忻州刻蚀设备项目申请报告【范文参考】.docx
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1、泓域咨询/忻州刻蚀设备项目申请报告目录第一章 项目建设背景及必要性分析7一、 全球设备市场创新高,受益于资本开支提升、制程节点进步7二、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开10三、 推动新兴产业未来产业抢滩占先12第二章 行业发展分析14一、 海外设备厂商在手订单饱满,供应链限制延续14二、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加15三、 全球市场受海外厂商主导,前五大厂商市占率较高17第三章 项目投资主体概况18一、 公司基本信息18二、 公司简介18三、 公司竞争优势19四、 公司主要财务数据21公司合并资产负债表主要数据21公司合并利润表主要数据21五、 核心人员介绍22六、 经
2、营宗旨23七、 公司发展规划24第四章 项目概述30一、 项目名称及投资人30二、 编制原则30三、 编制依据31四、 编制范围及内容31五、 项目建设背景32六、 结论分析33主要经济指标一览表35第五章 产品规划方案37一、 建设规模及主要建设内容37二、 产品规划方案及生产纲领37产品规划方案一览表37第六章 建筑工程可行性分析39一、 项目工程设计总体要求39二、 建设方案39三、 建筑工程建设指标43建筑工程投资一览表43第七章 SWOT分析45一、 优势分析(S)45二、 劣势分析(W)47三、 机会分析(O)47四、 威胁分析(T)49第八章 发展规划分析57一、 公司发展规划5
3、7二、 保障措施63第九章 法人治理65一、 股东权利及义务65二、 董事70三、 高级管理人员74四、 监事76第十章 劳动安全生产78一、 编制依据78二、 防范措施79三、 预期效果评价83第十一章 原材料及成品管理85一、 项目建设期原辅材料供应情况85二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理85第十二章 进度实施计划87一、 项目进度安排87项目实施进度计划一览表87二、 项目实施保障措施88第十三章 工艺技术及设备选型89一、 企业技术研发分析89二、 项目技术工艺分析92三、 质量管理93四、 设备选型方案94主要设备购置一览表95第十四章 投资估算及资金筹措96一、 编制说明96
4、二、 建设投资96建筑工程投资一览表97主要设备购置一览表98建设投资估算表99三、 建设期利息100建设期利息估算表100固定资产投资估算表101四、 流动资金102流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表105第十五章 项目经济效益分析107一、 基本假设及基础参数选取107二、 经济评价财务测算107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表109利润及利润分配表111三、 项目盈利能力分析112项目投资现金流量表113四、 财务生存能力分析115五、 偿债能力分析115借款还本付息计划
5、表116六、 经济评价结论117第十六章 风险评估118一、 项目风险分析118二、 项目风险对策120第十七章 总结分析123第十八章 补充表格125营业收入、税金及附加和增值税估算表125综合总成本费用估算表125固定资产折旧费估算表126无形资产和其他资产摊销估算表127利润及利润分配表128项目投资现金流量表129借款还本付息计划表130建设投资估算表131建设投资估算表131建设期利息估算表132固定资产投资估算表133流动资金估算表134总投资及构成一览表135项目投资计划与资金筹措一览表136本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作
6、为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目建设背景及必要性分析一、 全球设备市场创新高,受益于资本开支提升、制程节点进步2021年全球半导体设备市场规模创1026亿美元新高,大陆首次占比全球第一。根据SEMI,2021年半导体设备销售额1026亿美元,同比激增44%,全年销售额创历史新高。大陆设备市场在2013年之前占全球比重为10%以内,20142017年提升至1020%,2018年之后保持在20%以上,份额呈逐年上行趋势。2020-2021年,国内晶圆厂投建、半导体行业加大投入,大陆半导体设备市场规模首次在市场全球排首位,2021达到296.2亿美元,同比增长58%,占比28.9%。展
7、望2022年,存储需求复苏,韩国预计将领跑全球,但大陆设备市场规模有望保持较高比重。北美半导体设备厂商月销售额2021年以来稳站30亿+美金。通过复盘半导体行业景气周期历史,北美半导体设备厂商月销售额对于全球半导体行业景气度分析具有重要意义,北美半导体设备销售额水平通常领先全球半导体销售额一个季度。2021年1月,北美半导体设备厂商月销售额首次突破了30亿美金关口,创历史新高,达到了30.4亿美金。此后月度销售额逐季创新高,至12月份销售额达到39.2亿美金,同比增长46%。与此同时全球半导体销售市场自2021年4月以来连续12个月同比增速超过20%,2022年3月,全球半导体销售额达到505
8、.8亿美金,同比增长23.0%,展望2022全年,从各机构当前预测平均值来看,预计2022年全球半导体市场仍将保持10%以上同比增长。半导体设备行业呈现明显的周期性,受下游厂商资本开支节奏变化较为明显。2017年,存储厂商的大幅资本开支推动半导体设备迎来巨大需求,且这一势头一直延续到2018年上半年。但随后产能过剩致使存储价格走低,导致DRAM和NAND厂商纷纷推迟设备订单。存储产能过剩一直持续到2019年上半年,同时上半年整体半导体行业景气度不佳,虽然下半年随着行业景气度恢复,以台积电为代表的晶圆厂陆续调高资本开支大幅扩产,2019年全年半导体设备需求同比仍回落约2%。2020年全球各地先后
9、受疫情影响,但存储行业资本支出修复、先进制程投资叠加数字化、5G带来的下游各领域强劲需求,全年设备市场同比增长19%。伴随半导体厂商新一轮资本开支开启,2021年全球设备市场继续大幅增长44%。当前海外设备龙头应用材料、泛林集团等均预计2022年全球设备市场规模将进一步增长。未来两年全球晶圆厂设备开支持续增长。2020年疫情带来的居家及远程办公带来笔电等消费电子需求激增作为本轮周期的催化剂,2020H2以车用芯片为代表的供应链开始紧张,下游持续增长的需求与上游有限产能的矛盾演绎为2021年全年行业供需失衡加剧。2022年以来,消费性电子、智能手机、PC等领域需求确有下滑,但更值得注意的是全球正
10、步入第四轮硅含量提升周期,服务器、汽车、工业、物联网等需求大规模提升。在6月台积电召开的股东大会上,公司管理层表示未来10年是半导体行业非常好的机会,主要原因就是5G及高效能运算的普及,生活数字化转型,带来对车用(新车半导体含量可达传统车的10倍)、手机、服务器等终端内半导体含量的增加,推动半导体需求大幅成长。中芯国际在22Q1法说会表示,尽管消费电子,手机等存量市场进入去库存阶段,开始软着陆,但高端物联网、电动车、绿色能源、工业等增量市场尚未建立足够的库存,近年来硅含量提升与晶圆厂有限的产能扩充矛盾,叠加产业链转移带来的本土化产能缺口,使得公司需要大幅扩产,推出新产品工艺平台,满足客户旺盛的
11、增量需求。疫情、全球经济及半导体周期性虽然会带来短期内的不确定性,但是技术进步、硅含量提升是长期支撑半导体行业持续发展的最关键驱动力。2020年开始全球领先的晶圆厂纷纷加速扩产提升资本开支,根据ICInsights,2021年全球半导体资本开支增速达到36%,预计2022年将继续增长24%,2020-2022年将会成为自1993-1995年以来的首次CapEx连续三年增速超过20%。半导体设备作为晶圆厂扩产的重要开支部分,根据SEMI,2021年全球晶圆厂前道设备支出增速达到42%,预计2022年将进一步增长18%。台积电、中芯国际纷纷增加资本开支,CapEx进入上行期。根据ICInsight
12、s,全球代工厂资本开支约占半导体总体的35%,根据头部代工厂的资本开支规划来看,2022年代工领域资本开支将进一步提升。台积电从2020年170亿美金增长到2021年的300亿美金(用于N3/N5/N7的资本开支占80%),公司2021年4月1日公布未来三年资本开支1000亿美金,2022年资本开支将进一步提升至400-440亿美金,预计2023年资本开支仍有望超过400亿美金;联电2021年CapEx18亿美金,预计2022年翻倍达到36亿美金(其中90%将用于12英寸晶圆);GlobalFoundries于2021年IPO后资本开支大幅提升用于扩产,公司2020年CapEx4.5亿美金,2
13、021年提升至16.6亿美金,预计2022年超过40亿美金;中芯国际2021年资本开支维持高位,达到45亿美金(大部分用于扩成熟制程,尤其是8寸数量扩4.5万片/月),预计2022年达到50亿美金。二、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开国内晶圆厂投资进入高峰期。根据集微网统计,20202022年国内晶圆厂总投资金额分别约1500/1400/1200亿元,其中内资晶圆厂投资金额约1000/1200/1100亿元。20202022年国内晶圆厂投资额将是历史上最高的三年,且未来还有新增项目的可能。设备国产化率较低,海外龙头垄断性较高。我国半导体设备市场仍非常依赖进口,从市场格局来看,细分市场均有较
14、高集中度,主要参与厂商一般不超过5家,top3份额往往高于90%,部分设备甚至出现一家独大的情况,目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求,尤其是内资投建的需求。制程越先进,设备投资额占比越高。设备投资一般占比7080%,当制程到16/14nm时,设备投资占比达85%;7nm及以下占比将更高。光刻、刻蚀、沉积、过程控制、热处理等均是重要投资环节。国内国产化逐渐起航,从0到1的过程基本完成。北方华创产品布局广泛,刻蚀机、PVD、CVD、氧化/扩散炉、退火炉、清洗机、ALD等设备新产品市场导入节奏加快,产品工艺覆盖率及客户渗透率进一步提高,在集成电路领域主流生产线实现批量销售,产品加速迭代;第三代
15、半导体、新型显示、光伏设备产品线进一步拓宽,出货量实现较快增长。拓荆科技作为国内唯一一家产业化应用PECVD和SACVD设备的供应商,PECVD累计发货150台,广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、合肥长鑫、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂,PEALD已实现销售;中微公司介质刻蚀机已经打入5nm制程,新款用于高性能Mini-LED量产的MOCVD设备UniMax2022Q1订单已超180腔;芯源微前道涂胶显影设备在28nm及以上多项技术及高产能结构方面取得进展,并实现多种核心零部件的国产替代,公司前道物理清洗设备已经达到国际先进水平并成功实现国产替代,新签订单结构中前道产品占比大幅提升;
16、华海清科CMP设备在逻辑芯片、3DNAND、DRAM制造等领域的工艺技术水平已分别突破至14nm、128层、1X/1Ynm,到2021年底,公司CMP设备累计出货超过140台,未发出产品的在手订单超70台。Mattson(屹唐半导体)在去胶设备市占率全球第二;盛美半导体单片清洗机在海力士、长存、SMIC等产线量产。精测电子、上海睿励在测量领域突破国外垄断。设备国产化率较低,国产厂商成长空间巨大。我国半导体设备市场仍非常依赖进口,目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求,尤其是内资投建的需求,潜在收入目标空间较大。三、 推动新兴产业未来产业抢滩占先以代表产业发展方向和趋势的先行产业和前瞻性产业为
17、重点方向,以“未来技术产业化”和“现有产业未来化”为抓手,着力实现“有中生新”和“无中生有”,努力建成全省未来产业创新发展的先导区、示范区和引领区。实施未来产业培育工程。着眼未来15到30年形成市场需求和产业规模的基本定位,积极布局先进能源技术、新一代机器人、人工智能、先进材料、生命科学等未来产业。谋划布局太阳能光伏前沿产业,重点推动用户侧并网光伏发电、独立光伏发电、大型并网光伏发电等示范项目建设。围绕化工、煤矿作业、灾难救援等工业机器人、特种机器人,以及医疗健康、家庭服务、教育娱乐等服务机器人应用需求,推动发展新一代机器人和智能制造产业发展。加快人工智能技术的应用、融合和提升,谋划引进智能家
18、居、智能汽车、智能安防、智能可穿戴设备研发和产业化项目。布局发展生命科技产业,提高原研药、首仿药、中药、新型制剂等创新能力和产业化发展水平。加强前沿科技产业攻关合作。加强与省内外重点高校和科研院所合作,依托忻州师范学院材料计算化学山西省高等学校重点实验室,加快攻关硼羰基化学、生物大分子强化分离、线性光学材料、绿色催化等核心技术,加速推动先进材料、未来医药发展。面向新能源、新装备、量子技术、区块链等新兴产业、未来产业,加强培育孵化、建链延链,培育、引进一批掌握自主核心技术的高新技术企业,构建创新引领、企业主体、市场推动、全链协同的产业生态。第二章 行业发展分析一、 海外设备厂商在手订单饱满,供应
19、链限制延续在手订单依旧强劲,供应链限制延续,设备大厂积极扩产。1)供给高度紧张:ASML22Q1营收yoy-19%,下滑主要系部分订单确认延迟;毛利率同比-5pt,承压主要系材料、供应链、运输等成本上升;库存周转率降低。泛林毛利率同比-1.7pt,主要系成本压力(原材料、物流、通胀等)。2)订单依旧强劲:ASML新增在手订单约70亿欧元,环比持平。KLA:当前在手订单交期总体56个月,部分产品78月。爱德万客户订单提前量增加,由于系半导体等材料和零件短缺,交期延长。3)积极扩产:ASML预计2030年产能至少翻番,2025年年产能增加到约90套0.33孔径EUV和600套DUV。泰瑞达预计20
20、23研发费用1900亿日元,yoy+20.1%;资本开支750亿日元,yoy+31.1%,规划金额皆较往年有大幅提升。2022下半年展望乐观,全年需求强劲将有订单递延至明年。泛林2022Q2毛利率指引中枢仍略降,持续成本和供应压力影响持续,二季度订单积压不断增加。随产能落地、产品竞争力效益显现及部分订单延迟多数企业对H2展望乐观。ASML预计2022H2表现强劲,毛利率约54%,高于全年52%指引,主要由EUV和DPV出货及安装基础管理业务利润率提升驱动。Q4部分EUV系统收入将递延到2023年。泛林预计2022WFE需求将超1000亿美元,未满足的设备需求将递延至明年。泰瑞达积极建立库存及扩
21、产,预计H2出货有更大增量及灵活性,预计Q2实现增长,仅高端产品出货受限。二、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除(光刻胶)开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层,通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉,从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。电容性等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低,主要用于介质材料刻蚀(形成上层线路)诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等,以及3D闪存
22、芯片工艺(氮化硅/氧化硅)的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀ICP:能量低、精度高,主要用于硅刻蚀和金属刻蚀(形成底层器件)硅浅槽隔离(STI)、锗(Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅(Strained-Si)、金属导线、金属焊垫(Pad)、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。光刻技术中许多先进制程涉及多重图形技术。即使是EUV,波长为13.5nm,要实现7nm的精度,仍需要依靠多重图形技术,即多次刻蚀。因此制程升级,精度越高,需要的刻蚀复杂度、步骤数量也在提升。所以刻蚀设备和化学薄膜设备成为更关键的设备。刻蚀设备市场超过130亿美元,是晶圆设备占比最高
23、的市场。2011年以来,刻蚀在晶圆设备的占比从11%逐渐提升到20%以上,2017年起成为全球晶圆设备中占比最高的装备类别,重要性不断提升。刻蚀设备市场基本是干法刻蚀设备,2020年全球干法刻蚀设备市场约137亿美元,其中介质刻蚀(DielectricEtch)60亿美元,导体刻蚀(ConductorEtch)76亿美元。从导体刻蚀市场结构看,Lam一家独大,长期全球市占率超过50%;其次AMAT占据约30%市场份额。剩下的厂商如日立高新、TEL、KLA、北方华创、SEMES、中微公司等公司合计,在导体刻蚀合计市占率不超过20%。近两年,国内设备龙头厂商北方华创、中微公司该产品线放量加速,逐步
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