数电半导体存储器可编程逻辑器件幻灯片.ppt
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1、数电半导体存储器可编程逻辑器件第1页,共50页,编辑于2022年,星期六 半导体存储器几乎是当今数字系统中不可缺少的重要组成部分,它半导体存储器几乎是当今数字系统中不可缺少的重要组成部分,它可以用来存储大量的二进制数据。可以用来存储大量的二进制数据。半导体存储器由半导体集成电路制成,具有集成度高、存取速度快、体半导体存储器由半导体集成电路制成,具有集成度高、存取速度快、体积小等特点。积小等特点。半导体存储器的容量用能存储二进制数的字数与每个字的位数的乘积表半导体存储器的容量用能存储二进制数的字数与每个字的位数的乘积表示,如示,如1024 1(1K),2048 8(16K)等。)等。计算机计算机
2、存储器存储器内存储器内存储器要求存取速度要快,一般采用半导体存储器。要求存取速度要快,一般采用半导体存储器。外存储器外存储器要求存储容量大,一般采用磁盘、光盘等。要求存储容量大,一般采用磁盘、光盘等。1 半导体存储器概述半导体存储器概述第2页,共50页,编辑于2022年,星期六半导体半导体存储器存储器ROMRAM静态静态RAM动态动态RAM掩模掩模ROM(不可改写(不可改写ROM、固定、固定ROM)一次可编程一次可编程ROM(PROM)光可擦除可编程光可擦除可编程ROM(EPROM)电可擦除可编程电可擦除可编程ROM(E2PROM)ROMRead Only memoryRAMRandom Ac
3、cess Memory第3页,共50页,编辑于2022年,星期六2 ROM存储器存储器1 掩模掩模ROM由二极管构成的掩模ROM2/4线线地地址址译译码码器器输出缓冲器输出缓冲器D3D2D1D0Y0Y2Y1Y3A1A0存储矩阵 掩模掩模ROM在制造时,生产厂家利用掩在制造时,生产厂家利用掩模技术把数据写入存储器中,一旦模技术把数据写入存储器中,一旦ROM制成,制成,其存储的数据固定不变。其存储的数据固定不变。第4页,共50页,编辑于2022年,星期六4条字线位线两位地址输入2/4线线地地址址译译码码器器输出缓冲器输出缓冲器D3D2D1D0Y0Y2Y1Y3A1A0存储矩阵存储容量:存储容量:4
4、4=16第5页,共50页,编辑于2022年,星期六2/4线线地地址址译译码码器器输出缓冲器输出缓冲器D3D2D1D0Y0Y2Y1Y3A1A0A1A0=00选中字线选中字线Y0Y0=1Y1=Y2=Y3=0接在接在Y0线上的线上的二极管导通二极管导通D2=1、D0=1D3D2D1D0=0101工作原理工作原理第6页,共50页,编辑于2022年,星期六地址字线位线(存储内容)A1 A0Y3 Y2 Y1 Y0D3 D2 D1 D00 00 0 0 1 0 1 0 10 10 0 1 01 0 1 11 00 1 0 00 1 0 01 11 0 0 01 1 1 0存储内容列表存储内容列表第7页,共5
5、0页,编辑于2022年,星期六2/4线线地地址址译译码码器器Y0Y2Y1Y3A1A0输出缓冲器输出缓冲器D3D2D1D0+UCC由三极管构成的掩模ROM第8页,共50页,编辑于2022年,星期六A1A0=00选中字线选中字线Y0Y0=1Y1=Y2=Y3=0接在接在Y0线上的线上的三极管导通三极管导通D2=1、D0=1D3D2D1D0=0101工作原理工作原理2/4线线地地址址译译码码器器Y0Y2Y1Y3A1A0输出缓冲器输出缓冲器D3D2D1D0+UCC第9页,共50页,编辑于2022年,星期六由 NMOS管构成的掩模ROM2/4线线地地址址译译码码器器Y0Y2Y1Y3A1A0D3D2D1D0
6、+UCC1111负载管负载管第10页,共50页,编辑于2022年,星期六2/4线线地地址址译译码码器器Y0Y2Y1Y3A1A0D3D2D1D0+UCC1111负载管负载管A1A0=00选中字线选中字线Y0Y0=1Y1=Y2=Y3=0接在接在Y0线上的线上的NMOS管导通管导通D2=1、D0=1D3D2D1D0=0101工作原理工作原理第11页,共50页,编辑于2022年,星期六2 一次可编程一次可编程ROM(PROM)PROM在出厂时,存储内容全在出厂时,存储内容全为为1(或全为(或全为0),用户可以根据自己),用户可以根据自己需要,利用通用或专用的编程器,将某需要,利用通用或专用的编程器,将
7、某些单元改写为些单元改写为0(或(或1)。)。由二极管构成的PROM2/4线线地地址址译译码码器器D3D2D1D0Y0Y2Y1Y3A1A0第12页,共50页,编辑于2022年,星期六2/4线线地地址址译译码码器器D3D2D1D0Y0Y2Y1Y3A1A0熔丝连通为1熔丝断开为0 出厂时熔丝是连通的,全部存储单元为出厂时熔丝是连通的,全部存储单元为1,欲使某些单元改写为,欲使某些单元改写为0,只要通过编程,只要通过编程,给对应单元通以足够大的电流将熔丝熔断即可。给对应单元通以足够大的电流将熔丝熔断即可。熔丝熔断后不能再恢复,因此熔丝熔断后不能再恢复,因此PROM只能改写一次。只能改写一次。第13页
8、,共50页,编辑于2022年,星期六3 光可擦除可编程光可擦除可编程ROM(EPROM)EPROM的特点是:可以通过紫外线照射或的特点是:可以通过紫外线照射或 X射线照射擦除原来内容,再通过通用或专用的编射线照射擦除原来内容,再通过通用或专用的编程器写入新的内容。如果不对其进行照射,原有程器写入新的内容。如果不对其进行照射,原有内容可以长期保存。内容可以长期保存。4 电可擦除可编程电可擦除可编程ROM(E2PROM)E2PROM和和EPROM都是采用浮删技术生产的,都是采用浮删技术生产的,所不同的是:这里采用电擦除,所以擦除速度快。所不同的是:这里采用电擦除,所以擦除速度快。E2PROM具有具
9、有ROM的非易失性,又具备类似的非易失性,又具备类似RAM的功能,可以随时改写(可重复擦除的功能,可以随时改写(可重复擦除1万次以上)。万次以上)。第14页,共50页,编辑于2022年,星期六例:用例:用ROM实现十进制数码显示实现十进制数码显示D7D6D5D4D3D1D2AabefgcdBCDabcdefgA3A2A1A0ROM8421BCD码码ROM地址输入端ROM数据输出端七段数码显示器输入端第15页,共50页,编辑于2022年,星期六例:用例:用ROM实现十进制数码显示实现十进制数码显示D7D6D5D4D3D1D2AabefgcdBCDabcdefgA3A2A1A0ROMA3 A2A1
10、 A0=0000D1D2D3D4D5D6D7=abcdefg=1111110显示数字显示数字0第16页,共50页,编辑于2022年,星期六3 RAM存储器存储器1 静态静态RAM的基本存储电路的基本存储电路 RAM存储器和存储器和 ROM存储器的结构大同小存储器的结构大同小异,只是基本存储电路不同。异,只是基本存储电路不同。基本存储电路即基本存储电路即存储矩阵中的存储单存储矩阵中的存储单元,用来存储元,用来存储“0”或或“1”。字线字线位线位线D位线位线DT1T2T3T4T5T6AB+5V第17页,共50页,编辑于2022年,星期六T1、T2控制管T3、T4负载管四管构成一个 R-S触发器,用
11、来存储“0”或“1”。字线字线位线位线D位线位线DT1T2T3T4T5T6AB+5V第18页,共50页,编辑于2022年,星期六T5、T6开关管受字线上电位的控制。字线字线位线位线D位线位线DT1T2T3T4T5T6AB+5V第19页,共50页,编辑于2022年,星期六字线字线位线位线D位线位线DT1T2T3T4T5T6AB+5V静态静态RAM存储器的特点:存储器的特点:数据由触发器数据由触发器记忆,只要不断电,记忆,只要不断电,数据能长久保存。数据能长久保存。但每个存储单元所但每个存储单元所用管子数目多,功用管子数目多,功耗大,集成度受到耗大,集成度受到限制,不适宜大容限制,不适宜大容量存储
12、器。量存储器。第20页,共50页,编辑于2022年,星期六2 动态动态RAM的基本存储电路的基本存储电路字线字线位线位线TCCDT控制管,受字线电位控制C存储数据的电容CD位线上的分布电容第21页,共50页,编辑于2022年,星期六动态动态RAM存储器的特点:存储器的特点:由于是单管(或三管)结构,适由于是单管(或三管)结构,适宜于大容量存储器。宜于大容量存储器。字线字线位线位线TCCD 为了节省面积,为了节省面积,C的容量不能太大,的容量不能太大,一般都比一般都比CD的容量小。由于漏电流的存在,的容量小。由于漏电流的存在,C上存储的数据不能长久保存,必须定上存储的数据不能长久保存,必须定期给
13、期给C充电,即刷新,以避免数据的丢失。充电,即刷新,以避免数据的丢失。第22页,共50页,编辑于2022年,星期六3 存储矩阵存储矩阵存储存储矩阵矩阵地地址址译译码码器器读读/写写控制电路控制电路读读/写线写线数据线数据线第23页,共50页,编辑于2022年,星期六4 集成电路存储器芯片集成电路存储器芯片1 EPROM2716EPROM2716VCCA8A9VPPA10PD/PGMD7D6D5D4D3D0D1D2A7A4A6A5A3A2A1A0GND1121324 EPROM2716是一种容量为16K(20488)的光可擦除可编程ROM存储器第24页,共50页,编辑于2022年,星期六VPP:
14、编程电源端(:编程电源端(25V)EPROM2716VCCA8A9VPPA10PD/PGMD7D6D5D4D3D0D1D2A7A4A6A5A3A2A1A0GND1121324A10 A0:地址线端:地址线端D7 D0:数据线端:数据线端PD/PGM:编程控制端:编程控制端VCC:工作电源端:工作电源端GND:接地端:接地端管脚排列和功能第25页,共50页,编辑于2022年,星期六 编程时,编程时,VPP接接25V电电源,片选信号端接高电平,源,片选信号端接高电平,在在PD/PGM加脉宽为加脉宽为50ms的正的正脉冲。脉冲。工作时,工作时,VPP与与VCC一起一起接接5V电源,电源,PD/PGM
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