完整的电路保护过流过压保护精选PPT.ppt

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1、关于完整的电路保护过流过压保护第1页，讲稿共52张，创作于星期日一、完整的电路保护一、完整的电路保护1.1 1.1 过流保护过流保护 1、传统的熔断保险丝/玻璃管3、PTC/NTC热敏电阻注：通常也把以上第2、3加上一些温控元件合称为电路热保护。2、自恢复式的保险丝PPTC第2页，讲稿共52张，创作于星期日1.2.1 1.2.1 工作原理工作原理 （FUSEFUSE）根据焦尔定律：Q=IQ=I2 2 R TR T 当通过保险丝的电流达到一定时，在保险丝上所产生的热量达到它的固态熔点时，保险丝就会自动熔断而起到保护电路的作用。因此，工程人员在选择保险丝时最关注的参数如下：I-熔断电流 T-当电流

2、达到 I 时，经过多长时间才能熔断。所以一般保险丝分为：快断（F）和慢断（S）两种。第3页，讲稿共52张，创作于星期日1.2.2 1.2.2 工作原理工作原理 （PPTCRPPTCR）A、当电流流过元件时，根据焦尔定律知其会产生热量。上图中的 Point 1 Point 2就是处于电流或环境温度增加不明显时所达到的平衡点。B、当电流或环境温度继续增加，产生的热能大于散发的热能时，此阶段很小的温度变化都会造成阻值的大幅提高。上图中的Point 3-Point 4就是处于保护状态。第4页，讲稿共52张，创作于星期日1.2.3 1.2.3 工作原理工作原理 （PTCR/NTCRPTCR/NTCR）P

3、TC-正温度系数PTC热敏电阻：热敏电阻的阻值随着温度的升高而增大。其T-R变化曲线如图1所示。因此PTCR多用作电路保护元件。NTC-负温度系数NTC热敏电阻：热敏电阻的阻值随着温度的升高而减小。其T-R变化曲线如图2所示。因此NTCR多用作温度控制元件。第5页，讲稿共52张，创作于星期日2.1 2.1 过压保护常识过压保护常识 u 为什么现在的电路越来越多地要使用过压保护元件？1、随着电子产品数字化的发展，IC的集成度越来越，其“身价”越来越贵，因此要加强保护；2、为了降低功耗、减少发热，半导体元件和IC的工作电压越来越低；据SIA报道：2003年的IC工作电压为1.5V，今年将降到1.2

4、V；3、使用电子产品的环境所要求的。Eg：汽车电子产品、室外通信产品、电力产品；4、数字移动产品越来越多，如PDA、手机、笔试本电脑、数码相机、MP3等都要用到电池作为电源，在电池组件和电池充电器中都必须配备保护元件。u 过电压有哪些表现形式？1、瞬态峰值电压 2、浪涌电压 3、静电放电（ESD）4、其它第6页，讲稿共52张，创作于星期日第7页，讲稿共52张，创作于星期日齐纳二极管(Zener Diodes)雪崩二极管(Silicon Avalanche Diodes)闸流管(Thyristors)压敏电阻(Metal Oxide Varistors)气体放电管(Gas Discharge T

5、ubes)馈线电阻(Line Feed Resistors)缓冲电容(Snubber Capacitors)过压保护过压保护-常用器件（限压器）常用器件（限压器）第8页，讲稿共52张，创作于星期日工作原理工作原理 此器件专门设计用于吸收ESD能量并且保护系统免受ESD损害的固态元件。TVS二极管将限制跨在被保护器件上的电压刚好高过额定电压，但是却远低于破坏的阈值电压。TVS瞬变电压消除器 Transient Voltage Suppressor第9页，讲稿共52张，创作于星期日Teccor Overvoltage Protection Product1、聚合物ESD抑制器2、可变电阻-表面贴

6、A、多层叠的可变电阻（ML，MLE、MHS、AUML and MLN Series）B、压敏电阻（CH Series）3、硅保护产品 A、TVS/Diode Arrays（SP05x，SP72x Series）B、闸流管（SiBODTM）C、TVS Diodes/Silicon Avalance Diodes（SADs）4、气体放电管（GDTs）5、工业&轴向压敏电阻 A、Radial Leaded MOVs（UltraMOVTM，C-III，LA，ZA，RA and TMOVTM Varistors）B、轴向引脚的压敏电阻（MA Series MOVs）C、工业级的压敏电阻（CA，NA，PA

7、，HA，HB34，DA and DB Series varistors）第10页，讲稿共52张，创作于星期日第11页，讲稿共52张，创作于星期日Teccor产品应用领域产品应用领域5、其它工业设备3、通信设备4、汽车电子1、个人电子消费产品2、电源产品第12页，讲稿共52张，创作于星期日 电源产品 A、交流电源 B、不间断电源（UPS）C、电能表 D、交流电器控制板应用电路 推荐产品 可控硅（SCR）压敏电阻（MOV）TVS/ULTraMOV AC/DC DC/DC 转换电路全波/半波整流电路/逆变电路第13页，讲稿共52张，创作于星期日第14页，讲稿共52张，创作于星期日雷电的防护雷电的防护

8、气体放电管 能承受数百微秒内数千安培瞬态雷电电流的冲击。缺点是对雷电过电压的波头无法进行有效的保护。压 敏 电 阻 有较好的非线性，有很大的吸收能力，响应速度快。缺点是应用于DVI、ISDN等图像传输设备上时，容易失真。同时容易老化。热 敏 电 阻 优点是 内阻小且稳定，动作快、表面温度低、耐高压高温。固体放电管 是电力、通信领域中防雷器件的尖端产品，是气体放电管、压敏电阻的升级替代品。-电力系统器件应用比较电力系统器件应用比较第15页，讲稿共52张，创作于星期日雷电防护的常见方法雷电防护的常见方法u1、采用多种防雷器件的组合来弥补某一器件的缺陷。例：MOV+PTC：对雷电波压敏电阻能快速反应

9、、引雷电流入地的作用。PTC则能保护通信电缆。u2、采用多器件、多级别的防护。例：气体放电管应用其释放能量大的特点，可作初级保护。而压敏电阻适合做电源、内部设备的保护。第16页，讲稿共52张，创作于星期日l 用户端设备 1、传真机 2、xDSL/Modem 3、公用电话/无绳电话/手机/VoIP 4、T1/E1/J1 5、ISDN 设备 6、用户线路板（SLIC）l 局端设备 1、公共分组交换机（PBX）2、Internet 网关 3、交换机/路由器/中继器(HUB)l 转接设备 各类基站（卫星、微波；GSM/GPRS/CDMA）通信设备通信设备针对通信类产品,Teccor提供了SIDACto

10、r (固体过压保护器件).第17页，讲稿共52张，创作于星期日1、高速接口电路（USB2.0、IEEE1394、RF 电路、Gigabit以太网、DVI）通用应用-接口电路第18页，讲稿共52张，创作于星期日第19页，讲稿共52张，创作于星期日第20页，讲稿共52张，创作于星期日2、中速接口电路（USB1.1、RS-485、以太网、视频/图像）第21页，讲稿共52张，创作于星期日3、低速接口电路（RS-232、IEEE 1284、按钮/开关、键盘）第22页，讲稿共52张，创作于星期日第23页，讲稿共52张，创作于星期日应用 1-手机第24页，讲稿共52张，创作于星期日应用 2-无绳电话第25页

11、，讲稿共52张，创作于星期日应用 3-数码相机第26页，讲稿共52张，创作于星期日电源 保护电路电路 一一 过流保护电路过流保护电路 1 过流保护电路的功能和组成 *功能 发生过流时，立即某种方式消除过流，保护电路器件不会损坏。*产生过流的原因负载过载或输出短路整流器件失效开关管失效干扰等因素造成的误导通第27页，讲稿共52张，创作于星期日2 过流保护电路的设计（1）电流传感器检测过流保护电路*组成电流信号检测电路过流信号处理电路封锁开关脉冲电路*简单的保护方法 利用熔断器，但动作慢，不足以实现快速保护，一般使用由电子元器件构成的保护电路。*电流信号检测电路第28页，讲稿共52张，创作于星期日

12、 脉冲电流后沿尖峰是开关管关断时的初级漏感和引线电感造成的。脉冲电流前沿尖峰是由次级整流二极管的反向恢复造成的变压器次级暂时短路引起的。*过流信号处理电路 过流一般都是不正常现象，或者是故障，所以过流保护应该是不可以自恢复的。实现方式，反馈自锁。加两级滤波后脉冲电流的前后沿尖峰明显减小。第29页，讲稿共52张，创作于星期日*封锁开关脉冲电路（2）功率开关管过流状态的自动识别*注意，与截止时的电压相区别。*具有快速、可靠、方便的优点。可自锁的处理电路 把过流信号处理电路的输出加到集成PWM控制器的保护信号输入端即可。*根据：GTR、GTO、IGBT等的导通压降是和导通时通过的电流有关的，当管子中

13、电流增加时，其导通压降也会明显上升。*功率MOSFET是阻性负载，导通压降也和导通时的电流有关。第30页，讲稿共52张，创作于星期日二二 输出过压、欠压保护电路输出过压、欠压保护电路 1 过压、欠压状态的判断*比较器A用于输出过压判断。*比较器B用于输出欠压判断。*调整电阻R1、R2、R3可改变保护点。、*正常时，UB=“0”；保护时，UB=“1”。上限下限第31页，讲稿共52张，创作于星期日2 保护 把过压、欠压判断电路的输出加到集成PWM控制器的保护信号输入端即可。3 小功率电源中的过压保护*利用稳压二极管结合过流保护电路可实现。*选择稳压值UZ大于输出电压1V左右的稳压二极管，当发生过压

14、时，稳压二极管反向击穿，输出电压被箝位在UZ，同时产生较大的电流，使过流保护电路动作。*对于瞬间的尖峰干扰，有吸收作用。第32页，讲稿共52张，创作于星期日三三 输入过压保护电路输入过压保护电路 1 输入连续过压保护（1）基本方法*是在滤波电容后取样，对瞬间过压不起作用。*利用R6、R5、T1可改变基准电压，避免产生振荡现象。*保护时，利用发出的保护信号可封锁PWM脉冲输出、停止后级DC/DC变换器工作。第33页，讲稿共52张，创作于星期日（3）改进方法（2）存在问题 保护不彻底，后级DC/DC变换器虽停止工作，功率开关得到保护，但如果输入电压继续上升超过滤波电容的耐压值时，滤波电容会过压击穿

15、。*在判断保护后，发出保护信号同时，控制继电器或接触器动作、断开主回路；不过压时，继电器触点吸合，不影响正常工作。*特点：保护彻底，适合中、大功率电源中应用；电路复杂，成本高。第34页，讲稿共52张，创作于星期日2 输入瞬间过压保护（1）原因（2）保护方法 *电网上电感性负载的开、关，雷电感应等都会在电网电压上产生尖峰电压，有的达数千伏。*这些尖峰电压的能量有强有弱，一般雷电引起的尖峰电压能量较强，有可能损坏电源。*在输入端并联氧化锌压敏电阻。*当交流尖峰电压串入时，经EMI滤波器后，有了一定的衰减；*若衰减后的尖峰仍大于压敏电阻的连续工作电压值时，则压敏电阻的阻值急剧下降，把尖峰能量吸收，电

16、源得到保护。*要合理选择压敏电阻的连续工作电压值，一般要高于连续工作电压上限的20%左右。第35页，讲稿共52张，创作于星期日四四 软启动电路软启动电路 1 软启动 *软启动是指电源启动时，其输出电压随时间缓慢增加，变化规律如图。*需要软启动的原因，是由于电源输出滤波电容较大，开始工作时电容两端电压为零，未储能；如果输出电压突然建立到额定值，将导致：*软启动时间，指输出电压上升到0.9U0时所用时间，一般为几百毫秒。在很短时间内形成很大的充电电流，对整流二极管、功率开关、电容自身都会造成严重的过流冲击。易使过流或短路保护动作，影响电源的正常启动及使用寿命。第36页，讲稿共52张，创作于星期日2

17、 软启动过程3 软启动实现方法 *指电源启动时，使功率开关管的驱动脉宽从0开始缓慢地展宽到额定输出电压时所对应的宽度。*软启动可利用电容的充电特性来实现。*供电时，基准电压UREF立刻建立，但电容C的存在，使电压误差放大器同相输入端电压从零逐渐上升、使PWM脉冲宽度从零开始缓慢展宽。*关机时，电容C通过电阻R2放电，再次启动时仍具有软启动功能。第37页，讲稿共52张，创作于星期日5 软启动与输入浪涌电流抑制电路的关系 *在输入滤波电容充电结束，限流电阻短路后，输出软启动电路才开始工作。4 软启动控制电路设计 *在各种PWM控制芯片里，一般都有软启动控制电路，只需要在设置端外接一个电容即可。*如

18、需要对其进行控制时：X=1时，三极管导通、无脉冲输出；X=0时，三极管截止、正常启动工作。第38页，讲稿共52张，创作于星期日五五 过热保护过热保护 1 热敏电阻2 温度开关4.4 热回路设计 一 半导体器件热设计的必要性1 器件芯片最高允许结温的限制 器件芯片的温度超过结温，将引起器件电的或热的不稳定，而导致器件的失效。一般，硅材料在200以下，锗材料在100 以下。第39页，讲稿共52张，创作于星期日二二 功率开关管损耗计算功率开关管损耗计算 1 电阻性负载开关管的开关损耗2 半导体器件还要受到温度变化的限制 半导体芯片是通过焊剂焊在基座上的，因为其接触部分热膨胀系数不同，所以外部温度频繁

19、变化时，会使结合面材料疲软，致使两个表面分离，最终导致器件的失效。开关管两端电压下降和开关管中电流上升是同步的，只是方向相反。开通电流上升时间关断电流下降时间第40页，讲稿共52张，创作于星期日2 电感性负载开关管的开关损耗 *在开关管截止期间，iC=0、iL=iD，负载通过二极管续流、uce=Ui。*导通时，iC增加到iL以前，二极管仍导通，uce=Ui，只有经过tvr后iL=ic，二极管截止，uce下降、经tvf后下降到零而关断。*关断时，iC稍一下降，二极管便开始导通、uce经很短时间tvr上升到Ui、电流才开始明显下降，经tif后下降到零而关断。第41页，讲稿共52张，创作于星期日3

20、开关管的导通损耗*对于GTR、GTO、IGBT ，Uces有一定的参考值。*对于MOSFET，一般给出Rds，其损耗为 4 开关管的截止损耗很小可忽略第42页，讲稿共52张，创作于星期日二二 二极管损耗计算二极管损耗计算 1 二极管的反向恢复损耗2 二极管的通态损耗3 二极管的开通损耗二极管的开通时间很短，开通损耗可忽略。4 二极管的截止损耗二极管的截止漏电流很小，截止损耗可忽略。UDM二极管承受的反向电压第43页，讲稿共52张，创作于星期日三 热的传输方式热的传输有三种形式：传导、对流、辐射 *传导是热能从一个质点传导下一个质点，而质点保持不动的过程。1 传导 *热的传导与电的传输相似：上式

21、中的P是热流功率，A为传导体的截面积，L为传导体的长度，括号内为温度差。*K 是材料的导热率，其量纲为W/cm2。*铜的导热率为4.01；铝的导热率为2.25。第44页，讲稿共52张，创作于星期日 *此式与导体中的电流计算式相似，所以可以应用分析电路的方法分析热路。*对流我们都很熟悉，天气的变化就是一种对流，称为自然对流。相对的还有强迫对流，就是强迫将被加热的介质带走热量。2 对流 *被加热的介质变轻，自然上升带走热量，称为自然对流.第45页，讲稿共52张，创作于星期日3 辐射 *辐射是借助于电磁波的形式将热传输出去。它与辐射面的表面积、粗糙度和颜色有关。*三种传热方式往往同时存在，热传输是多

22、维的。*如，芯片到外壳的热传输主要是传导，对流和辐射可忽略不计；在高空条件下，对流处于次要地位，主要是传导和辐射散热。四 热路欧姆定律1 热阻 *表示介质传热的能力，其意义就是单位功耗所引起的温升，用Rth表示。*热阻的单位是/W*一般在说明热阻时，要说明从某处到某处的热阻。第46页，讲稿共52张，创作于星期日2 热路欧姆定律*根据热电相似原理引入热路的概念 *在热路中，热流相当于电路中的电流，热阻相当于电路中的电阻，温度差相当于电位差。*即，当热量从A物体向它周围的B物体扩散，A物体的温升等于A物体的发热功率与从A到B的热阻的乘积。*如物体内有N个发热点，其热功率分别为P1、P2 Pn，则引

23、起A处温升的总功率为第47页，讲稿共52张，创作于星期日3 等效热路*开关电源中的功率开关管或整流二极管的等效热路 *在散热系统中，芯片会与外壳、壳与散热器、壳与环境有热交换，其温度和热阻分别如图所示。*壳与环境的热阻要远大于壳与散热器的热阻，所以前一热路可等效为后一热路。*Tj、TC、TS、Ta分别是芯片、壳、散热器、环境温度。*Rjc、Rca、Rcs、Rsa分别是芯片到壳、壳到环境、壳到散热器、散热器到环境的热阻。第48页，讲稿共52张，创作于星期日*该环路中流动的是热功率*应该注意到该热路及方程只是稳态时等效热路五.外部热阻的确定方法和散热器设计1 芯片到壳的热阻 *芯片到壳的热阻可通过

24、厂家提供的手册查找*不提供时，可用下式计算Tjm公司给出的最高允许结温TC环境25时最高允许壳温PCM公司给出的最大允许功耗*一般第49页，讲稿共52张，创作于星期日2 壳到散热器的热阻 *壳到散热器的热阻与二者之间的接触面积及粗糙程度有关，为接触热阻。*A 是接触面积（cm）、为接触系数（cm2）/W、金属金属，有硅脂时为0.5；无硅脂时为1。*如果二者之间需要加绝缘，可用后式计算。*其中，K为导热率，L为垫片厚度，A 为垫片截面积。第50页，讲稿共52张，创作于星期日3 散热器到环境的热阻 *铝型材散热器当翼片气流方向垂直于水平面，光洁表面，黑色氧化时，有经验公式A 为散热器的表面面积（cm2）P 为流入散热器的功率（W）4 散热器设计（1）计算散热器热阻第51页，讲稿共52张，创作于星期日感感谢谢大大家家观观看看第52页，讲稿共52张，创作于星期日