EMI抑制的元件、材料与集成电路opg.docx
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1、EMI抑抑制的元元件、材材料和集集成电路路EMI滤滤波器元元器件(1) Murrataa扼流圈圈为更快快速数据据传输提提供良好好EMII过滤性性能。该该扼流圈圈适用于于高速接接口包括括IEEEE13394(Firrewiire)、USSB和LLVDSS,它采采用小巧巧的12206封封装形式式,可满满足FCCC提出出的电磁磁干扰(EMII)要求求。此外外,无引引脚PLLW32216SS系列使使用了该该公司新新型缠绕绕技术,具具有更高高偶合系系数,并并在GHHz范围围具有极极佳共模模噪声抑抑制能力力。(2) Choomerricss公司的的EMII垫片可可提供大大于900dB的的EMII屏蔽性性能
2、。新新的SOOFT-SHIIELDD 50000系系列EMMI垫片片符合UUL944V-00可燃性性要求,这这些EMMI垫片片由套在在软聚氨氨脂泡沫沫塑料上上的导电电纤维封封套组成成,仅需需不到00.1775N/mm的的封闭压压力就可可获得440%的的偏差。这这些自终终结垫片片在300MHzz到1GGHz频频率范围围内具有有大于990dBB的EMMI屏蔽蔽性能,在在10GGHz时时大于775dBB。所有的SSOFTT-SHHIELLD50000垫垫片都带带有压敏敏粘合剂剂以易于于粘附。垫垫片形状状有矩形形、D和和P形,以以及C折折叠形。它它们可以以切割长长度、削削割部分分、冲模模切割、画画框和
3、特特殊形状状供应。贴贴装夹剪剪和刚性性嵌入形形状也可可提供。(3) Donng JJin EMII防护垫垫圈由1100%的聚酯酯制造。该该垫圈由由1000%的聚聚酯在不不超过2200的温度度下镀上上铜和镍镍制造而而成。这这种垫圈圈含有UUL认证证的聚氨氨脂泡沫沫塑料和和粘性接接头。聚聚亚氨酯酯泡沫海海绵的密密度为4453公斤斤/立方方厘米,并并最多可可拉长至至原长度度的1220%。该该垫圈的的表面电电阻为00.2欧欧姆,同同时有一一个可选选导电带带。其参参数包括括:根据据湿度及及盐度的的不同,电电阻为00.055-0.3欧姆姆/平方方英寸;导电带带的厚度度为100010微微米,附附着力为为90
4、0050克克/英寸寸;压敏敏胶带厚厚度为00.133毫米;工作温温度为-40到2004。现有有以下几几种型号号:D型型带夹子子、扁平平、矩形形,以及及D型、L型和P形。(4) Daeesunng HHi-ttechh的EMMI滤波波器具有有22ppF到1100nnF的电电容值。该该公司的的SMDDEMII滤波器器具有很很好的噪噪声抑制制性能,即即使在频频率从220MHHz到1150MMHz的的特高速速信号线线应用中中也是如如此。这这些滤波波器的电电容值从从22ppF到1100nnF。其规格如如下:额额定电压压50VVdc;额定电电流3000A;耐压1125VVdc/分钟;绝缘电电阻大于于100
5、0千兆欧欧;精度度为20%;温度度范围从从-300到855。该滤波波器适用用于I/O视频频信号线线及鼠标标和MOODEMM的I/O电路路,能减减少由模模拟信号号产生的的数字噪噪声。它它以四线线连接,尺尺寸为99.60.1154.44mm。EMI屏屏蔽网(1) Loggisttic Indd Suupplly推出出了一种种可屏蔽蔽不同元元件间电电磁干扰扰(EMMI)的的屏蔽网网。这种种屏蔽网网由镀锡锡铜线制制成,编编织成管管状并压压成扁带带形状,很很容易缠缠绕在扁扁平电缆缆和线束束的周围围。还有有一种屏屏蔽网带带,其背背面有带带压敏粘粘接剂的的铝箔和和PVCC膜。屏屏蔽网的的标准宽宽度在110m
6、mm和3440mmm之间,特特殊尺寸寸也可以以定做。该产品可用于计算机、办公自动化设备和通信设备等,最小订购量为1,000个。(2) Nissshiinboo Teempeest的的屏蔽网网和布采采用特殊殊的织物物处理技技术,由由镀铜或或镀铜/镍的聚聚酯材料料制成。两两种产品品都有高高达400dB至至60ddB的屏屏蔽性能能,并且且具有灵灵活、阻阻燃且重重量轻的的特点(屏蔽网网的密度度从299g/mm2到1170gg/m22;屏蔽蔽布的密密度从774g/m2到到1155g/mm2)。屏屏蔽网和和屏蔽布布分别有有九种和和四种型型号。屏屏蔽网的的光学性性能较好好,透明明度在333%到到66%之间。
7、其其透气性性好,防防尘性强强,适用用于VDDT滤波波器、EEMI滚滚动屏和和隔板以以及透气气罩等。屏屏蔽布还还有良好好的隔热热性能。两种产品均可应用于EMI帘幕、屏蔽墙布、导电带和导电连接器。EMI屏屏蔽材料料Techhnitt的Foorm-in-PlaaceEEMI填填料是一一种加有有镀银导导电铜粒粒的硅合合成橡胶胶,固化化后可形形成适用用性很强强的EMMI屏蔽蔽和环境境密封。通通过计算算机控制制,将这这种涂料料涂在一一维或两两维平面面上的金金属或塑塑胶壳上上,该方方法能精精确地将将这种材材料涂敷敷在边缘缘,宽度度可窄至至0.7762mmm。其其屏蔽效效果在110MHHz时为为75ddB。扩
8、展频谱谱时钟芯芯片(1) Ameericcan Miccrossysttemss时钟发发生器IIC通过过非线性性扩频调调制降低低了系统统EMII,并具具有较低低的周期期至周期期CPUU时钟抖抖动(小小于1550pssp-pp),从从而改善善了时序序边缘。 这种用用于1333MHHz FFSB主主板的单单片主板板时钟发发生器IIC具有有Inttel8820桌桌面系统统所需的的所有时时钟,如如高达1133MMHz的的四个CCPU时时钟、两两个CPPU/22时钟、七七个PCCI总线线时钟、四四个AGGP时钟钟、三个个IOAAPICC时钟、两两个REEF时钟钟和一个个USBB时钟。该器件可支持-0.5
9、%的非线性扩频调制,并具有独立的CPU时钟使能、PCI时钟使能以及用于时钟控制和电源管理的低电流功率下降能力。通过两个控制输入可获得频率选择、三态和测试模式。(2) IMII可编程程扩展频频谱时钟钟芯片可可降低EEMI散散射,用用途在PPC、笔笔记本电电脑、LLCD显显示器、打打印机和和复印机机等。该该芯片带带有晶振振,可单单独工作作,也可可接外部部时钟。FS7XX系列可让工程师对其系统时钟频率作连续变动和调节,从而使其设计的EMI散射降至最低。这种降低EMI散射的方法不仅加快产品面市时间,而且也免掉了为满足FCC要求而使用的昂贵滤波和金属屏蔽器件。该系列器件均可在时钟变量的0.6%至0.4%
10、内作调整。频率变化范围越宽,扩展到边带上的时钟能量就越多,同时EMI散射就越低。该类器件有1、2和4时钟倍乘器型号,可大大节省成本。欲了解更更多信息息,请联联系Siimonn Zhhou。 E-mmaill:siimonnzhoougglobbalssourrcess.coom通过PCCB分层层堆叠设设计控制制EMII辐射作者:RRickk Haartlley高高级PCCB硬体体工程师师Appplieed IInnoovattionn Innc. 解决EMMI问题题的办法法很多,现现代的EEMI抑抑制方法法包括:利用EEMI抑抑制涂层层、选用用合适的的EMII抑制零零配件和和EMII仿真设设计
11、等。本本文从最最基本的的PCBB布板出出发,讨讨论PCCB分层层堆叠在在控制EEMI辐辐射中的的作用和和设计技技巧。电源汇流流排在IC的的电源引引脚附近近合理地地安置适适当容量量的电容容,可使使IC输输出电压压的跳变变来得更更快。然然而,问问题并非非到此为为止。由由於电容容呈有限限频率响响应的特特性,这这使得电电容无法法在全频频带上生生成干净净地驱动动IC输输出所需需要的谐谐波功率率。除此此之外,电电源汇流流排上形形成的瞬瞬态电压压在去耦耦路径的的电感两两端会形形成电压压降,这这些瞬态态电压就就是主要要的共模模EMII干扰源源。我们们应该怎怎麽解决决这些问问题?就我们电电路板上上的ICC而言,
12、IIC周围围的电源源层可以以看成是是优良的的高频电电容器,它它可以收收集为干干净输出出提供高高频能量量的分立立电容器器所泄漏漏的那部部份能量量。此外外,优良良的电源源层的电电感要小小,从而而电感所所合成的的瞬态信信号也小小,进而而降低共共模EMMI。当然,电电源层到到IC电电源引脚脚的连线线必须尽尽可能短短,因为为数位信信号的上上升沿越越来越快快,最好好是直接接连到IIC电源源引脚所所在的焊焊盘上,这这要另外外讨论。为了控制制共模EEMI,电电源层要要有助於於去耦和和具有足足够低的的电感,这这个电源源层必须须是一个个设计相相当好的的电源层层的配对对。有人人可能会会问,好好到什麽麽程度才才算好?
13、问题的的答案取取决於电电源的分分层、层层间的材材料以及及工作频频率(即即IC上上升时间间的函数数)。通通常,电电源分层层的间距距是6mmil,夹夹层是FFR4材材料,则则每平方方英寸电电源层的的等效电电容约为为75ppF。显显然,层层间距越越小电容容越大。上升时间间为1000到3300pps的器器件并不不多,但但是按照照目前IIC的发发展速度度,上升升时间在在1000到3000pss范围的的器件将将占有很很高的比比例。对对於1000到3300pps上升升时间的的电路,33mill层间距距对大多多数应用用将不再再适用。那那时,有有必要采采用层间间距小於於1miil的分分层技术术,并用用介电常常数
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- EMI 抑制 元件 材料 集成电路 opg
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