第五讲电力电子器件(四)-合肥工业大学精品课程brgp.docx
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1、Evaluation Warning: The document was created with Spire.Doc for .NET.第五讲 电电力电子子器件(四四)5.1 电力电子子器件驱驱动电路路5.1.1 电力电子子器件驱驱动电路路概述驱动电路路主电电路与控控制电路路之间的的接口使电力电电子器件件工作在在较理想想的开关关状态,缩缩短开关关时间,减减小开关关损耗,对对装置的的运行效效率、可可靠性和和安全性性都有重重要的意意义;对器件或或整个装装置的一一些保护护措施也也往往设设在驱动动电路中中,或通通过驱动动电路实实现。驱动电路路的基本本任务:将信息电电子电路路传来的的信号按按控制目目标
2、的要要求,转转换为加加在电力力电子器器件控制制端和公公共端之之间,可可以使其其开通或或关断的的信号;对半控型型器件只只需提供供开通控控制信号号;对全控型型器件则则既要提提供开通通控制信信号,又又要提供供关断控控制信号号。驱动电路路还要提提供控制制电路与与主电路路之间的的电气隔隔离环节节,一般般采用光光隔离或或磁隔离离光隔离一一般采用用光耦合合器;磁隔离的的元件通通常是脉脉冲变压压器。图1-225 光耦合合器的类类型及接接法a) 普普通型 b) 高速速型 c) 高传输输比型电流驱动动型和电压驱驱动型具体形式式可为分分立元件件的,但但目前的的趋势是是采用专专用集成成驱动电电路:双列直插插式集成成电
3、路及及将光耦耦隔离电电路也集集成在内内的混合合集成电电路;为达到参参数最佳佳配合,首首选所用用器件生生产厂家家专门开开发的集集成驱动动电路。5.1.2 晶闸管管的触发发电路作用:产产生符合合要求的的门极触触发脉冲冲,保证证晶闸管管在需要要的时刻刻由阻断断转为导导通广义上讲讲,还包包括对其其触发时时刻进行行控制的的相位控控制电路路晶闸管触触发电路路应满足足下列要要求: 触发脉冲冲的宽度度应保证证晶闸管管可靠导导通(结结合擎住住电流的的概念) 触发脉冲冲应有足足够的幅幅度 不超过门门极电压压、电流流和功率率定额,且且在可靠靠触发区区域之内内 应有良好好的抗干干扰性能能、温度度稳定性性及与主主电路的
4、的电气隔隔离图1-226理理想的晶晶闸管触触发脉冲冲电流波波形t1tt2脉冲前前沿上升升时间(1ms)t1t3强脉宽度IM强脉冲幅值(3IGT5IGT)t1t4脉冲宽度I脉冲平顶幅值(1.5IGT2IGT)图1-227 常见的的晶闸管管触发电电路V1、VV2构成成脉冲放放大环节节;脉冲变压压器TMM和附属属电路构构成脉冲冲输出环环节;V1、V2导通通时,通通过脉冲冲变压器器向晶闸闸管的门门极和阴阴极之间间输出触触发脉冲冲;VD1和和R3是为为了V11、V2由导导通变为为截止时时脉冲变变压器TTM释放放其储存存的能量量而设。5.1.3 典型全全控型器器件的驱驱动电路路1. 电电流驱动动型器件件的
5、驱动动电路GTOGTO的的开通控控制与普普通晶闸闸管相似似,但对对脉冲前前沿的幅幅值和陡陡度要求求高,且且一般需需在整个个导通期期间施加加正门极极电流使GTOO关断需施施加负门门极电流流,对其其幅值和和陡度的的要求更更高,关关断后还还应在门门阴极施施加约55V的负负偏压以以提高抗抗干扰能能力图1-228推推荐的GGTO门门极电压压电流波波形驱动电路路通常包包括开通通驱动电电路、关断驱驱动电路路和门极反反偏电路路三部分分,可分分为脉冲冲变压器器耦合式式和直接耦耦合式两两种类型型。直接耦合合式驱动动电路可可避免电电路内部部的相互互干扰和和寄生振振荡,可可得到较较陡的脉脉冲前沿沿,因此此目前应应用较
6、广广,但其其功耗大大,效率率较低。 典型的直直接耦合合式GTTO驱动动电路: 二极管VVD1和和电容CC1提供+55V电压压 VD2、VD33、C2、C3构成倍倍压整流流电路提提供+115V电电压 VD4和和电容CC4提供-115V电电压 V1开通通时,输输出正强强脉冲 V2开通通时输出出正脉冲冲平顶部部分 V2关断断而V33开通时时输出负负脉冲 V3关断断后R3和R4提供门门极负偏偏压图1-229典典型的直直接耦合合式GTTO驱动动电路GTR 开通驱动动电流应应使GTTR处于于准饱和和导通状状态,使使之不进进入放大大区和深深饱和区区 关断GTTR时,施施加一定定的负基基极电流流有利于于减小关
7、关断时间间和关断断损耗,关关断后同同样应在在基射极极之间施施加一定定幅值(6V左右)的负偏压图1-330理理想的GGTR基基极驱动动电流波波形GTR的的一种驱驱动电路路,包括括电气隔隔离和晶晶体管放放大电路路两部分分图1-331GTTR的一一种驱动动电路二极管VVD2和和电位补补偿二极极管VDD3构成成贝克箝箝位电路路,也即即一种抗抗饱和电电路,负负载较轻轻时,如如V5发射射极电流流全注入入V,会使使V过饱和和。有了了贝克箝箝位电路路,当VV过饱和和使得集集电极电电位低于于基极电电位时,VD2会自动导通,使多余的驱动电流流入集电极,维持Ubc0。C2为加加速开通通过程的的电容。开开通时,R5被
8、C2短路。可实现驱动电流的过冲,并增加前沿的陡度,加快开通。2.电压压驱动型型器件的的驱动电电路栅源间、栅栅射间有有数千皮皮法的电电容,为为快速建建立驱动动电压,要要求驱动动电路输输出电阻阻小。使MOSSFETT开通的的驱动电电压一般般1015VV,使IGGBT开开通的驱驱动电压压一般115 200V。关断时施施加一定定幅值的的负驱动动电压(一一般取 -5 -15VV)有利利于减小小关断时时间和关关断损耗耗。在栅极串串入一只只低值电电阻(数数十欧左左右)可可以减小小寄生振振荡,该该电阻阻阻值应随随被驱动动器件电电流额定定值的增增大而减减小。电力MOOSFEET的一一种驱动动电路:电气隔隔离和晶
9、晶体管放放大电路路两部分分无输入信信号时高高速放大大器A输出负负电平,V3导导通输出出负驱动动电压;当有输入入信号时时A输出正正电平,V2导通输出正驱动电压。图1-332电电力MOOSFEET的一一种驱动动电路专为驱动动电力MMOSFFET而而设计的的混合集集成电路路有三菱菱公司的的M5779188L,其其输入信信号电流流幅值为为16mmA,输输出最大大脉冲电电流为+2A和和-3AA,输出出驱动电电压+115V和和-100V。IGBTT的驱动动多采用专专用的混混合集成成驱动器器图1-333M5579662L型型IGBBT驱动动器的原原理和接接线图常用的有有三菱公公司的MM5799系列(如如M5
10、779622L和M579959LL)和富富士公司司的EXXB系列列(如EEXB8840、EXBB8411、EXBB8500和EXBB8511)。内部具具有退饱饱和检测测和保护护环节,当当发生过过电流时时能快速速响应但但慢速关关断IGGBT,并并向外部部电路给给出故障障信号。M5779622L输出出的正驱驱动电压压均为+15VV左右,负负驱动电电压为 -100V。5.2 电力力电子器器件器件件的保护护5.2.1 过过电压的的产生及及过电压压保护电力电子子装置可可能的过过电压外因过过电压和和内因过过电压外因过电电压主要要来自雷雷击和系系统中的的操作过过程等外外因(1) 操操作过电电压:由由分闸、合
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