高速PCB的电源完整性分析.pdf
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1、高速P C B 的电源完整性分析申伟,唐万明,王杨(重庆大学计算机学院重庆4 0 0 0 3 0)摘要:随着微电子技术的不断发展高速信号的上升沿越来越快,电源完整性已经成为高速互逢系统设计中不可忽略的问题。借助C a d e n c e 公司S Q P I 仿真软件,对高速P C B 进行电源完整性分析,可以指导并优化电源分配系统(P D S)设计,从而在设计阶段解决电源完整性问题。根据电源完整性问题的形成机理、影响因素,阐述了高速P C B 电源完整性解决办法。对电源分配系统设计具有指导作用。关键词:电源完整性;电源分配系统;同步开关噪声;退耦电容中图分类号:T N 8 6文献标识码:A文章
2、编号:1 0 0 4 3 7 3 X(2 0 0 9)2 4 2 1 3 0 6A n a l y s i so fP o w e rI n t e g r i t yf o rH i g h s p e e dP C BS H E NW e i,T A N GW a n m i n g,W A N GY a n g(C o l l e g eo fC o m p u t e rS c i e n c e,C h o n g q i n gU n i v e r s i t y,C h o n g q i n g 4 0 0 0 3 0,C h i n a)A b s t r a c t:W
3、i t ht h ed e v e l o p m e n to fm i c r o e l e c t r o n i c st e c h n o l o g y,t h er i s ee d g eo fh i g h s p e e ds i g n a li sm o r ef a s t P o w e ri n t e g r i t yh a sb e c o m ea np r o b l e mw h i c hc a nn o tb en e g l e c t e di nd e s i g no fh i g hs p e e di n t e r c o n n
4、 e c t i o ns y s t e m I tc a ng u i d ea n do p t i m i z et h ed e s i g no fP o w e rD i s t r i b u t i o nS y s t e m(P D S)b yu s i n gS Q P Is i m u l a t i o ns o f t w a r eo fC a d e n c eC o m p a n y,a n da n a l y s ep o w e ri n t e g r i t yo nh i g h s p e e dP C B A n di tc a ng i
5、v es o l u t i o nf o rp o w e ri n t e g r i t yi nt h ed e s i g np h a s e B a s e do nt h ep r i n c i p l ea n di n f l u e n c ef a c t o r so fp o w e ri n t e g r a t i o n,t h es o l u t i o nf o rh i g h s p e e dP C Bp o w e ri n t e g r a t i o ni ss t u d i e d T h i si sv a l u a b l e
6、t Og u i d et h eP D Sd e s i g n K e y w o r d s:p o w e ri n t e g r i t y;p o r v e rd i s t r i b u t i o ns y s t e m;S S N;b y p a s sc a p a c i t o r随着时钟和数据信号频率的增高和高速互连设计密度的增大。良好的电源分配成为了P C B 设计的一个主要挑战。当大量开关同时快速切换状态时。会在电源分配系统上产生纹波噪声。这个噪声会对周围的高速设备造成干扰,有可能引发芯片的误动作,如果没有足够稳定的电源支持,高速元件的行为将是不可预测的。
7、于是电源完整性的研究分析也应运而生,电源完整性分析主要讨论和解决电源供给的稳定性问题。1电压波动的危害对于理想的电源分配系统(P D S)(见图1),传输路径阻抗为零,在电源平面上任何一点的电位都是保持恒定并等于系统供给电压,而实际的电源分配系统由于各种噪声干扰的存在,电源分配系统上的电位会有波动,有时甚至很严重。影响系统的正常工作。电源不稳定的主要表现形式就是同步开关噪声(S S N),是指高速开关器件状态切换时产生的瞬态交变电流在经过回流路径上存在的电感时,形成的交流压降,所以也称为i 噪声。由于S S N 造成芯片地和系统收稿日期:2 0 0 9 0 5 一1 6地不一致的现象称为地反弹
8、(G r o u n dB o u n c e);由于S S N 造成芯片电源和系统电源不一致的现象称为电源反弹(P o w e rB o u n c e),所以S S N 包括地反弹噪声和电源反弹噪声。a)理想电源分配系统(b)实际电源分配系统图l电源分配系统在图2(a)中,驱动端发送的低电平受到地弹噪声的影响,在低电平上会出现相位与地弹噪声相同的噪声波形;在图2(b)中,驱动端发送的开关信号受到地弹噪声的影响。导致开关信号下降沿变缓。低电平信号开芙信号下降沿变缓一禽伊_ L 仑铲铲I)C o)图2 地弹噪声对驱动端信号的影响2 1 3躲咋删万方数据旦|囝囫【一虫叠董;童蓬竺堡塑鱼潼塞鍪壁坌
9、堑在图3(a)中。由于参考地上的地弹噪声,使得接收到低电平信号上出现相位与地弹噪声相反的噪声波形;在图3(b)中,如果电源反弹噪声的相位与地反弹噪声相反,会使高电平信号上噪声波形幅度加倍,严重时造成数据翻转。竺号命、卜竺挚气一坛铲一嚆1小小打开。A 是带频率补偿的放大器,使用参考电压来监测负载电压。当负载电压太高时,它利用开关和电感来降低电流。电压调节行为是非线性的,因为开关的打开和闭合与时间有关。对于良好的P D S 设计,非常希望有线性的V R M 模型。S Q P I 仿真工具运用四个参数对V R M 的行为建立S P I C E 模型如图5 所示。其中,R。为V R M 的输出电阻。L
10、。为V R M 的输出电感,Rn a t 为V R M 的等效串联电阻,L。l。为V R M 的输入电感,有内部晶体管特性决定,可以根据V R M 的技术参数对其进行估算,如果V R M 可以在时间t 内使电流上升到i,则:JJ L s l e。一V 半=(砜。p p l,V R T)等2电源分配系统的设计要求4电源地平面电源分配系统设计的关键是使P D S 的阻抗在一定频率范围内控制在目标阻抗以内,目标阻抗的表达式为:。=警式中:V s。p p l,是工作电压;V R T 是电压纹波容限;f|)y i。是系统的动态电流。P D S 阻抗保持在目标阻抗以下的频率范围应取到信号的屈膝频率(F k
11、 一=0 5 T,),因为截止频率代表了数字电路中能量最集中的频率范围,超过F。的频率对数字信号的能量传输没有影响。在P C B 板上,电源分配系统由电源模块、电源地平面、退耦电容组成。它们分别在不同的频率范围内做出响应。目标阻抗可以通过在目标频率范围内仔细考虑开关电源,退耦电容以及电源一地平面对等因素来实现。3 电压调节模块(V R M)电压调节模块是P C B 供电的源端,转换一个D C电压到另一个D C 电压。V R M 使用一个参考电压和反馈回路来监测负载电压从而调节输出电流,其原理如图4 所示。图4电压调节模块示意图图4 中,V i。为输入电压,假设恒定不变。当开关s。闭合时,电感L
12、,开始储存能量并向负载输送电流。如果L,上的电流超过负载需求,s。将打开,S。将闭合,电流继续向负载输送,并不断减小,直到S、重新闭合,S:2 1 4在中低频时,电源地平面对可当作一个理想电容来看待,其E S R 和E S L 都很小。在频率达到某一个高频段时,电源地平面对变成了一个谐振腔。等效为R L C 串并联电路,在谐振频率点附近,平面对的阻抗变得很大,从而引发电源完整性问题。电源地平面的等效模型如图6 所示。图5V R MS P I C E 模型图6电源地平面的等效模型对电源地平面的谐振特性可以通过建模仿真来分析。如图7 所示。5S S N 分析图7电源地平面谐振曲线5 1S S N
13、的计算同步开关噪声伴随着器件的同步开关输出(S S O)而产生,开关速度越快、电流回路的电感越大,则产生的S S N 噪声越严重,其基本表达式为:mV s s N=:L 咖。(d i。d t。)j式中:m 是同步切换状态的开关数目;L。是回流路径上的电感;i。是单个开关的输出电流和穿透电流之和;t。是开关状态切换时间。万方数据对于实际的电路系统,同步切换的开关数目难以确定,各种可能的回流路径难以判断,此外,近距离的互连线之间的耦合也可能增加回路电感,从而加剧S S N噪声。5 2输出缓冲器S S N 的形成以C M O S 芯片为例,其输出缓冲器是由P M O S 管和N M O S 管组成的
14、开关,基本电路结构如图8 所示。图8 输出缓冲器模型结构图8 中,V。是管脚供电,L r 是电源管脚寄生电感,L G 是地管脚寄生电感,C。是硅晶元电容,它是不包括封装参数的总的输出电容,L m 和C p k g 分别是由封装带来的寄生电感和寄生电容。芯片是靠系统供电的,芯片内部所有的级联驱动器是靠系统提供电流的,所以在芯片内部不存在完整的回流路径。电流总是从系统电源出发,从电源管脚流进芯片,从地管脚流出回到系统地,如图9 所示。图9 输出缓冲器电流示意图图9 中,L。,是系统电源电感,L s G 是系统地电感,f,是电源管脚电流,如是地管脚电流。其基本工作原理是当输入U,N=0V 时,T x
15、 截止。T r 导通,输出U。一V c c;当输入U 加=V c x:时,丁N 导通,T P 截止,输出U。一0V。S S N 噪声就产生在输入、输出在0V 和K。之间跳变的过程中,输入输出电压和两管的漏极电流之间的关系如图1 0 所示,其中U t,和U T N 是T P 和T N的开启电压。由于芯片电源、地管脚和系统电源、地存在一定的寄生电感,会产生电压降,致使芯片电源、地管脚产生电压波动,其波形如图1 1 所示。当输出从低变高时,工,不仅要提供流经两个M O S 管的漏极电流b,还要给硅晶电容和负载电容充电,电流大些,电源管脚上的感应电压V r 也就大些;同样,当输出从高变低时。j G 中
16、包括流和硅晶电容和负载电容的放电电流,电流大些,地管脚上感应电压V。;也就大些。图1 0 输出缓冲器电压、电流传输特性曲线图1 1输出缓冲器电压曲线5 3S S N 的抑制办法电源反弹噪声不单是电源管脚的感应噪声电压,还包括系统电源的传输电感L。,上的感应噪声电压,其基本表达式为:V k N-P B=(L P+L s P)I d i同样,地反弹噪声不单是地管脚的感应噪声电压,还包括系统地的传输电感L S G 上的感应噪声电压,其基本表达式为:V s s N-G B 一(L G+L s G)i d i考虑含有输出缓冲器的系统电流回路,可以得出S S N 噪声的表达式为:V s s N=(L P+
17、L G 一2 L m)面d i+(L s P+L s G 一2 L s 蹦;)d a i z式中:L H;是电源管脚和地管脚的封装互感;L s P s G 是系统电源和地的传输互感。开关器件状态切换速度、开关数目和电流回路上的电感是影响S S N 的主要因素,然而今天芯片的发展方向是更密更快,从高速P C B 设计的角度来说,减小S S N的首要措施是减小回路电感:(1)在芯片的电源和地管脚上加退耦电容,为突变电流提供低电感的回路;2】5万方数据(2)尽量使用单独完整的电源层和地层,并尽可能大面积敷实心铜,还要让电源平面和地平面尽量靠近,以形成较大的平面电容,增强电源平面和地平面的耦合(互感)
18、,减小电源分配系统的电感。(3)电源、地管脚尽量就近扇出,走线尽量宽,若空间允许还可以增加扇出路径来减小外部引线电感。(4)动态功耗小的芯片会对C M O S 管的工艺和输出缓冲器的结构做改进,确保在互补晶体管导通之前关断另一个晶体管就可以实现穿透电流最小,一般在p A 级。6 退耦电容的应用6 1退耦电容特性退耦电容还相当于局部电源,为开关器件状态切换提供电流。芯片不必通过电源线从较远的电源中获取电流。退耦电容为高频突变电流提供低电感的回路,有效抑制了S S N 噪声,减小了电压波动。退耦电容不可能完全消除噪声,但是幅度明显减小,如图1 2 所示。图1 2 退祸电容效果理想的电容器没有寄生参
19、数,实际的电容器由于封装、材料等方面的影响,含有等效串联电阻E S R、等效串联电感E S L、绝缘电阻R,、介质吸收电容c d。和介质吸收电阻R 舢R,越大,泄漏的直流越小,性能越好,一般电容的R,在G Q 级以上。介质吸收的等效R C 电路反映了电容介质本身的特性,是一种有滞后性质的内部电荷分布,它使快速放电然后开路的电容器恢复一部分电荷。如图1 3 所示。图1 3电容的等效模型对电容的高频特性影响最大的是E S R 和E S L,在电源完整性分析中采用简化的电容模型。它其实是一个R L C 串联谐振电路,其等效阻抗和谐振频率为:Z=棚F F 霞刁F=可西刁历丁,f o 一1(2 7 c
20、L c)从上式可以看出,电容的阻抗与电路的频率有关,当处于谐振频率 时,电容阻抗为最低值E S R。电容的阻2 1 6抗特性曲线如图1 4 所示。图1 4 退耦电容阻抗特性曲线描述曲线的锐度可用品质因数Q 来表示:Q 一倒。(L R)一2 r f o(E S L E S R)一(1 E S R)、压觋式中,Q 值越大,阻抗随频率变化的越快,阻抗特性曲线越尖,频率的选择性越好,但电路的工作频率不会是一个点频率,而是一个频率段,所以在选择退耦电容时要利用电容寄生参数,根据仿真波形来确定,并不是Q值越大越好。在运用退耦电容时,所关心的是电容的谐振频率和电路工作频率下电容的阻抗,它们会受到容值C 和E
21、 S L 的调制,如图1 5 所示。图1 5 电容阻抗特性曲线调制效应综合以上分析,在进行P C B 设计时。要选择E S R较小、谐振频率和电路工作频率相近的退耦电容,在此基础上,容值较大,E S L 较小为好。在实际电路中,为使退耦电容在一定的工作频率范围内保持较低阻抗,通常采用大小电容并联的方法,且并联电容的容值相差两个数量级即1 0 0 倍。并联使得E S R 和E S L 减小。容值增大,退耦效果当然更好。N 个容值相同的电容并联,等效电容变为N C,等效电感变为E S L N,等效电阻变为E S R N,谐振频率作为电容的固有性质,保持不便,谐振曲线如图1 6 所示。两个不同值得电
22、容并联时,由于各自的自谐振频率不一样,当工作频率处于它们之间时,谐振频率较低的电容表现为感性,谐振频率较高的电容表现为容性,这就形成了一个L C 并联谐振电路,与L C 串联谐振电路不同,L C 并联谐振是电流谐振,当处于谐振状态时,电容和电感进行周期性的能量交换,L,C 上电流等值反向,从L,C 两端看进去呈高阻态,L,C 谐振电路和系统电源和地之间几乎没有电流。从对退耦电容的期望来看,这是反谐振现象,并联电容反谐振点上的高阻抗是万方数据电源完整性设计中应避免的。如图1 7 所示。图1 6 同值电容并联曲线图1 7 电容异值并联曲线如果E S R=0,那么反谐振点上的阻抗将无穷大,正是由于E
23、 S R 的存在,使得反谐振点上的阻抗不会是无穷大。自谐振点和反谐振点上的阻抗都会受到E s R的影响,如图1 8 所示。从图1 8 可以看出,自谐振点的阻抗随着E S R 的降低而减小,而反谐振点上的阻抗随着E S R 的降低而增大。所以,退耦电容的E S R 并不是越小越好,要根据滤波频段和阻抗要求综合考虑。采用多种不同容值的电容并联退耦藕,减小自谐振频率的相对差值,可以加宽滤波频段。降低反谐振点的影响,如图1 9 所示。图1 8E S R 对电容并联谐振曲线的影响6 2 退耦电容的放置图1 9多种异值电容并联谐振曲线在高速P C B 上放置退耦电容的基本原则是靠近电源管脚且确保安装电感尽
24、量小,安装在P C B 上的退耦电容如图2 0 所示。安装电感是包括焊盘、过孔、走线、平面对在内的电流回路的电感。在布置退耦电容时尽量减少焊盘与电源地连线的长度,使用宽的连线。如果空间允许的话,可以多打连接过孔,形成并联方式来降低电感;如果工艺允许的话,可以直接在焊盘上打过孔,这是降低电感的最好办法。如图2 1 所示。P a d。G N D图2 0 电容安装示意图图2 1电容安转趋势7电源完整性的仿真分析目前随着P C B 密度和速率的提高,电源分配系统设计将变得越来越复杂,经常造成欠设计(引起电源完整性问题)或过设计(增加系统的成本和复杂度)。因此,在设计高速P C B 电源分配系统时,利用
25、电源完整性仿真软件S p e c c t r a Q u e s tP I,对电路进行仿真,可以很好地避免欠设计与过设计,使系统满足要求。P C B 的叠层、电源地平面的外形是根据需求和实际情况在P C B 设计阶段完成定型的,一般不会随意更改。实际上P I 仿真的重点在滤波电容的选择与分布,对于既定的目标阻抗,S Q P I 可以根据电源地平面结构和欲使用的电容类型计算出每种退耦电容的数量需求,这时把整个P D S 当作集总系统来看待,退耦电容数量粗略且小于实际需求。在进行单节仿真时,可以根据仿真波形来调整退耦电容种类的选择。如对于某P D S,系统信号最高频率为1 0 0M H z,信号上
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