第四章半导体的导电性精选文档.ppt

《第四章半导体的导电性精选文档.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第四章半导体的导电性精选文档.ppt（49页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、第四章半导体的导电性本讲稿第一页，共四十九页 4.14.1载流子的漂移运动载流子的漂移运动 迁移率迁移率一.欧姆定律的微分表达式欧姆定律：电导率：电阻由材料特性决定：电阻率：本讲稿第二页，共四十九页一一.欧姆定律的微分表达式欧姆定律的微分表达式金属：在面积为金属：在面积为S S，长为，长为L L的导体两端，加电压的导体两端，加电压V V，在，在导体内形成电场导体内形成电场欧姆定律微分表达式欧姆定律微分表达式载流子在电场载流子在电场 的作用下，定向运动形成电流的作用下，定向运动形成电流I I，为描述，为描述I I在导体中的分布情况，引入电流密度在导体中的分布情况，引入电流密度J J，即，即:本讲

2、稿第三页，共四十九页二二.漂移速度和迁移率漂移速度和迁移率1 1、漂移运动：、漂移运动：电子在电场作用下做定电子在电场作用下做定向运动称为漂移运动向运动称为漂移运动。2 2、漂移速度、漂移速度：定向运动的速度：定向运动的速度漂移电流漂移电流漂移电流密度漂移电流密度本讲稿第四页，共四十九页3 3、迁移率、迁移率欧姆定律微分表达式欧姆定律微分表达式漂移电流密度漂移电流密度平均漂移速度的大小与电场强度成正比，其系数平均漂移速度的大小与电场强度成正比，其系数电子的迁移率，单位：电子的迁移率，单位：cmcm2 2/V.s/V.s，单位电场作用下单位电场作用下载流子获得的平均速度，反映了载载流子获得的平均

3、速度，反映了载 流子在电场流子在电场作用下输运能力。作用下输运能力。本讲稿第五页，共四十九页电导率与迁移率间的关系电导率与迁移率间的关系N N型半导体型半导体P P型半导体型半导体本讲稿第六页，共四十九页本征半导体本征半导体对于一般半导体漂移电流为：电子漂移电流和空穴漂移电流的总和本讲稿第七页，共四十九页4.2 4.2 载流子的散射载流子的散射漂移运动漂移运动在严格周期性的势场中运动的载流子在电场力的作在严格周期性的势场中运动的载流子在电场力的作用下将获得加速度，其漂移速度越来越大。用下将获得加速度，其漂移速度越来越大。本讲稿第八页，共四十九页而实际半导体中的载流子的运动情况而实际半导体中的载

4、流子的运动情况：本讲稿第九页，共四十九页在实际晶体中存在破坏周期性势场得在实际晶体中存在破坏周期性势场得作用因素：作用因素：本讲稿第十页，共四十九页一、载流子散射的概念一、载流子散射的概念:1.1.散射：散射：载流子与其它粒子发生弹性或非弹性碰载流子与其它粒子发生弹性或非弹性碰撞，碰撞后载流子的速度的大小和方向发生了撞，碰撞后载流子的速度的大小和方向发生了改变。改变。2.2.平均自由程和平均自由时间：平均自由程和平均自由时间：在连续两次散射间自由运动的路程称为在连续两次散射间自由运动的路程称为自由路程自由路程，所用的时间称为所用的时间称为自由时间自由时间；多次散射的平均路程叫做；多次散射的平均

5、路程叫做平均自由程平均自由程，平均时间称为，平均时间称为平均自由时间。平均自由时间。3.3.散射几率散射几率P P：单位时间一个电子受到散射的次数。用来描述散射强单位时间一个电子受到散射的次数。用来描述散射强弱弱本讲稿第十一页，共四十九页二、半导体的主要散射机构二、半导体的主要散射机构1.1.电离杂质散射电离杂质散射当载流子运动到电离杂质附近当载流子运动到电离杂质附近时，由于库仑场的作用，载流时，由于库仑场的作用，载流子的运动方向发生了变化。子的运动方向发生了变化。4.2 4.2 载流子的散射载流子的散射本讲稿第十二页，共四十九页电离杂质散射时电离杂质散射时：Ni大，受到散射机会多T T大，平

6、均热运动速度大，平均热运动速度快，可较快的掠过杂质快，可较快的掠过杂质离子，偏转小，不易被离子，偏转小，不易被散射散射注意：离化的杂质浓度注意：离化的杂质浓度 本讲稿第十三页，共四十九页l晶体中的原子并不是固定不动的，而是相对于自己的平晶体中的原子并不是固定不动的，而是相对于自己的平衡位置进行热振动。由于原子之间的相互作用，每个原衡位置进行热振动。由于原子之间的相互作用，每个原子的振动不是彼此无关的，而是一个原子的振动要依次子的振动不是彼此无关的，而是一个原子的振动要依次传给其它原子。晶体中这种原子振动的传播称为格波。传给其它原子。晶体中这种原子振动的传播称为格波。原子的振动破坏了严格的晶格周

7、期势，引起对载流子的原子的振动破坏了严格的晶格周期势，引起对载流子的晶格散射。载流子的晶格散射对半导体中的许多物理现晶格散射。载流子的晶格散射对半导体中的许多物理现象表现出重要的影响。象表现出重要的影响。晶格振动的散射晶格振动的散射本讲稿第十四页，共四十九页 格波与声子：格波与声子：在固体物理中，把晶格振动看作格波，格波分为在固体物理中，把晶格振动看作格波，格波分为声学波（频率低）和光学波（频率高）。声学波（频率低）和光学波（频率高）。角频率为角频率为a的格波，它的能量只能是量子化的格波，它的能量只能是量子化的，把格波的能量量子的，把格波的能量量子a称为声子。声子能量为：称为声子。声子能量为：

8、电子或空穴被电子或空穴被晶格散射晶格散射，就是电子和声子的碰撞，就是电子和声子的碰撞，且在这个相互作用的过程中遵守能量守恒和准动且在这个相互作用的过程中遵守能量守恒和准动量守恒定律。量守恒定律。本讲稿第十五页，共四十九页分析得到：导带电子受长纵声学波的分析得到：导带电子受长纵声学波的散射几率散射几率离子晶体中光学波对载流子的散射概率离子晶体中光学波对载流子的散射概率P P0 0与温度与温度的关系的关系，光学波的散射几率增大，光学波的散射几率增大本讲稿第十六页，共四十九页三三.其它因素引起的散射其它因素引起的散射1.1.等同的能谷间的散射等同的能谷间的散射硅的导带具有六个极值能量相等的旋转椭球等

9、能硅的导带具有六个极值能量相等的旋转椭球等能面，载流子在这些能谷中分布相同，这些能谷称面，载流子在这些能谷中分布相同，这些能谷称为为等同的能谷。等同的能谷。电子可以从一个极值附近散射到另一个极值附近，电子可以从一个极值附近散射到另一个极值附近，这种散射称为这种散射称为能谷散射。能谷散射。电子在一个能谷电子在一个能谷内部散射内部散射与长声学波散射：弹性散射与长声学波散射：弹性散射与长光学波散射：非弹性散射与长光学波散射：非弹性散射本讲稿第十七页，共四十九页本讲稿第十八页，共四十九页谷间散射：谷间散射：电子从一个能谷到另一个能谷时，波矢变化较大，电子从一个能谷到另一个能谷时，波矢变化较大，k k2

10、 2-k k1 1=q,q,声子的波矢大，短波声子对应能量大，声子的波矢大，短波声子对应能量大，非弹性散射。非弹性散射。.中性杂质散射中性杂质散射当掺杂浓度很高，温度比较低时，杂质没有全部当掺杂浓度很高，温度比较低时，杂质没有全部电离，这种没有电离的中性杂质对周期性势场有电离，这种没有电离的中性杂质对周期性势场有一定的微扰作用，而引起散射。一定的微扰作用，而引起散射。本讲稿第十九页，共四十九页.位错散射位错散射 N N型半导体位错处，共价键不饱和，易型半导体位错处，共价键不饱和，易于俘获电子，位错线周围形成了一个圆柱形于俘获电子，位错线周围形成了一个圆柱形带正电空间电荷区，正电荷是电离了的施主

11、带正电空间电荷区，正电荷是电离了的施主杂质，在圆柱形内形成电场，对载流子有附杂质，在圆柱形内形成电场，对载流子有附加势场，受到散射。加势场，受到散射。本讲稿第二十页，共四十九页.合金散射合金散射AlAlx xGaGa1-x1-xAsAs中，中，AlAsAlAs占据一套面心立方，占据一套面心立方，GaAsGaAs占据一套面心立方，但占据一套面心立方，但AlAl、GaGa两种不同原子在两种不同原子在族位置上的排列是随机的，对周期性势场产生一族位置上的排列是随机的，对周期性势场产生一定的微扰作用，因而引起对载流子的散射作用，定的微扰作用，因而引起对载流子的散射作用，称为合金散射。称为合金散射。合金散

12、射合金散射是混合晶体特有的散射机制。在原是混合晶体特有的散射机制。在原子有序排列的混合合金中，几乎不存在合金散子有序排列的混合合金中，几乎不存在合金散射效应。射效应。本讲稿第二十一页，共四十九页练习 T=300K时，砷化镓的掺杂浓度为NA=0，ND=1016cm-3，设杂质全部电离，电子的移迁率为7000cm2/V.s,空穴的迁移率为320cm2/V.s，若外加电场强度=10V/cm,求漂移电流密度和电导率解：室温下，砷化镓的ni=107cm-3PPi i，迁移率随温度增加，迁移率随温度增加 而减低。而减低。高掺杂样品高掺杂样品 （N Ni i10101818/cm/cm3 3）低温下（低温下

13、（250250以下），杂质散以下），杂质散射起主要作用，随射起主要作用，随高温下（高温下（250 250以上），晶格以上），晶格散射起主要作用，随散射起主要作用，随 随随N Ni i的增加，均减小。的增加，均减小。本讲稿第三十三页，共四十九页电子迁移率空穴迁移率GeGe在在300K300K下的电子迁移率和空穴迁移率下的电子迁移率和空穴迁移率本讲稿第三十四页，共四十九页 1 1、对于半导体材料，相同温度下，电子迁、对于半导体材料，相同温度下，电子迁移率大于空穴迁移率移率大于空穴迁移率 2 2、迁移率与杂质浓度有关，当半导体参杂杂、迁移率与杂质浓度有关，当半导体参杂杂质时，电子迁移率与空穴迁移率的

14、质时，电子迁移率与空穴迁移率的差别差别随着杂质浓随着杂质浓度的度的增大增大而而增大增大。迁移率与迁移率与导电类型导电类型无关，无关，P P型半导体中的空型半导体中的空穴穴（多子）（多子）与与N N型半导体中的空穴（型半导体中的空穴（少子少子）在其）在其他条件相同的情况下迁移率趋于相同他条件相同的情况下迁移率趋于相同同理，同理，N N型半导体中的电子型半导体中的电子（多子）（多子）与与P P型半导型半导体的电子体的电子（少子）（少子）在其他情况相同时，迁移率相在其他情况相同时，迁移率相同。同。本讲稿第三十五页，共四十九页例题 试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1450cm2

15、/(V.s)和500cm2/(V.s)，当参入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率，比本征硅的电导率增到了多少？本讲稿第三十六页，共四十九页4.4.电阻率与杂质浓度和温度的关系电阻率与杂质浓度和温度的关系一、电阻率和杂质浓度的关系一、电阻率和杂质浓度的关系本讲稿第三十七页，共四十九页300k时，本征 Si:=2.3105 cm，本征Ge:=47 cm 本征GaAs:=200 cm 与n、有关，n、与温度和掺杂浓度有关。本讲稿第三十八页，共四十九页轻掺杂时（轻掺杂时（1010161610101818cmcm-3-3）：室温下杂质全部电离，）：室温下杂质全部电离，载流子浓度增大，轻掺

16、杂时，载流子浓度增大，轻掺杂时，随的变化不大，电随的变化不大，电阻率与杂质浓度成反比。阻率与杂质浓度成反比。重掺杂时（重掺杂时（10101818cmcm-3-3）:杂质在室温下不能全部杂质在室温下不能全部电离。电离。迁移率随电离杂质浓度增加而下降。迁移率随电离杂质浓度增加而下降。(1)(1)与的关系与的关系本讲稿第三十九页，共四十九页室温下，室温下，SiSi的电阻率与杂质浓度的关系的电阻率与杂质浓度的关系本讲稿第四十页，共四十九页室温下，Ge和GaAs电阻率与杂质浓度的关系本讲稿第四十一页，共四十九页杂质半导体：随温度增加，有杂质电离和本征激发，杂质半导体：随温度增加，有杂质电离和本征激发，有

17、电离杂质散射和晶格振动散射有电离杂质散射和晶格振动散射。二、电阻率随温度的变化二、电阻率随温度的变化本征半导体：随温度增加，本征半导体：随温度增加，n ni i(即即n n和和p p）急剧增）急剧增加，而迁移率稍有下降，总的电阻率随温度增加而下加，而迁移率稍有下降，总的电阻率随温度增加而下降。降。本讲稿第四十二页，共四十九页（1 1）ABAB段段:低温杂质电离区低温杂质电离区温度很低，本征激发可以忽温度很低，本征激发可以忽略。载流子主要由杂质电离略。载流子主要由杂质电离提供，随上升，提供，随上升，n n增加。迁增加。迁移率主要由电离杂质散射起移率主要由电离杂质散射起主要作用，主要作用，随上升而

18、增加。随上升而增加。所以，电阻率随温度升高而下所以，电阻率随温度升高而下降。降。本讲稿第四十三页，共四十九页（2 2）BCBC段段:饱和区饱和区杂质全部电离，本征激发不杂质全部电离，本征激发不十分显著，载流子浓度基本十分显著，载流子浓度基本不变，晶格散射起主要作用，不变，晶格散射起主要作用，随的增加而降低。所随的增加而降低。所以电阻率随的增加而增以电阻率随的增加而增加。加。本讲稿第四十四页，共四十九页（3 3）CDCD段段:高温本征激发区高温本征激发区大量本征载流子的产生迁移大量本征载流子的产生迁移率的减少相对小的多。因此，率的减少相对小的多。因此，随上升而急剧下降，随上升而急剧下降，表现为本

19、征载流子的特性。表现为本征载流子的特性。本讲稿第四十五页，共四十九页注意：注意：进入本征导电区的温度与掺杂浓度和禁带宽度有关。进入本征导电区的温度与掺杂浓度和禁带宽度有关。同一种半导体材料，掺杂浓度高，进入本征激发的温度高；同一种半导体材料，掺杂浓度高，进入本征激发的温度高；不同种材料，不同种材料，E Eg g大，进入本征激发温度高。到本征激发区，大，进入本征激发温度高。到本征激发区，器件就不能正常工作。器件就不能正常工作。GeGe器件最高工作温度器件最高工作温度100100SiSi器件最高工作温度器件最高工作温度250250GaAsGaAs器件最高工作温度器件最高工作温度450450本讲稿第

20、四十六页，共四十九页本章小结一一 重要术语解释重要术语解释1 1漂移：在电场作用下，载流子的运动过程。漂移：在电场作用下，载流子的运动过程。2 2漂移电流：载流子漂移形成的电流。漂移电流：载流子漂移形成的电流。3 3漂移速度：电场中载流子的平均漂移速度。漂移速度：电场中载流子的平均漂移速度。4 4迁移率：关于载流子漂移和电场强度的参数。迁移率：关于载流子漂移和电场强度的参数。5 5电阻率：电导率的倒数；计算电阻的材料参数。电阻率：电导率的倒数；计算电阻的材料参数。6 6电导率：关于载流子的材料参数；可量化为漂移电流密度和电场强度之电导率：关于载流子的材料参数；可量化为漂移电流密度和电场强度之比

21、。比。7 7电离杂质散射：载流子和电离杂质原子之间的相互作用。电离杂质散射：载流子和电离杂质原子之间的相互作用。8 8晶格散射：载流子和热振动晶格原子之间的相互作用晶格散射：载流子和热振动晶格原子之间的相互作用。本讲稿第四十七页，共四十九页公式l平均漂移速度和迁移率平均漂移速度和迁移率l电流密度和电导率，电阻率l散射概率，平均自由时间和迁移率本讲稿第四十八页，共四十九页室温下，本征锗的电阻率为室温下，本征锗的电阻率为47 47 。若锗原子的浓度为。若锗原子的浓度为 ，掺入施主杂质，使每，掺入施主杂质，使每 个锗原子中有一个杂质原子，个锗原子中有一个杂质原子，（1 1）试求本征载流子浓度。（）试求本征载流子浓度。（2 2）计算室温下电子浓）计算室温下电子浓度和空穴浓度度和空穴浓度(设杂质全部电离设杂质全部电离)。（。（3 3）试求该掺杂锗材料的电）试求该掺杂锗材料的电阻率。设阻率。设 ，且认为且认为不随掺杂而变化。（不随掺杂而变化。（4 4）若流过样品的电流密度为）若流过样品的电流密度为 ，求所加的电场强度。，求所加的电场强度。，测测 试试本讲稿第四十九页，共四十九页