第9章 面天线精选文档.ppt
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1、第9章 面天线本讲稿第一页,共三十六页 与线天线不同的另一类是面天线(又称口径天线),与线天线不同的另一类是面天线(又称口径天线),它们所载的电流是沿天线体的金属表面分布,且面天线的它们所载的电流是沿天线体的金属表面分布,且面天线的口径尺寸远大于工作波长。面天线长用在无线电频谱的高口径尺寸远大于工作波长。面天线长用在无线电频谱的高频段,特别是微波波段。频段,特别是微波波段。求解面天线问题,通常采用口径场方法,即先由场求解面天线问题,通常采用口径场方法,即先由场源求得口径面上的场分布,再求出天线的辐射场。分析源求得口径面上的场分布,再求出天线的辐射场。分析的依据是惠更斯的依据是惠更斯-菲涅尔原理
2、,即在空间任意一点的场,是菲涅尔原理,即在空间任意一点的场,是包围天线的闭封曲面上各点的电磁扰动产生的次级辐射在该包围天线的闭封曲面上各点的电磁扰动产生的次级辐射在该点叠加的结果。点叠加的结果。本讲稿第二页,共三十六页第第 9章章 面天线面天线9.1 惠更斯元的辐射惠更斯元的辐射 面面天天线线的的结结构构包包括括金金属属导导体体面面S、金金属属导导体体面面的的开开口口径径S(即即口口径径面)及由面)及由S0=S+S所构成的封闭曲面内的辐射源,如图所构成的封闭曲面内的辐射源,如图 9-1 所示。所示。由由于于在在封封闭闭面面上上有有一一部部分分是是导导体体面面S,所所以以其其上上的的场场为为零零
3、,这这样样使使得得面面天天线线的的辐辐射射问问题题简简化化为为口口径径面面S的的辐辐射射,即即S0=S+SS,设设口口径径上上的的场场分分布布ES,根根据据惠惠更更斯斯-菲菲涅涅尔尔原原理理,把把口口径径面面分分割为许多面元割为许多面元dS,称为惠更斯元。,称为惠更斯元。本讲稿第三页,共三十六页图图 9 1 面天线的原理面天线的原理本讲稿第四页,共三十六页图图 9 2 惠更斯元惠更斯元本讲稿第五页,共三十六页惠更斯元的方向函数为惠更斯元的方向函数为图图 9 3 惠更斯元的方向图惠更斯元的方向图本讲稿第六页,共三十六页9.2 平面口径的辐射平面口径的辐射 微微波波波波段段的的无无线线电电设设备备
4、,如如抛抛物物面面天天线线及及喇喇叭叭照照射射器器,它它们们的的口口径径面面S都都是是平平面面,所所以以讨讨论论平平面面口口径径的的辐辐射射有有普普遍遍的的实实用用意意义义。设设平平面面口口径径面面位位于于xOy平平面面上上,坐坐标标原原点点到到观观察察点点M的的距距离离为为R,面面元元dS到到观观察察点点M的的距离为距离为r,如图如图 9-4 所示。所示。任意口径面在远处辐射场的一般表达式为任意口径面在远处辐射场的一般表达式为本讲稿第七页,共三十六页图图 9 4 平面口径的辐射平面口径的辐射本讲稿第八页,共三十六页 1.S为矩形口径时辐射场的特性为矩形口径时辐射场的特性 设设矩矩形形口口径径
5、的的尺尺寸寸为为D1D2,如如图图 9-5 所所示示。下下面面讨讨论论两两种种不不同同口口径分布情形下的辐射特性。径分布情形下的辐射特性。1)口径场沿口径场沿y轴线极化且均匀分布轴线极化且均匀分布 图图9-5 矩形口径的辐射矩形口径的辐射本讲稿第九页,共三十六页图图 9 6 矩形口径场均匀分布时的方向图矩形口径场均匀分布时的方向图(D1=3,D2=2)本讲稿第十页,共三十六页 由由图图 9-6 可可见见:最最大大辐辐射射方方向向在在=0方方向向上上,且且当当D1/和和D2/都都较较大大时时,辐辐射射场场的的能能量量主主要要集集中中在在z轴轴附附近近较较小小的的角角范范围围内内。因因此此在在分析
6、主瓣特性时可认为分析主瓣特性时可认为(1+cos)/21。(1)主瓣宽度和旁瓣电平主瓣宽度和旁瓣电平 设设0.5表示半功率波瓣宽度表示半功率波瓣宽度,即即由由MATLAB计算或查图计算或查图 9-7可得可得0.5=1.39,或或 2sin0.5E=0.89 2 sin0.5H=0.89 本讲稿第十一页,共三十六页图图9-7 口径辐射方向函数曲线口径辐射方向函数曲线本讲稿第十二页,共三十六页 E面面和和H面面最最邻邻近近主主瓣瓣的的第第一一个个峰峰值值均均为为0.214,所所以以第第一一旁旁瓣瓣电电平为平为 20log10 0.214=-13.2 dB(2)方向系数方向系数 根据第根据第6章中方
7、向系数的定义,章中方向系数的定义,有有将将|Emax|=和和代入上式即得代入上式即得口径场均匀分布的矩形口径的方向系数为口径场均匀分布的矩形口径的方向系数为本讲稿第十三页,共三十六页 2)口径场沿口径场沿y轴线极化且振幅沿轴线极化且振幅沿x轴余弦分布轴余弦分布(1)主瓣宽度和旁瓣电平主瓣宽度和旁瓣电平 20.5E=51 ,20.5H=68 E平面第一旁瓣电平为平面第一旁瓣电平为 20log10 0.214=-13.2dB H平面第一旁瓣电平为平面第一旁瓣电平为 20log10 0.071=-23dB(2)方向系数方向系数本讲稿第十四页,共三十六页 口径场余弦分布的矩形口径的方向系数为口径场余弦
8、分布的矩形口径的方向系数为 式中式中,为口径利用因数为口径利用因数,此时此时=0.81,而均匀分布时而均匀分布时=1。本讲稿第十五页,共三十六页9.3 旋转抛物面天线旋转抛物面天线 旋旋转转抛抛物物面面天天线线是是在在通通信信、雷雷达达和和射射电电天天文文等等系系统统中中广广泛泛使使用用的的一一种种天天线线,它它是是由由两两部部分分组组成成的的,其其一一是是抛抛物物线线绕绕其其焦焦轴轴旋旋转转而而成成的的抛抛物物反反射射面面,反反射射面面一一般般采采用用导导电电性性能能良良好好的的金金属属或或在在其其它它材材料料上上敷敷以以金金属属层层制制成成;其其二二是是置置于于抛抛物物面面焦焦点点处处的的
9、馈馈源源(也也称称照照射射器器)。馈馈源源把把高高频频导导波波能能量量转转变变成成电电磁磁波波能能量量并并投投向向抛抛物物反反射射面面,而而抛抛物物反反射射面面将将馈馈源源投投射射过过来来的的球球面面波波沿沿抛抛物物面面的的轴轴向向反反射射出去出去,从而获得很强的方向性。从而获得很强的方向性。1.抛物面天线的工作原理及分析方法抛物面天线的工作原理及分析方法 (1)抛物面天线的工作原理抛物面天线的工作原理本讲稿第十六页,共三十六页 1.抛物面天线的工作原理及分析方法抛物面天线的工作原理及分析方法 (1)抛物面天线的工作原理抛物面天线的工作原理 抛抛物物面面天天线线的的结结构构如如图图 9-10
10、所所示示,首首先先来来介介绍绍一一下下旋旋转转抛抛物物面面天天线线的的几几何何特特性性。在在yz平平面面上上,焦焦点点F在在z轴轴且且其其顶顶点点通通过过原原点点的的抛抛物物线方程为线方程为 y2=4fz (9-3-1)其中其中,f为焦距。为焦距。由此抛物线绕由此抛物线绕OF轴旋转而形成的抛物面方程为轴旋转而形成的抛物面方程为:x2+y2=4fz 为为了了分分析析方方便便,抛抛物物线线方方程程也也经经常常用用原原点点与与焦焦点点F重重合合的的极极坐坐标(标(,)来表示)来表示,即即本讲稿第十七页,共三十六页图图 9 10 抛物面几何关系图抛物面几何关系图本讲稿第十八页,共三十六页 (2)分析方
11、法分析方法 通常采用两种方法通常采用两种方法:口口径径场场法法根根据据上上节节提提及及的的惠惠更更斯斯原原理理,抛抛物物面面天天线线的的辐辐射射场场可可以以用用包包围围源源的的任任意意封封闭闭曲曲面面(S+S)上上各各次次级级波波源源产产生生的的辐辐射射场场的的叠叠加加。对对于于具具体体的的抛抛物物面面天天线线,S为为抛抛物物面面的的外外表表面面,S为为抛抛物物面面的的开开口口径径。这这样样,在在S上上的的场场为为零零,在在口口径径S上上各各点点场场的的相相位位相相同同。所所以以只只要要求求出出口口径径面面上上的的场场分分布布,就就可可以以利利用用圆圆口口径径同同相相场场的的辐辐射射公公式式来
12、来计计算算天天线线的辐射场。的辐射场。面面电电流流法法先先求求出出馈馈源源所所辐辐射射的的电电磁磁场场在在反反射射面面上上激激励励的的面面电流密度分布电流密度分布,然后由面电流密度分布再求抛物面天线的辐射场。然后由面电流密度分布再求抛物面天线的辐射场。本讲稿第十九页,共三十六页 2.抛物面天线的辐射特性抛物面天线的辐射特性 1)口径场分布口径场分布 计计算算口口径径场场分分布布时时,要要依依据据两两个个基基本本定定律律几几何何光光学学反反射射定定律律和和能量守恒定律能量守恒定律,而且必须满足以下几个条件而且必须满足以下几个条件:馈馈源源辐辐射射理理想想的的球球面面波波,即即它它有有一一个个确确
13、定定的的相相位位中中心心并并与与抛抛物面的焦点重合物面的焦点重合;馈源的后向辐射为零馈源的后向辐射为零;抛抛物物面面位位于于馈馈源源辐辐射射场场的的远远区区,即即不不考考虑虑抛抛物物面面与与馈馈源源之之间间的的耦合。耦合。本讲稿第二十页,共三十六页 2)方向函数方向函数 抛物面天线的辐射场如图抛物面天线的辐射场如图 9-12所示所示图图 9 12 抛物面天线的辐射特性抛物面天线的辐射特性本讲稿第二十一页,共三十六页 因因为为抛抛物物面面是是旋旋转转对对称称的的,馈馈源源的的方方向向函函数数也也是是旋旋转转对对称称的的,所以抛物面天线的所以抛物面天线的E面和面和H面方向函数相同并表示为面方向函数
14、相同并表示为 如如果果给给定定抛抛物物面面的的张张角角0及及馈馈源源方方向向函函数数Df(),即即可可由由MATLAB画出天线方向图。画出天线方向图。一般情况下一般情况下,馈源的方向图越宽及口径张角越小馈源的方向图越宽及口径张角越小,则口径场越均匀则口径场越均匀,因因而抛物面方向图的主瓣越窄、旁瓣电平越高。而抛物面方向图的主瓣越窄、旁瓣电平越高。另外另外,旁瓣电平除了旁瓣电平除了直接与口径场分布的均匀程度有关外直接与口径场分布的均匀程度有关外,馈源在馈源在0以外的漏辐射也是旁以外的漏辐射也是旁瓣的部分瓣的部分,漏辐射越强漏辐射越强,则旁瓣电平越高。此外则旁瓣电平越高。此外,反射面边缘电流的绕射
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