第十五章 项目招标及投标分析104一、 项目招标依据104二、 项目招标范围104三、 招标要求105四、 招标组织方式105五、 招标信息发布109第十六章 项目风险评估110一、 项目风险分析110二、 项目风险对策112第十七章
5、 总结分析114第十八章 附表115营业收入、税金及附加和增值税估算表115综合总成本费用估算表115固定资产折旧费估算表116无形资产和其他资产摊销估算表117利润及利润分配表118项目投资现金流量表119借款还本付息计划表120建设投资估算表121建设投资估算表121建设期利息估算表122固定资产投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 行业发展分析一、 半导体光刻胶:技术难度最高,增速最快全球半导体光刻胶市场
6、增速远高于全球光刻胶平均水平,占比不断提升。据SEMI统计,2021年全球半导体光刻胶市场规模达24.71亿美元,较上年同期增长19.49%,2015-2021年CAGR为12.03%。2019年全球半导体光刻胶市场规模分别为约为18亿美元,半导体光刻胶占整体光刻胶比重约21.9%,到2021年占比提升至26.85%。大陆半导体光刻胶增速超全球两倍。分地区看,中国大陆半导体光刻胶市场依旧保持着最快增速,2021年市场规模达到4.93亿美元,较上年同期增长43.69%,超过全年半导体光刻胶增速的两倍;中国占比全球半导体光刻胶市场比重也将从2015年约10.4%提升到2021年接近20%。中国半导
7、体光刻胶的快速崛起离不开中国整体半导体产业的发展。受益于5G大规模建设,以及2020年新冠疫情导致远程办公、网络直播等应用普及,全球集成电路行业发展迅猛,根据Frost&Sullivan数据,2013年集成电路市场规模为2518亿美元,到2019年集成电路市场规模高达3334亿美元,年复合增长率为4.79%。2019年全球集成电路市场规模有所下滑,主要系全球贸易摩擦、存储供需变化以及智能手机、服务器等产品需求下滑因素影响。预计到2025年,全球集成电路市场规模将达到4750亿美元,2020-2025年CAGR为6.02%。我国集成电路行业起步较晚,但发展迅速。根据中国半导体行业协会数据,201
8、3年中国集成电路销售收入为2508亿元,2019年达到7562亿元,年均复合增速达到20.2%,在5G和新兴产业的发展带动下,如汽车电子行业和物联网的推动下,中国集成电路行业市场规模将不断扩大,预计到2025年,我国集成电路市场规模将达到18932亿元,2020-2025年CAGR为16.22%。按曝光波长分,全球ArF/EUV光刻胶占比超50%,为国际主流。半导体光刻胶按照曝光波长不同可分为g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)以及新兴起的EUV光刻胶5大类,高端光刻胶指KrF、ArF和EUV光刻胶,等级越往上其极限分辨率越高,同一面积的硅晶圆布线
9、密度越大,性能越好。根据TECHCET数据,从市场分布看,2021年ArFi+ArF光刻胶占全球光刻胶市场规模的比例为48.1%,KrF占比34.7%,G/I线占14.7%。ArF(包括ArFi)光刻胶已是集成电路制造需求金额最大的光刻胶产品,随着集成电路产业超先进制程持续发展,ArF光刻胶持续迎来广阔市场机遇。随着全球半导体产业的发展,制造工艺技术节点的不断缩小,KrF和ArF光刻胶市场需求量更大,增速更快,是推动当下光刻胶市场快速增长的主要因素。从市场规模增速来看,EUV光刻胶发展最快,但处于发展初期体量较小,2021年仅约0.51亿美元,预计到2025年达到1.97亿美元,2020-20
10、25CAGR达48.8%;增速第二快的是KrF光刻胶,其2021年全球市场规模为6.9亿美元,预计到2025年达到9.07亿美元,2020-2025年CAGR为8.2%。ArF光刻胶(ArF+ArFi)2021年全球市场规模为9.55亿美元,预计到2025达到10.72亿美元,2020-2025CAGR为3.5%;较为低端的g/i线光刻胶预计市场规模变化不大,占比缩小。从应用产品看,2021年逻辑占比超63.5%,是第一大应用领域。非易失性存储器(NVM)是一种计算机即使关闭电源也能够保存已保存数据的存储器,增速最快。根据TECHCET数据,2021年逻辑用光刻胶需求超过595万升,占比超过6
11、3.5%,到2025年需求量提升到约677万升,2021-2025年CAGR为3.3%,由于NVM对光刻胶需求的快速提升(2021-2025CAGR12.8%),预计2025年逻辑占比略降低到59.5%,NVM占比提升到26.4%。对非易失性存储器(NVM)的需求是主要由于移动设备所需要的存储容量大幅提升,尤其是相机、智能手机和平板电脑。随着制程缩减和存储容量提升,光刻次数增加,单位面积光刻胶的金额越高。根据SEMI的数据,单位面积所使用的的光刻胶价值量从15年3月不到0.12美元/平方英寸上升到2021年9月约0.19美元/平方英寸,平均价值量的提升主要来源于先进制程占比的提升以及光刻次数的
12、增加。二、 存储:容量提升+扩产是两大推动力容量要求提升,光刻次数增加,相应光刻胶的用量随着光刻次数的增加大幅增长。DRAM:DRAM的技术发展路径是以微缩制程来提高存储密度。制程工艺进入20nm之后,制造难度大幅提升,DRAM芯片厂商对工艺的定义从具体的线宽转变为在具体制程范围内提升二或三代技术来提高存储密度。目前市场上DRAM的应用较为广泛的是2xnm和1xnm,三星、美光、海力士等龙头厂商均已开发出1znm制程的DRAM。NAND:NAND芯片制程已经达到极限,2DNAND的存储容量难以继续突破,NAND工艺逐渐转向3D堆叠架构,以更多的堆叠层数来得到更大的存储容量,光刻次数随着层数增加
13、而增加,KrF光刻胶的使用量将显著提升。三、 全球百亿美金市场,显示+PCB+IC三大应用推动发展全球市场持续扩容,2023年有望突破百亿美金。光刻胶作为制造关键原材料,随着未来汽车、人工智能、国防等领域的快速发展,全球光刻胶市场规模将有望持续增长。根据Reportlinker数据,全球光刻胶市场预计2019-2026年复合年增长率有望达到6.3%,至2023年突破100亿美金,到2026年超过120亿美元。大陆市场增速高于全球,2022年有望超过百亿人民币。叠加产业转移因素,中国光刻胶市场的增长速度超过了全球平均水平。2021年中国光刻胶市场达93.3亿元,16-21年CAGR为11.9%,
14、21年同比增长11.7%,高于同期全球光刻胶增速5.75%。随着未来PCB、LCD和半导体产业持续向中国转移,中国光刻胶市场有望不断扩大,占全球光刻胶市场比例也将持续提升,预计到2026年占比有望从2019年的15%左右提升到19.3%。显示、PCB、IC是三大应用领域,合计占比超70%。根据应用领域的不同,光刻胶可分为印刷电路板(PCB)用光刻胶、液晶显示(LCD)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。根据Reportlinker数据,2019年PCB、半导体和平板显示光刻胶占比分别为27.8%、21.9%、23.0%,为前三大应用领域。按显影过程中曝光区域的去除或保留分,分成正性光刻胶
15、(正胶)和负性光刻胶(负胶),正负胶各有优势,但正胶分辨率更高,是主流光刻胶。1)正性光刻胶:正性光刻胶在紫外线等曝光源的照射下,将图形转移至光胶涂层上,受光照射后感光部分将发生分解反应,可溶于显影液,未感光部分不溶于显影液,仍然保留在衬底上,将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。正性光刻胶响应波长为330430纳米,胶膜厚为13微米,正性光刻胶的分辨率更高,无溶胀现象。因此,正性光刻胶的应用比负性光刻胶更为普及。2)负性光刻胶:负性光刻胶在紫外线等曝光源的照射下,将图形转移至光胶涂层上,在显影溶液的作用下,负性光刻胶曝光部分产生交联反应而不溶于显影液;未曝光部分溶于显影液,将与掩膜上相反的图形复
16、制到衬底上。负性光刻胶响应波长为330430纳米,胶膜厚0.31微米,负性光刻胶的分辨率比正性光刻胶低。负胶占总体光刻胶比重较小,多用于特殊工艺。由于负胶耐热性强,多应用于高压功率器件、高耗能器件等,此外也常用于一些特殊工艺,因为负胶难以去除的特性,在芯片最后的封装阶段可以使用负胶,能起到绝缘、保护芯片的作用。总的来说,正胶有以下主要优点:高分辨率,高对比度;使用暗场掩模减少了曝光图形的缺陷率,因为掩模大部分区域都是不透光的。使用水溶性显影液;去胶容易。因此,正胶普及率大于负胶。第二章 项目概述一、 项目名称及项目单位项目名称:昆明半导体光刻胶项目项目单位:xx(集团)有限公司二、 项目建设地
17、点本期项目选址位于xxx,占地面积约43.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、项目背景及市场预测分析;2、建设规模的确定;3、建设场地及建设条件;4、工程设计方案;5、节能;6、环境保护、劳动安全、卫生与消防;7、组织机构与人力资源配置;8、项目招标方案;9、投资估算和资金筹措;10、财务分析。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要;2、投资项目可行性研究指南;3、相关财务制度、会计制度;4、投资项目可行性研究指南;5、可行性研究开始前已经形成的工作成果
18、及文件;6、根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料;7、可行性研究与项目评价;8、建设项目经济评价方法与参数;9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资料、项目方案及基础材料。(二)技术原则为实现产业高质量发展的目标,报告确定按如下原则编制:1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路:资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定的环保、职业安全卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术,在保证产品质量的同时,力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。五、 建设背景、规模(一)项目背景溶剂、感光剂、树脂是光刻胶的三大原材料。光刻胶会根据
19、不同光的波长和不同的曝光源而进行微调。光刻胶具有特定热流程特点,用特定的方法配臵而成,与特定的表面结合。这些属性由光刻胶里不同化学成分的类型、数量、混合过程决定,溶剂、感光剂和树脂是光刻胶三大原材料。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积28667.00(折合约43.00亩),预计场区规划总建筑面积40503.05。其中:生产工程28077.60,仓储工程4345.34,行政办公及生活服务设施5478.58,公共工程2601.53。项目建成后,形成年产xx吨半导体光刻胶的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xx(集团)有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内
20、容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响该项目在建设过程中,必须严格按照国家有关建设项目环保管理规定,建设项目须配套建设的环境保护设施必须与主体工程同时设计、同时施工、同时投产使用。各类污染物的排放应执行环保行政管理部门批复的标准。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资15235.52万元,其中:建设投资12089.49万元,占项目总投资的79.35%;建设期利息310.29万元,占项目总投资的2.04%;流动资金2835.74万元,占项目总投资的18
21、.61%。(二)建设投资构成本期项目建设投资12089.49万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用10433.34万元,工程建设其他费用1280.21万元,预备费375.94万元。九、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入30800.00万元,综合总成本费用23313.60万元,纳税总额3438.29万元,净利润5485.44万元,财务内部收益率28.21%,财务净现值10566.53万元,全部投资回收期5.26年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积28667.00约43.00亩1.1总建筑
22、面积40503.051.2基底面积15766.851.3投资强度万元/亩271.952总投资万元15235.522.1建设投资万元12089.492.1.1工程费用万元10433.342.1.2其他费用万元1280.212.1.3预备费万元375.942.2建设期利息万元310.292.3流动资金万元2835.743资金筹措万元15235.523.1自筹资金万元8902.933.2银行贷款万元6332.594营业收入万元30800.00正常运营年份5总成本费用万元23313.606利润总额万元7313.927净利润万元5485.448所得税万元1828.489增值税万元1437.3310税金及
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