实际晶体结构中的位错幻灯片.ppt
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1、实际晶体结构中的位错第1页,共97页,编辑于2022年,星期五 4.1 实际晶体中位错的分类实际晶体中位错的分类 简单立方晶体中位错的柏氏矢量简单立方晶体中位错的柏氏矢量简单立方晶体中位错的柏氏矢量简单立方晶体中位错的柏氏矢量b b总是等于点阵矢总是等于点阵矢总是等于点阵矢总是等于点阵矢量。但实际晶体中,位错的柏氏矢量量。但实际晶体中,位错的柏氏矢量量。但实际晶体中,位错的柏氏矢量量。但实际晶体中,位错的柏氏矢量b b除了等于点阵除了等于点阵除了等于点阵除了等于点阵矢量外,还可能小于或大于点阵矢量。通常把矢量外,还可能小于或大于点阵矢量。通常把矢量外,还可能小于或大于点阵矢量。通常把矢量外,还
2、可能小于或大于点阵矢量。通常把柏氏矢柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错量等于单位点阵矢量的位错称为称为称为称为“单位位错单位位错单位位错单位位错”;把把把把柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错称为称为称为称为“全全位错位错”,全位错滑移后晶体原子排列不变全位错滑移后晶体原子排列不变全位错滑移后晶体原子排列不变全位错滑移后晶体原子排列不变;把;把;把;把柏柏柏柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为称
3、为称为称为“不全位不全位不全位不全位错错错错”,不全位错滑移后原子排列规律发生变化不全位错滑移后原子排列规律发生变化不全位错滑移后原子排列规律发生变化不全位错滑移后原子排列规律发生变化。第2页,共97页,编辑于2022年,星期五 实际晶体结构中,位错的柏氏矢量不能是任意实际晶体结构中,位错的柏氏矢量不能是任意实际晶体结构中,位错的柏氏矢量不能是任意实际晶体结构中,位错的柏氏矢量不能是任意的,它要符合晶体的结构条件和能量条件。晶体的的,它要符合晶体的结构条件和能量条件。晶体的的,它要符合晶体的结构条件和能量条件。晶体的的,它要符合晶体的结构条件和能量条件。晶体的结构条件结构条件结构条件结构条件是
4、指是指是指是指柏氏矢量必须连接一个原子平衡位置到另柏氏矢量必须连接一个原子平衡位置到另柏氏矢量必须连接一个原子平衡位置到另柏氏矢量必须连接一个原子平衡位置到另一平衡位置一平衡位置一平衡位置一平衡位置。从。从。从。从能量条件能量条件看,由于看,由于看,由于看,由于位错能量正比于位错能量正比于位错能量正比于位错能量正比于b b2,b越小越稳定越小越稳定,即,即,即,即单位位错是最稳定的位错单位位错是最稳定的位错单位位错是最稳定的位错单位位错是最稳定的位错。柏氏矢量柏氏矢量柏氏矢量柏氏矢量b b的大小和方向用的大小和方向用的大小和方向用的大小和方向用b=Cuvwb=Cuvw表示,其中:表示,其中:表
5、示,其中:表示,其中:C C为常数,为常数,为常数,为常数,uvwuvw为柏氏矢量的方向,柏氏矢量的大小为:为柏氏矢量的方向,柏氏矢量的大小为:为柏氏矢量的方向,柏氏矢量的大小为:为柏氏矢量的方向,柏氏矢量的大小为:。表表表表4.14.1给出典型晶体结构中,单位位错的柏氏矢量及其给出典型晶体结构中,单位位错的柏氏矢量及其给出典型晶体结构中,单位位错的柏氏矢量及其给出典型晶体结构中,单位位错的柏氏矢量及其大小和方向。大小和方向。大小和方向。大小和方向。4.2 实际晶体中位错的柏氏矢量实际晶体中位错的柏氏矢量第3页,共97页,编辑于2022年,星期五表表4.1 典型晶体结构中典型晶体结构中单位位错
6、单位位错的柏氏矢量的柏氏矢量第4页,共97页,编辑于2022年,星期五 位错反应就是位错的合并位错反应就是位错的合并位错反应就是位错的合并位错反应就是位错的合并(Merging)(Merging)与分解与分解与分解与分解(Dissociation)(Dissociation),即晶体中不同柏氏矢量的位错线合,即晶体中不同柏氏矢量的位错线合,即晶体中不同柏氏矢量的位错线合,即晶体中不同柏氏矢量的位错线合并为一条位错线或一条位错线分解成两条或多条柏氏并为一条位错线或一条位错线分解成两条或多条柏氏并为一条位错线或一条位错线分解成两条或多条柏氏并为一条位错线或一条位错线分解成两条或多条柏氏矢量不同的位
7、错线。矢量不同的位错线。矢量不同的位错线。矢量不同的位错线。位错使晶体点阵发生畸变,位错使晶体点阵发生畸变,位错使晶体点阵发生畸变,位错使晶体点阵发生畸变,柏氏矢量是反映位柏氏矢量是反映位柏氏矢量是反映位柏氏矢量是反映位错周围点阵畸变总和的参数错周围点阵畸变总和的参数错周围点阵畸变总和的参数错周围点阵畸变总和的参数。因此,。因此,。因此,。因此,位错的合并位错的合并位错的合并位错的合并实际实际实际实际上是晶体中上是晶体中上是晶体中上是晶体中同一区域两个或多个畸变的叠加同一区域两个或多个畸变的叠加,位位位位错的分解错的分解错的分解错的分解是晶体内某一区域具有是晶体内某一区域具有是晶体内某一区域具
8、有是晶体内某一区域具有一个较集中的畸变,一个较集中的畸变,松弛为两个或多个畸变松弛为两个或多个畸变。4.3 位错反应位错反应(Dislocation Reaction)第5页,共97页,编辑于2022年,星期五A A 几何条件几何条件几何条件几何条件 根据柏氏矢量的守恒性,根据柏氏矢量的守恒性,根据柏氏矢量的守恒性,根据柏氏矢量的守恒性,反应后诸位错的柏氏矢量之和反应后诸位错的柏氏矢量之和反应后诸位错的柏氏矢量之和反应后诸位错的柏氏矢量之和应应应应等于等于等于等于反应前诸位错的柏氏矢量之和反应前诸位错的柏氏矢量之和反应前诸位错的柏氏矢量之和反应前诸位错的柏氏矢量之和,即,即,即,即 (4-14
9、-1)B B 能量条件能量条件能量条件能量条件 从能量角度要求,从能量角度要求,从能量角度要求,从能量角度要求,位错反应必须是一个伴随着能量降低的位错反应必须是一个伴随着能量降低的位错反应必须是一个伴随着能量降低的位错反应必须是一个伴随着能量降低的过程过程过程过程。由于位错的能量正比于其柏氏矢量的平方,所以,。由于位错的能量正比于其柏氏矢量的平方,所以,。由于位错的能量正比于其柏氏矢量的平方,所以,。由于位错的能量正比于其柏氏矢量的平方,所以,反反反反应后各位错的能量之和应后各位错的能量之和应后各位错的能量之和应后各位错的能量之和应小于应小于应小于应小于反应前各位错的能量之和反应前各位错的能量
10、之和反应前各位错的能量之和反应前各位错的能量之和,即,即,即,即 (4-24-2)分析位错反应时分析位错反应时分析位错反应时分析位错反应时,一般,一般,一般,一般先用几何条件先用几何条件先用几何条件先用几何条件确定位错反应是否可以确定位错反应是否可以确定位错反应是否可以确定位错反应是否可以进行,然进行,然进行,然进行,然后后后后再利再利再利再利用能量条件用能量条件用能量条件用能量条件来判定位错反应的方向。来判定位错反应的方向。来判定位错反应的方向。来判定位错反应的方向。位错反应能否进行,取决于下列两个条件:位错反应能否进行,取决于下列两个条件:位错反应能否进行,取决于下列两个条件:位错反应能否
11、进行,取决于下列两个条件:第6页,共97页,编辑于2022年,星期五 第7页,共97页,编辑于2022年,星期五 第8页,共97页,编辑于2022年,星期五4.4 4.4 面心立方晶体面心立方晶体面心立方晶体面心立方晶体(Face-centered Cubic Crystal)(Face-centered Cubic Crystal)中的位错中的位错中的位错中的位错4.4.1 堆垛层错堆垛层错(Stacking Fault)图图4.1 面心立方晶体中(面心立方晶体中(111)面的正常堆垛)面的正常堆垛第9页,共97页,编辑于2022年,星期五图图4.1是面心立方晶体密排面(是面心立方晶体密排面
12、(111)的正常堆垛示意图。)的正常堆垛示意图。n 在面心立方晶胞中,表示了在面心立方晶胞中,表示了在面心立方晶胞中,表示了在面心立方晶胞中,表示了A A、B B、C C三个相邻的(三个相邻的(三个相邻的(三个相邻的(111111)面上的原子)面上的原子)面上的原子)面上的原子分布。(分布。(分布。(分布。(a a)、()、()、()、(b b)、()、()、()、(c c)三图分别表示了)三图分别表示了)三图分别表示了)三图分别表示了A A层、层、层、层、ABAB两层及两层及两层及两层及ABCABC三层原三层原三层原三层原子面的堆垛情况。子面的堆垛情况。子面的堆垛情况。子面的堆垛情况。如果把
13、原子中心投影到(如果把原子中心投影到(如果把原子中心投影到(如果把原子中心投影到(111111)面,可见三层相邻面上的)面,可见三层相邻面上的)面,可见三层相邻面上的)面,可见三层相邻面上的原子中心在(原子中心在(原子中心在(原子中心在(111111)面上的投影位置并不相同,如图)面上的投影位置并不相同,如图)面上的投影位置并不相同,如图)面上的投影位置并不相同,如图4.14.1(c c)所示。)所示。)所示。)所示。底层为底层为底层为底层为A A层,层,层,层,表示表示表示表示B B层原子中心的投影位置,层原子中心的投影位置,层原子中心的投影位置,层原子中心的投影位置,表示表示表示表示C C
14、层原子中心的投影位置。层原子中心的投影位置。层原子中心的投影位置。层原子中心的投影位置。如果把单位晶胞如果把单位晶胞如果把单位晶胞如果把单位晶胞(Unit Cell)(Unit Cell)中通过坐标原点中通过坐标原点中通过坐标原点中通过坐标原点OO的(的(的(的(111111)面上的原子,也作)面上的原子,也作)面上的原子,也作)面上的原子,也作如上投影,那么可以看到,该面上原子中心投影位置与如上投影,那么可以看到,该面上原子中心投影位置与如上投影,那么可以看到,该面上原子中心投影位置与如上投影,那么可以看到,该面上原子中心投影位置与C C层原子中心投影位层原子中心投影位层原子中心投影位层原子
15、中心投影位置是相同的。由于晶体点阵的对称性和周期性,置是相同的。由于晶体点阵的对称性和周期性,置是相同的。由于晶体点阵的对称性和周期性,置是相同的。由于晶体点阵的对称性和周期性,面心立方晶体(面心立方晶体(面心立方晶体(面心立方晶体(111111)密排面上的原子在该面上的投影位置是按密排面上的原子在该面上的投影位置是按密排面上的原子在该面上的投影位置是按密排面上的原子在该面上的投影位置是按A A、B B、C C三个原子面的原子三个原子面的原子三个原子面的原子三个原子面的原子投影位置进行周期变化的投影位置进行周期变化的投影位置进行周期变化的投影位置进行周期变化的。可以。可以。可以。可以记为:记为
16、:记为:记为:ABCABCAABCABCA,这就,这就,这就,这就是面心立方是面心立方是面心立方是面心立方晶体密排面的正常堆垛顺序晶体密排面的正常堆垛顺序晶体密排面的正常堆垛顺序晶体密排面的正常堆垛顺序。如果用记号。如果用记号。如果用记号。如果用记号表示原子面以表示原子面以表示原子面以表示原子面以ABAB、BCBC、CACA顺序堆垛,顺序堆垛,顺序堆垛,顺序堆垛,表示相反的顺序,如表示相反的顺序,如表示相反的顺序,如表示相反的顺序,如BABA、ACAC、CBCB,那么面心立方晶体,那么面心立方晶体,那么面心立方晶体,那么面心立方晶体密排面的正常堆垛又可以表示为:密排面的正常堆垛又可以表示为:密
17、排面的正常堆垛又可以表示为:密排面的正常堆垛又可以表示为:,如图,如图,如图,如图4.14.1(d d)所示。)所示。)所示。)所示。第10页,共97页,编辑于2022年,星期五 实际晶体结构中,密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破实际晶体结构中,密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破实际晶体结构中,密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破实际晶体结构中,密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排,称为坏和错排,称为坏和错排,称为坏和错排,称为堆垛层错堆垛层错堆垛层错堆垛层错,简称,简称,简称,简称层错层错层错层错。图图图图4.24.2表示面心立方晶体形成堆垛层错的方式。表示面心立方晶体形成堆垛层错的方式。表示面
18、心立方晶体形成堆垛层错的方式。表示面心立方晶体形成堆垛层错的方式。图图4.2 面心立方晶体中的堆垛层错面心立方晶体中的堆垛层错(a)抽出型;()抽出型;(b)插入型)插入型第11页,共97页,编辑于2022年,星期五 若将正常堆垛顺序变成若将正常堆垛顺序变成ABCBCA(即(即),其中箭头所指相当于抽出一层原),其中箭头所指相当于抽出一层原子面(子面(A层),故称为层),故称为抽出型层错抽出型层错,如图,如图4.2(a)所)所示。示。若在正常堆垛顺序中插入一层原子面(若在正常堆垛顺序中插入一层原子面(B层),层),即可表示为即可表示为ABCBABC,相当于抽出,相当于抽出A、C两层,两层,可表
19、示为可表示为ABCBABC(即(即),其),其中箭头所指的为插入中箭头所指的为插入B层后所引起的二层错排,称为层后所引起的二层错排,称为插入型层错插入型层错,如图,如图4.2(b)所示。)所示。两者对比可知两者对比可知,一个插入型层错相当于两个抽出型层错。一个插入型层错相当于两个抽出型层错。第12页,共97页,编辑于2022年,星期五 形成层错时几乎不产生点阵畸变,但它破坏了形成层错时几乎不产生点阵畸变,但它破坏了晶体的完整性和正常的周期性,使电子发生反常的晶体的完整性和正常的周期性,使电子发生反常的衍射效应,故使晶体的能量有所增加,这部分增加衍射效应,故使晶体的能量有所增加,这部分增加的能量
20、称为的能量称为堆垛层错能堆垛层错能,用,用 表示。从能量的观点表示。从能量的观点来看,晶体中出现层错的几率与层错能有关,来看,晶体中出现层错的几率与层错能有关,层错层错能越高,则出现层错的几率越小能越高,则出现层错的几率越小。如。如。如。如在层错能很低在层错能很低的奥氏体不锈钢中,常可看到大量的层错的奥氏体不锈钢中,常可看到大量的层错,而,而,而,而在层在层在层在层错能高的铝中,就看不到层错错能高的铝中,就看不到层错错能高的铝中,就看不到层错错能高的铝中,就看不到层错。第13页,共97页,编辑于2022年,星期五4.4.2 不全位错不全位错(Partial Dislocation)n 若堆垛层
21、错不是发生在晶体的整个原子若堆垛层错不是发生在晶体的整个原子面上而只是部分区域存在,那么,在层错与面上而只是部分区域存在,那么,在层错与完整晶体的交界处就存在柏氏矢量不等于点完整晶体的交界处就存在柏氏矢量不等于点阵矢量的不全位错。阵矢量的不全位错。在面心立方晶体中有两在面心立方晶体中有两种重要的不全位错:种重要的不全位错:肖克莱(肖克莱(Shockley)不)不全位错和弗兰克(全位错和弗兰克(Frank)不全位错)不全位错。n nA 肖克莱肖克莱(Shockley)不全位错不全位错 图图4.4为肖克莱不全位错的刃型结构。为肖克莱不全位错的刃型结构。第14页,共97页,编辑于2022年,星期五
22、图图4.4 面心立方晶体中的纯刃型肖克莱不全位错面心立方晶体中的纯刃型肖克莱不全位错 上半图是面心立方上半图是面心立方晶体的(晶体的(0 1)面,)面,圆圆圆圆圈代表前一个面上原子圈代表前一个面上原子圈代表前一个面上原子圈代表前一个面上原子排列的位置排列的位置排列的位置排列的位置,黑点代表黑点代表黑点代表黑点代表后一个面上原子排列后一个面上原子排列后一个面上原子排列后一个面上原子排列的位置的位置的位置的位置。原子的连线。原子的连线看起来似乎是一个平看起来似乎是一个平面上的菱形,实际上面上的菱形,实际上是一前一后两个平面是一前一后两个平面上相邻原子的连线。上相邻原子的连线。第15页,共97页,编
23、辑于2022年,星期五n下半图是把上半图中下半图是把上半图中A层与层与C层层在(在(111)面上作投影。分层)面上作投影。分层使用了不同的符号,使用了不同的符号,代表代表代表代表A A层层层层,原子呈密排,原子呈密排,代表代表代表代表紧紧接接A层之下的层之下的C C层层层层,也是密排,也是密排的。的。让让让让A A层的右半部滑移至层的右半部滑移至层的右半部滑移至层的右半部滑移至B B层原子的位置层原子的位置层原子的位置层原子的位置,其上部的各,其上部的各,其上部的各,其上部的各层也跟着移动,但滑移只限层也跟着移动,但滑移只限层也跟着移动,但滑移只限层也跟着移动,但滑移只限于一部分原子,即右半部
24、原于一部分原子,即右半部原于一部分原子,即右半部原于一部分原子,即右半部原子。于是子。于是子。于是子。于是右半部的滑移面上右半部的滑移面上右半部的滑移面上右半部的滑移面上发生了层错发生了层错发生了层错发生了层错,左半部则没有移,左半部则没有移,左半部则没有移,左半部则没有移动,所以也没有层错,动,所以也没有层错,动,所以也没有层错,动,所以也没有层错,在两者在两者在两者在两者的交界处发生了原子的严重错排的交界处发生了原子的严重错排的交界处发生了原子的严重错排的交界处发生了原子的严重错排,图中滑移后的原子位置用虚图中滑移后的原子位置用虚图中滑移后的原子位置用虚图中滑移后的原子位置用虚线连接。线连
25、接。线连接。线连接。图图4.4 面心立方晶体中的纯刃型肖克莱不全位错面心立方晶体中的纯刃型肖克莱不全位错第17页,共97页,编辑于2022年,星期五n不全位错不全位错可以认为可以认为就在上半部的图中就在上半部的图中的的A层上的两个星层上的两个星号之间号之间,此时在下,此时在下半图上看到对应的半图上看到对应的滑移后的滑移后的A层原子层原子位置,在用虚线连位置,在用虚线连接起来的六角形中,接起来的六角形中,越接近位错的部分越接近位错的部分畸变越大畸变越大。第18页,共97页,编辑于2022年,星期五 上半图中上半图中上半图中上半图中左边的晶体按左边的晶体按左边的晶体按左边的晶体按ABCABCABC
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