第十六章 器件技术精选文档.ppt

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1、第十六章 器件技术本讲稿第一页，共五十六页目目 标标通过本章的学习，将能够：通过本章的学习，将能够：1.辨别出模拟和数字、有源和无源器件的不同。说明在无源器件中寄生结构的影响；2.对PN结进行描述，讨论其重要性，并解释其反向偏压和正向偏压的不同；3.描述双极技术特征和双极晶体管的功能，偏压、结构及应用；4.描述 CMOS 技术的基本特征，包括场效应晶体管、偏压现象以及CMOS反相器5.描述 MOSFET 增强型和耗尽型之间的区别；6.描述寄生晶体管的影响和 CMOS 闩锁效应的本质；7.列举一些集成电路产品，描述其各自的一些应用。本讲稿第二页，共五十六页引引 言言用于微芯片的电子器件是在衬底上

2、构建的。通用的微芯片器件包括电阻、电容、熔丝、二极管和晶体管。它们在衬底上的集成是集成电路芯片制造技术的基础。硅片上电子器件的形成方式被称为结构。半导体器件结构有成千上万钟。这里只能列举出其中的一部分。本章将讨论器件的实际形成，以了解它们在应用中是怎样发挥作用的。同时，本章还将对集成电路产品的不同分类进行回顾。本讲稿第三页，共五十六页印刷电路板上的元件印刷电路板上的元件本讲稿第四页，共五十六页电路类型电路类型模拟电路模拟电路 在电子技术中，模拟电路是指其电参数在一定电压、电流、功耗值范围内变化的一种电路。模拟电路可以设计成由直流（DC）、交流（AC）或者两者的混合，以及脉冲电流来作为工作电源。

3、以模拟电路为工作原理的电子产品有：无线电发射器和接收器、声音的录制和回放装置等。然而输入输出信号的放大不能总是与预定的值相符。例如。用AM/FM收音机搜索电台时，不是所有无线信号都有相同的信号强渡。因此，音量的控制必须根据输入信号的强度作调整。本讲稿第五页，共五十六页数字电路数字电路 数字电路在两种性质不同的电平信号高电平和低电平下工作。逻辑高电平用二进制数字1表示，逻辑低电平用二进制0表示。数字电路与计算机和计算器等逻辑器件有关。其他数字逻辑器件包括：时钟、手柄式电脑游戏以及条形码阅读器。数字器件可用于测量并控制事件结果：要求既有开/关型命令，又能受模拟线性电路分立增量变化的控制。这也正是今

4、天区别模拟器件和数字器件如此困难的原因所在。高低电平准确数值取决于特别的器件技术。下面是两个逻辑电平的例子：逻辑类型 高电平1 低电平0 TTL 5 VDC 0.0 VDC CMOS 3.5VDC 0.0 VDC 本讲稿第六页，共五十六页无源元件结构无源元件结构在电路中电阻和电容都是无源元件。因为这些元件无论怎样和电源连接，它们都能传输电流。例如，一个电阻无论是与电源的正极还是负极连接，它都能传输同样的电流。集成电路电阻结构集成电路电阻结构 集成电路中的电阻可以通过金属膜、掺杂的多晶硅，或者通过杂质扩散到衬底的特定区域产生。这些电阻是微结构，因此它们只占用衬底很小的区域。电阻和芯片电路的连接是

5、通过与导电金属（如铝、钨等）形成接触实现的(见下图）。本讲稿第七页，共五十六页Examples of Resistor Structures in ICs n-Substrate Metal contact Film type resistorSiO2,dielectric material Metal contactn-p-Diffused resistorSiO2,dielectric materialFigure 3.1 本讲稿第八页，共五十六页寄生电阻结构寄生电阻结构 寄生电阻是在集成电路元件设计中产生的多余电阻。它存在于器件结构中是因为器件的尺寸、形状、材料类型、掺杂种类以及掺杂数量

6、。寄生电阻不是我们所需要的，因为它会降低集成电路器件的性能。下图表示了晶体管中寄生电阻的位置。寄生电阻是可积累的，这意味着一串电阻总的效应比单个电阻大。在集成电路器件中。这些寄生电阻的影响成为能否降低芯片上器件特征尺寸的关键因素。随着集成度的提高，电阻将会增加，是电性能总体下降。为此设计者可选用低电阻金属作为接触层和特别工艺设计以减小有源器件的体（bulk）电阻。本讲稿第九页，共五十六页Cross Section of Parasitic Resistances in a TransistorRECREBRBBRBCRCCRCBMetal contact resistanceBulk resi

7、stancen+n+p-Base Emitter Collectorp-SubstrateFigure 3.2 本讲稿第十页，共五十六页集成电路电容结构集成电路电容结构大家知道，一个简单的电容器是由两个分立的导电层被介质（绝缘）材料隔离开而形成的。微芯片制造中介质材料通常是二氧化硅（SiO2）,平面型电容器的导电层可由金属薄层、掺杂的多晶硅，或者衬底的扩散区形成。通常衬底上的电容器由4钟基本工艺组成（见下图）。本讲稿第十一页，共五十六页集成电路中电容结构示例集成电路中电容结构示例SubstrateOxide dielectricMetal contactsSubstrateDielectric

8、 material(oxide)2nd dopedpoly layerMetal contactto 1st poly1st doped poly layerSubstrateMetal contact to diffused regionDoped poly layerp-Diffused regionSubstrate1st,n+poly plate2nd,n+poly plateDielectric material(oxide)Figure 3.3 本讲稿第十二页，共五十六页晶体管中寄生电容器示例晶体管中寄生电容器示例nnnSDGp-Substrateoxidedoped polyFi

9、eld effect transistorBipolar junction transistornpnCEBp-SubstrateFigure 3.4 本讲稿第十三页，共五十六页有源元件结构有源元件结构pn 结二极管双极晶体管肖特基二极管双极集成电路技术CMOS 集成电路技术增强型和耗尽型 MOSFET本讲稿第十四页，共五十六页p-SubstrateCathode Anodepn junction diodeMetal contactHeavily doped p region Heavily doped n regionBasic Symbol and Structure of the pn

10、 Junction DiodeFigure 3.5 本讲稿第十五页，共五十六页Open-Circuit Condition of a pn Junction Diodep-type Sin-type SiDepletionregionCathodeAnodeMetal contactPotentialhill0BarriervoltageCharge distribution of barrier voltage across a pn Junction.Figure 3.6 本讲稿第十六页，共五十六页pn3 VLampOpen-circuit condition(high resistanc

11、e)Reverse-Biased PN Junction DiodeFigure 3.7 本讲稿第十七页，共五十六页Forward-Biased PN Junction Diodepn3 VHole flowElectron flowLampFigure 3.8 本讲稿第十八页，共五十六页Forward and Reverse Electrical Characteristics of a Silicon Diode12010080604020.4.81.21.6+I-V+V-IBreakdownvoltageLeakagecurrentReverse bias curveForward bi

12、as curveJunction voltageFigure 3.9 本讲稿第十九页，共五十六页Two Types of Bipolar TransistorsPhysical structurepnpEmitterCollectorBaseBCEpnp transistorSchematic symbolPhysical structureBCEEmitterCollectorBasenpnnpn transistorSchematic symbolFigure 3.10 本讲稿第二十页，共五十六页NPN Transistor Biasing Circuit Lamp1.5 VnpnS1BC

13、E3 VNonconduction modeConduction modeElectronflowe-e-h+1.5 V n p nS1BCE 3 VLampFigure 3.11 本讲稿第二十一页，共五十六页PNP transistor biasing circuitNonconduction mode1.5 VpnpS1BCE3 VLampConduction mode Hole flowh+e-1.5 V p n pS1BCE3 Vh+LampFigure 3.12 本讲稿第二十二页，共五十六页Cross Section of an NPN BJTp-substraten+pn+Meta

14、l contactCEBFigure 3.13 本讲稿第二十三页，共五十六页肖特级二极管肖特级二极管 肖特级二极管是由金属和轻掺杂的n 型半导体材料接触形成的（见下图）。这种形式器件的工作原理与普通二极管相似正偏时低电阻，反偏时高电阻。硅肖特级二极管的正向结电压降（0.30.5V），几乎是硅pn结二极管（0.60.8V）的一半。肖特级二极管的最大优势是其电导完全取决于电子，这使其从开到关的时间更快。肖特级二极管的发明使双极集成电路技术得以在21世纪继续应用。肖特级二极管的概念已用于高速和更高功效的双极集成电路的发展中。本讲稿第二十四页，共五十六页Schematic Symbol and Str

15、uctural Cross Section of the Schottky DiodeSchottky contactNormal ohmic contactAnodeCathoden n-n n+Figure 3.14 本讲稿第二十五页，共五十六页双极逻辑的种类双极逻辑的种类Table 3.1 本讲稿第二十六页，共五十六页CMOS IC TechnologyThe Field Effect TransistorMOSFETsnMOSFETpMOSFETBiasing the nMOSFETBiasing the pMOSFETCMOS TechnologyBiCMOS TechnologyE

16、nhancement and Depletion-Mode本讲稿第二十七页，共五十六页CMOS 集成电路技术集成电路技术场效应晶体管（场效应晶体管（FET）场效应晶体管最早是为了解决能源消耗而提出的，诞生于20世纪70年代。后来发现 FET 是既节省能源又利于提高集成度的电子器件。尽管FET 的早期实验应回到20世纪30年代，但第一批大量生产的场效应晶体管在60年代成为现实。从第一批改进的 FET一直被使用。现在最流行的集成电路技术是COMS（互补型金属氧化物半导体）技术，它是围绕着 FET 设计和制造的发展而发展的。本讲稿第二十八页，共五十六页场效应晶体管的最大优势是它的低电压和低功耗。它的

17、开启是输入电压加到栅上产生的电场的结果因此称为场效应晶体管。FET 在线性/模拟电路中作为放大器以及在数字电路中作为开关元件使用。它的高输入阻抗和适中的放大特性使其成为一种卓越的器件被广泛应用。它的低功耗和可压缩性使其极适用于一直在缩小尺寸的 ULSI工艺。FET 有两种基本类型：结型（JFET）和金属氧化物型（MOSFET）半导体。区别在于MOSFET作为场效应晶体管输入端的栅极由一层薄介质（SiO2）与其他两极绝缘。JFET的栅极实际上同晶体管其他电极形成物理的pn结。本讲稿第二十九页，共五十六页nMOSFET(n-channel)GateSourceDrainp-type silicon

18、 substraten+n+SourceGateDrainSubstratepMOSFET(p-channel)SourceGateDrainp+p+n-type silicon substrateSourceGateDrainSubstrateTwo Types of MOSFETsFigure 3.15 本讲稿第三十页，共五十六页VDD=+3.0 VOpen gate(no charge)Lamp(no conduction)SourceDrainp-type silicon substraten+n+Gate VGG=+0.7 VS1Biasing Circuit for an NMOS

19、 TransistorFigure 3.16 本讲稿第三十一页，共五十六页NMOS Transistor in Conduction ModeS1IDSVDD=+3.0 VPositive chargeLampe-e-e-+SourceDrainp-type silicon substrateGate n+n+HolesVGG=+0.7 VFigure 3.17 本讲稿第三十二页，共五十六页Example of Characteristics Curves of an N-channel MOSFETFigure 3.18 6005004003002001000VGS=+5VVGS=+4VVG

20、S=+3VVGS=+2VVGS=+1V0 1 2 3 4 5 6Drain-Source Voltage,VDS(volts)Drain Current,IDS(ma)Saturation RegionLinear Region本讲稿第三十三页，共五十六页VDD=-3.0 VOpen gate(no charge)Lamp(no conduction)SourceGateDrainp+p+n-type silicon substrateVGG=-0.7 VS1Biasing Circuit for a P-Channel MOSFETFigure 3.19 本讲稿第三十四页，共五十六页IDSV

21、DD=-3.0 VLampe-e-e-Gate SourceDrain-n-type silicon substrateElectronsp+p+Negative chargeVGG=-0.7 VS1PMOS Transistor in Conduction ModeFigure 3.20 本讲稿第三十五页，共五十六页COMS技术技术以MOSFET为基础的 IC 制造，多年来都集中在单一的 n沟道MOSFET技术为基础的产品制造和开发上。尽管分立的pMOS 晶体管在特定电子应用方面适合很多适用的功能，但是通常nMOS集成电路器件替代了pMOS技术。因此，nMOS成为绝大多数集成电路制造商的选择

22、。COMS是在同一集成电路上nMOS和pMOS混合。功耗、设计等比缩放技术和制造工艺的改进相结合使CMOS技术在20世纪80年代就成了一种最普遍地器件技术。等比缩放用于描述综合尺寸和现有的IC工作电压的缩小过程。所有尺寸和电压都必须在通过设计模型应用时统一缩小，这些模型是IC设计者们在电路设计和版图设计阶段使用的。本讲稿第三十六页，共五十六页SGInputD+VDDDSGOutputpMOSFETnMOSFET-VSSCMOS 反相器的电路图反相器的电路图Figure 3.21 本讲稿第三十七页，共五十六页CMOS反相器反相器CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换期。当输入信号为零时

23、晶体管没有功耗。nMOS、TTL和ECL电路与CMOS的不同在于即使是没有输入信号，这些逻辑器件也会消耗功耗。这也是现在原意在诸如计算器、时钟、移动电话和笔记本电脑等便携式电子产品的制造中使用COMS集成电路技术的主要原因。简单CMOS反相器的物理结构如下面的顶视图和截面图所示。本讲稿第三十八页，共五十六页pMOSFETnMOSFET-VSS+VDD SDDSGGn-type silicon substratep-wellp+p+n+n+n-wellPolysiliconMetalTop View of CMOS InverterFigure 3.22 本讲稿第三十九页，共五十六页-VSS+V

24、DDSDDSGGp+p+p-welln+n+n-type silicon substraten+p+pMOSFETnMOSFETField oxideInterlayer OxideMetalCross-section of CMOS InverterFigure 3.23 本讲稿第四十页，共五十六页BiCOMSBiCOMS技术就是将CMOS和双极技术的优良性能集中在同一集成电路器件中。BiCOMS综合了COMS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。BiCOMS产品的应用能在所有需要复查高功耗负载的数字控制中。在这种情况下，数/模（D/A）转换器芯片可以用来提供用作电

25、子机械设备的控制模拟驱动信号。在测试仪器端口，模/数（A/D）芯片可以用于测量模拟驱动信号的输出。下图表示了一个BiCOMS芯片用于使用仪器和控制应用的基本例子。BiCOMS芯片的其他应用包括汽车电子设备、航空航天、机器人技术和工业设备。本讲稿第四十一页，共五十六页BiCMOS Chips used in the Control of a Simple Heating SystemmV Measured signalCPUOutputInputBiCMOSBiCMOSDACADCDigital sideSetpointFeedback0-5 V0-5 VAMPAMPDrive signalAn

26、alog sideHeatingelementProcess chamberTemperature sensor+48 VDCFigure 3.24 本讲稿第四十二页，共五十六页CMOSsectionBipolarsectionINPUTOUTPUTQ1Q2Q3Q4Simple BiCMOS InverterFigure 3.25 本讲稿第四十三页，共五十六页Comparison of Enhancement and Depletion Mode MOSFETsGateSourceDrainp-type silicon substraten+n+SourceGateDrainp+p+n-typ

27、e silicon substrateGateSourceDrainn-type silicon substratep+p+p-type silicon substrateGateSourceDrainn+n+p-type silicon substrateFigure 3.26 本讲稿第四十四页，共五十六页COMS器件的闩锁效应器件的闩锁效应与寄生电阻和寄生电容一样，CMOS器件中的pn结也能产生寄生晶体管，下图说明了CMOS反相器中的寄生晶体管。互补晶体管(T1、T2)是在CMOS结构中MOSFET正常制作的结果。给定某一工作条件可能开启寄生晶体管，并且产生低电阻电流路径流过CMOS结构。

28、晶体管被锁定，因而阻止了CMOS器件中对MOSFET的控制。闩锁现象是一个非常复查的概念。了解此概念有助于大家为阻止这种现象所采用的设计和制作步骤。本讲稿第四十五页，共五十六页T1T2RSn-type substrateVSSVDDSDDSGGp+p+p-welln+n+n+p+pMOSFETnMOSFETRWLatchup in CMOS DevicesFigure 3.27 Parasitic Junction Transistors within a CMOS Structure本讲稿第四十六页，共五十六页阻止闩锁效应的制作技术阻止闩锁效应的制作技术在晶体管之间制作隔离缓冲区；在衬底和C

29、MOS结构之间设置外延层；用离子注入产生倒掺杂阱。本讲稿第四十七页，共五十六页Integrated Circuit ProductsLinear IC ProductsOperational AmplifierVoltage RegulatorStepper Motor DriverDigital IC ProductsVolatile MemoryRAMDRAMSRAMMPU or CPUDigital IC Products(continued)Nonvolatile MemoryROMPROMEPROMEEPROMASICPLDPALPLAMPGAFPGA本讲稿第四十八页，共五十六页数字

30、集成电路产品类型数字集成电路产品类型非永久性存储器非永久性存储器 是一种允许数据根据需要储存并改变的半导体器件。当电源关闭时非永久性存储器数据丢失。此类存储器适用于电脑、计算器以及自动化、航空宇宙、医学、军事和工业设备装置。包括：RAM 随机存取存储器，是一种能读取存储数据或者擦除数据并用新数据重写的器件。想要改变存储在内存单元的数据不必将RAM芯片从印刷电路板上拔下。它的内容可以很容易在正常逻辑系统运行时改变。本讲稿第四十九页，共五十六页DRAM 动态存储器，是最普通和成本最低的 RAM。术语“动态”是指存储电容器必须有规律地使用更新电压以保留数据。DRAM需要更高的电能运行电容器。SRAM

31、 静态存储器，它是使用触发器作为存储寄存器。SRAM不需要更新，因此它比DRAM需要的电能低。数据在电源移开时同时消失。MPU或或CPU 微处理单元（也称中央处理单元）是对单独或内部的ROM发出指令程序的复查逻辑集成电路。MPU能判定并执行数学功能。可用在任何需要控制功能或者计算功能的应用中。本讲稿第五十页，共五十六页数字集成电路产品类型数字集成电路产品类型固定存储器固定存储器 是一种设计成以电子电荷的形式存储数字数据的半导体器件。电荷甚至在电源关闭时也保留在存储器中。可用在任何逻辑指令必须存储以备以后读取的应用中。包括：ROM 只读存储器，在集成电路制造过程中数据就直接编写在里面了。这里也提

32、及掩膜可编程ROM。这种在制作过程中使用的掩膜装置包含了特定ROM的数据模式。ROM的制造成本非常昂贵。ROM是固定存储器的最早形式。用户可以读取已写入ROM的数据，但不能改变它的内容。本讲稿第五十一页，共五十六页PROM 可编程只读存储器。是一种能现场编程而且比掩膜可编程ROM便宜的集成电路。使用工具应用大电压脉冲以使内存单元按需要改变。在计算机正常工作时编入内存的数据不能改变。有两种类型EPROM和EEPROMEPROM 可擦除只读存储器。可以将数据擦除和重写。芯片必须从电路板上取下并用紫外线照射进行擦除。然后EPROM可重新写入。EPROM比其前两代产品有所进步，然而任何存储数据的改变都

33、必须需要完成PROM擦除后接着重写。本讲稿第五十二页，共五十六页EEPROM（E2PROM）可用电信号擦除并且不需要从电路板上取下就能进行重写的ROM。是最方便的ROM。这种器件的工作原理更像随机存储器，因为它不用任何特殊装置就能擦除和重写。快快闪闪存存储储器器 是一种能擦除和重写的固定存储器与 电 信 号 可 擦 除 可 编 程 只 读 存 储 器（EEPROM）类似，只是更新速度快。常常用于存储运行数据，例如个人电脑的基本输入/输出系统（BIOS）。快闪存储器可用于计算机、数字便携式电话。数码相机、嵌入控制器和其它产品。本讲稿第五十三页，共五十六页AISC 专用集成电路，是完全的用户定制设

34、计和制造以满足单个用户需要的集成电路。AISC可以包括现有的逻辑电路以及用户要求的设计特征。也是固有存储器。生产成本较高。PLD 可编程逻辑器件，是利用多种逻辑元件组成的逻辑电路。实际的逻辑功能实现由用户决定，用户使用一些设计软件格式来确定编程点的状态。PAL 可编程阵列逻辑集成电路。包括一个用于建立定制逻辑电路可编程逻辑门的网络。PAL有一个输入AND（与）门阵列驱动的输出OR（或）门。与门根据需要可现场编程，但输出的或门是固定的。本讲稿第五十四页，共五十六页PLA 可编程逻辑阵列。与PAL的区别在于它的输入与门和输出或门都是可编程的。MPGA 掩膜可编程门阵列。可被定制以满足单个用户的功能需要。在制造过程的初始阶段，由特殊制造方法生产的所有门阵列产品包含了相同数量和结构的晶体管电路。FPGA 现场可编程门阵列。是一种最终的逻辑产品不需要使用集成电路制造设备就能现场确定的集成电路器件。FPGA内的可编程逻辑开关能被激活从而在需要的逻辑电路之间产生连接。现场定制的方便和低制造成本使FPGA有可能替代MPGA。本讲稿第五十五页，共五十六页Chapter 3 ReviewSummary 62Key Terms62Review Questions 63IC Manufacturers Web Sites64References65 本讲稿第五十六页，共五十六页