石家庄树脂项目可行性研究报告.docx
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1、泓域咨询/石家庄树脂项目可行性研究报告目录第一章 市场预测7一、 树脂:海外垄断市场,大陆企业取得技术突破7二、 光刻胶:光刻工艺所需核心材料,助力制程持续升级9三、 半导体光刻胶:技术难度最高,增速最快11第二章 项目绪论15一、 项目概述15二、 项目提出的理由17三、 项目总投资及资金构成18四、 资金筹措方案19五、 项目预期经济效益规划目标19六、 项目建设进度规划19七、 环境影响20八、 报告编制依据和原则20九、 研究范围21十、 研究结论21十一、 主要经济指标一览表22主要经济指标一览表22第三章 选址可行性分析24一、 项目选址原则24二、 建设区基本情况24三、 深度融
2、入京津冀协同发展29四、 项目选址综合评价32第四章 建筑工程方案33一、 项目工程设计总体要求33二、 建设方案34三、 建筑工程建设指标34建筑工程投资一览表35第五章 产品方案与建设规划37一、 建设规模及主要建设内容37二、 产品规划方案及生产纲领37产品规划方案一览表37第六章 法人治理结构40一、 股东权利及义务40二、 董事43三、 高级管理人员47四、 监事49第七章 SWOT分析52一、 优势分析(S)52二、 劣势分析(W)54三、 机会分析(O)54四、 威胁分析(T)55第八章 组织机构、人力资源分析61一、 人力资源配置61劳动定员一览表61二、 员工技能培训61第九
3、章 劳动安全生产分析64一、 编制依据64二、 防范措施67三、 预期效果评价69第十章 环保分析71一、 编制依据71二、 环境影响合理性分析72三、 建设期大气环境影响分析72四、 建设期水环境影响分析73五、 建设期固体废弃物环境影响分析74六、 建设期声环境影响分析74七、 环境管理分析75八、 结论及建议76第十一章 项目节能分析78一、 项目节能概述78二、 能源消费种类和数量分析79能耗分析一览表80三、 项目节能措施80四、 节能综合评价82第十二章 投资方案分析83一、 编制说明83二、 建设投资83建筑工程投资一览表84主要设备购置一览表85建设投资估算表86三、 建设期利
4、息87建设期利息估算表87固定资产投资估算表88四、 流动资金89流动资金估算表90五、 项目总投资91总投资及构成一览表91六、 资金筹措与投资计划92项目投资计划与资金筹措一览表92第十三章 经济效益及财务分析94一、 基本假设及基础参数选取94二、 经济评价财务测算94营业收入、税金及附加和增值税估算表94综合总成本费用估算表96利润及利润分配表98三、 项目盈利能力分析99项目投资现金流量表100四、 财务生存能力分析102五、 偿债能力分析102借款还本付息计划表103六、 经济评价结论104第十四章 风险评估105一、 项目风险分析105二、 项目风险对策107第十五章 总结分析1
5、10第十六章 附表附件112营业收入、税金及附加和增值税估算表112综合总成本费用估算表112固定资产折旧费估算表113无形资产和其他资产摊销估算表114利润及利润分配表115项目投资现金流量表116借款还本付息计划表117建设投资估算表118建设投资估算表118建设期利息估算表119固定资产投资估算表120流动资金估算表121总投资及构成一览表122项目投资计划与资金筹措一览表123第一章 市场预测一、 树脂:海外垄断市场,大陆企业取得技术突破各类光刻胶所需树脂几乎全部由海外垄断。G线光刻胶用环化橡胶树脂;I线光刻胶使用线性酚醛树脂,主要是依赖进口,国产化水平很低。针对国内光刻胶“卡脖子”的
6、KrF和ArF光刻胶,KrF用聚对羟基苯乙烯类树脂,基本依赖进口,一是因为生产树脂需要的单体国内很少厂家供应,二是因为树脂的生产工艺也有一定的难度,特别是后处理的工艺。ArF用聚甲基丙烯酸酯类树脂,单体为甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯的衍生物单体,ArF的树脂由几种单体共聚而成,定制化程度比较高,高端的Arf树脂几乎无法买到。EUV用聚对羟基苯乙烯类树脂,或分子玻璃、金属氧化物,国内几乎空白。全球两大类光刻胶树脂大厂。目前,全球范围内光刻胶树脂大厂分为两类:一类是自产树脂的光刻胶厂商,如信越化学、杜邦,它们通常掌握着树脂合成、光刻胶配方的技术专利。另一类是专门生产树脂的生产商,如东洋合成、住友电木、三
7、菱化学等,为光刻胶厂商提供定制化的树脂。技术壁垒高依然是海外垄断的根本原因。树脂的结构设计涉及单体的种类和比例,会决定光刻胶在特定波长下可以达到的线宽(CD)、曝光能量(EOP)、EL(能量窗口),LWR(线宽边缘粗糙度)等参数。此外,树脂的分子量、PDI(分散度)等也会影响光刻胶的胶膜厚度、耐刻蚀性、附着力等。树脂可以通过多种方式合成:光刻胶树脂可以通过酚醛缩合反应,阳离子聚合,阴离子聚合,活性自由基聚合等高分子合成方法进行合成。其上游的原材料主要是单体,单体在高分子合成的过程中聚合成树脂。光刻胶树脂的主要难点:1)要做到质量一致,即分子量和分子量分布每批都要很接近;2)越高级树脂的分子量分
8、布越小越好;3)金属离子要求,大部分要求小于1ppb,甚至要到ppt级。产业化五大难点:1)合成技术:树脂的合成技术可分为自由基聚合,阴离子聚合和活性自由基聚合等,目前最常用的是自由基聚合,活性自由基聚合还未实现工业化。2)放大的稳定性和金属离子的去除:放大是指树脂从实验室研发进化到工业化的批量生产,放大的稳定性主要是指每次生产的分子量和PDI要保持一致,在生产管理控制上和质量控制上需要严格把关。3)供应稳定:单体的供应要稳定,单体的质量也要稳定。对下游客户来说,树脂也必须要做到稳定供应,包括质量稳定和交货周期的稳定性。4)客户的认证和采购:客户的认证和采购是一个长期的过程,光刻胶厂商将某个供
9、应商的树脂配成光刻胶以后,要送样到下游的晶圆厂去试验,才能测试出树脂的光刻性能是否良好,并决定是否可以采用这个供应商的树脂。此外,光刻胶厂商的更换树脂供应商时也要通知下游晶圆厂。5)规模效应:光刻胶树脂一般是定制化产品,如果没有商业化的树脂或其他产品做支撑,单纯做某一种或某一类光刻胶树脂,将会使公司丧失研发或生产光刻胶树脂的动力,特别是单体需要购买的情况下,高成本会大大影响树脂的效益。二、 光刻胶:光刻工艺所需核心材料,助力制程持续升级光刻胶百年发展史,是光刻工艺所需关键材料。光刻胶被应用于印刷工业已经超过一个世纪。到20世纪20年代,开始被用于PCB领域,到20世纪50年代,开始被用于生产晶
10、圆。20世纪50年代末,eastmankodak(伊士曼柯达公司)和Shipley(已被陶氏收购)分别设计出适合半导体工业所需的正胶和负胶。光刻胶用于光刻工艺,帮助将设计好的电路图形由掩膜版转移至硅片,从而实现特定的功能。光刻胶的质量和性能直接影响制造产线良率。以集成电路为例,光刻工艺步骤和光刻胶的使用场景如下:1)气体硅片表面预处理:在光刻前,硅片会经历一次湿法清洗和去离子水冲洗,目的是去除沾污物。在清洗完毕后,硅片表面需要经过疏水化处理,用来增强硅片表面同光刻胶(通常是疏水性的)的黏附性。2)旋涂光刻胶,抗反射层:在气体预处理后,光刻胶需要被涂敷在硅片表面。涂敷的方法是最广泛使用的旋转涂胶
11、方法,光刻胶(大约几毫升)先被管路输送到硅片中央,然后硅片会被旋转起来,并且逐渐加速,直到稳定在一定的转速上(转速高低决定了胶的厚度,厚度反比于转速的平方根)。3)曝光前烘焙:当光刻胶被旋涂在硅片表面后,必须经过烘焙。烘焙的目的在于将几乎所有的溶剂驱赶走。这种烘焙由于在曝光前进行叫做“曝光前烘焙”,简称前烘,又叫软烘(softbake)。前烘改善光刻胶的黏附性,提高光刻胶的均匀性,以及在刻蚀过程中的线宽均匀性控制。4)对准和曝光:在投影式曝光方式中,掩膜版被移动到硅片上预先定义的大致位臵,或者相对硅片已有图形的恰当位臵,然后由镜头将其图形通过光刻转移到硅片上。对接近式或者接触式曝光,掩膜版上的
12、图形将由紫外光源直接曝光到硅片上。5)曝光后烘焙:曝光完成后,光刻胶需要经过又一次烘焙。后烘的目的在于通过加热的方式,使光化学反应得以充分完成。曝光过程中产生的光敏感成分会在加热的作用下发生扩散,并且同光刻胶产生化学反应,将原先几乎不溶解于显影液体的光刻胶材料改变成溶解于显影液的材料,在光刻胶薄膜中形成溶解于和不溶解于显影液的图形。由于这些图形同掩膜版上的图形一致,但是没有被显示出来,又叫“潜像”(latentimage)。6)显影:由于光化学反应后的光刻胶呈酸性,显影液采用强碱溶液。一般使用体积比为2.38%的四甲基氢氧化铵水溶液。光刻胶薄膜经过显影过程后,曝过光的区域被显影液洗去,掩膜版的
13、图形便在硅片上的光刻胶薄膜上以有无光刻胶的凹凸形状显示出来。7)坚膜烘焙:在显影后,由于硅片接触到水分,光刻胶会吸收一些水分,这对后续的工艺,如湿发刻蚀不利。于是需要通过坚膜烘焙(hardbake)来将过多的水分驱逐出光刻胶。由于现在刻蚀大多采用等离子体刻蚀,又称为“干刻”,坚膜烘焙在很多工艺当中已被省去。制程升级是确定发展方向,光刻设备和光刻胶是核心因素。随着高集成度、超高速、超高频集成电路及元器件的开发,集成电路与元器件特征尺寸呈现出越来越精细的趋势,加工尺寸达到百纳米直至纳米级,光刻设备和光刻胶产品也为满足超微细电子线路图形的加工应用而推陈出新。光刻胶的分辨率直接决定了特征尺寸的大小,通
14、常而言,曝光波长越短,分辨率越高,因此为适应集成电路线宽不断缩小的要求,光刻胶的曝光波长由紫外宽谱向线(436nm)线(365nm)KrF(248nm)ArF(193nm)F2(157nm)的方向转移,并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率水平。三、 半导体光刻胶:技术难度最高,增速最快全球半导体光刻胶市场增速远高于全球光刻胶平均水平,占比不断提升。据SEMI统计,2021年全球半导体光刻胶市场规模达24.71亿美元,较上年同期增长19.49%,2015-2021年CAGR为12.03%。2019年全球半导体光刻胶市场规模分别为约为18亿美元,半导体光刻胶占整体光刻胶比重约21.9%,到2
15、021年占比提升至26.85%。大陆半导体光刻胶增速超全球两倍。分地区看,中国大陆半导体光刻胶市场依旧保持着最快增速,2021年市场规模达到4.93亿美元,较上年同期增长43.69%,超过全年半导体光刻胶增速的两倍;中国占比全球半导体光刻胶市场比重也将从2015年约10.4%提升到2021年接近20%。中国半导体光刻胶的快速崛起离不开中国整体半导体产业的发展。受益于5G大规模建设,以及2020年新冠疫情导致远程办公、网络直播等应用普及,全球集成电路行业发展迅猛,根据Frost&Sullivan数据,2013年集成电路市场规模为2518亿美元,到2019年集成电路市场规模高达3334亿美元,年复
16、合增长率为4.79%。2019年全球集成电路市场规模有所下滑,主要系全球贸易摩擦、存储供需变化以及智能手机、服务器等产品需求下滑因素影响。预计到2025年,全球集成电路市场规模将达到4750亿美元,2020-2025年CAGR为6.02%。我国集成电路行业起步较晚,但发展迅速。根据中国半导体行业协会数据,2013年中国集成电路销售收入为2508亿元,2019年达到7562亿元,年均复合增速达到20.2%,在5G和新兴产业的发展带动下,如汽车电子行业和物联网的推动下,中国集成电路行业市场规模将不断扩大,预计到2025年,我国集成电路市场规模将达到18932亿元,2020-2025年CAGR为16
17、.22%。按曝光波长分,全球ArF/EUV光刻胶占比超50%,为国际主流。半导体光刻胶按照曝光波长不同可分为g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)以及新兴起的EUV光刻胶5大类,高端光刻胶指KrF、ArF和EUV光刻胶,等级越往上其极限分辨率越高,同一面积的硅晶圆布线密度越大,性能越好。根据TECHCET数据,从市场分布看,2021年ArFi+ArF光刻胶占全球光刻胶市场规模的比例为48.1%,KrF占比34.7%,G/I线占14.7%。ArF(包括ArFi)光刻胶已是集成电路制造需求金额最大的光刻胶产品,随着集成电路产业超先进制程持续发展,ArF光
18、刻胶持续迎来广阔市场机遇。随着全球半导体产业的发展,制造工艺技术节点的不断缩小,KrF和ArF光刻胶市场需求量更大,增速更快,是推动当下光刻胶市场快速增长的主要因素。从市场规模增速来看,EUV光刻胶发展最快,但处于发展初期体量较小,2021年仅约0.51亿美元,预计到2025年达到1.97亿美元,2020-2025CAGR达48.8%;增速第二快的是KrF光刻胶,其2021年全球市场规模为6.9亿美元,预计到2025年达到9.07亿美元,2020-2025年CAGR为8.2%。ArF光刻胶(ArF+ArFi)2021年全球市场规模为9.55亿美元,预计到2025达到10.72亿美元,2020-
19、2025CAGR为3.5%;较为低端的g/i线光刻胶预计市场规模变化不大,占比缩小。从应用产品看,2021年逻辑占比超63.5%,是第一大应用领域。非易失性存储器(NVM)是一种计算机即使关闭电源也能够保存已保存数据的存储器,增速最快。根据TECHCET数据,2021年逻辑用光刻胶需求超过595万升,占比超过63.5%,到2025年需求量提升到约677万升,2021-2025年CAGR为3.3%,由于NVM对光刻胶需求的快速提升(2021-2025CAGR12.8%),预计2025年逻辑占比略降低到59.5%,NVM占比提升到26.4%。对非易失性存储器(NVM)的需求是主要由于移动设备所需要
20、的存储容量大幅提升,尤其是相机、智能手机和平板电脑。随着制程缩减和存储容量提升,光刻次数增加,单位面积光刻胶的金额越高。根据SEMI的数据,单位面积所使用的的光刻胶价值量从15年3月不到0.12美元/平方英寸上升到2021年9月约0.19美元/平方英寸,平均价值量的提升主要来源于先进制程占比的提升以及光刻次数的增加。第二章 项目绪论一、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:石家庄树脂项目2、承办单位名称:xxx有限责任公司3、项目性质:新建4、项目建设地点:xx5、项目联系人:顾xx(二)主办单位基本情况公司自成立以来,坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本,强调服务,一直秉承
21、“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革,实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一,质量第一,信誉第一”为原则,在产品质量上精益求精,追求完美,对客户以诚相待,互动双赢。公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用,建立了工会组织,并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度,进一步规范厂务公开的内容、程序、形式,企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展,以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心,坚持战略导向、问题导向和需求导向,持续深化教育培训改革,精准实施培训,努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司将依法合
22、规作为新形势下实现高质量发展的基本保障,坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念,确立了合规管理的战略定位,进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查,加强合规风险防控,确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求,重点领域合规管理不断强化,各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立,广大员工合规意识普遍增强,合规文化氛围更加浓厚。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略,以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召,融入各级城市的建设与发展,在商业模式思路上领先业界,对服务区域经济与社会发展做出了
23、突出贡献。 (三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx,占地面积约55.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xxx吨树脂/年。二、 项目提出的理由从专利数看,日本美国合计占比超70%,大陆发展迅速。截至2021年9月,全球光刻胶第一大技术来源国为日本,专利申请量占全球光刻胶专利总申请量的46%;美国则以25%的申请量位列第二。中国则以7%的申请量排在韩国之后。从趋势上看,中国的光刻胶相关专利申请量正在快速增长,在2020年实现了对日本的反超。2020年
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