吉林省东北师范大学附属中学2015届高三物理下学期第四次模拟考试试题.doc
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1、 吉林省东北师范大学附属中学2015届高三物理下学期第四次模拟考试试题二、选择题:本大题共8小题,每小题6分,共48分。在每小题给出的四个选项中,第1418题只有一项符合题目要求,第1921题有多项符合题目要求。全部选对的得6分,选对但不全的得3分,有选错的得0分。请仔细审题,认真做答。14如图所示为一质点运动的v-t图象,则在0t1这段时间内A质点的速度先减小后增大B质点在t1时刻离开出发点最远C质点运动的加速度先增大后减小D图中曲线就是质点的运动轨迹15质量为m的物体在沿斜面向上的拉力F作用下沿放在水平地面上的质量为M的粗糙斜面匀速下滑,此过程中斜面体保持静止,则A地面对斜面体没有摩擦力B
2、地面给斜面体的摩擦力的方向水平向右C斜面体受到地面的支持力为(Mm)gD斜面体受到地面的支持力小于(Mm)g16如图所示为示波管中偏转电极的示意图,相距为d、长度为L的极板AC、BD加上电压U后,可在两极板之间(设为真空)产生匀强电场。在左端距两板等距离处的O点,有一电荷量为q、质量为m的粒子以某一速度沿与板平行射入,不计重力,下列说法正确的是A入射粒子向下偏转B入射速度大于的粒子可以射出电场C若粒子可以射出电场,则入射速度越大,动能变化越大D若粒子可以射出电场,则射出电场时速度方向的反向延长线过O点17如图所示,在火星与木星轨道之间有一小行星带。假设该带中的小行星受到太阳的引力,并绕太阳做匀
3、速圆周运动。下列说法正确的是A太阳对各小行星的引力相同B小行星带内各小行星圆周运动的线速度大于地球公转的线速度C小行星带内侧小行星的向心加速度大于外侧小行星的向心加速度D各小行星绕太阳运动的周期均小于一年18一根质量为m、长为L的均匀链条一半放在光滑的水平桌面上,另一半悬在桌边,桌面足够高,如图(a)所示。若将一个质量为m小球分别拴在链条左端和右端,如图(b)、图(c)所示。约束链条的挡板光滑,三种情况均由静止释放,当整根链条刚离开桌面时,关于它们的速度关系,下列判断中正确的是Avavbvc Bvavbvc Cvcvavb Dvavbvc19在物理学发展中,许多物理学家的科学发现和学说推动了人
4、类历史进步,下列说法正确的是A牛顿把地面上物体运动的规律和天体运动的规律统一了起来,建立了万有引力定律B伽利略以实验和数学推理相结合的科学研究方法得到了落体运动规律C为了解释磁铁和电流都能产生磁场,洛仑兹提出著名的分子电流假说D奥斯特发现电流磁效应;法拉第发现了电磁感应现象并制成人类历史上第一台发电机20如图,有一理想变压器,原副线圈的匝数比为n1,原线圈接正弦交流电,电压为U,输出端接有一个交流电流表和一个电动机。电动机线圈电阻为R,当输入端接通电源后,电流表读数为I,电动机带动一质量为m的重物匀速上升,重力加速度为g。下列判断正确的是A原线圈中的电流的有效值为nIB电动机消耗的功率为I2R
5、C变压器的输入功率为D物体匀速上升的速度为21如图(a)所示,MN、PQ两条平行的光滑金属轨道与水平面成30固定在地面上,M、P之间接电阻箱R,电阻箱的阻值范围为04,导轨所在空间存在匀强磁场,磁场方向垂直于轨道平面向上,磁感应强度为B0.5T。质量为m的金属杆ab水平放置在轨道上,其接入电路的电阻值为r。现从静止释放杆ab,测得最大速度为vm。改变电阻箱的阻值R,得到vm与R的关系如图(b)所示。已知轨道间距为L2m,重力加速度取g10m/s2,轨道足够长且电阻不计。则A金属杆滑动时产生的感应电流方向是abMPaB当R0时,杆ab匀速下滑过程中产生感生电动势的大小为2VC金属杆的质量为m0.
6、2kg,电阻r2D当R4时,回路瞬时电功率每增加1W的过程中合外力对杆做的功为0.6J第II卷(非选择题,共174分)三、非选择题:包括必考题和选考题两部分。第22题第32题为必考题,每个试题考生都必须作答。第33题第40题为选考题,考生根据要求作答。(一)必考题:11题,共129分。22(6分)利用图示装置可以做力学中的许多实验。(1)利用此装置做“研究匀变速直线运动”的实验时,_(选填“需要”或“不需要”)设法消除小车和木板间的摩擦阻力的影响。(2)利用此装置探究“加速度与质量的关系”并用图象法处理数据时,如果画出的a-m关系图象是曲线,则_(选填“能”或“不能”)确定小车的加速度与质量成
7、反比。(3)利用此装置探究“功与速度变化的关系”的实验时,通过增减砝码改变小车所受拉力时,_(选填“需要”或“不需要”)重新调节木板的倾斜度。23(9分)霍尔效应是电磁现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图甲所示,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流强度为I的电流,同时外加与薄片垂直的磁感应强度为B的磁场,则在M、N间出现大小为UH的电压,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图甲所示,该同学用电压表测量UH时,
8、应将电压表的“+”接线柱与_(选填“M”或“N”)端通过导线相连。(2)该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图乙所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出)。为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向_(选填“a”或“b”),S2掷向_(选填“c”或“d”)。(3)已知薄片厚度d0.40mm,该同学保持磁感应强度B0.10T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示。I(10-3A)3.06.09.012.015.018.0UH(10-3V)1.11.93.4
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