固体化学第三章固体中的缺陷课件.ppt

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1、关于固体化学第三章固体中的缺陷1现在学习的是第1页，共207页2平移对称性的破坏平移对称性的破坏平移对称性的破坏平移对称性的破坏平移对称性示意图平移对称性示意图平移对称性示意图平移对称性示意图对对理想点阵的偏离理想点阵的偏离理想点阵的偏离理想点阵的偏离造成晶体的不完整性，那些造成晶体的不完整性，那些偏离的偏离的偏离的偏离的地区或结构地区或结构地区或结构地区或结构被称为被称为晶体的缺陷晶体的缺陷。现在学习的是第2页，共207页3缺陷缺陷定义定义：实际晶体实际晶体与与理想晶体理想晶体相比有一定程度的偏离或不完美相比有一定程度的偏离或不完美性，把这种性，把这种结构发生偏离的区域结构发生偏离的区域结构

2、发生偏离的区域结构发生偏离的区域叫缺陷。叫缺陷。一、缺陷的普遍性与重要性一、缺陷的普遍性与重要性现在学习的是第3页，共207页4所有的所有的实际晶体实际晶体实际晶体实际晶体，无论是天然的或人工合成，无论是天然的或人工合成的的都不是理想的完整晶体都不是理想的完整晶体，它们都存在着对，它们都存在着对理理想空间点阵想空间点阵的偏离。的偏离。现在学习的是第4页，共207页5对于缺陷的认识与研究是固态化学的重要内容对于缺陷的认识与研究是固态化学的重要内容之一，因为之一，因为晶体缺陷晶体缺陷晶体缺陷晶体缺陷与与固体结构固体结构固体结构固体结构、组成组成组成组成、制备工艺制备工艺制备工艺制备工艺和和材料的物

3、理性质材料的物理性质材料的物理性质材料的物理性质之间有着密不可分关系。之间有着密不可分关系。现在学习的是第5页，共207页6 研究缺陷的意义研究缺陷的意义研究缺陷的意义研究缺陷的意义：导电导电、半导体半导体、发色发色（色心）、（色心）、发光发光、扩散扩散、烧烧结结、固相反应固相反应。它是材料科学的基础，表现。它是材料科学的基础，表现在以下三方面：在以下三方面：1、晶体晶体缺陷与结构缺陷与结构缺陷与结构缺陷与结构密切相关。密切相关。2、缺陷缺陷缺陷缺陷可直接影响到可直接影响到材料的物理性质材料的物理性质材料的物理性质材料的物理性质。3、缺陷对材料的、缺陷对材料的光学光学光学光学性质、性质、电学电

4、学电学电学性质等也有很大性质等也有很大的影响。的影响。现在学习的是第6页，共207页71、晶体晶体缺陷与结构缺陷与结构缺陷与结构缺陷与结构密切相关。密切相关。、离开具体的晶体结构就无法描述离开具体的晶体结构就无法描述缺陷的存缺陷的存在形式在形式及其及其运动规律运动规律。现在学习的是第7页，共207页8、同时同时结构对缺陷的形成结构对缺陷的形成结构对缺陷的形成结构对缺陷的形成也起重要的作也起重要的作用，有些结构就容易产生缺陷。用，有些结构就容易产生缺陷。因此，晶体中因此，晶体中是否存在缺陷是否存在缺陷是否存在缺陷是否存在缺陷以及以及缺陷的多少缺陷的多少缺陷的多少缺陷的多少，常常是晶体质量优劣的重

5、要标志。常常是晶体质量优劣的重要标志。现在学习的是第8页，共207页9 2、缺陷缺陷缺陷缺陷可直接影响到可直接影响到材料的物理性质材料的物理性质材料的物理性质材料的物理性质。许多晶体内部都有大量许多晶体内部都有大量位错位错位错位错、小角度、小角度晶粒间界晶粒间界晶粒间界晶粒间界、第二、第二相相杂质颗粒杂质颗粒杂质颗粒杂质颗粒等微观或亚微观缺陷。等微观或亚微观缺陷。这些缺陷对晶体的这些缺陷对晶体的强度性质强度性质强度性质强度性质有很大影响，在压力或拉有很大影响，在压力或拉力下，开始会在一个弱点处形成裂纹，然后遍及整个晶体。力下，开始会在一个弱点处形成裂纹，然后遍及整个晶体。如果可设计出没有缺陷的

6、金属，那它将是如果可设计出没有缺陷的金属，那它将是强度空前巨大强度空前巨大强度空前巨大强度空前巨大的材料的材料的材料的材料。现在学习的是第9页，共207页103、缺陷对材料的、缺陷对材料的光学光学光学光学性质、性质、电学电学电学电学性质等也有很大的影性质等也有很大的影响。响。缺陷的缺陷的类型类型类型类型、数量数量数量数量和和分布状态的差异分布状态的差异分布状态的差异分布状态的差异，各种缺陷，各种缺陷的的运动差异运动差异运动差异运动差异及其及其相互作用相互作用相互作用相互作用，是造成材料性质的多样，是造成材料性质的多样性的主要原因。性的主要原因。现在学习的是第10页，共207页11缺陷的分类方法

7、缺陷的分类方法一）按照一）按照组成物质的化学计量比组成物质的化学计量比组成物质的化学计量比组成物质的化学计量比分为两部分：分为两部分：1、整比缺陷整比缺陷整比缺陷整比缺陷2、非整比缺陷非整比缺陷非整比缺陷非整比缺陷现在学习的是第11页，共207页121 1、整比缺陷、整比缺陷、整比缺陷、整比缺陷 是指是指单质单质单质单质或或整比化合物整比化合物整比化合物整比化合物晶体中的缺陷，它不晶体中的缺陷，它不会改变晶体的组成；会改变晶体的组成；2 2、非整比缺陷、非整比缺陷、非整比缺陷、非整比缺陷 是指是指非整比化合物非整比化合物非整比化合物非整比化合物中，与晶体组成变化有关中，与晶体组成变化有关的一类

8、缺陷。的一类缺陷。现在学习的是第12页，共207页13二）按照二）按照缺陷存在的状态缺陷存在的状态缺陷存在的状态缺陷存在的状态可把缺陷划分为两部分：可把缺陷划分为两部分：1、化学化学化学化学缺陷缺陷2、物理物理物理物理缺陷缺陷现在学习的是第13页，共207页141、化学缺陷化学缺陷化学缺陷化学缺陷 是指在晶体中存在是指在晶体中存在外来原子外来原子外来原子外来原子或或空位空位空位空位；2、物理缺陷物理缺陷物理缺陷物理缺陷 是指是指应变应变、位错位错、晶粒间界晶粒间界、孪晶面孪晶面和和堆垛层堆垛层错错等。等。现在学习的是第14页，共207页15三）按照缺陷的三）按照缺陷的三维尺寸三维尺寸三维尺寸三

9、维尺寸分为五部分：分为五部分：1、零维缺陷或、零维缺陷或点缺陷点缺陷点缺陷点缺陷2、电子电子电子电子缺陷缺陷3、一维缺陷或、一维缺陷或线缺陷线缺陷线缺陷线缺陷4、二维缺陷或、二维缺陷或面缺陷面缺陷面缺陷面缺陷5、三维缺陷或、三维缺陷或体缺陷体缺陷体缺陷体缺陷现在学习的是第15页，共207页161、零维缺陷或、零维缺陷或点缺陷点缺陷点缺陷点缺陷是指是指三维三维三维三维均是原子大小的缺陷；均是原子大小的缺陷；2、电子电子电子电子缺陷：缺陷：是指比是指比原子大小原子大小原子大小原子大小更小的缺陷更小的缺陷现在学习的是第16页，共207页173、一维缺陷或、一维缺陷或线缺陷线缺陷线缺陷线缺陷是指两维很

10、小是指两维很小一维很大一维很大一维很大一维很大的缺陷，如的缺陷，如位错位错等；等；4、二维缺陷或、二维缺陷或面缺陷面缺陷面缺陷面缺陷是指一维很小是指一维很小两维很大两维很大两维很大两维很大的缺陷；的缺陷；5、三维缺陷或、三维缺陷或体缺陷体缺陷体缺陷体缺陷 是指是指三维均较大三维均较大三维均较大三维均较大的缺陷；的缺陷；现在学习的是第17页，共207页18四）按照四）按照组成物质的单元组成物质的单元组成物质的单元组成物质的单元进行分类：进行分类：电子电子空穴空穴电子性电子性电子性电子性缺陷缺陷 空位空位间隙原子间隙原子位错原子或离子位错原子或离子外来原子或离子外来原子或离子原子或离子原子或离子原

11、子或离子原子或离子缺陷缺陷 现在学习的是第18页，共207页19晶体中缺陷的详细晶体中缺陷的详细分类如右表所示：分类如右表所示：其中，在固体化学其中，在固体化学中，主要研究的对象是中，主要研究的对象是点缺陷点缺陷点缺陷点缺陷。现在学习的是第19页，共207页201、从、从化学的角度化学的角度化学的角度化学的角度来看，非化学计量比化合物是指用来看，非化学计量比化合物是指用化化化化学分析学分析学分析学分析、XRDXRD和和平衡蒸气压测定平衡蒸气压测定平衡蒸气压测定平衡蒸气压测定等手段能够确定其等手段能够确定其组成偏组成偏组成偏组成偏离整比离整比离整比离整比的均一物相，如的均一物相，如FeO1+x、

12、FeS1+x、PdHx等过渡元素等过渡元素的化合物。的化合物。二、非化学计量比化合物与点缺陷二、非化学计量比化合物与点缺陷现在学习的是第20页，共207页21非化学计量比化合物的非化学计量比化合物的产生产生产生产生有三个方面有三个方面原原原原因因因因：一种一种原子的一部分原子的一部分原子的一部分原子的一部分从有规则的结构位置中从有规则的结构位置中失失失失去去去去；存在着存在着超过结构所需超过结构所需数量的原子；数量的原子；被另一种原子所取代。被另一种原子所取代。现在学习的是第21页，共207页222、从晶体的从晶体的点阵结构点阵结构点阵结构点阵结构上看，上看，点阵缺陷点阵缺陷点阵缺陷点阵缺陷也

13、能引起也能引起偏离整比性的化合物。偏离整比性的化合物。其其其其特点如下：特点如下：组成的偏离很小组成的偏离很小组成的偏离很小组成的偏离很小，不能用化学分析和，不能用化学分析和XRD分分析观察出来；析观察出来；可由测量其可由测量其光光光光学、学、电电电电学和学和磁磁磁磁学的性质来研究它学的性质来研究它们。们。现在学习的是第22页，共207页23第二节第二节 点缺陷点缺陷点缺陷点缺陷点缺陷点缺陷是一类是一类偏离极小的非化学计量比化合物偏离极小的非化学计量比化合物偏离极小的非化学计量比化合物偏离极小的非化学计量比化合物，对这类化合物的研究对这类化合物的研究在理论和实际应用上在理论和实际应用上都有重大

14、的意都有重大的意义。义。现在学习的是第23页，共207页24一）一）一）一）点缺陷点缺陷点缺陷点缺陷 点缺陷点缺陷点缺陷点缺陷是指那些对晶体结构的干扰仅波及到是指那些对晶体结构的干扰仅波及到几个原子间距几个原子间距几个原子间距几个原子间距范围的缺陷。范围的缺陷。一、点缺陷及其表示符号一、点缺陷及其表示符号现在学习的是第24页，共207页25点缺陷点缺陷点缺陷点缺陷主要有两种分类方法：主要有两种分类方法：A A、根据对理想晶体偏离的根据对理想晶体偏离的几何位置几何位置几何位置几何位置；B B、根据根据产生缺陷的原因产生缺陷的原因产生缺陷的原因产生缺陷的原因。现在学习的是第25页，共207页26据

15、对理想晶体偏离的据对理想晶体偏离的几何位置几何位置分四类分四类空位空位间隙原子间隙原子杂质原子杂质原子原子错位原子错位现在学习的是第26页，共207页27、空空 位位正常结点位置没有被质点占据，正常结点位置没有被质点占据，称为称为空位空位。现在学习的是第27页，共207页28、间间 隙隙 原原 子子质点进入间隙位置成为质点进入间隙位置成为间隙原子间隙原子。现在学习的是第28页，共207页29、杂杂 质质 原原 子子间隙位置间隙位置间隙杂质原子间隙杂质原子间隙杂质原子间隙杂质原子正常结点正常结点取代（置换）杂取代（置换）杂取代（置换）杂取代（置换）杂质原子质原子质原子质原子。杂质原子进入晶格（结

16、晶过程中混入或加入，一杂质原子进入晶格（结晶过程中混入或加入，一般不大于般不大于1，）。，）。固固固固溶溶溶溶体体体体进入进入现在学习的是第29页，共207页30、原、原 子错位子错位指固体化合物中指固体化合物中部分原子相互错位部分原子相互错位部分原子相互错位部分原子相互错位，即对化合，即对化合物物MX而言，而言，M原子占据了原子占据了X原子的位置或原子的位置或X原子占原子占据了据了M原子的位置。原子的位置。现在学习的是第30页，共207页31据据产生缺陷的原因产生缺陷的原因分为三类：分为三类：1、热缺陷、热缺陷2、杂质缺陷、杂质缺陷3、电荷缺陷（电子和空穴）、电荷缺陷（电子和空穴）现在学习的

17、是第31页，共207页32热缺陷热缺陷热缺陷热缺陷是是离子晶体的主要缺陷离子晶体的主要缺陷离子晶体的主要缺陷离子晶体的主要缺陷，它是指当晶体，它是指当晶体的温度的温度高于绝对高于绝对高于绝对高于绝对0 0KK时，由于晶格内时，由于晶格内原子热运动原子热运动原子热运动原子热运动，使，使一部分一部分能量较大的原子离开平衡位置能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷。造成的缺陷。1、热缺陷、热缺陷现在学习的是第32页，共207页33热缺陷热缺陷又分为又分为Frankel（弗仑克尔弗仑克尔）缺缺陷和陷和Schttky（肖特基肖特基）缺陷两种。缺陷两种。现在学习的是第33页，共207页34(1)Franke

18、l（弗仑克尔弗仑克尔）缺陷缺陷 晶体中同时产生一对晶体中同时产生一对间隙原子间隙原子间隙原子间隙原子和和空位空位空位空位的缺陷，称之的缺陷，称之为为Frankel（弗仑克尔弗仑克尔）缺陷。缺陷。现在学习的是第34页，共207页35很多对的很多对的间隙原子间隙原子间隙原子间隙原子和空位和空位和空位和空位处于运动之中，处于运动之中，或者复合、或者运动到或者复合、或者运动到其他位置上去。其他位置上去。FrankelFrankel（弗仑克尔弗仑克尔弗仑克尔弗仑克尔）缺陷特点缺陷特点缺陷特点缺陷特点：空位和间隙空位和间隙成对成对成对成对产生产生；晶体晶体密度密度密度密度不变。不变。现在学习的是第35页，

19、共207页36一个完整的晶体，在温度高于一个完整的晶体，在温度高于0K时，晶体中的原子时，晶体中的原子在其平衡位置附近作热运动。在其平衡位置附近作热运动。温度升高时，原子的平均动能随之增加，振动幅度增温度升高时，原子的平均动能随之增加，振动幅度增大。大。Eu间隙位置间隙位置平衡位置平衡位置 位置位置能量能量Frankel缺陷的能量分析缺陷的能量分析现在学习的是第36页，共207页37当某些原子的平均动能足够大时，可能当某些原子的平均动能足够大时，可能离开平衡位置离开平衡位置离开平衡位置离开平衡位置而而挤入晶格的间隙挤入晶格的间隙中，成为中，成为间隙原子间隙原子间隙原子间隙原子，而原来的晶格位，

20、而原来的晶格位置变成空位。置变成空位。Eu间隙位置间隙位置平衡位置平衡位置 位置位置能量能量现在学习的是第37页，共207页38例例:纤锌矿结构纤锌矿结构ZnO晶体，晶体，Zn2+可以离开原位进入间可以离开原位进入间隙，隙，从而形成从而形成Frankel缺陷。缺陷。现在学习的是第38页，共207页39 晶体中晶体中Frankel缺陷的浓度可表示为缺陷的浓度可表示为nF：Frankel缺陷的数目；缺陷的数目；N：格位数；：格位数；Ni：是间隙数；是间隙数；：为形成一对空位和间隙原子所需要的能量。：为形成一对空位和间隙原子所需要的能量。现在学习的是第39页，共207页40SchttkySchttk

21、y缺陷的两个形成过程缺陷的两个形成过程缺陷的两个形成过程缺陷的两个形成过程 由于热运动，由于热运动，晶面晶面晶面晶面部分能量较大的原子蒸发到部分能量较大的原子蒸发到晶晶面以外面以外稍远的地方，从而产生稍远的地方，从而产生晶面空位晶面空位晶面空位晶面空位；晶体晶体内部的原子内部的原子内部的原子内部的原子运动到运动到晶面晶面晶面晶面，进而替代进而替代晶面空位晶面空位晶面空位晶面空位，并并在晶体内部在晶体内部正常格点处留下空位。正常格点处留下空位。(2)Schttky（肖特基肖特基）缺陷缺陷现在学习的是第40页，共207页41因此，总的看来，就像空位从因此，总的看来，就像空位从晶体表面晶体表面晶体表

22、面晶体表面向向晶体内部晶体内部晶体内部晶体内部移动一样，这种空位称作移动一样，这种空位称作SchttkySchttky缺陷缺陷缺陷缺陷。Schottky缺陷的产生过程可示意如下：缺陷的产生过程可示意如下：现在学习的是第41页，共207页42例如：例如：SchttkySchttky缺陷的特点：缺陷的特点：缺陷的特点：缺陷的特点：对于离子晶体，为保持对于离子晶体，为保持电中性，正离子空位和负离电中性，正离子空位和负离子空位子空位成对产生成对产生成对产生成对产生，晶体体晶体体晶体体晶体体积增大积增大积增大积增大。现在学习的是第42页，共207页43Schttky Schttky 缺陷的浓度缺陷的浓度

23、缺陷的浓度缺陷的浓度Cs随随温度温度温度温度的变化呈指数的变化呈指数式变化，可表示为：式变化，可表示为：:代表空位的生成能。代表空位的生成能。ns：:Schttky缺陷的数目；缺陷的数目；N:格位数；格位数；现在学习的是第43页，共207页44从形成热缺陷的从形成热缺陷的能量大小能量大小能量大小能量大小来看，大多数晶体的缺陷来看，大多数晶体的缺陷是是Schttky Schttky 缺陷缺陷缺陷缺陷。因为在因为在金属或金属间化合物金属或金属间化合物中，原子是以各种中，原子是以各种密密密密堆积的方式堆积的方式堆积的方式堆积的方式排列的，从其中排列的，从其中跑出一些原子跑出一些原子，形成空，形成空位

24、缺陷要比位缺陷要比插入一些原子插入一些原子形成间隙容易一些。即，形成间隙容易一些。即，Schttky 缺陷形成的能量小于缺陷形成的能量小于Frankel 缺陷形成的能量。缺陷形成的能量。现在学习的是第44页，共207页452、杂质缺陷、杂质缺陷、杂质缺陷的杂质缺陷的杂质缺陷的杂质缺陷的种类种类种类种类 间隙杂质、置换杂质间隙杂质、置换杂质、杂质缺陷的杂质缺陷的杂质缺陷的杂质缺陷的概念概念概念概念杂质原子进入晶体杂质原子进入晶体杂质原子进入晶体杂质原子进入晶体而产生的缺陷。而产生的缺陷。杂质原子进入晶体的杂质原子进入晶体的数量数量数量数量一般小于一般小于0.1%。现在学习的是第45页，共207页

25、46、杂质缺陷的杂质缺陷的杂质缺陷的杂质缺陷的特点特点特点特点杂质缺陷的浓度与温度无关，只决定于溶解度。杂质缺陷的浓度与温度无关，只决定于溶解度。、杂质缺陷杂质缺陷杂质缺陷杂质缺陷存在的原因存在的原因存在的原因存在的原因本身存在有目的加入本身存在有目的加入(改善晶体的某种性能改善晶体的某种性能)现在学习的是第46页，共207页47固体中引入杂质缺陷的注意事项固体中引入杂质缺陷的注意事项:、一种杂质原子或离子能否进入晶体，取代晶体一种杂质原子或离子能否进入晶体，取代晶体中的某个原子或离子，主要取决于中的某个原子或离子，主要取决于取代时从能量角度取代时从能量角度取代时从能量角度取代时从能量角度看是

26、否有利看是否有利看是否有利看是否有利。如在离子型晶体中，从如在离子型晶体中，从能量最低要求能量最低要求能量最低要求能量最低要求考虑，杂质考虑，杂质离子只能进入与其离子只能进入与其电负性相近电负性相近电负性相近电负性相近的离子位置。的离子位置。现在学习的是第47页，共207页48、当化合物晶体中当化合物晶体中各元素的电负性各元素的电负性各元素的电负性各元素的电负性彼此相差彼此相差不大时，并且当不大时，并且当杂质元素的电负性杂质元素的电负性杂质元素的电负性杂质元素的电负性介于介于形成化合物的形成化合物的形成化合物的形成化合物的两元素的电负性两元素的电负性两元素的电负性两元素的电负性之间时，则之间时

27、，则原子大小的几何因素原子大小的几何因素原子大小的几何因素原子大小的几何因素往往往往是形成某种杂质缺陷的决定因素。是形成某种杂质缺陷的决定因素。如在各种金属间化合物，原子如在各种金属间化合物，原子半径相近半径相近半径相近半径相近的元素的元素可以相互取代，形成取代固溶体。可以相互取代，形成取代固溶体。现在学习的是第48页，共207页49、杂质原子杂质原子杂质原子杂质原子取代取代晶格中的原子晶格中的原子晶格中的原子晶格中的原子或进入或进入间隙位置间隙位置时，时，通常情况下并通常情况下并不改变基质晶体的结构不改变基质晶体的结构不改变基质晶体的结构不改变基质晶体的结构。、只有那些只有那些半径较小的原子

28、或离子半径较小的原子或离子半径较小的原子或离子半径较小的原子或离子才有可能成才有可能成为间隙杂质缺陷，如为间隙杂质缺陷，如F和和H等。等。现在学习的是第49页，共207页50、如果如果杂质离子杂质离子杂质离子杂质离子的电荷与它所取代的的电荷与它所取代的基质晶基质晶基质晶基质晶体中离子体中离子体中离子体中离子的电荷不同时，为了使整个晶体保持电的电荷不同时，为了使整个晶体保持电中性，必然在晶体中中性，必然在晶体中同时引入带相反电荷的同时引入带相反电荷的同时引入带相反电荷的同时引入带相反电荷的其他缺其他缺陷作为陷作为电荷补偿电荷补偿电荷补偿电荷补偿。现在学习的是第50页，共207页51如如BaTiO

29、3晶体中，若有少量的晶体中，若有少量的Ba2+离子被离子被La3+离子取代，则必然同时有相等数量的离子取代，则必然同时有相等数量的Ti4+被还被还原为原为Ti3+离子，生成一种离子，生成一种n型半导体材料型半导体材料Lax3+Ba1-x2+Tix3+Ti1-x4+。现在学习的是第51页，共207页523、电荷缺陷（电子和空穴）、电荷缺陷（电子和空穴）当当T=0 K时，晶体中的时，晶体中的电子处于最低能级电子处于最低能级电子处于最低能级电子处于最低能级，此时价带，此时价带中的能级完全被占据，导带没有电子。中的能级完全被占据，导带没有电子。现在学习的是第52页，共207页53当当T0 K时，一些时

30、，一些自由电子自由电子自由电子自由电子被激发到被激发到导带的能级导带的能级导带的能级导带的能级中中，价带中原来被电子占据的轨道表现为价带中原来被电子占据的轨道表现为可移动的空穴可移动的空穴，从从而表现出而表现出价带产生空穴价带产生空穴价带产生空穴价带产生空穴，导带存在电子导带存在电子导带存在电子导带存在电子。即晶体中同。即晶体中同时产生一个电子时产生一个电子-空穴对。空穴对。现在学习的是第53页，共207页54反之，当反之，当温度降低温度降低温度降低温度降低时，也可能发生一个时，也可能发生一个导带的电子导带的电子导带的电子导带的电子返回返回价带空穴价带空穴价带空穴价带空穴处，即处，即电子电子电

31、子电子-空穴复合空穴复合空穴复合空穴复合。现在学习的是第54页，共207页55价带产生空穴价带产生空穴导带存在电子导带存在电子电荷缺陷电荷缺陷由于在平衡状态时，电子由于在平衡状态时，电子-空穴的空穴的产生产生和和复合复合的速的速度相等，所以在一定温度下，导带中有一定浓度的电度相等，所以在一定温度下，导带中有一定浓度的电子，而在价带中也有相同浓度的空穴。子，而在价带中也有相同浓度的空穴。现在学习的是第55页，共207页56二）二）点缺陷化学反应表示法点缺陷化学反应表示法1、常用缺陷表示方法、常用缺陷表示方法2、书写点缺陷反应式的规则、书写点缺陷反应式的规则现在学习的是第56页，共207页571、

32、常用缺陷表示方法：、常用缺陷表示方法：用一个用一个主要符号主要符号主要符号主要符号表明缺陷的种类表明缺陷的种类用一个用一个下标下标下标下标表示缺陷位置表示缺陷位置用一个用一个上标上标上标上标表示缺陷的有效电荷，如表示缺陷的有效电荷，如“.”表示表示有效正电荷有效正电荷有效正电荷有效正电荷;“”表示表示有效负电荷有效负电荷有效负电荷有效负电荷;“”表示表示有效零电荷有效零电荷有效零电荷有效零电荷。现在学习的是第57页，共207页58以以 MX MX 离子晶体离子晶体离子晶体离子晶体为例（为例（M2；X2 ）：）：（1）空位空位空位空位：V VMM表示表示M原子占有的位置，在原子占有的位置，在M原

33、子移走后原子移走后出现的空位；出现的空位；V VX X表示表示X原子占有的位置，在原子占有的位置，在X原子移走后出现原子移走后出现的空位。的空位。现在学习的是第58页，共207页59写作写作在离子化合物在离子化合物NaCl 晶体中，如果取走一个晶体中，如果取走一个NaNa+，晶格中多了一个晶格中多了一个e e，形成带电的空位形成带电的空位Va。现在学习的是第59页，共207页60在离子化合物在离子化合物NaCl 晶体中，如果取出一个晶体中，如果取出一个ClCl，那么氯空位上就留下一个电子空穴那么氯空位上就留下一个电子空穴(h h.)，即即：现在学习的是第60页，共207页61(2)填隙原子填隙

34、原子用下标用下标“i”表示表示 Mi 表示表示M原子进入间隙位置；原子进入间隙位置；Xi 表示表示X原子进入间隙位置。原子进入间隙位置。现在学习的是第61页，共207页62MX 表示表示M原子占据了应是原子占据了应是X原子正常所处原子正常所处的平衡的平衡 位置。位置。X XMM表示表示原子占据了应是原子占据了应是原子正常所处的原子正常所处的平衡平衡 位置。位置。（3）错位原子）错位原子现在学习的是第62页，共207页63（4）杂质原子）杂质原子LM 表示溶质表示溶质L占据了占据了M的位置。的位置。如：如：CaNa SX 表示表示S溶质占据了溶质占据了X位置。位置。现在学习的是第63页，共207

35、页64（5）自由电子及电子空穴：）自由电子及电子空穴：有些情况下，价电子在有些情况下，价电子在光、电、热的作用光、电、热的作用光、电、热的作用光、电、热的作用下可以下可以在晶体中运动，原固定位置称作在晶体中运动，原固定位置称作自由电子自由电子自由电子自由电子（符号（符号e e）。）。同样也可以出现同样也可以出现缺少电子缺少电子缺少电子缺少电子，而出现，而出现电子空穴电子空穴电子空穴电子空穴（符号（符号h h.),),它不属于某个特定的原子位置。它不属于某个特定的原子位置。现在学习的是第64页，共207页65（6）带电缺陷）带电缺陷不同价态离子之间的取代不同价态离子之间的取代:如：如：Ca2+取

36、代取代Na+Ca Na Ca2+取代取代Zr4+CaZr现在学习的是第65页，共207页66在晶体中，除了单个缺陷外，有可能出现邻近在晶体中，除了单个缺陷外，有可能出现邻近两个缺陷互相缔合，把两个缺陷互相缔合，把发生缔合的缺陷发生缔合的缺陷发生缔合的缺陷发生缔合的缺陷用小括号表用小括号表示，也称示，也称复合缺陷复合缺陷复合缺陷复合缺陷。(7)缔合中心缔合中心现在学习的是第66页，共207页67在离子晶体中，带相反电荷的点缺陷之在离子晶体中，带相反电荷的点缺陷之间，存在一种间，存在一种有利于缔合有利于缔合有利于缔合有利于缔合的库仑引力。的库仑引力。如：在如：在NaCl晶体中，晶体中，现在学习的是

37、第67页，共207页682.书写点缺陷反应式的规则书写点缺陷反应式的规则(1)(1)位置关系位置关系位置关系位置关系;(2)(2)位置增殖位置增殖位置增殖位置增殖(3)(3)质量平衡；质量平衡；质量平衡；质量平衡；(4)(4)电中性电中性电中性电中性(5)(5)表面位置表面位置表面位置表面位置现在学习的是第68页，共207页69K:Cl=2:2Al:O=2:3（1 1）位置关系）位置关系）位置关系）位置关系 对于对于计量比化合物计量比化合物计量比化合物计量比化合物（如（如NaCl、Al2O3），），在缺陷在缺陷反应式中，作为反应式中，作为溶剂溶剂溶剂溶剂的晶体所提供的的晶体所提供的位置比例应保

38、位置比例应保位置比例应保位置比例应保持不变持不变持不变持不变，但每类，但每类位置总数位置总数位置总数位置总数可以改变。可以改变。例：例：现在学习的是第69页，共207页70对于对于非化学计量比化合物非化学计量比化合物非化学计量比化合物非化学计量比化合物，当存在气氛不同时，当存在气氛不同时，原原原原子之间的比例子之间的比例子之间的比例子之间的比例是改变的。是改变的。例：例：TiO2 由由 1:2 变成变成 1:2x (TiO2x )现在学习的是第70页，共207页71 (2)位置增殖位置增殖形成形成SchttkySchttky缺陷缺陷缺陷缺陷时，增加了位置数目。时，增加了位置数目。能引起位置增殖

39、能引起位置增殖能引起位置增殖能引起位置增殖的缺陷：空位的缺陷：空位(VM)、错位错位(VX)、置置换杂质原子换杂质原子(MX、XM)、表面位置表面位置(XM)等。等。现在学习的是第71页，共207页72不发生位置增殖的缺陷不发生位置增殖的缺陷不发生位置增殖的缺陷不发生位置增殖的缺陷：e/,h.,Mi,Xi ,Li等。等。当表面原子迁移到内部与空位复合时，则减少了位置数当表面原子迁移到内部与空位复合时，则减少了位置数目（目（MM、XX）。）。现在学习的是第72页，共207页73(3)质量平衡质量平衡 参加反应的原子数在方程两边应相等参加反应的原子数在方程两边应相等(4)电中性电中性 缺陷反应两边

40、总的有效电荷必须相等。缺陷反应两边总的有效电荷必须相等。现在学习的是第73页，共207页74(5)表面位置表面位置 当一个当一个MM原子原子原子原子从从晶体内部晶体内部迁移到迁移到表面表面时，用符号时，用符号MMS S表示，其中，表示，其中，S 表示表面位置。表示表面位置。在缺陷化学反应中表面位置一般不特别表示。在缺陷化学反应中表面位置一般不特别表示。现在学习的是第74页，共207页75小结小结（1）缺陷符号）缺陷符号缺陷的有效电荷是相对于缺陷的有效电荷是相对于基质晶体的结点位置基质晶体的结点位置基质晶体的结点位置基质晶体的结点位置而言的，常用而言的，常用“.”、“”、“”表示正、负表示正、负

41、电荷及电中性。电荷及电中性。现在学习的是第75页，共207页76Na+在在NaCl晶体正常位置上（应是晶体正常位置上（应是Na+占据占据的点阵位置），不带有效电荷，也不存在缺陷。的点阵位置），不带有效电荷，也不存在缺陷。现在学习的是第76页，共207页77杂质离子杂质离子Ca2+取代取代Na+位置，比原来位置，比原来Na+高高+1价价电荷，因此与这个位置上应有的电荷，因此与这个位置上应有的+1电价比，缺陷带电价比，缺陷带1个有效正电荷。个有效正电荷。杂质离子杂质离子K+与占据的位置上的原与占据的位置上的原Na+同价，同价，所以不带电荷。所以不带电荷。现在学习的是第77页，共207页78K的空位

42、，对原来结点位置而言，少了一个正的空位，对原来结点位置而言，少了一个正电荷，所以空位带一个有效负电荷。电荷，所以空位带一个有效负电荷。杂质杂质Ca2+取代取代Zr4+位置，与原来的位置，与原来的Zr4+比，少比，少2个正电荷，即带个正电荷，即带2个有效负电荷。个有效负电荷。现在学习的是第78页，共207页79 表示表示 Cl-的空位，对原结点位置而言，少了一个负的空位，对原结点位置而言，少了一个负电荷，所以空位带一个有效正电荷。电荷，所以空位带一个有效正电荷。计算公式：计算公式：有效电荷有效电荷现处类别的既有电荷现处类别的既有电荷完整晶完整晶体在同样位置上的电荷体在同样位置上的电荷现在学习的是

43、第79页，共207页80（2）每种每种缺陷都可以看作是一种物质缺陷都可以看作是一种物质缺陷都可以看作是一种物质缺陷都可以看作是一种物质，离子空位与，离子空位与空穴空穴(h。)也是物质，空位是一个零粒子。也是物质，空位是一个零粒子。现在学习的是第80页，共207页813 写缺陷反应举例写缺陷反应举例 （1）CaCl2溶解在溶解在KCl中中表示表示KCl作为溶剂。作为溶剂。以上三种写法均符合缺陷反应规则。以上三种写法均符合缺陷反应规则。实际上（实际上（11）比较合理。）比较合理。现在学习的是第81页，共207页82（2）MgO溶解到溶解到Al2O3晶格中晶格中（15较不合理。因为较不合理。因为Mg

44、2+进入间隙位置不易发生。进入间隙位置不易发生。现在学习的是第82页，共207页83 练习练习练习练习 写出下列缺陷反应式：写出下列缺陷反应式：(1)MgCl2固溶在固溶在LiCl晶体中晶体中(产生正离子空位，生成置换型产生正离子空位，生成置换型SS)(2)SrO固溶在固溶在Li2O晶体中晶体中(产生正离子空位，生成置换型产生正离子空位，生成置换型SS)(3)Al2O3固溶在固溶在MgO晶体中晶体中(产生正离子空位，生成置换型产生正离子空位，生成置换型SS)(4)YF3固溶在固溶在CaF2晶体中晶体中(产生正离子空位，生成置换型产生正离子空位，生成置换型SS)(5)CaO固溶在固溶在ZrO2晶

45、体中晶体中(产生负离子空位，生成置换型产生负离子空位，生成置换型SS)现在学习的是第83页，共207页84 三）三）热缺陷浓度计算热缺陷浓度计算 若是若是单质单质晶体，则形成热缺陷浓度的计算式为：晶体，则形成热缺陷浓度的计算式为：若是若是MX二元离子晶体的二元离子晶体的Schttky缺陷，因为正离子空位缺陷，因为正离子空位和负离子空位同时出现，故热缺陷浓度的计算式为：和负离子空位同时出现，故热缺陷浓度的计算式为：现在学习的是第84页，共207页85四）四）点缺陷的化学平衡点缺陷的化学平衡 缺陷的产生和回复是动态平衡，可看作是一种化学平衡。缺陷的产生和回复是动态平衡，可看作是一种化学平衡。1、F

46、ranker缺陷缺陷：如：如AgBr晶体中晶体中 当缺陷浓度很小时，当缺陷浓度很小时，因为因为填隙原子与空位成对出现填隙原子与空位成对出现填隙原子与空位成对出现填隙原子与空位成对出现，故有，故有现在学习的是第85页，共207页86(2)SchttySchtty缺陷：缺陷：缺陷：缺陷：例：例：MgO晶体晶体现在学习的是第86页，共207页87五）缺陷缔合与色心五）缺陷缔合与色心1 1、缺陷的缔合、缺陷的缔合 中性或荷电的各种中性或荷电的各种孤立的缺陷孤立的缺陷(如取代原子和间隙原如取代原子和间隙原子子,杂质缺陷和本征缺陷等杂质缺陷和本征缺陷等)在整个晶体中杂乱无序地在整个晶体中杂乱无序地分布着分

47、布着,它们有机会使得两个或更多的缺陷可能会占它们有机会使得两个或更多的缺陷可能会占据着据着相邻的格位相邻的格位。这样，它们就可以相互缔合，形成缺。这样，它们就可以相互缔合，形成缺陷的缔合体。陷的缔合体。缺陷浓度低时，这种相邻缺陷的缔合数就少。缺陷浓度低时，这种相邻缺陷的缔合数就少。现在学习的是第87页，共207页88 各种缺陷之间最重要的吸引力是具有各种缺陷之间最重要的吸引力是具有异性电荷缺陷异性电荷缺陷之之间的库仑力。如间的库仑力。如KClKCl中中杂质缺陷杂质缺陷和起平衡作用的和起平衡作用的本征缺陷本征缺陷就就以库仑力相互吸引，产生以库仑力相互吸引，产生 其中，其中，E E为两个缺陷间的相

48、互作用能。为两个缺陷间的相互作用能。在在低温低温下以及没有下以及没有动力势垒动力势垒的情况下，容易产生缔合的情况下，容易产生缔合缺陷；反之温度越高，则缔合缺陷的浓度也越小。缺陷；反之温度越高，则缔合缺陷的浓度也越小。现在学习的是第88页，共207页89 缔合缺陷缔合缺陷的物理性质不同于组成它的各种的物理性质不同于组成它的各种单一缺陷单一缺陷性质的性质的加和，因此，应该把加和，因此，应该把缺陷缔合体缺陷缔合体看作是一些新的缺陷成分，看作是一些新的缺陷成分，有时也称为缔合中心。有时也称为缔合中心。缔合缺陷和单一缺陷一样，也可以缔合缺陷和单一缺陷一样，也可以在禁带中在禁带中造成局造成局域空的或占满的

49、电子能级。域空的或占满的电子能级。缺陷的缔合除发生在缺陷的缔合除发生在取代杂质取代杂质和和空位缺陷空位缺陷之间之外，之间之外，还可发生在还可发生在空位缺陷空位缺陷与与空位缺陷空位缺陷之间、之间、杂质杂质与与间隙原子间隙原子之间等。之间等。现在学习的是第89页，共207页90 例如例如在在AgClAgCl中中在在CdFCdF2 2中中在在ZnSZnS中中在在CaCa4 4(PO(PO4 4)2 2F F2 2中中现在学习的是第90页，共207页91 缺陷缔合的途径：缺陷缔合的途径：A、缺陷的缔合主要是通过单一缺陷之间的缺陷的缔合主要是通过单一缺陷之间的库仑引力库仑引力来来实现的实现的 B、偶极矩

50、的作用力偶极矩的作用力、共价键的作用力共价键的作用力以及以及晶格的弹晶格的弹性作用力性作用力，也可以使缺陷发生缔合。，也可以使缺陷发生缔合。现在学习的是第91页，共207页922、色心、色心 原来专门指原来专门指碱金属卤化物碱金属卤化物晶体中固有的各类晶体中固有的各类点缺陷点缺陷的缔合体的缔合体，现在已把它用于，现在已把它用于使绝缘体着色使绝缘体着色的包括杂质在的包括杂质在内的所有缺陷。内的所有缺陷。碱金属卤化物碱金属卤化物晶体中的晶体中的导带导带能级和能级和价带价带能级之间带能级之间带隙的典型值为隙的典型值为910 eV，具有适当能量的光子可使卤离具有适当能量的光子可使卤离子子释放出电子释放