核磁共振波谱.ppt
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1、关于核磁共振波谱现在学习的是第1页,共41页2 19194646年,年,年,年,E.M.Purcell E.M.Purcell 和和和和 F.Block F.Block 分别发现了水和石蜡分别发现了水和石蜡分别发现了水和石蜡分别发现了水和石蜡中氢核的核磁共振现象。中氢核的核磁共振现象。中氢核的核磁共振现象。中氢核的核磁共振现象。化合物中原子产生的核磁共振信号与其分子结构密切化合物中原子产生的核磁共振信号与其分子结构密切化合物中原子产生的核磁共振信号与其分子结构密切化合物中原子产生的核磁共振信号与其分子结构密切相关。相关。相关。相关。核磁共振谱图核磁共振谱图核磁共振谱图核磁共振谱图相关原子在分子
2、中所处化学环境相关原子在分子中所处化学环境相关原子在分子中所处化学环境相关原子在分子中所处化学环境 确定化合物的分子结构。确定化合物的分子结构。确定化合物的分子结构。确定化合物的分子结构。现在学习的是第2页,共41页39.1 核磁共振基本原理核磁共振基本原理核磁共振基本原理核磁共振基本原理 principles of nuclear magnetic resonance 9.1.1 9.1.1 原子核的自旋和磁矩原子核的自旋和磁矩原子核的自旋和磁矩原子核的自旋和磁矩大多数原子核存在自旋运动,会产生核大多数原子核存在自旋运动,会产生核大多数原子核存在自旋运动,会产生核大多数原子核存在自旋运动,会
3、产生核磁矩磁矩磁矩磁矩 和和和和自旋角动量自旋角动量自旋角动量自旋角动量P P:自旋量子数(自旋量子数(自旋量子数(自旋量子数(I I)可以为可以为可以为可以为 0 0、整数、半整数。、整数、半整数。、整数、半整数。、整数、半整数。I I 0 0 的核,的核,的核,的核,p p0 0,无自旋运动。,无自旋运动。,无自旋运动。,无自旋运动。I I 不为零的核都具有核磁矩和自旋角动量。不为零的核都具有核磁矩和自旋角动量。不为零的核都具有核磁矩和自旋角动量。不为零的核都具有核磁矩和自旋角动量。现在学习的是第3页,共41页4现在学习的是第4页,共41页5 1/2 的原子核的原子核 :1H,13C,19
4、F,31P.等。等。这类这类这类这类原子核可看作原子核可看作原子核可看作原子核可看作核核核核电电电电荷均匀分布于球面的旋荷均匀分布于球面的旋荷均匀分布于球面的旋荷均匀分布于球面的旋转转转转球体球体球体球体,有,有,有,有自旋磁矩自旋磁矩自旋磁矩自旋磁矩产产产产生,生,生,生,NMRNMR谱线较谱线较谱线较谱线较窄,窄,窄,窄,适宜于适宜于适宜于适宜于NMRNMR测测测测量,是量,是量,是量,是核磁共振研究的核磁共振研究的核磁共振研究的核磁共振研究的主要主要主要主要对对对对象象象象。现在学习的是第5页,共41页6 0 0 的核有自旋运的核有自旋运的核有自旋运的核有自旋运动动动动,其核磁矩,其核磁
5、矩,其核磁矩,其核磁矩 与自旋角与自旋角与自旋角与自旋角动动动动量量量量P P 的关系的关系的关系的关系为为为为:P P 为为为为磁旋比磁旋比磁旋比磁旋比,是核的特征常数,其,是核的特征常数,其,是核的特征常数,其,是核的特征常数,其单单单单位位位位为为为为:T T-1-1.s.s-1-1 1 1H H 核的核的核的核的 2.68102.68108 8 T T-1-1.s.s-1-1 1313C C 核的核的核的核的 6.73106.73107 7 T T-1-1.s.s-1-1 现在学习的是第6页,共41页7 9.1.2 核在外磁核在外磁场场中的自旋取向中的自旋取向 0 0 的核叫的核叫的核
6、叫的核叫磁性核磁性核磁性核磁性核。磁性核在外磁场中会发生自旋能级的裂分,产生不同的磁性核在外磁场中会发生自旋能级的裂分,产生不同的磁性核在外磁场中会发生自旋能级的裂分,产生不同的磁性核在外磁场中会发生自旋能级的裂分,产生不同的自旋取向自旋取向自旋取向自旋取向。共有共有共有共有 2 21 1 种量子化的自旋取向。种量子化的自旋取向。种量子化的自旋取向。种量子化的自旋取向。每一种取向都代表了原子核的某一特定的每一种取向都代表了原子核的某一特定的每一种取向都代表了原子核的某一特定的每一种取向都代表了原子核的某一特定的自旋能量状态自旋能量状态自旋能量状态自旋能量状态,可用可用可用可用磁量子数磁量子数磁
7、量子数磁量子数 mm 来表示之。来表示之。来表示之。来表示之。磁量子数磁量子数磁量子数磁量子数 mm 的取值为:的取值为:的取值为:的取值为:m m,1 1,2 2,.。现在学习的是第7页,共41页8 核自旋角动量在核自旋角动量在核自旋角动量在核自旋角动量在Z Z 轴上的投影轴上的投影轴上的投影轴上的投影 P PZ Z为为为为 :P PZ Zmm h h/2/2 核磁矩在核磁矩在核磁矩在核磁矩在Z Z 轴上的投影轴上的投影轴上的投影轴上的投影 Z Z为为为为 :Z Z P P P PZ Z Z Z m h m h/2/2 在外磁场在外磁场在外磁场在外磁场B B0 0中,核磁矩与中,核磁矩与中,
8、核磁矩与中,核磁矩与B B0 0相互作用,使核磁矩具有一定的能相互作用,使核磁矩具有一定的能相互作用,使核磁矩具有一定的能相互作用,使核磁矩具有一定的能量:量:量:量:E E Z Z B B0 0 对于对于对于对于1 1/2 2 核核核核 :mm1/2 1/2 时,时,时,时,E E(1/21/2)Z ZB B0 0m h m h/2/2hBhB0 0 /4/4 mm1/2 1/2 时,时,时,时,E E(1/21/2)Z ZB B0 0m h m h/2/2 hBhB0 0 /4/4 此二能级的能量差此二能级的能量差此二能级的能量差此二能级的能量差 E E E E(1/21/2)E E(1/
9、21/2)2 2 Z ZB B0 0 hBhB0 0 /2/2 现在学习的是第8页,共41页9 E E 2 2 B B0 0 =hBhB0 0 /2/2表明,在外磁场表明,在外磁场表明,在外磁场表明,在外磁场 B B0 0 中,核自旋中,核自旋中,核自旋中,核自旋能级裂分后的能级裂分后的能级裂分后的能级裂分后的能级差能级差能级差能级差随着随着随着随着 B B0 0 强度的增大而增大,如下图强度的增大而增大,如下图强度的增大而增大,如下图强度的增大而增大,如下图所示。所示。所示。所示。现在学习的是第9页,共41页10 9.1.3 核磁共振核磁共振 在与在与在与在与外磁场外磁场外磁场外磁场B B0
10、 0 垂直的方向上施加一个频率为垂直的方向上施加一个频率为垂直的方向上施加一个频率为垂直的方向上施加一个频率为 v v 的的的的交变交变交变交变射频场射频场射频场射频场B B1 1,当,当,当,当 v v 与核的回旋与核的回旋与核的回旋与核的回旋 v v0 0 相等时,自旋核能够吸相等时,自旋核能够吸相等时,自旋核能够吸相等时,自旋核能够吸收射频场的能量,由低能级的自旋状态跃迁至高能级收射频场的能量,由低能级的自旋状态跃迁至高能级收射频场的能量,由低能级的自旋状态跃迁至高能级收射频场的能量,由低能级的自旋状态跃迁至高能级的自旋状态,这种现象叫核磁共振。的自旋状态,这种现象叫核磁共振。的自旋状态
11、,这种现象叫核磁共振。的自旋状态,这种现象叫核磁共振。此时,射频此时,射频此时,射频此时,射频 v v 所具有的能量所具有的能量所具有的能量所具有的能量hvhv正好核在正好核在正好核在正好核在B B0 0中产生的核中产生的核中产生的核中产生的核自旋能级差相等。即:自旋能级差相等。即:自旋能级差相等。即:自旋能级差相等。即:h hv v E E hBhB0 0/2 2 h h v v0 0 0 0 即有:即有:即有:即有:射频频率射频频率射频频率射频频率 v v v v0 0 B B0 0/2 2 现在学习的是第10页,共41页11v v0 0B B0 0/2 2 对于同一种核,对于同一种核,对
12、于同一种核,对于同一种核,为一常数,为一常数,为一常数,为一常数,故当故当故当故当B B0 0增大时,增大时,增大时,增大时,其其其其共振共振共振共振频率也要相应频率也要相应频率也要相应频率也要相应增加。增加。增加。增加。对于不同种类的核,对于不同种类的核,对于不同种类的核,对于不同种类的核,其其其其不同不同不同不同,因此,当,因此,当,因此,当,因此,当B B0 0相同时,相同时,相同时,相同时,它们的共振频率各不相同。它们的共振频率各不相同。它们的共振频率各不相同。它们的共振频率各不相同。现在学习的是第11页,共41页129.1.4 饱和饱和和和弛豫弛豫 不同能级上分布的核数目可由不同能级
13、上分布的核数目可由不同能级上分布的核数目可由不同能级上分布的核数目可由Boltzmann Boltzmann 方程计算:方程计算:方程计算:方程计算:若取若取若取若取1 1H H 核的共振频率为核的共振频率为核的共振频率为核的共振频率为 100 MHZ100 MHZ,温度为,温度为,温度为,温度为298K298K,可得:,可得:,可得:,可得:现在学习的是第12页,共41页13 计算结果表明,计算结果表明,两能级上的核数目差约为两能级上的核数目差约为两能级上的核数目差约为两能级上的核数目差约为1.61.6 10105 5 ,处于低能态自旋,处于低能态自旋,处于低能态自旋,处于低能态自旋取向的核
14、仅占微弱多数;取向的核仅占微弱多数;取向的核仅占微弱多数;取向的核仅占微弱多数;用适当频率的射频照射时,处于低能态自旋取向的用适当频率的射频照射时,处于低能态自旋取向的用适当频率的射频照射时,处于低能态自旋取向的用适当频率的射频照射时,处于低能态自旋取向的核能够吸收能量,跃迁至高能级,故可测得核磁共振吸核能够吸收能量,跃迁至高能级,故可测得核磁共振吸核能够吸收能量,跃迁至高能级,故可测得核磁共振吸核能够吸收能量,跃迁至高能级,故可测得核磁共振吸收信号。收信号。收信号。收信号。饱和(饱和(饱和(饱和(saturatedsaturated)低能态的核数等于高能态的低能态的核数等于高能态的低能态的核
15、数等于高能态的低能态的核数等于高能态的核数。核数。核数。核数。弛豫(弛豫(弛豫(弛豫(relaxationrelaxation)高能态的核以非辐射的方式回高能态的核以非辐射的方式回高能态的核以非辐射的方式回高能态的核以非辐射的方式回到低能态。到低能态。到低能态。到低能态。现在学习的是第13页,共41页14弛豫过程包括弛豫过程包括 纵向弛豫纵向弛豫 和和 横向弛豫横向弛豫 两种。两种。一一一一.自旋晶格弛豫自旋晶格弛豫自旋晶格弛豫自旋晶格弛豫(纵向弛豫)(纵向弛豫)(纵向弛豫)(纵向弛豫)高能态的核与周围环境(固体晶格、液体中溶剂分子等)高能态的核与周围环境(固体晶格、液体中溶剂分子等)高能态的
16、核与周围环境(固体晶格、液体中溶剂分子等)高能态的核与周围环境(固体晶格、液体中溶剂分子等)进行能量交换的过程。进行能量交换的过程。进行能量交换的过程。进行能量交换的过程。二二二二 .自旋自旋弛豫自旋自旋弛豫自旋自旋弛豫自旋自旋弛豫(横向弛豫)(横向弛豫)(横向弛豫)(横向弛豫)高能态自旋核将能量传递给相邻的低能态自旋核的过程。高能态自旋核将能量传递给相邻的低能态自旋核的过程。高能态自旋核将能量传递给相邻的低能态自旋核的过程。高能态自旋核将能量传递给相邻的低能态自旋核的过程。现在学习的是第14页,共41页15 9.2 核磁共振波谱主要参数核磁共振波谱主要参数 9.2.1 9.2.1 屏蔽效应屏
17、蔽效应屏蔽效应屏蔽效应(shielding effectshielding effect)对于理想化的氢核,实现核磁对于理想化的氢核,实现核磁对于理想化的氢核,实现核磁对于理想化的氢核,实现核磁共振的条件:共振的条件:共振的条件:共振的条件:0 0 0 0=B B B B0 0 0 0/(/(/(/(2 2 2 2 )实际上,氢核受外围不断运动着的电子影响。在外磁实际上,氢核受外围不断运动着的电子影响。在外磁实际上,氢核受外围不断运动着的电子影响。在外磁实际上,氢核受外围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下,运动着的电子产生与外磁场相对抗的感生磁场场作用下,运动着的电子产生与外磁场相对抗的感生
18、磁场场作用下,运动着的电子产生与外磁场相对抗的感生磁场场作用下,运动着的电子产生与外磁场相对抗的感生磁场(B B B B0 0 0 0),对,对,对,对HH核起到屏蔽作用,使氢核实际受到的外磁核起到屏蔽作用,使氢核实际受到的外磁核起到屏蔽作用,使氢核实际受到的外磁核起到屏蔽作用,使氢核实际受到的外磁场作用减小。场作用减小。场作用减小。场作用减小。现在学习的是第15页,共41页16 因此,对于氢核来说,相当于产生了一种减弱外磁场的屏因此,对于氢核来说,相当于产生了一种减弱外磁场的屏因此,对于氢核来说,相当于产生了一种减弱外磁场的屏因此,对于氢核来说,相当于产生了一种减弱外磁场的屏蔽,使氢核实受磁
19、场减小。蔽,使氢核实受磁场减小。蔽,使氢核实受磁场减小。蔽,使氢核实受磁场减小。B Beff eff B B0 0 B B0 0(1 1 )B B0 0 :屏蔽常数。屏蔽常数。屏蔽常数。屏蔽常数。越大,屏蔽效应越大,实受磁场越小。越大,屏蔽效应越大,实受磁场越小。越大,屏蔽效应越大,实受磁场越小。越大,屏蔽效应越大,实受磁场越小。实现核磁共振的条件应改为:实现核磁共振的条件应改为:实现核磁共振的条件应改为:实现核磁共振的条件应改为:0 0 =B Beffeff /2 2 (1 1 )B B0 0/2/2 由于屏蔽效应的存在,产生共振需更强的外磁场。由于屏蔽效应的存在,产生共振需更强的外磁场。由
20、于屏蔽效应的存在,产生共振需更强的外磁场。由于屏蔽效应的存在,产生共振需更强的外磁场。B0 2 0/((1 ))现在学习的是第16页,共41页17 结论:结论:结论:结论:如果如果如果如果H H核外围的电子云密度减小,核外围的电子云密度减小,核外围的电子云密度减小,核外围的电子云密度减小,则其屏蔽效应减小,则其屏蔽效应减小,则其屏蔽效应减小,则其屏蔽效应减小,减小,实现共振所需要的外磁场减小,实现共振所需要的外磁场减小,实现共振所需要的外磁场减小,实现共振所需要的外磁场B B0 0亦减小,共振峰出现亦减小,共振峰出现亦减小,共振峰出现亦减小,共振峰出现在在在在低场低场低场低场。如果如果如果如果
21、H H核外围的电子云密度增大,核外围的电子云密度增大,核外围的电子云密度增大,核外围的电子云密度增大,则其屏蔽效应增强,则其屏蔽效应增强,则其屏蔽效应增强,则其屏蔽效应增强,增大,实现共振所需要的外磁场增大,实现共振所需要的外磁场增大,实现共振所需要的外磁场增大,实现共振所需要的外磁场B B0 0亦增大,共振峰出亦增大,共振峰出亦增大,共振峰出亦增大,共振峰出现在现在现在现在高场高场高场高场。扫场扫场扫场扫场低场低场高场高场CH3-CH2-Cl现在学习的是第17页,共41页18 9.2.2 化学位移及其表示方法化学位移及其表示方法 当用同一射频照射样品时,样品分子中处于不同化当用同一射频照射样
22、品时,样品分子中处于不同化当用同一射频照射样品时,样品分子中处于不同化当用同一射频照射样品时,样品分子中处于不同化学环境的氢核学环境的氢核学环境的氢核学环境的氢核 ,具有不同的屏蔽常数,具有不同的屏蔽常数,具有不同的屏蔽常数,具有不同的屏蔽常数,引起共振吸收频率引起共振吸收频率引起共振吸收频率引起共振吸收频率的移动。的移动。的移动。的移动。这种共振峰位置的移动称为这种共振峰位置的移动称为这种共振峰位置的移动称为这种共振峰位置的移动称为化学位移。化学位移。化学位移。化学位移。现在学习的是第18页,共41页19一一.化学位移的表示方法化学位移的表示方法 相对化学位移相对化学位移相对化学位移相对化学
23、位移 :(B Bx xB Bs s)B B0 0 亦可表示为:亦可表示为:亦可表示为:亦可表示为:(v vx xv vs s)v v0 0 样品核和标准核的共振频率虽有差异,但都在仪器样品核和标准核的共振频率虽有差异,但都在仪器样品核和标准核的共振频率虽有差异,但都在仪器样品核和标准核的共振频率虽有差异,但都在仪器射频附近变化,相差仅约万分之一射频附近变化,相差仅约万分之一射频附近变化,相差仅约万分之一射频附近变化,相差仅约万分之一 。为了表示方便,通常用下式计算化学位移:为了表示方便,通常用下式计算化学位移:为了表示方便,通常用下式计算化学位移:为了表示方便,通常用下式计算化学位移:((v
24、vx xv vs s)v v0 0 )10106 6现在学习的是第19页,共41页20 二二.标准物质标准物质 用用用用TMSTMS作为基准的原因:作为基准的原因:作为基准的原因:作为基准的原因:(1 1)12 12个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰;个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰;个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰;个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰;(2 2)屏蔽强烈,位移最大,共振峰在最高场区,与其他有屏蔽强烈,位移最大,共振峰在最高场区,与其他有屏蔽强烈,位移最大,共振峰在最高场区,与其他有屏蔽强烈,位移最大,共振峰在最高场区,与其他有 机机机机化合
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