数字、数模混合芯片的设计与验证.pdf
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1、中山大学硕士学位论文数字、数模混合芯片的设计与验证姓名:任童申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:陈弟虎20070609中山大学硕。学位论义摘要与数字系统工艺兼容、功耗面积筹指标优化的高 生能模数转换a(A D)是片上系统(s o c)中非常重要的单元。基于标准C M O S 工艺的高速、高分辨率、低功耗的A D 转换器的研究正日益受到熏视。流水线结构A D 转换器的优越性是在保诞高速工作的同瞬,可实现8 位以上高分瓣率,并虽大大减少了 较器个数,从瓤减少了面积,降低了功耗。针对上述需求,该论文完成了1 5 比特每级流水线结构A D 转换器的单元电路设计。本文主要深入进行了以下
2、几方丽工作:设计了适合本课题性能要求的折鼹级联(f o l d e dc a s c a d e)跨导运算放大器(O T A);采槎保持电路设计采用了电赛底极叛采样技术,有效地避免了电荷注入效应引起的采样信号失真,而且消除了时钟馈通效应的不良影晚:设计了种动态臣较器窳提高速度和降低功耗。本文中的电路均是基于5 v 单电源供电的C M O S 工艺,并利用S p e c t r e 模拟软件,采用C S M C0 6 口mC M O S 双多晶双金属工艺模型进行了模拟仿真。绪采表明,运放的开环增益为7 4 d B,相位裕度为5 0 度,单位增益带宽为5 0 M H z。采用该结构可实现9 级l
3、O 位分辨率,采样频率为2 M 的流水线型模数转换器。此外,本文还设计了一教家电类拄制芯片一多士炉(面包烤箱)控制器专用芯片。芯片内部包括震荡电路、逻辑控制和分频电路三个模块,芯片功能主黉实现多士炉的烘烤定时控制。芯片采用0 5 掣mC M O S 工艺进行设计,是一款数模混合芯片。论文给出了芯片的全部设计方案与仿真结果,并对最终流片后的芯片进行测试,结果袭明设计芯片可以实现所蠢功能并稳定工作,是一个确实可行的A S I C 设计方案。关键词:模数转换器,流水线,数模混合j 卷片,专用芯片,多士炉中山大学硕1 学位论文A B S T R A C TT e c h n o l o g yc o
4、m p l i a b l e p e r f o r m a u c eo p t i m i z e dA Dc o n v e r t e r(A D C)i sa ni m p o r t a n tb u i l d i n gb l o c ka st h eb r i d g eo ft h ea n a l o gw o r l dt ot h ed i g i t a ls e c t i o ni nS O C I ti Si m p o r t a n ta n dn e c e s s a r yt or e s e a r c hA D Cw i mh i 妫s p
5、e e d、h i 球r e s o l u t i o n、l O Wp o w e rd i s s i p a t i o nb ya d o p t i n gs t a n d a r dC M O Sp r o c e s s 强ep i p e l i n e dA D Cc a na c h i e v eh i 曲s p e e da n dh i 曲r e s o l u t i o n F u r t h e r m o r e t h en u m b e ro fc o m p a r a t o r sw i l lb ed e c r e a s e d S Ot
6、 h ea r e ai sd e c r e a s e d I nt h i sd e s i g n。w ei n t r o d u c et h eu n i tc i r c u i t so f p i p e l i n e dA D CW h i c hi sa1 5-b i tp e rs t a g ew i t h9s t a g ea n dd i g i t a lc o r r e c t i o nt e c h n i q u e H i 曲s p e e da n dh i 曲g a i na r ea c h i e v e db yas i n g l
7、es t a g ef o l d e dc a s c a d eO T Ac o n s u m i n gv e r yl o wp o w e r T h es a m p l ea n dh o l dc i r c u i ti se m p l o y e db yt h eb o t t o mp l a t es a m p l i n gt e c h n i q u e,w h i c hc o u l dn o to n l yc a n c e lt h ec h a r g ei n j e c t i o ne r r o rb u ta l s oe l i m
8、 i n a t et h ee f f e c to fc l o c kf c e d t h r o u 出A n dat y p eo fd y n a m i cv o l t a g ec o m p a r a t o ri su s e dt oi m p r o v es p e e da n dd e c r e a s ep o w e r T h ek e ye e l l so fA D Ch a v eb e e ns i m u l a t e di n0 6 9 mC M O Sd o u b l ep o l yd o u b l em e t a lp r
9、o c e s sm o d e lb yC a d e n c e S p e c t r e B yt h e o r ya n a l y s i sa n ds i m u l a t i o n,t h ed cg a i no ft h ea m p l i f i e ri s7 4 d B。t h eg a i n-b a n d w i d t hi s5 0 M H z,a n dt h i sa r c h i t e c t u r eC a nr e a l i z e9 S t a g e,1 0b i t,2 M s a m l e sp i p e l i n
10、e dA Dc o n v e r t e LO nt h eO t h e rh a n d t h i sP a p-e ra l s od e s c r i b e da nA S I Cd e s i g no ft o a s t e rc o n t r o l l e r,T h i sC M o SL S IC h i Pi su s e df o rb a k i n gb r e a d b e s i d e sn a t u r a lc a l e f a c t i o n i ta l s oo f f e r st h ef u n c t i o n sl
11、i k er e h e a t i n ga n dd e f r o s t i n g A n di ti sc o m p o s e db yc o n t r o l l e rp a r t,s y s t e mo s c i l l a t o rp a r ta n df r e q u e n c yd i v i d e rp a r t T h ec i r c u i td e s i g n、s i m u l a t i o na n dt h el a y o u td e s i g nu s i n gt h em o d e lo f0 5 9 mC M
12、 O Sp r o c e s sa r ep r e s e n t e di nt h i sd e s i g n T h eA S I Ci st a p e do u ta n dt h ec h i pt e s tr e s u l ts h o w st h ef u n c t i o no f t h i sp r o d u c ti Sc o r r e c ta n ds t e a d v K e yw o r d s:A D C,p i p e l i n e,m i x e dI C,A S I C,t o a s t e r1 I中出大学硕士学位论文第一蠢绪论
13、售怠产业是2 l 擞纪毽器经济黪囊导产韭帮变程产韭。微彀乎产监是售崽产堑盼基础,它影响面广,后续产业链长,具有极为菔要的战略绝位。更有学者把半导体工业总产值与国民生产总值之比达O 5 作为人类进入信息化社会的标志。由兹可霓徽惫子产业熬发矮瘩乎已成建爨量一个嚣家综会重力戆薰要标志之一,瑟集成屯路产业则是微电子产业的基础、龙头与梭一妇。本章在介绍集成电路发展概况的基础上,指出本论文的研究背撩与意义,并介绍了论文的设计流程,最后是论文各拳蕊蠹容斡其体安捧。1。1 集成电路发展概况人类已进入了以信息网络为核心的“新经济”时代。而以计算机和通讯为依托戆“粼终0 其生存秘每一步发震都褰不舞集黢毫爨葱冀技叁
14、戆支持与凳麟。霜美国经济学家罗伯特丹玛斯的话来说:“互联嗣潦实上是一种全球范围的半母体网”。集成电路产业已缀成为了当今世界发展最为迅速和竞争最为激烈的产蛾。白麸1 9 5 9 攀整器主第一块集藏电黪(轴键鼹t 醛c i 瓣I C)在美瓣瓣德强纹嚣公霉(T 髓a sI n s t r u m e n t s,嘲和西屋电气公N(W e s t n g h o u s eE l e d r i c)诞生以来,集成电路技术以惊人的速度发展。集成电路经历了小规模I C(S S D,巾规模I C(I V l S D、大援横I C(L S D、超大筑揍I C(V L S I)帮褥大矮模I C(U L S D
15、 豹苓弱狳段,集成惫鼹夔I I=能(高集成度、高速度和低功耗等)迅速提高。I c 发展各阶段的主要特征如袭l-l所示擎凌1 9 6 5 年,I n t o l 公霉熬蘩始入之一葛壤。簿 繁(G o r d o nE M o o r e)囊J l 害落攀导体芯片中晶体管数目每两年大约翻一番,其性能墩将翻倍。邀匈话被人们称为摩尔定律。出集成电路发展的历史来瓣,其制作工憩中的特征线浇,则相对威的每过一我缭参3 0。过去熬足卡年戮来,集残毫爨戆发震蔻手宪全按照摩零寇壤,根据乐观的估计,这样的发展势头遥熏维持l O 到2 0 年【l】以最为常见的个人计孛由天学矮l 学纯论支算机的微处理器为例,I n t
16、 e l 公闭生产的3 2 能微处理器P c n f i u m 4,其蕊片内集成豹磊钵管鼗曩已缀越过了4 2 J (I n t e lP e n t i u m 43 0 6 6 弱俸警数强已经达到了5 5 0 0 片)。目前商北化半导体芯片制造技术的主流是O 1 8 p m O 1 3 F m 的线宽,预计今后将很快发展到0 0 6 a l n 甚至更小。从表1 1、表l 以中我们可以清楚看到随着铡造工艺不断提高,线宽邀速减小,蕊盼上集成的鑫体管的数蠢不酝增麓,芯片渐积不断增大。而I C 在性能迅速提高的同时,价格却迅速降低。隧着微电子技术戆不断避步,集成电路仍在高速发展。当前集成魄鼹发展
17、有两个童要方向,一楚依靠加工特征线宽的不断缩小使集成密度和速度不断提高,功耗不断降低,以制作出功能嫩强、性能更好、用途更广的I c 芯片;=是向系统芯片(S y s t e m0 1 1aC h i p,S 囤豹方自发展翻,帮单一芯靖戆功能翼趋溅犬。疆着C M O S 工艺的进步,由于C M O s 电路的低成本、低功耗以及速度的不断提高,C M O S 模拟电路设计的不断进步,C M O S 技术己被证明怒实现S O C 的最好选择。摸羧惫鼹是S O C 孛不霹蔌少熬郝分。垂予器穆足寸不颧壤小耪低电源懑蓬、诋珐耗等黉求,模拟C M O S 集成电路设计在不断地发展,在S O C 中变得越来越
18、重要。表1-1 集成电路发腥箨阶段的特征教旋除段1 9 6 6 年1 9 7 1 年1 9 8 0 艇1 9 9 0 年毅麓主要特征M S lL S lV L S IU L S I元r I:数芯片1 0 2 1 0 31 0 3 1 0 5l 矿l O71 0 7 1 0 9特链线鬻(芦m)|0 SS 33 l l速度功耗(tJ)l O”l O1 0 1l t 07 l O:栅氧化滕厚度(n m)1 2 0 1 0 01 0 0 4 04 0 1 51 5 1 0结深(掣m)2 1 21。2 O 50 5 4 0 20 2 O 1芯冀舔积(m 夸、N a t i o n a lS e m i
19、c o n d u c t o r(溪容拳导 勤。T l 在2 0 0 0 年成功收赡了巴尔布朗公司(B u r r-B r o w nc o r p o r a t i o n)。成为全球高性能数据转换器的主要供应商。A D I 公司将高电压半导体工艺与亚微米C M O S(互李 金鬓氧证蘩等簿髂)雾互李 双投鍪工艺穗绥会,嚣发出多秘多襻毫蛙戆簇羧集残电路,这些I C 不仅采用小封装鼹有承受3 0 V 工作电压的能力,同时提黼了性能,而且龌著降低了功耗。除此之外,还有M A X I M(美信)、M O T O R O L A(麟托罗拉)、F a i r e h i l d(4 f l l 耋
20、、N E C(基本电气、H i t a c h i(R 黢)等公主l 凌蠢各垂豹A D 产鑫。4串出大学硕士学位论文在学术界己研发出最高分辨率为2 4 位的A D 转换器;从采样速率角发看,霹毫这2 0 0 M S P S。魄翔S h a t i qM。J a m a l 等在2 0 0 1 年采薅势联多遥遒流承线缭构研发出1 0 位,2 0 0 M S P S 采样速率的A D 转换器嗍;Y u n C h i u 等在2 0 0 4 年采用电容误差乎均技术移嵌襄C M O S 增熬绳毫技术,磷发出1 4 霞,浆榉速率兔1 2 M S P S的A D 转换器【4】;C a r l RG r
21、a c e 等猩2 0 0 5 年采用B o o t s t r a p p e d 数字校正技术克服了A D 恒定闭环增菇误差和有限转化速率的问题,研发出1 2 位,采样速率为8 0 M S P S 豹A D 转抉器溺;J i p e n g 瓢d 在2 0 0 5 年袋麓0 9 V 低瓣工艺骚发爨渤耗仅有1 2 m W,无寄生动态杂散范围达到7 7 d B 的A D 转换器砸】这些A D 转换器的舔发圣莞骥A D 不錾自麓褒邃、裹糖度、低电压帮低磅耗戆方翔发震。国内模数转换器和数模转换器的发展起步较晚。但是近馨来也引起了熏视,目前半鼯体生产工艺技术的不断进步,2 0 0 0 年膝,国内也迅
22、速建立了十多家弧微米、深鞭微米豹工艺线,对我国自纷设谤有垂蠢矮蓼 产投豹A D,D A 挺供T 霞利的流片条件。我国在单芹、混合及模块集成技术方面都投入了一定的科研力量,已研制出8、1 0、1 2、1 4、1 6 位的模数转换器和数模转换器产品戚样品舆型产瑟瘩平必:8 整模数转羧器静建立辩阕秀4 0 0 n s,1 0 位模数转羧嚣豹建立辩麓参手2 5 a s(如S A D 5 7 1),1 2 1 6 位的模数转换器的转换时间可达z s 爨级啊但怒能进入商品市场批量供应用户需求的产鼎则不多。表l-3 为国内研究机构的最薪避展:表l-3 部分嚣内模数转捺嚣掰发逶震机构性能结构避E 展东南大掌l
23、 o b i t 4 0 MP i p e l i n e C M O S求宠成清华大学1 3 b i 5 MP i p e l i n e C M O S穗完成清华大学1 6 b i t5 娜O K 带宽S i g m a-d e l t aC M O S来完成复B-大学l o b i l3 3 MP i p e l i n e C M O S憋完成掰;玉,嚣前发达溺家对高速数据转换器的研究开发已经达到了很高静窳平,国内在这方面的研发水平与国外相比还比较落后,这极大的限制了我国在集成电路设诗尤其是系统集成方瑟鲍发展,并且对于嚣家信患安全墩楚很大的威胁,获们急需加强在这个领域静研究在论文期阔所
24、徽豹这些探讨饿研究希望能够对高速、高精度模数转换器的设计起到一定借鉴作用。5串垂凡学硕一l“学链论文I 3 2 流水线结构模数转换器的发展前景谯A D 转换器的设计中,速度、精度、功耗和芯片藏袄是几个最熏爱的约束条件,它们之间存在相互联系、相互制约的辩证关系。任何一种体系绪构的A D转换嚣都无法谈上述靼令约衷条秽弱时达到簸绽,只链农囊弱之瓣辑衷。在凌诗一个转换器之前,酋先要根据系统的具体要求,在这几个约束条件之闯进行折衷,来决定采用哪一种体系结构,然后再对体系缡构和具体单元电路进行优化以达到最馕瞧戆。之所以选择流水线结构的A D 作为本文的研究对象,怒因为:从速鹰上考虑,全并行快闪型A D 转
25、换器具有最快的速度。但是随着转换位数的增加,其所用的毙较器赫兹嚣氇会惫裁瑷热捧l。裁蘧哭毒在辫婺裹逮盈怼精度要求苓舞豹壤琵下才使用全并行的快闪型A D 转换器;从精度上考虑,-a A D 转换器具有最高的精魔,面且由予其又具有低价格、高性能、具有集成化的数字滤波功熊、与D S P兼容瞧从而更容努集成等霞点,落诧得磊了广泛的应焉瞪j,是当前静研究热点。但是-A A D 转换器的工作速度不商,目前限于应用在裔频信号的处理中。滚水线结构A D 转换器最避发震褥攫迅速,它豹耱发簧毫予抉阅型A D 转换器,速度要高于A A D 转捩器,实现了速艨、精度、功耗及芯片面毂的最优组合。当前在市场上销售的应用予
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