晶体三极管及放大电路练习题.doc
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1、晶体三极管及放大电路练习题一、填空题1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即_区、_区和_区。当三极管工作在_区时,关系式IC=IB才成立;当三极管工作在_区时,IC=0;当三极管工作在_区时,UCE0。2、NPN型三极管处于放大状态时,三个电极中电位最高的是_,_极电位最低。3、晶体三极管有两个PN结,即_和_,在放大电路中_必须正偏,_反偏。4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而_,穿透电流ICEO随温度升高而_,值随温度升高而_。5、硅三极管发射结的死区电压约为_V,锗三极管发射结的死区电压约为_V,晶体三极管处在正常放大状态时,硅三极管发射结的导通电压约为_V,锗三极管发射结
2、的导通电压约为_V。6、输入电压为20mV,输出电压为2V,放大电路的电压增益为_。7、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_。8当半导体三极管的 正向偏置, 反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即 极电流能控制 极电流。9、(2-1,低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为 , , 三种。10、(2-1,低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。11、(2-1,中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时,与之间的关系。12、(2-1,低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。13、(2-1,中)为了保证不失真
3、放大,放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生 失真,应调RB,使其 ,则IB ,这样可克服失真。14、(2-1,低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。15、(2-1,低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。16、(2-1,低)共射组态既有放大作用,又有放大作用。17、(2-1,中)共基组态中,三极管的基极为公共端,极为输入端,极为输出端。18、(2-1,难)某三极管3个电极电位分别为VE=1V,VB=1.7V,VC=1.2V。可判定该三极管是工作于区的型的三极管。19、(2-1,难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚
4、电位分别为3.5V,2.8 V,5V,试判断:a脚是 ,脚是 ,脚是 (e, b,c);b管型是 (NPN,PNP);c材料是 (硅,锗)。20、(2-1,中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是,电流分配关系是。21、(2-1,低)温度升高对三极管各种参数的影响,最终将导致IC,静态工作点。22、(2-1,低)一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而,发射结的导通压降VBE则随温度的增加而。23、(2-1,低)画放大器交流通路时,和应作短路处理。24、(2-2,低)在多级放大器里。前级是后级的,后级是前级的。25、(2-2,低)多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。常用
5、的耦合方式有:,。26、(2-2,中)在多级放大电路的耦合方式中,只能放大交流信号,不能放大直流信号的是放大电路,既能放大直流信号,又能放大交流信号的是放大电路,放大电路各级静态工作点是互不影响的。二、选择题(20分)1、(2-1,中)下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是 。A、VBE0,VBEVCE时 B、VBE0,VBE0,VBEVCE时 D、VBEVCE时2、(2-1,中)工作在放大区域的某三极管,当IB从20A增大到40A时,IC从1mA变为2mA则它的值约为 。A、10 B、50 C、80 D、1003、(2-1,低)NPN型和PNP型晶体管的区别是 。A、由两种不同的材料硅
6、和锗制成的 B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同 D、管脚排列方式不同4、(2-1,难)三极管各极对公共端电位如图所示,则处于放大状态的硅三极管是A、 B、 C、 D、5、(2-1,低)当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时,则晶体三极管的集电极电流将A、增大 B、减少 C、反向 D、几乎为零6、(2-1,低)为了使三极管可靠地截止,电路必须满足A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结反偏,集电结正偏C、发射结和集电结都正偏 D、发射结和集电结都反偏7、检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态(工作区),最简便的方法是测量A、IBQ B、UBE C、ICQ D、UCEQ8、(2-1,中)对
7、放大电路中的三极管进行测量,各极对地电压分别为UB=2.7V,UE=2V,UC=6V,则该管工作在 。A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定9、(2-1,低)某单管共射放大电路在处于放大状态时,三个电极A、B、C对地的电位分别是UA=2.3V,UB=3V,UC=0V,则此三极管一定是A、PNP硅管 B、NPN硅管 C、PNP锗管 D、NPN锗管10、(2-1,难)电路如图所示,该管工作在 。A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定11、(2-1,中)测得三极管IB=30A时,IC = 2.4mA ;IB=40A时,IC = 1mA,则该管的交流电流放大系数为 。A、80 B、
8、60 C、75 D、10012、(2-1,中)当温度升高时,半导体三极管的、穿透电流、UBE的变化为A、大,大,基本不变 B、小,小,基本不变 C、大,小,大 D、小,大,大13、(2-1,低)三极管的ICEO大,说明该三极管的 。A、工作电流大 B、击穿电压高 C、寿命长 D、热稳定性差14、(2-1,低)用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则 。A、1为e 2为b 3为c B、1为e 3为b 2为c C、2为e 1为b 3为c D、3为e 1为b 2为c15、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示,其中每一条曲线对应一个特定的
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