任务一 集成稳压直流电源的制作PPT讲稿.ppt
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1、第1页,共47页,编辑于2022年,星期四1.器件选型4.绘制电路图模拟电子技术基础数字电子技术基础电子工艺设计器件识别电子产品装配典型工作任务行动领域学习领域5.焊接组装6.调试测试电路板设计PCB绘图2.设计电路3.编写程序单片机软件设计单片机硬件设计单片机技术及应用单片机接口技术课程定位课程定位第2页,共47页,编辑于2022年,星期四任务一任务一 集成稳压直流电源的制作集成稳压直流电源的制作1.1 1.1 任务描述任务描述1.2 1.2 任务资讯任务资讯1.3 1.3 任务分析任务分析1.4 1.4 任务实施任务实施1.5 1.5 评价总结评价总结第3页,共47页,编辑于2022年,星
2、期四1.1 1.1 任务描述任务描述问问 题:题:举例说明日常生活中用电设备?举例说明日常生活中用电设备?强强 电电:强强电电一一般般是是指指交交流流电电电电压压在在24V24V以以上上。如如家家庭庭中中的的电电灯灯、插插座座等等,电压在电压在110V-220V110V-220V。弱弱 电:电:交流电电压在交流电电压在24V24V以下。以下。交流电:交流电:电压(电流)大小、方向随时变化。日光灯、电扇电压(电流)大小、方向随时变化。日光灯、电扇直直流流电电:电电压压(电电流流)大大小小可可能能变变化化,但但方方向向不不变变。如如:计计算算机机、电电视视机机、影碟机影碟机第4页,共47页,编辑于
3、2022年,星期四知识点知识点:1.1.直流稳压电源的基本组成及其主要性能指标直流稳压电源的基本组成及其主要性能指标 2.2.二极管的结构、符号、分类与特性二极管的结构、符号、分类与特性 3.3.电容滤波电路原理电容滤波电路原理 4.4.固定输出稳压电路和可调稳压电路固定输出稳压电路和可调稳压电路 技能技能:1.1.二极管识别与选取二极管识别与选取 2.2.电容的识别与选取电容的识别与选取 3.3.发光二极管、集成稳压电路的识别发光二极管、集成稳压电路的识别 4.4.直流稳压电源的安装、调试与检测直流稳压电源的安装、调试与检测 5.5.电源参数的测量电源参数的测量 6.6.直流稳压电源的故障分
4、析与检修直流稳压电源的故障分析与检修1.1.1 1.1.1 任务目标任务目标第5页,共47页,编辑于2022年,星期四1.1.2 1.1.2 任务学习情境任务学习情境学习情境学习情境1 1:12V/1A12V/1A单路固定输出直流稳压电源的制作。单路固定输出直流稳压电源的制作。学习情境学习情境2 2:1.5-30V1.5-30V可调直流稳压电源的制作。可调直流稳压电源的制作。学习情境学习情境3 3:15V/3A15V/3A固定输出直流稳压电源的制作。固定输出直流稳压电源的制作。第6页,共47页,编辑于2022年,星期四第7页,共47页,编辑于2022年,星期四1.2 1.2 任务资讯任务资讯1
5、.2.1 1.2.1 直流稳压电源简介直流稳压电源简介 类型类型线性直流稳压电源、开关直流稳压电源。线性直流稳压电源、开关直流稳压电源。组成组成变压、整流、滤波、稳压。变压、整流、滤波、稳压。第8页,共47页,编辑于2022年,星期四1.1.变压电路变压电路 220V 220V的交流电的交流电 适当大小的交流电,采用适当大小的交流电,采用降压变压器降压变压器 电电路。路。2.2.整流电路整流电路 交流电交流电 脉动的直流电,采用脉动的直流电,采用二极管整流电路二极管整流电路。3.3.滤波电路滤波电路 脉动的直流电脉动的直流电 平滑的直流电,采用平滑的直流电,采用电容、电感电容、电感及其组及其组
6、合电路。合电路。4.4.稳压电路稳压电路 平滑的直流电平滑的直流电 稳定的直流电,采用稳定的直流电,采用集成三端稳压器集成三端稳压器第9页,共47页,编辑于2022年,星期四直流稳压电源的主要直流稳压电源的主要性能指标:性能指标:1.1.特性指标特性指标表征直流稳压电源的主要特性表征直流稳压电源的主要特性 输入电压输入电压 输出电压输出电压 输出电流输出电流 输出电压调节范围输出电压调节范围2.2.质量指标质量指标用来衡量输出直流电压的稳定程度用来衡量输出直流电压的稳定程度 稳压系数稳压系数 输出电阻输出电阻 纹波电压纹波电压 温度系数温度系数第10页,共47页,编辑于2022年,星期四1.2
7、.2 1.2.2 半导体基础知识半导体基础知识自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:导导 体体导电能力最强导电能力最强 半导体半导体介于导体和绝缘体之间介于导体和绝缘体之间 绝缘体绝缘体导电能力最弱导电能力最弱 半导体半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质,常用的半导体材料有常用的半导体材料有硅硅、锗锗、硒硒、砷化镓砷化镓。第11页,共47页,编辑于2022年,星期四一一 、半导体的内部结构、半导体的内部结构SiSiGeGe1.1.半导体的原子结构半导体的原子结构第12页,共47页,编辑于2022年,
8、星期四2.2.半导体的晶体结构半导体的晶体结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4+4+4原子核原子核第13页,共47页,编辑于2022年,星期四二、半导体的类型及特性二、半导体的类型及特性+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子1.本征半导体本征半导体 定义定义:纯净的不含任何杂质的、晶体结构排列整齐的半导体。:纯净的不含任何杂质的、晶体结构排列整齐的半导体。在常温下,只有极少数的电子获得能量,挣脱共价键的束在常温下,只有极少数的电子获得能量,挣脱共价键的束缚,形成自由电子,同时留下一个空位缚,形成自由电子,同时留下一个空位,形成空穴。形成空穴。第14页,
9、共47页,编辑于2022年,星期四结结 论论(1)半导体中存在两种载流子,一种是带负电的自由电子,另一种是带正电的空穴,它们都可以运载电荷形成电流。(2)本征半导体中,自由电子和空穴相伴产生,数目相同。利用这一特性可将半导体器件制作成温敏器、光敏器件。如温度报警器(3)一定温度下,本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡,电子空穴对的数目相对稳定。(4)温度升高,激发的电子空穴对数目增加,半导体的导电能力增强。空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。第15页,共47页,编辑于2022年,星期四2.杂质半导体杂质半导体 在在本征半导体本征半导体中加入微量杂质,可使其中加入微量杂质,可
10、使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同,杂质半导体分为两类:电子型(同,杂质半导体分为两类:电子型(N型)型)半导体和空穴型(半导体和空穴型(P型)半导体。型)半导体。第16页,共47页,编辑于2022年,星期四+4+4+4+4+5+5+4+4多余多余电子电子磷原子磷原子N N 型半导体中的型半导体中的载流子是什么?载流子是什么?1.1.由磷原子提供的电子,由磷原子提供的电子,浓度与磷原子相同。浓度与磷原子相同。2.2.本征半导体中成对产本征半导体中成对产生的电子和空穴。生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自由电掺杂浓度远大于
11、本征半导体中载流子浓度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子多数载流子(多子多子),空穴称为,空穴称为少数载流子少数载流子(少子少子)。)。(1 1)N N 型半导体型半导体在本征半导体中掺入少量五价元素。在本征半导体中掺入少量五价元素。第17页,共47页,编辑于2022年,星期四(2 2)P P 型半导体型半导体在本征半导体中掺入少量的三价元素。三价元在本征半导体中掺入少量的三价元素。三价元素与相邻的半导体原子形成共价键时,产生一素与相邻的半导体原子形成共价键时,产生一个空穴。这个空穴可以个空穴。这个空穴可以吸引束缚电子来填补,吸引束缚电
12、子来填补,使得硼原子成为不能移使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。动的带负电的离子。P P 型半导体型半导体中中空空穴穴是多子,是多子,电子电子是少子是少子。+4+4+4+4+3+3+4+4空穴空穴硼原子硼原子第18页,共47页,编辑于2022年,星期四1.PN 结的形成结的形成在一块纯净的半导体上,采用掺杂工艺,使之在一块纯净的半导体上,采用掺杂工艺,使之一边为一边为P型,另一边为型,另一边为N型,则在其交界面形成一型,则在其交界面形成一个特殊的薄层,这个薄层称为个特殊的薄层,这个薄层称为PN结结。它是半导体器。它是半导体器件的基础。件的基础。三、三、PNPN结形成及其单向导电性结形成及其
13、单向导电性第19页,共47页,编辑于2022年,星期四P P 型半导体型半导体N N 型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E E漂移运动漂移运动扩散的结果是使空间电荷扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。区逐渐加宽。内电场越强,漂移运动内电场越强,漂移运动越强,而漂移使空间电越强,而漂移使空间电荷区变薄。荷区变薄。空间电荷区,空间电荷区,也称耗尽层。也称耗尽层。第20页,共47页,编辑于2022年,星期四所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡,相当于所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡,相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚度固定不变。两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的
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