逻辑门电路与触发器精选文档.ppt
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1、逻辑门电路与触发器本讲稿第一页,共七十三页与非门与非门的逻辑功能:的逻辑功能:输入有输入有“0”,输出为,输出为“1”输入全为输入全为“1”,输出才为,输出才为“0”F1=AB或非门或非门的逻辑功能:的逻辑功能:输入有输入有“1”,输出为,输出为“0”输入全为输入全为“0”,输出才为,输出才为“1”F2=A+B异或门异或门的逻辑功能:的逻辑功能:输入相同,输出为输入相同,输出为“0”输入不同,输出为输入不同,输出为“1”ABF=1F=AF=A B B知 识 回 顾本讲稿第二页,共七十三页F1=ABF2=A+BABF=1F=AF=A B B内部电路是什么样的,如何实现相应的逻辑功能?内部电路是什
2、么样的,如何实现相应的逻辑功能?内部电路不同,逻辑功能相同,如何正确使用?内部电路不同,逻辑功能相同,如何正确使用?知 识 回 顾本讲稿第三页,共七十三页集集成成门门电电路路和和触触发发器器等等逻逻辑辑器器件件是是实实现现数数字字系系统统功功能能的物质基础。的物质基础。随着微电子技术的发展,人们把实现各种逻辑功能的元器件及其连线都集中制造在同一块半导体材料小片上,并封装在一个壳体中,通过引线与外界联系,即构成所谓的集成电路块,集成电路块,通常又称为通常又称为集成电路芯片集成电路芯片。采用集成电路进行数字系统设计的优点:优点:可可靠靠性性高高、可可维维护护性性好好、功功耗耗低低、成成本本低低等等
3、优优点点,可可以以大大简化设计和调试过程。大大简化设计和调试过程。本讲稿第四页,共七十三页 本章知识要点本章知识要点:半导体器件的开关特性;半导体器件的开关特性;逻辑门电路的功能、外部特性及使用方法;逻辑门电路的功能、外部特性及使用方法;常用触发器的功能、触发方式与外部工作特性。常用触发器的功能、触发方式与外部工作特性。本讲稿第五页,共七十三页 数字集成电路通常按照所用半导体器件的不同或者根据集成规模的大小进行分类。一、根据所采用的半导体器件进行分类一、根据所采用的半导体器件进行分类 根据半导体器件,数字集成电路可以分为两大类。两大类。1.1.双极型集成电路:双极型集成电路:采用双极型半导体器
4、件作为元件。主要特点是速度快、负载能力强,但功耗较大、速度快、负载能力强,但功耗较大、集成度较低。集成度较低。2.2.单极型集成电路单极型集成电路(又称为又称为MOSMOS集成电路集成电路):):采用金属-氧化物半导体场效应管(Metel Oxide Semiconductor Field Effect Transister)作为元件。主要特点是结构简单、制造结构简单、制造方便、集成度高、功耗低,但速度较慢。方便、集成度高、功耗低,但速度较慢。3.1 数字集成电路的分数字集成电路的分类类本讲稿第六页,共七十三页双极型集成电路又可进一步可分为:双极型集成电路又可进一步可分为:TTLTTL(Tra
5、nsistor Transistor Logic)电路;电路;ECLECL(Emitter Coupled Logic)电路;电路;I I2 2L L(Integrated Injection Logic)电路。电路。TTLTTL电路的电路的“性能价格比性能价格比”最佳,应用最广泛。最佳,应用最广泛。MOS集成电路又可进一步分为:集成电路又可进一步分为:PMOS(P-channel Metel Oxide Semiconductor);NMOS(N-channel Metel Oxide Semiconductor);CMOS(Complement Metal OxideSemiconduct
6、or)。CMOS电电路路应应用用较较普普遍遍,因因为为它它不不但但适适用用于于通通用用逻逻电电路路 的的设设计计,而且综合性能最好而且综合性能最好。本讲稿第七页,共七十三页本讲稿第八页,共七十三页本讲稿第九页,共七十三页本讲稿第十页,共七十三页二、根据集成电路规模的大小进行分类二、根据集成电路规模的大小进行分类通常根据一片集成电路芯片上包含的逻辑门个数或元件个数,分为 SSI、MSI、LSI、VLSI。1.1.SSI(Small Scale Integration)SSI(Small Scale Integration)小规模集成电路小规模集成电路:逻辑门数小于10 门(或元件数小于100个)
7、;2.2.MSI(Medium Scale Integration)MSI(Medium Scale Integration)中规模集成电路中规模集成电路:逻辑门数为10 门99 门(或元件数100个999个);3.3.LSI(Large Scale Integration)LSI(Large Scale Integration)大规模集成电路大规模集成电路:逻辑门数为100门9999门(或元件数1000个99999个);4.4.VLSI(Very Large Scale Integration)VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路超大规模集成电
8、路:逻辑门数大于10000 门(或元件数大于100000个)。本讲稿第十一页,共七十三页数数字字电电路路中中的的晶晶体体二二极极管管、三三极极管管和和MOS管管等等器器件件一一般般是是以以开开关关方方式式运运用用的的,其其工工作作状状态态相相当当于于相相当当于于开开关关的的“接接通通”与与“断断开开”。数子系统中的半导体器件运用在开关频率十分高的电路中(通常开关状态变化的速度可高达每秒百万次数量级甚至千万次数量级),研究这些器件的开关特性时,不仅要研究它们的静静止止特特性性,而且还要分析它们的动态特性动态特性。静态特性是指二极管在导通和截止两种稳定状态下的特性。静态特性是指二极管在导通和截止两
9、种稳定状态下的特性。3.2.1 晶体二极管的开关特性晶体二极管的开关特性一、静态特性一、静态特性 3.2 半导体器件的开关特性半导体器件的开关特性本讲稿第十二页,共七十三页典型二极管的静态特性曲线典型二极管的静态特性曲线(又称伏安特性曲线又称伏安特性曲线):本讲稿第十三页,共七十三页1.正向特性正向特性门门槛槛电电压压(VTH):使二极管开始导通的正向电压,又称为阈值电压(一般锗管约0.1V,硅管约0.5V)。正向电压正向电压 VD VTH :管子截止,电阻很大、正向电流 IF 接近于 0,二极管类似于开关的断开状态;正向电压正向电压 VD =VTH :管子开始导通,正向电流 IF 开始上升;
10、正向电压正向电压 VD VTH(一般锗管为一般锗管为0.3V,硅管为,硅管为0.7V):管子充分导通,电阻很小,正向电流IF 急剧增加,二极管类似于开关的接 通状态。使二极管充分导通的电压为导通电压,用VF表示。本讲稿第十四页,共七十三页 2 反向特性反向特性 二极管在反向电压VR 作用下,处于截止状态,反向电阻很大,反向电流 IR 很小(将其称为反向饱和电流,用 IS 表示,通常可忽略不计),二极管的状态类似于开关断开。二极管的状态类似于开关断开。而且反向电压在一定范围内变化基本不引起反向电流的变化。注意事项:注意事项:正向导通时可能因电流过大而导致二极管烧坏。组成实际电路时通常要串接一只电
11、阻 R,以限制二极管的正向电流;反向电压超过某个极限值时,将使反向电流IR突然猛增,致使二极管被击穿(通常将该反向电压极限值称为反反向向击击穿穿电电压压VBR),一般不允许反向电压超过此值。本讲稿第十五页,共七十三页二极管组成的开关电路图如图(a)所示。二极管导通状态下的等效电路如图(b)所示,截止状态下的等效电路如图(c)所示,图中忽略了二极管的正向压降。二极管开关电路及其等效电路DU0RR断开R关闭(a)(b)(c)由于二极管的单向导电性,所以在数字电路中经常把它由于二极管的单向导电性,所以在数字电路中经常把它当作开关使用。当作开关使用。本讲稿第十六页,共七十三页二、二、动态特性动态特性二
12、极管的动态特性是指二极管在导通与截止两种状态转换二极管的动态特性是指二极管在导通与截止两种状态转换过程中的特性,它表现在完成两种状态之间的转换需要一定的过程中的特性,它表现在完成两种状态之间的转换需要一定的时间。为此,引入了反向恢复时间和开通时间的概念。时间。为此,引入了反向恢复时间和开通时间的概念。1.反向恢复时间反向恢复时间反向恢复时间:反向恢复时间:二极管从正向导通到反向截止所需要的时间称为反向恢复时间。本讲稿第十七页,共七十三页 2.开通时间开通时间开开通通时时间间:二极管从反向截止到正向导通的时间称为开通时间。二极管的开通时间很短,对开关速度影响很小,相对反向恢复时间二极管的开通时间
13、很短,对开关速度影响很小,相对反向恢复时间而言几乎可以忽略不计。而言几乎可以忽略不计。本讲稿第十八页,共七十三页 晶体三极管由集电结和发射结两个PN结构成。根据两个PN结的偏置极性,三极管有截止、放大、饱和截止、放大、饱和3种工作状态。一、静态特性一、静态特性3.2.2 晶体三极管的开关特性晶体三极管的开关特性在在数数字字逻逻辑辑电电路路中中,三三极极管管相相当当于于一一个个由由基基极极信信号号控控制制的的无无触触点点开关,其作用对应于触点开关的开关,其作用对应于触点开关的“闭合闭合”与与“断开断开”。电路在三极管截止截止与饱和饱和状态下的等效电路如下:本讲稿第十九页,共七十三页晶晶体体三三极
14、极管管在在截截止止与与饱饱和和这这两两种种稳稳态态下下的的特特性性称称为为三三极极管管的静态开关特性。的静态开关特性。本讲稿第二十页,共七十三页晶晶体体三三极极管管在在饱饱和和与与截截止止两两种种状状态态转转换换过过程程中中具具有有的的特特性性称称为为三三极极管管的动态特性。的动态特性。三极管的开关过程和二极管一样,管子内部也存在着电荷的建立与消失过程。因此,两种状态的转换也需要一定的时间才能完成。二、动态特性二、动态特性本讲稿第二十一页,共七十三页 1开通时间开通时间(ton)开通时间:开通时间:三极管从截止状态到饱和状态所需要的时间。2.关闭时间关闭时间(toff)关闭时间关闭时间:三极管
15、从饱和状态到截止状态所需要的时间。开通时间ton和关闭时间toff是影响电路工作速度的主要因素。本讲稿第二十二页,共七十三页一、静态特性一、静态特性 MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。MOS管是电压控制元件,主要由栅源电压管是电压控制元件,主要由栅源电压vGS决定其工作状态。决定其工作状态。工作特性如下:工作特性如下:当当VGS开开启启电电压压VTN时时:MOS管工作在截止区,输出电压vDS VDD,MOS管处于“断开”状态;当当VDSVGSVTN时时:MOS管工作在导通区,输出电压vDS 0V,MOS管处于“接通”状态。3.2.3 MOS管的开关特性管的开关特性本讲稿第二
16、十三页,共七十三页二、动态特性二、动态特性MOS管本身导通和截止时电荷积累和消散的时间很小。动态特性主要取决于电路中杂散电容充、放电所需的时间。动态特性主要取决于电路中杂散电容充、放电所需的时间。为了提高为了提高MOSMOS器件的工作速度,引入了器件的工作速度,引入了CMOSCMOS电路。电路。在在CMOSCMOS电电路路中中,由由于于充充电电电电路路和和放放电电电电路路都都是是低低阻阻电电路路,因因此此,其其充、放电过程都比较快,从而使充、放电过程都比较快,从而使CMOSCMOS电路有较高的开关速度。电路有较高的开关速度。本讲稿第二十四页,共七十三页 基本和常用门电路有与门、或门、非门(反相
17、器)、与非门、或非门、与或非门和异或门等。获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态。逻辑0和1:电子电路中用高、低电平来表示。逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。3.3 逻辑门电路逻辑门电路本讲稿第二十五页,共七十三页 3.3 3.3逻逻 辑辑 门门 电电 路路实实现现基基本本逻逻辑辑运运算算和和常常用用复复合合逻逻辑辑运运算算的的逻逻辑辑器器件件统统称称为为逻辑门电路,它们是组成数字系统的基本单元电路。逻辑门电路,它们是组成数字系统的基本单元电路。学学习习时时应应重重点点掌掌握握集集成成逻逻辑辑门门电电路路的的功功能能和和外外
18、部部特特性性,以以及及器器件的使用方法。对其内部结构和工作原理只要求作一般了解。件的使用方法。对其内部结构和工作原理只要求作一般了解。本讲稿第二十六页,共七十三页Y=AB1 1、二极管与门二极管与门本讲稿第二十七页,共七十三页Y=A+B2 2、二极管或门二极管或门本讲稿第二十八页,共七十三页uA0V时,三极管截止,iB0,iC0,输出电压uYVCC5VuA5V时,三极管导通。基极电流为:iBIBS,三极管工作在饱和状态。输出电压uYUCES0.3V。三极管临界饱和时的基极电流为:3 3、三极管非门三极管非门本讲稿第二十九页,共七十三页CMOS逻辑门电路逻辑门电路1 1CMOS非门非门VOVIV
19、DDTPTN设设VDD(VTN+|+|VTP|),),且且VTN=|=|VTP|(1 1)当)当Vi=0=0V时,时,TN截止,截止,TP导通。输出导通。输出VOVDD。(2 2)当)当Vi=VDD时,时,TN导通,导通,TP截止,输出截止,输出VO00V。增强型场效应管增强型场效应管本讲稿第三十页,共七十三页CMOS与非门和或非门电路与非门和或非门电路与非门与非门或非门或非门FVDDTP2TP1TN1TN2ABTN1TN2TP1TP2VDDFAB本讲稿第三十一页,共七十三页2.CMOS传输门传输门本讲稿第三十二页,共七十三页CMOS逻辑门电路的系列逻辑门电路的系列(1 1)基本的)基本的CM
20、OS 4000CMOS 4000系列。系列。(2 2)高速的)高速的CMOSHCCMOSHC系列。系列。(3 3)与)与TTLTTL兼容的高速兼容的高速CMOSHCTCMOSHCT系列。系列。本讲稿第三十三页,共七十三页CMOS逻辑门电路主要参数的特点逻辑门电路主要参数的特点(1)VOH(min)=VDD;VOL(max)=0。所以所以CMOS门电路的逻辑摆幅(即高低电平之差)较大。门电路的逻辑摆幅(即高低电平之差)较大。(2)阈值电压)阈值电压Vth约为约为VDD/2。ViH(min)=VDD/2(3)其高、低电平噪声容限约)其高、低电平噪声容限约 VDD/2。(4)CMOS电路的功耗很小,
21、一般小于电路的功耗很小,一般小于1 mW/门;门;(5)因)因CMOS电路有极高的输入阻抗,故其扇出系数很大,达电路有极高的输入阻抗,故其扇出系数很大,达50本讲稿第三十四页,共七十三页 速度速度 功耗功耗噪声容限噪声容限扇出系数扇出系数集成度集成度 TTL 快快 大大 小小 小小 低低 CMOS 慢慢 小小 大大 大大 高高 CMOSCMOS门电路功耗低,扇出数大,噪声容限大,开关速度与门电路功耗低,扇出数大,噪声容限大,开关速度与TTLTTL接近,易大规模集成,已成为数字集成电路的发展方向。接近,易大规模集成,已成为数字集成电路的发展方向。本讲稿第三十五页,共七十三页TTL(Transis
22、tor Transistor Logic)TTL(Transistor Transistor Logic)电路是晶体电路是晶体管管-晶体管逻辑电路的简称。晶体管逻辑电路的简称。TTLTTL电路的功耗大、线路较复杂,使其集成度受到一定的电路的功耗大、线路较复杂,使其集成度受到一定的限制,故广泛应用于中小规模逻辑电路中。限制,故广泛应用于中小规模逻辑电路中。3.3.1 TTL 集成逻辑门电路集成逻辑门电路本讲稿第三十六页,共七十三页本讲稿第三十七页,共七十三页TTL与非门的主要外部特性参数有输出逻辑电平、开门电平、关门电平、扇入系数、扇出系数、平均传输时延和空载功耗等。(2)输输出出低低电电平平V
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