传感器与检测技术实验PPT讲稿.ppt
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1、传感器与检测技术实验第1页,共46页,编辑于2022年,星期四实验介绍 1.1.共共5 5次实验,地点主教次实验,地点主教21032103。请大家记好时间、地。请大家记好时间、地点。点。2.2.实验实验3 3人一组,实验台上有组号,每组人一组,实验台上有组号,每组1 1本实验指导书,实本实验指导书,实验完成后请将实验指导书放好,不要带走。验完成后请将实验指导书放好,不要带走。3.3.实验报告纸每人实验报告纸每人5 5张,封面每人张,封面每人1 1张,实验课结束后张,实验课结束后交实验报告。交实验报告。4.4.实验完成后,注意实验台断电,凳子摆放整齐,清理好实验完成后,注意实验台断电,凳子摆放整
2、齐,清理好实验元器件,注意实验室卫生。实验元器件,注意实验室卫生。第2页,共46页,编辑于2022年,星期四实验一实验一 压阻式压力传感器的压力压阻式压力传感器的压力测量实验(气源)测量实验(气源)(实验指导书(实验指导书10-1210-12页)页)第3页,共46页,编辑于2022年,星期四一、实验目的了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。二、实验内容1.1.压阻式压力传感器的压力测量(实验八)压阻式压力传感器的压力测量(实验八)2.2.扩散硅压阻式压力传感器差压测量(实验九)扩散硅压阻式压力传感器差压测量(实验九)第4页,共46页,编
3、辑于2022年,星期四三、实验器件与单元 检测技术实验台、压力传感器实验模板、检测技术实验台、压力传感器实验模板、三通连接导管(三通连接导管(做完实验后不要动做完实验后不要动)、压力)、压力源源第5页,共46页,编辑于2022年,星期四三、实验原理 扩散硅压阻式压力传感器在单晶硅的基扩散硅压阻式压力传感器在单晶硅的基 片上片上扩散出扩散出P P型或型或N N型电阻条,接成电桥。型电阻条,接成电桥。在压力作用下根据半导体的压阻效应,基片在压力作用下根据半导体的压阻效应,基片产生应力,电阻条的电阻率产生很大变化,引起产生应力,电阻条的电阻率产生很大变化,引起电阻的变化电阻的变化.把这一变化引入测量
4、电路,则其输出电压的把这一变化引入测量电路,则其输出电压的变化反映了所受到的压力变化。变化反映了所受到的压力变化。第6页,共46页,编辑于2022年,星期四1.1.实验进行前,首先要进行调零。实验进行前,首先要进行调零。四、实验步骤2.2.气源噪音较大,在做实验时注意轻轻操作。气源噪音较大,在做实验时注意轻轻操作。3.3.气源接实验操作模板的高压嘴(右边)。气源接实验操作模板的高压嘴(右边)。4.RW14.RW1(调整放大倍数),(调整放大倍数),RW2RW2(调零)。(调零)。5.5.根据步骤根据步骤8 8进行标定实验进行标定实验,书上有错误。书上有错误。第7页,共46页,编辑于2022年,
5、星期四五、实验数据记录与分析 1.1.根据实验指导书上的表格进行数据记录,并分析数据。根据实验指导书上的表格进行数据记录,并分析数据。2.2.回答实验指导书思考题提出的问题。回答实验指导书思考题提出的问题。3.3.总结压阻式压力传感器的作用。总结压阻式压力传感器的作用。4.4.根据实验九的提示,给出差压测量的方法。根据实验九的提示,给出差压测量的方法。(教师检查后结束实验教师检查后结束实验)第8页,共46页,编辑于2022年,星期四实验二实验二 金属箔式应变片金属箔式应变片 (实验指导书(实验指导书1-51-5页)页)第9页,共46页,编辑于2022年,星期四 电阻应变式传感器从电阻应变式传感
6、器从19381938年开始使用到目前,仍然是当前称重测年开始使用到目前,仍然是当前称重测力的主要工具力的主要工具.如称重、压力扭矩、位移、加速度等传感器,常见的应用场如称重、压力扭矩、位移、加速度等传感器,常见的应用场合如各种商用电子称、皮带称、吊钩称、高炉配料系统、汽合如各种商用电子称、皮带称、吊钩称、高炉配料系统、汽车衡、轨道衡等。车衡、轨道衡等。电阻应变式传感器最高精度可达万分之一甚至更高,除电阻应变片、电阻应变式传感器最高精度可达万分之一甚至更高,除电阻应变片、丝直接用以测量机械、仪器及工程结构等的应变外,主要是与种种丝直接用以测量机械、仪器及工程结构等的应变外,主要是与种种形式的弹性
7、体相配合,组成各种传感器和测试系统。形式的弹性体相配合,组成各种传感器和测试系统。第10页,共46页,编辑于2022年,星期四一、实验目的 了解金属箔式应变片的应变效应,比较单臂电桥、了解金属箔式应变片的应变效应,比较单臂电桥、半桥、全桥工作原理和性能。半桥、全桥工作原理和性能。第11页,共46页,编辑于2022年,星期四二、实验内容1.1.单臂电桥性能实验(实验一)单臂电桥性能实验(实验一)2.2.半桥性能实验(实验二)半桥性能实验(实验二)3.3.全桥性能实验(实验三)全桥性能实验(实验三)第12页,共46页,编辑于2022年,星期四三、实验器件与单元 检测技术实验台、应变式传感器实验模检
8、测技术实验台、应变式传感器实验模板、砝码、导线(没有用板、砝码、导线(没有用PCPC机)机)第13页,共46页,编辑于2022年,星期四四、实验原理 1.1.电阻丝在外力作用下(砝码)发生机械变形时,其阻值发生变电阻丝在外力作用下(砝码)发生机械变形时,其阻值发生变化。描述电阻应变效应的关系式为:化。描述电阻应变效应的关系式为:R/R=K.R/R=K.式中式中R/RR/R为电阻丝电阻相对变化,为电阻丝电阻相对变化,K K为应变灵敏系数,为应变灵敏系数,=L/LL/L为电阻丝长度相对变化为电阻丝长度相对变化.金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺
9、制成的应变敏感元件,通过它转换被测部位受力状态变化感元件,通过它转换被测部位受力状态变化.第14页,共46页,编辑于2022年,星期四 2.2.电桥是完成电阻到电压的比例变化,测取电压值。电桥是完成电阻到电压的比例变化,测取电压值。(1)(1)单臂电桥单臂电桥:输出电压输出电压U01=EK/4U01=EK/4。(2)(2)半桥:选用不同受力方向的应变片接入电桥作为邻边。当两半桥:选用不同受力方向的应变片接入电桥作为邻边。当两片应变片阻值和应变量相同时,其桥路输出电压片应变片阻值和应变量相同时,其桥路输出电压U02=EK/2U02=EK/2。(3)(3)全桥:将受力性质相同的两应变片接入电桥对边
10、,不同的全桥:将受力性质相同的两应变片接入电桥对边,不同的接入邻边,其桥路输出电压接入邻边,其桥路输出电压U03=KEU03=KE。输出灵敏度比半桥又提。输出灵敏度比半桥又提高了一倍,非线性误差和温度误差均得到改善。高了一倍,非线性误差和温度误差均得到改善。(4)(4)比较:量程不同,精度不同。比较:量程不同,精度不同。第15页,共46页,编辑于2022年,星期四五、实验步骤 (详见实验指导书)1.1.由于实验灵敏度高,根据步骤进行实验,首先要注意调零。由于实验灵敏度高,根据步骤进行实验,首先要注意调零。RW1(RW1(调到中间位置调到中间位置)RW4RW4(调零后不要再动)(调零后不要再动)
11、-RW2-RW2(数字不跳变)(数字不跳变)2.2.如果线松的话,可以换一下,接线要全部接地。如果线松的话,可以换一下,接线要全部接地。3.3.砝码在放的时候要轻,尽量放到盘子的中间。砝码在放的时候要轻,尽量放到盘子的中间。第16页,共46页,编辑于2022年,星期四六、实验数据记录与分析 1.1.根据实验指导书上的表格进行数据记录,并根据实验指导书上的表格进行数据记录,并 分分析数据。析数据。2.2.回答实验指导书思考题提出的问题。回答实验指导书思考题提出的问题。3.3.比较单臂电桥、半桥、全桥有什么不同?比较单臂电桥、半桥、全桥有什么不同?第17页,共46页,编辑于2022年,星期四实验三
12、实验三 直流激励时霍尔式传感器位直流激励时霍尔式传感器位移特性实验和霍尔电子称实验移特性实验和霍尔电子称实验(实验指导书(实验指导书20-2120-21页,页,2323页)页)第18页,共46页,编辑于2022年,星期四一、实验目的了解霍尔式传感器原理与应用了解霍尔式传感器原理与应用。二、实验内容1.1.直流激励时霍尔式传感器位移特性实验(实验十六)直流激励时霍尔式传感器位移特性实验(实验十六)2.2.霍尔传感器应用霍尔传感器应用电子称实验(实验十九)电子称实验(实验十九)第19页,共46页,编辑于2022年,星期四三、实验器件与单元 检测技术实验台、霍尔传感器实验模板、检测技术实验台、霍尔传
13、感器实验模板、测微头、数显单元、霍尔传感器、钢片、测微头、数显单元、霍尔传感器、钢片、振动台、砝码振动台、砝码第20页,共46页,编辑于2022年,星期四四、实验原理 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。18791879年年美国美国物理学家物理学家霍尔霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应,但是由首先在金属材料中发现了霍尔效应,但是由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体半导体技术的发展,开始用半导体材料制作霍尔元件。霍尔传感技术的发展,开始用半导体材料制作霍尔元件。霍尔传感器是一种当器是一种当交变磁场
14、交变磁场经过时产生输出电压脉冲的传感器。经过时产生输出电压脉冲的传感器。脉冲的幅度是由激励磁场的脉冲的幅度是由激励磁场的场强决定场强决定的。因此,霍尔传感器的。因此,霍尔传感器不需要外界电源供电不需要外界电源供电。第21页,共46页,编辑于2022年,星期四霍尔效应磁场B电场E电场E作用:电子向右洛仑兹力作用:电子向里电子堆积反向电动势E1:受力向外E1增强电子运动减缓达到平衡U=KIBK:霍尔元件灵敏度。电流1mA,磁场1kG时的输出电压与元件材料性质和几何尺寸有关第22页,共46页,编辑于2022年,星期四 根据霍尔效应,霍尔电势根据霍尔效应,霍尔电势U=KIBU=KIB,当霍尔元件处,当
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