（新课标适用）2013年高中物理 专题02 磁场（二）试题 选修3-1.doc

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1、（新课标适用）2013年高中物理 专题02 磁场（二）试题 选修3-1选择题101（2013长春市四模）某同学家中电视机画面的幅度偏小，维修的技术人员检查后认为是显像管出了故障，显像管如图甲所示，L为偏转线圈，从右向左看截面图如图乙所示。引起故障的原因可能是A加速电场的电压过大,电子速率偏大B电子枪发射能力减弱,电子数减少C偏转线圈的电流过大,偏转磁场增强D偏转线圈匝间短路,线圈匝数减小 2（2013安徽省黄山市一模）如图所示，半径为r的圆形空间内存在着垂直于纸面向外的匀强磁场，一个带电粒子(不计重力)从A点以速度v0垂直于磁场方向射入磁场中，并由B点射出，且AOB120，则该粒子在磁场中运动

2、的时间为()A.B. C. D.3（2013年3月北京市东城区联考）如图4所示，一束质量、速度和电荷量不全相等的离子，经过由正交的匀强电场和匀强磁场组成的速度选择器后，进入另一个匀强磁场中并分裂为A、B束，下列说法中正确的是()。A组成A、B束的离子都带负电B组成A、B束的离子质量一定不同CA束离子的比荷大于B束离子的比荷D速度选择器中的磁场方向垂直纸面向外4. （2013北京市门头沟区模拟）如图所示，有理想边界的匀强磁场方向垂直纸面向外，磁感应强度大小为B,某带电粒子的比荷（电荷量与质量之比）大小为，由静止开始经电压为U的电场加速后，从O点垂直射入磁场，又从P点穿出磁场。 下列说法正确的是（

3、不计粒子所受重力）PKUcbadBOA如果只增加U，粒子可以从dP之间某位置穿出磁场B如果只减小B，粒子可以从ab边某位置穿出磁场C如果既减小U又增加B，粒子可以从bc边某位置穿出磁场D如果只增加k，粒子可以从dP之间某位置穿出磁场5 (2013北京朝阳区期末)如图所示，一个静止的质量为m、电荷量为q的粒子（重力忽略不计），经加速电压U加速后，垂直进入磁感应强度为B的匀强磁场中，粒子打到P点，OP=x，能正确反映x与U之间关系的是Ax与U成正比Bx与U成反比Cx与成正比Dx与成反比6（2013广东汕头市期末） 如图, 一束带电粒子以一定的初速度沿直线通过由相互正交的匀强磁场（B）和匀强电场（E

4、）组成的速度选择器，然后粒子通过平板S上的狭缝P，进入另一匀强磁场（B），最终打在AlA2上下列表述正确的是 A. 粒子带负电B. 所有打在AlA2上的粒子，在磁场B中运动时间都相同C. 能通过狭缝P的带电粒子的速率等于D. 粒子打在AlA2上的位置越靠近P，粒子的比荷越大7（2013河南名校质检）图甲是回旋加速器的原理示意图其核心部分是两个D形金属盒，在加速带电粒子时，两金属盒置于匀强磁场中(磁感应强度大小恒定)，并分别与高频电源相连加速时某带电粒子的动能Ek随时间t的变化规律如图乙所示，若忽略带电粒子在电场中的加速时间，则下列判断正确的是()A在Ekt图象中t4t3t3t2t2t1B高频电

5、流的变化周期应该等于tntn-1C粒子加速次数越多，粒子获得的最大动能一定越大DD形盒的半径越大，粒子获得的最大动能越大8.（2013黑龙江省牡丹江市联考）导体导电是导体中的自由电荷定向移动的结果，这些可以移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是自由电子。现代广泛应用的半导体材料可以分成两大类，一类是N型半导体，它的载流子为电子；另一类为P型半导体，它的载流子是“空穴”，相当于带正电的粒子。如果把某种材料制成的长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与前后侧面垂直。长方体中通入水平向右的电流，测得长方体的上、下表面M、N的电势分别为UM、UN，则该种材料 A如果是P型半导体，有UMU

6、NB如果是N型半导体，有UMUNC如果是P型半导体，有UMUND如果是金属导体，有UMUN填空实验题9.（6分）（2013上海市虹口区期末）如图（a）所示，为某磁敏电阻在室温下的电阻磁感应强度特性曲线，测试时，磁敏电阻的轴向方向与磁场方向相同。（1）试结合图（a）简要回答，磁感应强度B在00.2T和0.41.0T范围内磁敏电阻的阻值随磁场变化的特点：_ _。（2）某同学想利用磁敏电阻图（a）所示特性曲线测试某长直导线产生的磁场，设计电路如图（b）所示，磁敏电阻与电键、电源和灵敏电流表连接，长直导线与图示电路共面并通以图示电流，请指出本实验装置的错误之处_。若装置调整正确后再进行测量，电路中所用

7、干电池的电动势为1.5V，不计电池、电流表的内阻，试写出磁敏电阻所在磁场的磁感应强度B从0.4T至1.2T的变化过程中，通过磁敏电阻的电流强度IA随磁感应强度B变化的关系式：_。 10.（2013河北省石家庄市二模）霍尔元件可以用来检测磁场及其变化。图甲为使用霍尔元件测量通电直导线产生磁场的装置示意图。由于磁芯的作用，霍尔元件所处区域磁场可看作匀强磁场。测量原理如乙图所示。直导线通有垂直纸面向里的电流。霍尔元件前、后、左、右表面有四个接线柱，通过四个接线柱可以把霍尔元件接入电路。所用器材已在图中给出。部分电路已经连接好。为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B；（1）制造霍尔元件的半导体参与导电的

8、自由电荷带负电，电流从乙图中霍尔元件左侧流入，右侧流出，霍尔元件 （填“前表面”或“后表面”）电势高。（2）在图中画线连接成实验电路图。（3）已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为n，每个自由电荷的电荷量为e，霍尔元件的厚度为h，为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B，还必须测量的物理量有 （写出具体的物理量名称及其符号），计算式B= 。计算题11（18分）（2013北京市海淀区质检）如图11所示，是电视显像管工作原理图。炽热的金属丝发射出电子，在金属丝k和金属板M之间加一电压U，使电子在真空中加速后，从金属板的小孔C穿出，进入有界abcd矩形匀强磁场，经匀强磁场射出后，打在荧光屏上，荧光屏被电子束

9、撞击而发光。已知电子的比荷C/kg，匀强磁场的磁感应强度B=1.010-4T，磁场的长度l=12cm，磁场的右边界距离荧光屏L=15cm。加速电压U=20V时，电子恰好从有界匀强磁场的右下角c点飞出。不计电子间的相互作用及重力影响。求：（1）电子射入磁场时的速度大小；（2）电子在磁场中运动的轨道半径；（3）电子打在荧光屏上的亮点与荧光屏中心O点的距离。12（2013广州市三模）如图所示，两平行金属板E、F之间电压为U，两足够长的平行边界MN、PQ区域内，有垂直纸面向外的匀强磁场，磁感应强度为B.一质量为m、带电量为+q的粒子（不计重力），由E板中央处静止释放，经F板上的小孔射出后，垂直进入磁场

10、，且进入磁场时与边界MN成60角，最终粒子从边界MN离开磁场.求：（1）粒子在磁场中做圆周运动的半径r；（2）两边界MN、PQ的最小距离d；（3）粒子在磁场中运动的时间t.13（20分）（2013天津市五区调研）如图为实验室筛选带电粒子的装置示意图，竖直金属板MN之间加有电压，M板有一电子源，可不断产生速度可忽略不计的电子，电子电荷量为e，质量为m，N板有一与电子源正对的小孔O。金属板的右侧是一个半径为R的圆筒，可以围绕竖直中心轴逆时针转动，圆筒直径两端的筒壁上有两个正对的小孔O1、O2两孔所需要的时间是t=0.2s。现圆筒内部有竖直向下的磁场，磁场磁感应强度B=。圆筒匀速转动以后，凡是能进入

11、圆筒的电子都能从圆筒中射出来。试求：（1）金属板MN上所加电压U的大小（2）圆筒转动的最小角速度（3）若要求电子从一个孔进入圆筒后必须从另一个孔射出来，圆筒转动的角速度多大？14. （18分）（2013江西省景德镇三模）如图所示，质量为m、带电量为q的离子沿垂直于磁场方向射入磁感应强度为B0的匀强磁场中。在垂直穿过图中标号为0的薄板后，圆运动的半径减小为原来的（k1），此薄板的厚度为d0.以后它又将连续垂直穿过标号为1、2、3、等同样材料的薄板（各板间均有与B0方向相同的匀强磁场且离子在穿过薄板时受到的阻力大小相等），并且要求每穿过一板后的速度为穿过前的，而圆运动的半径保持不变。这就需要各板厚度不同和各相邻两板间的磁场的磁感应强度不同。运动中离子电量保持不变，各薄板平面均通过圆心O，板间夹角均为,.求：（1）求;（2）第2块薄板厚度；（3）离子在第0块到第10块薄板间磁场中运动的时间 （离子穿过板的时间可忽略不计）。13