固体的电子结构与相变讲稿.ppt
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1、关于固体的电子结构与相变第一页,讲稿共四十七页哦何为相变何为相变?v相:指的是系统中物理性质均匀的部分,它以化学组成,分子聚集状态或晶体结构的不同相区分。v生活中有很多相变,比如:第二页,讲稿共四十七页哦水的蒸发第三页,讲稿共四十七页哦水的凝固第四页,讲稿共四十七页哦升华 45第五页,讲稿共四十七页哦固体的相变固体的相变v相变材料(PCM-Phase Change Material)是指随温度变化而改变物理性质并能提供潜热的物质。v转变物理性质的过程称为相变过程,这时相变材料将吸收或释放大量的潜热。第六页,讲稿共四十七页哦w 按原子迁移情况,相变种类可分为:w(1)扩 散 型:依靠原子的长距离
2、扩散;相界面非共格。w (如珠光体、奥氏体转变,Fe、C都可扩散。)w(2)非扩散型:旧相原子有规则地、协调一致地通过w 相邻关系不变;化学成分不变。(如马氏体转变,Fe、C都不扩散。)w (3)半扩散型:既有切变,又有扩散。(如贝氏体转变,Fe切变、C扩散。)第七页,讲稿共四十七页哦 根据相变前后热力学函数的变化分类:一级相变:在临界温度、压力时,化学位的一阶偏导数不相等的相变。二级相变:在临界温度、临界压力时,化学位的一阶偏导数相等,而二阶偏导数不相等的相变。三级相变:在临界温度、临界压力时,一阶、二阶偏导数相等,而三阶偏导数不相等的相变。第八页,讲稿共四十七页哦金属中的一级相变:第九页,
3、讲稿共四十七页哦一一 相变纳米线的聚合及特征相变纳米线的聚合及特征v论论文出文出处处:vSynthesis and Characterization of Phase-Change NanowiresvStefan Meister,Hailin PengvDepartment of Materials Science and Engineering,Stanford UniVersity,Stanford,California 94305,and Electron Microscope DiVision,Hitachi High Technologies America,Inc.,5100 F
4、ranklin DriVe,Pleasanton,California 94588第十页,讲稿共四十七页哦1 1、纳米线、纳米线v纳米线:一种具有在横向上被限制在100纳米以下(纵向没有限制)的一维结构。典型的纳米线的纵横比在1000以上。v根据组成材料的不同,纳米线可分:v金属纳米线v半导体纳米线v绝缘体纳米线。第十一页,讲稿共四十七页哦v通常情况下,随着尺寸的减小,纳米线会体现出比大块材料更好的机械性能。强度变强,韧度变好。v这是为什么?第十二页,讲稿共四十七页哦v回顾纳米材料特有效应:v 颗粒尺寸小、表面积大、表面能高、表面原子所占比例大等特点,及特有的三大效应:表面效应、小尺寸效应和宏
5、观量子隧道效应。v如:原本导电的铜到某一纳米级界限就不导电,原来绝缘的二氧化硅、晶体等,在某一纳米级界限时开始导电。第十三页,讲稿共四十七页哦v由于缺乏生产其纳米结构的方法,尺度依赖性能并没有得到充分的研究,但相变存储材料依然激发了大量科研人员的兴趣。v本论文通过vapor-liquid-solid增长机制合成和表征GeTe和Sb2Te3相变纳米线。v原生GeTe纳米线有三种形态:直单晶GeTe纳米线、螺旋斜六方的GeTe纳米线和GeO2非晶纳米线。所有的Sb2Te3纳米线为单晶。第十四页,讲稿共四十七页哦2、VLS生长机制v气-液-固(VLS)生长技术被广泛的应用于纳米线、纳米棒的生长。vV
6、LS 是一个比较古老的一种生长机理。1964年,Wagner 和Ellis在研究单晶Si生长时,发现了被称之为VLS的晶须生长方法,其原理可用Au为生长剂,Si晶须的生长来说明生长过程。第十五页,讲稿共四十七页哦VLS原理生长示意图在晶体取向(111)的硅单晶片上放一金的小颗粒,加热到高于Au-Si体系的共熔点温度,便生成平衡组成Au-Si熔融合金;接着通入H2SiCl4混合气体,还原生成的Si便持续地溶解于Au-Si熔融合金中,使得熔融合金中的Si达到过饱和状态;当此过饱和状态达到一定程度,Si开始从Au-Si熔融合金中析出并在基片上沉积。VLS两步走:构成晶体成分向熔融合金中溶解;晶体在
7、L-S界面上析出。由于Si的继续析出,液滴从基体表面被带到生长晶须的顶端,晶须顶着Au-Si合金熔融液滴帽,继续向L-S界面垂直的方向生长。第十六页,讲稿共四十七页哦v此法已经成功的应用于GaAs、Ge、GaP、SiC、ZnS、B、Si 等晶须的生长。v例如,Yumoto 等人利用 VLS 自组装生长机理,成功的制备出了銦锡氧化物晶须。v这意味着,只要有合适的生长剂,许多物质均可用此法制备出晶须。第十七页,讲稿共四十七页哦v作为 VLS 生长的生长剂满足的四个条件:v1.催化剂的分散系数应远小于需要合成的物质,否则,催化剂会很快被耗尽;v2.催化剂不与合成的物质发生化学反应;v3.液相合金中生
8、长剂的平衡蒸气压应足够小;v4.在合成物质顶上的液相合金液滴与晶须的浸润角应该足够大,精确些讲,为了能够稳定地合成晶须,接触角应当大于90,最佳范围在90-120之间。第十八页,讲稿共四十七页哦2 2、本论文所用方法、本论文所用方法v该论文用VLS法生长制作GeTe(GT)和Sb2Te3(ST)相变纳米线,金纳米粒子作为催化剂。由于其快速结晶和无定形状态之间的可逆变化温度与其设备兼容,因此Ge-Sb-Te族(GST)材料是最重要的相变存储设备。vGeTe和Sb2Te3是Ge-Sb-Te族中两个重要的材料并且是制作三元合金的基础。第十九页,讲稿共四十七页哦vGe2Sb2Te5:Tm=610Cv
9、Tg=350CvGeTe:Tm=724Cv Tg=145CvSb2Te3:Tm=639Cv Tg=77C第二十页,讲稿共四十七页哦v相图表明,VLS法可用金纳米颗粒于GT和ST相变纳米线的增长。由于金纳米粒子的小尺寸,共晶温度可能低于其他大部分的温度。第二十一页,讲稿共四十七页哦v纳米粒子的小尺寸效应:当颗粒的尺寸与光波波长、德布罗意波长以及超导态的相干长度或透射深度等物理特征尺寸相当或更小时,晶体周期性的边界条件将被破坏,非晶态纳米粒子的颗粒表面层附近的原子密度减少,导致声、光、电、磁、热、力学等特性呈现新的物理性质的变化。v纳米粒子的热效应:固态物质在其形态为大尺寸时,其熔点是固定的,超细
10、微化后却发现其熔点将显著降低,当颗粒小于10nm量级时尤为显著。第二十二页,讲稿共四十七页哦二、热储存能力增加的封装相变材料二、热储存能力增加的封装相变材料:天然橡胶的天然橡胶的制备和应用制备和应用v论文出处:vIncreasing the Thermal Storage Capacity of a Phase Change Material by Encapsulation:Preparation and Application in Natural RubbervSongpon Phadungphatthanakoon,Sirilux Poompradub,and Supason P.Wa
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