微电子学专业词汇gqyj.docx

《微电子学专业词汇gqyj.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《微电子学专业词汇gqyj.docx（17页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、微电子学学专业词词汇Abe abssorbb inn 集中中精力做做某事aacceess conntrool llistt 访问问控制表表acttivee atttacck 主主动攻击击acttiveeX cconttroll AcctivveX控控件addvanncedd enncryyptiion staandaard AESS,高级级加密标标准allgorrithhm 算算法allterratiion of messsagge 改改变消息息apppliccatiion levvel atttackk 应用用层攻击击arggumeent 变量aasymmmettricc keey ccry

2、pptoggrapphy 非对称称密钥加加密atttriibutte ccerttifiicatte属性性证书aauthhentticaatioon 鉴鉴别auuthooritty 机机构avvaillabiilitty 可可用性AAbruupt junnctiion 突变结结Accceleeratted tesstinng 加加速实验验Acccepttor 受主AAcceeptoor aatomm 受主主原子AAccuumullatiion 积累、堆堆积Acccummulaatinng cconttactt 积累累接触AAccuumullatiion reggionn 积累累区Acccumm

3、ulaatioon llayeer 积积累层AActiive reggionn 有源源区Acctivve ccompponeent 有源元元Acttivee deevicce 有有源器件件Acttivaatioon 激激活Acctivvatiion eneergyy 激活活能Acctivve rregiion 有源（放放大）区区Admmitttancce 导导纳Alllowwed bannd 允允带Allloyy-juuncttionn deevicce 合合金结器器件Allumiinumm(Allumiiniuum) 铝Allumiinumm oxxidee 铝氧氧化物AAlumminuum

4、 ppasssivaatioon 铝铝钝化AAmbiipollar 双极的的Ambbiennt ttempperaaturre 环环境温度度Amoorphhouss 无定定形的，非非晶体的的 Ammpliifieer 功功放 扩扩音器 放大器器Anaaloggue(Anaalogg) ccompparaatorr 模拟拟比较器器Anggstrrom 埃Annneaal 退退火Annisootroopicc 各向向异性的的Anoode 阳极AArseenicc (AAS) 砷Auugerr 俄歇歇Augger proocesss 俄俄歇过程程Avaalannchee 雪崩崩Avaalannche

5、e brreakkdowwn 雪雪崩击穿穿Avaalannchee exxcittatiion 雪崩激激发Bbruute-forrce atttackk 强力力攻击BBackkgrooundd caarriier 本底载载流子BBackkgrooundd doopinng 本本底掺杂杂Bacckwaard 反向BBackkwarrd bbiass 反向向偏置BBalllasttingg reesisstorr 整流流电阻BBalll boond 球形键键合Baand 能带BBandd gaap 能能带间隙隙Barrrieer 势势垒Baarriier layyer 势垒层层Barrrieer

6、wwidtth 势势垒宽度度Basse 基基极Baase conntacct 基基区接触触Basse sstreetchhingg 基区区扩展效效应Baase traansiit ttimee 基区区渡越时时间Baase traanspportt effficcienncy 基区输输运系数数Basse-wwidtth mmoduulattionn 基区区宽度调调制 BBasiis vvecttor 基矢BBiass 偏置置Billateerall swwitcch 双双向开关关Binnaryy coode 二进制制代码BBinaary commpouund semmicoonduuctoor

7、二二元化合合物半导导体Biipollar 双极性性的Biipollar Junnctiion Traansiistoor (BJTT) 双双极晶体体管Bllochh 布洛洛赫Bllockkingg baand 阻挡能能带Bllockkingg coontaact 阻挡接接触Boody - ccenttereed 体体心立方方Boddy-ccenttredd cuubicc sttruccturre 体体立心结结构Booltzzmannn 波波尔兹曼曼Bonnd 键键、键合合Bonndinng eelecctroon 价价电子BBonddingg paad 键键合点BBoottstrrap ci

8、rrcuiit 自自举电路路Boootsttrapppedd emmittter folllowwer 自举射射极跟随随器Booronn 硼BBoroosillicaate glaass 硼硅玻玻璃Boounddaryy coondiitioon 边边界条件件Bouund eleectrron 束缚电电子Brreaddboaard 模拟板板、实验验板Brreakk doown 击穿BBreaak ooverr 转折折Briilloouinn 布里里渊Brrilllouiin zzonee 布里里渊区BBuillt-iin 内内建的BBuilld-iin eelecctriic ffielld

9、内内建电场场Bullk 体体 / 体内BBulkk abbsorrptiion 体吸收收Bullk ggeneerattionn 体产产生Buulk reccombbinaatioon 体体复合BBurnn - in 老化BBurnn ouut 烧烧毁Buurieed cchannnell 埋沟沟Burriedd diiffuusioon rregiion 隐埋扩扩散区CCCaeesarr ciipheer 凯凯撒加密密法caapaccitaancee 电容容cappturrecaateggoriize 分类cchaiininng mmodee 链接接模式cchalllennge 质询ccip

10、hher feeedbaack 加密反反馈coolliisioon 冲冲突coombiine 集成ccomppatiibillityy n.计兼容性性commponnentt 原件件connfiddenttiallityy 保密密性coonsttraiint 约束ccorrrespponddingg too 相应应的Crrypttogrraphhy 密密码学CCan 外壳 Cappaciitannce 电容CCaptturee crrosss seectiion 俘获截截面Caaptuure carrrieer 俘俘获载流流子Caarriier 载流子子、载波波Carrry bitt 进位位位

11、Caarryy-inn biit 进进位输入入Carrry-outt biit 进进位输出出Casscadde 级级联Caase 管壳CCathhodee 阴极极Cennterr 中心心Cerramiic 陶陶瓷（的的）Chhannnel 沟道CChannnell brreakkdowwn 沟沟道击穿穿Chaanneel ccurrrentt 沟道道电流CChannnell doopinng 沟沟道掺杂杂Chaanneel sshorrtenningg 沟道道缩短CChannnell wiidthh 沟道道宽度CCharractteriistiic iimpeedannce 特征阻阻抗Chha

12、rgge 电电荷、充充电Chhargge-ccomppenssatiion efffectts 电电荷补偿偿效应CCharrge connserrvattionn 电荷荷守恒CCharrge neuutraalitty ccondditiion 电中性性条件CCharrge driive/excchannge/shaarinng/ttrannsfeer/sstorragee 电荷驱动动 / 交换 / 共共享 / 转移移 / 存储CChemmmiccal etcchinng 化化学腐蚀蚀法Chhemiicallly-Pollishh 化学学抛光CChemmmiccallly-MMechhanii

13、callly Pollishh (CCMP) 化学学机械抛抛光Chhip 芯片CChipp yiieldd 芯片片成品率率Claampeed 箝箝位Cllamppingg diiodee 箝位位二极管管Cleeavaage plaane 解理面面Cloock ratte 时时钟频率率Cloock genneraatorr 时钟钟发生器器Cloock fliip-fflopp 时钟钟触发器器Cloose-pacckedd sttruccturre 密密堆积结结构Cllosee-looop gaiin 闭闭环增益益Colllecctorr 集电电极Coolliisioon 碰碰撞Coompeens

14、aatedd OPP-AMMP 补补偿运放放Commmonn-baase/colllecctorr/emmittter connnecctioon 共共基极 / 集集电极 / 发发射极连连接Coommoon-ggatee/drrainn/soourcce cconnnecttionn 共栅栅 / 漏 / 源连连接Coommoon-mmodee gaain 共模增增益Coommoon-mmodee innputt 共模模输入CCommmon-modde rrejeectiion rattio (CMMRR) 共模模抑制比比Commpattibiilitty 兼兼容性CComppenssatiio

15、n 补偿CComppenssateed iimpuurittiess 补偿偿杂质CComppenssateed ssemiiconnducctorr 补偿偿半导体体Commpleemenntarry DDarllinggtonn ciircuuit 互补达达林顿电电路Coompllemeentaary Mettal-Oxiide-Semmicoonduuctoor FFielld-EEffeect-Traansiistoor(CCMOSS)互补补金属氧氧化物半半导体场场效应晶晶体管CCompplemmenttaryy errrorr fuuncttionn 余误误差函数数Commpouund

16、Semmicoonduuctoor 化化合物半半导体 Connducctannce 电导CCondducttionn baand (eddge) 导带带 ( 底 ) Coonduuctiion levvel/staate 导带态态Connducctorr 导体体Connducctivvityy 电导导率Coonfiigurratiion 组态CConllombb 库仑仑Connpleed CConffiguurattionn Deevicces 结构组组态 CConsstannts 物理常常数Coonsttantt ennerggy ssurffacee 等能能面Coonsttantt-soo

17、urcce ddifffusiion 恒定源源扩散CConttactt 接触触 Coontaaminnatiion 治污CConttinuuityy eqquattionn 连续续性方程程Conntacct hholee 接触触孔Coontaact pottenttiall 接触触电势CConttinuuityy coondiitioon 连连续性条条件Coontrra ddopiing 反掺杂杂Conntroolleed 受受控的CConvvertter 转换器器Connveyyer 传输器器Coppperr innterrconnnecctioon ssysttem 铜互连连系统CCoup

18、pingg 耦合合Covvaleent 共阶的的Croossooverr 跨交交Criiticcal 临界的的Croossuundeer 穿穿交Crruciiblee 坩埚埚Cryystaal ddefeect/facce/oorieentaatioon/llattticee 晶体体缺陷 / 晶晶面 / 晶向向 / 晶格CCurrrentt deensiity 电流密密度Cuurvaaturre 曲曲率Cuut ooff 截止CCurrrentt drriftt/diirvee/shhariing 电流漂漂移 / 驱动动 / 共享CCurrrentt Seensee 电流流取样CCurvvat

19、uure 弯曲CCusttom inttegrrateed ccirccuitt 定制制集成电电路 CCyliindrricaal 柱柱面的CCzocchraalshhicrrysttal 直立单单晶Czzochhrallskii teechnniquue 切切克劳斯斯基技术术（ CCz 法法直拉晶晶体 JJ ）DDdeddicaate 专用的的，单一一的deeniaal oof sservvicee(DOOS)拒拒绝服务务攻击ddifffusiion 扩散ddigiitall siignaaturre aalgooritthm 数字签签名算法法dynnamiic 动动态的DDangglinn

20、g bbondds 悬悬挂键DDarkk cuurreent 暗电流流Deaad ttimee 空载载时间DDebyye llenggth 德拜长长度Dee.brrogllie 德布洛洛意Deecdeeratte 减减速Deecibbel (dBB) 分分贝Deecodde 译译码Deeep acccepttor levvel 深受主主能级DDeepp doonorr leevell 深施施主能级级Deeep iimpuuritty lleveel 深深度杂质质能级DDeepp trrap 深陷阱阱Deffeatt 缺陷陷Deggeneeratte ssemiiconnducctorr 简并并

21、半导体体 Deegenneraacy 简并度度Deggraddatiion 退化DDegrree Cellsiuus(ccenttigrradee) /Kellvinn 摄氏氏 / 开氏温温度Deelayy 延迟迟Dennsitty 密密度Deensiity of staatess 态密密度Deepleetioon 耗耗尽Deepleetioon aapprroxiimattionn 耗尽尽近似DDeplletiion conntacct 耗耗尽接触触Depplettionn deepthh 耗尽尽深度DDeplletiion efffectt 耗尽尽效应DDeplletiion layyer

22、 耗尽层层Depplettionn MOOS 耗耗尽 MMOSDDeplletiion reggionn 耗尽尽区Deepossiteed ffilmm 淀积积薄膜DDepoosittionn prroceess 淀积工工艺Deesiggn rrulees 设设计规则则Diee 芯片片（复数数 diice ）Diiodee 二极极管Diieleectrric 介电的的Dieelecctriic iisollatiion 介质隔隔离Diiffeerennce-modde iinpuut 差差模输入入Diffferrenttiall ammpliifieer 差差分放大大器Diiffeerennt

23、iaal ccapaacittancce 微微分电容容Difffussed junnctiion 扩散结结Difffussionn 扩散散Difffussionn cooeffficiientt 扩散散系数DDifffusiion connstaant 扩散常常数Diiffuusivvityy 扩散散率Diiffuusioon ccapaacittancce/bbarrrierr/cuurreent/furrnacce 扩扩散电容容 / 势垒 / 电电流 / 炉DDigiitall ciircuuit 数字电电路Diipolle ddomaain 偶极畴畴Dippolee laayerr 偶极

24、极层Diirecct-ccoupplinng 直直接耦合合Dirrectt-gaap ssemiiconnducctorr 直接接带隙半半导体DDireect traansiitioon 直直接跃迁迁Disschaargee 放电电Disscreete commponnentt 分立立元件DDisssipaatioon 耗耗散Diistrribuutioon 分分布Diistrribuutedd caapaccitaancee 分布布电容iistrribuutedd moodell 分布布模型DDispplaccemeent 位移DDisllocaatioon 位位错Doomaiin 畴畴Do

25、nnor 施主DDonoor eexhaausttionn 施主主耗尽DDopaant 掺杂剂剂Dopped semmicoonduuctoor 掺掺杂半导导体oppingg coonceentrratiion 掺杂浓浓度Dooublle-ddifffusiive MOSS(DMMOS) 双扩扩散 MMOS. Drriftt 漂移移Driift fieeld 漂移电电场Drriftt moobillityy 迁移移率Drry eetchhingg 干法法腐蚀DDry/wett oxxidaatioon 干干 / 湿法氧氧化Doose 剂量DDutyy cyyclee 工作作周期DDuall-i

26、nn-liine pacckagge （ DIPP ） 双列直直插式封封装Dyynammicss 动态态Dynnamiic ccharractteriistiics 动态属属性Dyynammic imppedaancee 动态态阻抗EEexpperttisee 专长长exttracctorrEarrly efffectt 厄利利效应EEarlly ffailluree 早期期失效EEffeectiive masss 有有效质量量Einnsteein rellatiion(shiip) 爱因斯斯坦关系系Eleectrric Eraase Proograammaablee Reead Onlly

27、MMemoory(E2PPROMM) 一次性电电可擦除除只读存存储器EElecctroode 电极EElecctroominnggrratiim 电电迁移EElecctroon aaffiinitty 电电子亲和和势Ellecttronnic -grradee 电子子能Ellecttronn-beeam phooto-ressistt exxpossuree 光致致抗蚀剂剂的电子子束曝光光Eleectrron gass 电子子气Ellecttronn-grradee waaterr 电子子级纯水水Eleectrron traappiing cennterr 电子子俘获中中心 EElecctro

28、on VVoltt (eeV) 电子伏伏Eleectrrosttatiic 静静电的EElemmentt 元素素 / 元件 / 配配件Ellemeentaal ssemiiconnducctorr 元素素半导体体 Elllippse 椭圆EElliipsooid 椭球EEmittterr 发射射极Emmittter-couupleed llogiic 发发射极耦耦合逻辑辑 Emittterr-coouplled paiir 发发射极耦耦合对EEmittterr foolloowerr 射随随器Emmptyy baand 空带EEmittterr crrowddingg efffecct 发发射

29、极集集边（拥拥挤）效效应Enndurrancce ttestt =llifee teest 寿命测测试Ennerggy sstatte 能能态Ennerggy mmomeentuum ddiaggramm 能量量 - 动量(E-KK) 图图 Ennhanncemmentt moode 增强型型模式EEnhaanceemennt MMOS 增强性性MOSS Ennteffic ( 低低 ) 共溶的的Envviroonmeentaal ttestt 环境境测试EEpittaxiial 外延的的Epiitaxxiall laayerr 外延延层Eppitaaxiaal sslicce 外外延片EEx

30、piitaxxy 外外延Eqquivvaleent currcuiit 等等效电路路Equuiliibriium majjoriity /miinorrityy caarriierss 平衡衡多数 / 少少数载流流子Errasaablee Prrogrrammmablle RROM (EPPROMM) 可可搽取（编编程）存存储器EErroor ffuncctioon ccompplemmentt 余误误差函数数Etcch 刻刻蚀Ettchaant 刻蚀剂剂Etcchinng mmaskk 抗蚀蚀剂掩模模Exccesss caarriier 过剩载载流子EExciitattionn ennerg

31、gy 激激发能EExciitedd sttatee 激发发态Exxcitton 激子EExtrrapoolattionn 外推推法Exxtriinsiic 非非本征的的Exttrinnsicc seemiccondducttor 杂质半半导体FFfabbriccatiion伪造fflesshedd ouutFaace - ccenttereed 面面心立方方Falll ttimee 下降降时间FFan-in 扇入FFan-outt 扇出出Fasst rrecooverry 快快恢复FFastt suurfaace staatess 快界界面态FFeeddbacck 反反馈Feermii lee

32、vell 费米米能级FFermmi-DDiraac DDisttribbutiion 费米 - 狄狄拉克布布Femmi ppoteentiial 费米势势Ficck eequaatioon 菲菲克方程程（扩散散）Fiieldd efffecct ttrannsisstorr 场效效应晶体体管Fiieldd oxxidee 场氧氧化层FFillled bannd 满满带Fiilm 薄膜FFlassh mmemoory 闪烁存存储器FFlatt baand 平带FFlatt paack 扁平封封装Fllickker noiise 闪烁（变变）噪声声Fliip-fflopp toogglle 触触发

33、器翻翻转Flloattingg gaate 浮栅FFluooridde eetchh 氟化化氢刻蚀蚀Forrbidddenn baand 禁带FForwwardd biias 正向偏偏置Foorwaard bloockiing /coonduuctiing 正向阻阻断 / 导通通Freequeencyy deeviaatioon nnoisse 频频率漂移移噪声FFreqquenncy ressponnse 频率响响应Fuuncttionn 函数数GgriidGaain 增益GGallliumm-Arrsennidee(GaaAs) 砷化化钾Gaamy rayy r 射线GGatee 门、栅栅

34、、控制制极Gaate oxiide 栅氧化化层Gaausss （ iann ） 高斯GGausssiaan ddisttribbutiion proofille 高高斯掺杂杂分布GGeneerattionn-reecommbinnatiion 产生 - 复复合Geeomeetriies 几何尺尺寸Geermaaniuum(GGe) 锗Grradeed 缓缓变的GGradded (grraduual) chhannnel 缓变沟沟道Grradeed jjuncctioon 缓缓变结GGraiin 晶晶粒Grradiientt 梯度度Groown junnctiion 生长结结Guaard rin

35、ng 保保护环GGummmel-Pooom mmodeel 葛葛谋 - 潘 模型GGunnn - efffectt 狄氏氏效应HHhanndlee 处理理hieerarrchiicall 层次次Harrdenned devvicee 辐射射加固器器件Heeat of forrmattionn 形成成热Heeat sinnk 散散热器、热热沉Heeavyy/liightt hoole bannd 重重/轻空空穴带HHeavvy ssatuurattionn 重掺掺杂Heell - eeffeect 霍尔效效应Heeterrojuuncttionn 异质质结Heeterrojuuncttionn

36、sttruccturre 异异质结结结构Heeterrojuuncttionn Biipollar Traansiistoor （ HBTT ）异异质结双双极型晶晶体Hiigh fieeld prooperrty 高场特特性Hiigh-perrforrmannce MOSS.( H-MMOS) 高性性能 MMOS.Horrmallizeed 归归一化HHoriizonntall eppitaaxiaal rreacctorr 卧式式外延反反应器HHot carrrioor 热热载流子子Hybbridd innteggrattionn 混合合集成IIimpplemmenttindducttanc

37、ce 电电感innitiialiizattionn veectoor IV初初始化向向量innteggritty完整整性innterrcepptioon 截截获innterrrupptioon中断断Imaage - fforcce 镜镜象力IImpaact ionnizaatioon 碰碰撞电离离Imppedaancee 阻抗抗Impperffectt sttruccturre 不不完整结结构Immplaantaatioon ddosee 注入入剂量IImpllantted ionn 注入入离子IImpuuritty 杂杂质Immpurrityy sccattteriing 杂志散散射Innc

38、reemenntall reesisstannce 电阻增增量（微微分电阻阻）Inn-coontaact massk 接接触式掩掩模Inndiuum ttin oxiide (ITTO) 铟锡氧氧化物 Indduceed cchannnell 感应应沟道IInfrrareed 红红外的IInjeectiion 注入IInpuut ooffsset volltagge 输输入失调调电压IInsuulattor 绝缘体体Inssulaatedd Gaate FETT(IGGFETT) 绝绝缘栅FFET Inttegrrateed iinjeectiion loggic 集成注注入逻辑辑Intteg

39、rratiion 集成、积积分Innterrconnnecctioon 互互连Innterrconnnecctioon ttimee deelayy 互连连延时IInteerdiigittateed sstruuctuure 交互式式结构IInteerfaace 界面IInteerfeerennce 干涉IInteernaatioonall syysteem oof uunioons 国际单单位制IInteernaallyy sccattteriing 谷间散散射Innterrpollatiion 内插法法Inttrinnsicc 本征征的Inntriinsiic ssemiiconnducc

40、torr 本征征半导体体 Innverrse opeerattionn 反向向工作IInveersiion 反型IInveerteer 倒倒相器IIon 离子IIon beaam 离离子束IIon etcchinng 离离子刻蚀蚀Ionn immplaantaatioon 离离子注入入Ionnizaatioon 电电离Ioonizzatiion eneergyy 电离离能Irrraddiattionn 辐照照Isoolattionn laand 隔离岛岛Isootroopicc 各向向同性JJjavva aappllet Javva小程程序Juuncttionn FEET(JJFETT) 结结

41、型场效效应管JJuncctioon iisollatiion 结隔离离Junnctiion spaacinng 结结间距JJuncctioon ssidee-waall 结侧壁壁Kkeyy wrrapppingg 密钥钥包装LLLattch up 闭锁LLateerall 横向向的Laattiice 晶格LLayoout 版图LLattticee biindiing/celll/cconsstannt/ddefeect/disstorrtioon 晶格结合合力 / 晶胞胞 / 晶格 / 晶晶格常熟熟 / 晶格缺缺陷 / 晶格格畸变LLeakkagee cuurreent （泄）漏漏电流LLev

42、eel sshifftinng 电电平移动动Liffe ttimee 寿命命linnearrityy 线性性度Liinkeed bbondd 共价价键Liiquiid NNitrrogeen 液液氮Liiquiid phhasee eppitaaxiaal ggrowwth tecchniiquee 液相相外延生生长技术术Litthoggrapphy 光刻LLighht EEmitttinng DDiodde(LLED) 发光光二极管管Loaad llinee orr Vaariaablee 负载载线Loocattingg annd WWiriing 布局布布线Loongiituddinaal

43、 纵纵向的LLogiic sswinng 逻逻辑摆幅幅Lorrenttz 洛洛沦兹LLumpped moddel 集总模模型Mmassqueeradde伪装装messsagge ddigeest 消息摘摘要moodifficaatioon 修修改muultiidroop 多多站, 多支路路Majjoriity carrrieer 多多数载流流子Maask 掩膜板板，光刻刻板Maask levvel 掩模序序号Maask sett 掩模模组Maass - aactiion laww 质量量守恒定定律Maasteer-sslavve DD fllip-floop 主主从 DD 触发发器Maatch

44、hingg 匹配配Maxxwelll 麦麦克斯韦韦Meaan ffreee paath 平均自自由程MMeannderred emiitteer jjuncctioon 梳梳状发射射极结MMeann tiime befforee faailuure (MTTBF) 平均均工作时时间Meegetto - reesisstannce 磁阻MMesaa 台面面MESSFETT-Meetall Seemiccondducttor 金属半半导体 FETTMettalllizaatioon 金金属化MMicrroellecttronnic tecchniiquee 微电电子技术术Miccroeelecct

45、rooniccs 微微电子学学Milllenn inndicces 密勒指指数Miinorrityy caarriier 少数载载流子MMisffit 失配MMismmatcchinng 失失配Moobille iionss 可动动离子MMobiilitty 迁迁移率MModuule 模块MModuulatte 调调制Moolecculaar ccrysstall 分子子晶体MMonoolitthicc ICC 单片片 ICCMOSSFETT 金属属氧化物物半导体体场效应应晶体管管Moss. TTrannsisstorr(MOOST )MOOS. 晶体管管 Muultiipliicattion

46、n 倍增增Moddulaatorr 调制制Mullti-chiip IIC 多多芯片 ICMMultti-cchipp moodulle(MMCM) 多芯芯片模块块 Muultiipliicattionn cooeffficiientt 倍增增因子NNnettworrk lleveel aattaack网网络层攻攻击noon-rrepuudiaatioon 不不可抵赖赖Nakked chiip 未未封装的的芯片（裸裸片）NNegaativve ffeeddbacck 负负反馈NNegaativve rresiistaancee 负阻阻Nesstinng 套套刻Neegattivee-teemp

47、eeratturee-cooeffficiientt 负温温度系数数Noiise marrginn 噪声声容限NNoneequiilibbriuum 非非平衡NNonrrolaatille 非非挥发（易易失）性性 Noormaallyy offf/oon 常常闭 / 开 Nummeriicall annalyysiss 数值值分析OOopttimiize 使最优优化Occcuppiedd baand 满带OOffiicieenayy 功率率Offfsett 偏移移、失调调On staandbby 待待命状态态Ohmmic conntacct 欧欧姆接触触Opeen ccirccuitt 开路路

48、Opeerattingg poointt 工作作点Opperaatinng bbiass 工作作偏置OOperratiionaal aampllifiier (OPPAMPP) 运运算放大大器Oppticcal phootonn =pphotton 光子OOptiicall quuencchinng 光光猝灭OOptiicall trranssitiion 光跃迁迁Optticaal-ccouppledd issolaatorr 光耦耦合隔离离器Orrgannic semmicoonduuctoor 有有机半导导体Orrienntattionn 晶向向、定向向Outtlinne 外外形Ouut-oof-cconttactt maask 非接触触式掩模模Outtputt chharaacteerissticc 输出出特性OOutpput volltagge sswinng 输输出电压压摆幅OOverrcommpennsattionn 过补补偿Ovver-currrennt pprottecttionn