光检测器和光接收机PPT讲稿.ppt
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1、光检测器和光接收机第1页,共56页,编辑于2022年,星期四光电转换器件光电转换器件要求要求:高效率、低噪声、宽带高效率、低噪声、宽带原理:光吸收原理:光吸收在半导体材料上,当入射光子能量在半导体材料上,当入射光子能量h 超过带隙能量时,每当一个光超过带隙能量时,每当一个光子被半导体吸收就产生一个电子子被半导体吸收就产生一个电子空穴对。在外加电压建立的电空穴对。在外加电压建立的电场作用下,电子和空穴就在半导体中渡越并形成电流流动,场作用下,电子和空穴就在半导体中渡越并形成电流流动,称为称为光电流光电流,其电流大小,其电流大小Ip与入射光功率与入射光功率Pin成比例:成比例:RR光电检测器的光电
2、检测器的光电检测器的光电检测器的响应度响应度响应度响应度(A/WA/W)入射光入射光入射光入射光半导体半导体半导体半导体光检测器光检测器光检测器的光检测器的光检测器的光检测器的工作原理工作原理工作原理工作原理第2页,共56页,编辑于2022年,星期四偏置电压外界的光子外界的光子外界的光子外界的光子(也就是光也就是光也就是光也就是光)射入射入射入射入半导体,分离出电子和空穴,半导体,分离出电子和空穴,半导体,分离出电子和空穴,半导体,分离出电子和空穴,这些自由的载流子的流动形这些自由的载流子的流动形这些自由的载流子的流动形这些自由的载流子的流动形成电流,外部的电压成电流,外部的电压成电流,外部的
3、电压成电流,外部的电压(反向反向反向反向偏压偏压偏压偏压)会增强这种效果。会增强这种效果。会增强这种效果。会增强这种效果。PNPN光电二极管光电二极管光检测器的光检测器的光检测器的光检测器的工作原理工作原理工作原理工作原理第3页,共56页,编辑于2022年,星期四 光生载流子在外加负偏压和内建电场的作用下,在外电路中光生载流子在外加负偏压和内建电场的作用下,在外电路中出现了光电流,从而在电阻出现了光电流,从而在电阻R R上有信号电压输出。这样就实现了上有信号电压输出。这样就实现了输出电压跟随输入光信号变化的光电转换作用。输出电压跟随输入光信号变化的光电转换作用。负偏压:负偏压:P P接负,接负
4、,N N接正。由图可见,外加负偏压产生的电场方接正。由图可见,外加负偏压产生的电场方向与内建电场方向一致,有利于耗尽区的加宽。(耗尽区的加宽可向与内建电场方向一致,有利于耗尽区的加宽。(耗尽区的加宽可以改善光电检测器响应速度和转换效率)以改善光电检测器响应速度和转换效率)hEg 或或 920nm920nm的光透明;的光透明;的光透明;的光透明;I I区区区区:InGaAs:InGaAs;=13001600nm =13001600nm 强强强强烈吸收烈吸收烈吸收烈吸收PINPIN光电二极管光电二极管光检测器的光检测器的光检测器的光检测器的工作原理工作原理工作原理工作原理第9页,共56页,编辑于2
5、022年,星期四雪崩光电二极管雪崩光电二极管APDAPD PIN:PIN:1个光子最多产生一对电子个光子最多产生一对电子-空穴对空穴对,无增益无增益 APD:APD:利用电离碰撞利用电离碰撞,1个光子产生多对电子个光子产生多对电子-空穴对空穴对,有增益有增益 工作过程:工作过程:工作过程:工作过程:入射光入射光入射光入射光-一对一对一对一对电子电子电子电子-空穴对空穴对空穴对空穴对(一次光生电流一次光生电流一次光生电流一次光生电流)-)-与晶格碰撞电离与晶格碰撞电离与晶格碰撞电离与晶格碰撞电离-多多多多对对对对电子电子电子电子-空穴对空穴对空穴对空穴对(二次光生电流)二次光生电流)二次光生电流
6、)二次光生电流)吸收吸收吸收吸收外电场加速外电场加速外电场加速外电场加速增加了一个附加增加了一个附加增加了一个附加增加了一个附加层,倍增区或增层,倍增区或增层,倍增区或增层,倍增区或增益区,以实现碰益区,以实现碰益区,以实现碰益区,以实现碰撞电离产生二次撞电离产生二次撞电离产生二次撞电离产生二次电子空穴对。电子空穴对。电子空穴对。电子空穴对。耗尽层仍为耗尽层仍为耗尽层仍为耗尽层仍为I I层,起产生一层,起产生一层,起产生一层,起产生一次电子空穴次电子空穴次电子空穴次电子空穴对的作用。对的作用。对的作用。对的作用。光检测器的光检测器的光检测器的光检测器的工作原理工作原理工作原理工作原理第10页,
7、共56页,编辑于2022年,星期四倍增系数倍增系数倍增系数倍增系数 M=IM/IP IM-平均输出电流,平均输出电流,IP-一次光生电流一次光生电流 IM M IP MRPin 倍增系数倍增系数M与电离系数及增益区厚度有关。与电离系数及增益区厚度有关。光检测器的光检测器的光检测器的光检测器的工作原理工作原理工作原理工作原理APD光电二极管在反向偏置电压过大时,会出现雪崩击穿。光电二极管在反向偏置电压过大时,会出现雪崩击穿。APD管使用时必须注意保持工作电压低于雪崩击穿电压,管使用时必须注意保持工作电压低于雪崩击穿电压,以免损坏器件。以免损坏器件。雪崩光电二极管雪崩光电二极管APDAPD第11页
8、,共56页,编辑于2022年,星期四光检测器的比较光检测器的比较参数符号单位SiGeInGaAs波长范围nm4001100800165011001700响应度RA/W0.40.60.40.50.750.95暗电流IDnA110505000.52.0上升时间rns0.51.00.10.50.050.5带宽BGHz0.30.70.53.01.02.0偏置电压VBV55105SiSi、GeGe、InGaAs InGaAs pinpin光电二极管的通用工作特性参数光电二极管的通用工作特性参数光电二极管的通用工作特性参数光电二极管的通用工作特性参数光检测器的光检测器的光检测器的光检测器的工作原理工作原理
9、工作原理工作原理第12页,共56页,编辑于2022年,星期四光检测器的比较光检测器的比较参数符号单位SiGeInGaAs波长范围nm4001100800165011001700雪崩增益M20400502001040暗电流IDnA0.11505001050M=10上升时间rns0.120.50.80.10.5增益带宽积MBGHz10040021020250偏置电压VBV15040020402030SiSi、GeGe、InGaAs InGaAs 雪崩光电二极管的通用工作特性参数雪崩光电二极管的通用工作特性参数雪崩光电二极管的通用工作特性参数雪崩光电二极管的通用工作特性参数光检测器的光检测器的光检测
10、器的光检测器的工作原理工作原理工作原理工作原理第13页,共56页,编辑于2022年,星期四光检测器的比较光检测器的比较 在短距离的应用中,工作在在短距离的应用中,工作在在短距离的应用中,工作在在短距离的应用中,工作在850nm850nm的的的的SiSi器件对于大器件对于大器件对于大器件对于大多数链路是个相对比较廉价的解决方案。多数链路是个相对比较廉价的解决方案。多数链路是个相对比较廉价的解决方案。多数链路是个相对比较廉价的解决方案。在长距离的链路常常需要工作在在长距离的链路常常需要工作在在长距离的链路常常需要工作在在长距离的链路常常需要工作在1310nm1310nm和和和和1550nm1550
11、nm窗口,所以常用基于窗口,所以常用基于窗口,所以常用基于窗口,所以常用基于InGaAsInGaAs的器件。的器件。的器件。的器件。APDAPD检测器与检测器与检测器与检测器与PINPIN检测器相比,具有载流子倍增效检测器相比,具有载流子倍增效检测器相比,具有载流子倍增效检测器相比,具有载流子倍增效应,其探测灵敏度特别高,但需要较高的偏置电压应,其探测灵敏度特别高,但需要较高的偏置电压应,其探测灵敏度特别高,但需要较高的偏置电压应,其探测灵敏度特别高,但需要较高的偏置电压和温度补偿电路。要视具体应用场合而选定。和温度补偿电路。要视具体应用场合而选定。和温度补偿电路。要视具体应用场合而选定。和温
12、度补偿电路。要视具体应用场合而选定。光检测器的光检测器的光检测器的光检测器的工作原理工作原理工作原理工作原理第14页,共56页,编辑于2022年,星期四第第4 4章章 光检测器和光接收器光检测器和光接收器光检测器的工作原理光检测器的工作原理 光检测器的特性参数光检测器的特性参数光光 接接 收收 机机光收发合一模块光收发合一模块第15页,共56页,编辑于2022年,星期四光检测器的光检测器的光检测器的光检测器的特性参数特性参数特性参数特性参数光检测器性能参数光检测器性能参数1 1 1 1量子效率量子效率量子效率量子效率入射光(功率为入射光(功率为P Pinin)中含有大量光子,能转换为光生电流)
13、中含有大量光子,能转换为光生电流的光子数和入射的总光子数之比称为量子效率。的光子数和入射的总光子数之比称为量子效率。在光电二极管的应用中,在光电二极管的应用中,在光电二极管的应用中,在光电二极管的应用中,100100个光子会产生个光子会产生个光子会产生个光子会产生3030到到到到9595个电子空穴对,个电子空穴对,个电子空穴对,个电子空穴对,因此检测器的量子效率范围为因此检测器的量子效率范围为因此检测器的量子效率范围为因此检测器的量子效率范围为30%95%30%95%。为了得到较高的量子为了得到较高的量子为了得到较高的量子为了得到较高的量子效率,必须加大耗尽区的厚度,效率,必须加大耗尽区的厚度
14、,效率,必须加大耗尽区的厚度,效率,必须加大耗尽区的厚度,使得可以吸收大部分的光使得可以吸收大部分的光使得可以吸收大部分的光使得可以吸收大部分的光子。但是,子。但是,子。但是,子。但是,耗尽区越厚,光生载流子漂移渡越耗尽区越厚,光生载流子漂移渡越耗尽区越厚,光生载流子漂移渡越耗尽区越厚,光生载流子漂移渡越(across)(across)反向偏反向偏反向偏反向偏置结的时间就越长。置结的时间就越长。置结的时间就越长。置结的时间就越长。由于载流子的漂移时间又决定了光电二由于载流子的漂移时间又决定了光电二由于载流子的漂移时间又决定了光电二由于载流子的漂移时间又决定了光电二极管的响应速度,所以必须在极管
15、的响应速度,所以必须在极管的响应速度,所以必须在极管的响应速度,所以必须在响应速度和量子效率之间采取响应速度和量子效率之间采取响应速度和量子效率之间采取响应速度和量子效率之间采取折衷。折衷。折衷。折衷。第16页,共56页,编辑于2022年,星期四2 2 2 2响应度响应度响应度响应度光检测器的光电流与入射光功率之比称为响应度光检测器的光电流与入射光功率之比称为响应度对于给定的波长,响应度是一个常数,但是当考虑的波对于给定的波长,响应度是一个常数,但是当考虑的波长范围较大时,它就不是常数了长范围较大时,它就不是常数了。考虑到考虑到APDAPD光检测器的雪崩效应,它的响应度可表示为光检测器的雪崩效
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