通风冷却系统设备公司风险管理规划【范文】.docx
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1、泓域/通风冷却系统设备公司风险管理规划通风冷却系统设备公司风险管理规划目录第一章 项目背景分析3一、 产业环境分析3二、 半导体薄膜沉积设备的发展情况4三、 必要性分析10第二章 风险管理规划11一、 决策树分析法11二、 损失期望值分析法13三、 风险形成的机制16四、 风险分析概述19五、 风险识别方法20六、 纯粹风险概念26七、 人力资本风险27八、 财产损失风险28第三章 公司概况31一、 公司基本信息31二、 公司主要财务数据31第四章 项目简介33一、 项目单位33二、 项目建设地点33三、 建设规模33四、 项目建设进度33五、 项目提出的理由33六、 建设投资估算35七、 项
2、目主要技术经济指标36第五章 SWOT分析说明38一、 优势分析(S)38二、 劣势分析(W)39三、 机会分析(O)40四、 威胁分析(T)41第六章 组织架构分析45一、 人力资源配置45二、 员工技能培训45第七章 风险防范48一、 项目风险分析48二、 项目风险对策50第一章 项目背景分析一、 产业环境分析(一)增强经济动力和活力充分发挥投资的关键作用、消费的基础作用和出口的促进作用,优化劳动力、资本、土地、技术、管理等要素配置,增强经济增长的均衡性、协同性和可持续性。(二)培育壮大新兴产业把握产业发展新方向,落实中国制造2025,以集群化、信息化、智能化发展为路径,加快发展以节能环保
3、产业为重点的先进制造业,以信息服务业为重点的新兴生产性服务业,以文化休闲旅游业为重点的新兴生活性服务业。(三)推动传统产业转型升级推动区内具有优势的装备制造、材料工业、食品工业以及生产性服务业、生活性服务业围绕生产技术、商业模式、供求趋势的变化,满足新需求,采用新技术、新模式,实现优化升级。(四)提升创新驱动能力加快推进创新发展,以企业为创新主体,逐步完善政策、人才和市场环境,形成创新支撑经济发展的格局。二、 半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况(1)薄膜沉积设备市场规模持续增长根据MaximizeMarketResearch数据统计,全球半导体薄膜沉积设备市场规模从
4、2017年的125亿美元扩大至2020年的172亿美元,年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元。(2)薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展,在部分领域已有一定的进步,但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低,半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起,我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的5%提升至2020年的8%,但总体占比尤其是中高端产品占比较低。(3)各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积
5、设备的细分市场上来看,CVD设备占比56%,PVD设备市占率23%,其次是ALD及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm后,由于器件结构不断缩小且更为3D立体化,生产过程中需要实现厚度更薄的膜层,以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下,ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点,技术优势愈加明显,在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用,广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。(1)ALD典型应用高
6、介电常数金属栅极(HKMG)工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元,漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前,集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介电质减少漏电;随着集成电路尺寸不断缩小,特别是制程28nm之后,传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下,达到了其物理极限,产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应,导致漏电流急剧增加,器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极(HKMG)工艺,可以解决上述问题,即采用高k材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层,TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极,高k栅氧化层与金属栅极
7、的组合使用,不仅能够大幅减小栅极漏电流,同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄,还能有效减低栅极电容。ALD技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点,自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后,就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。(2)ALD典型应用电容和电极材料集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限,NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段,128层闪存也陆续有厂商开始推出,行业预期未来将叠加至500层,技术工艺还会持续推进。3DNAND制造工艺中,增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽,而且需要增加堆叠的层数,使得一些器件结构的深宽比
8、增加至40:1,甚至是80:1的极深孔或极深的沟槽,对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD技术最早应用于DRAM存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着3DNAND和DRAM相关技术的不断发展,等效氧化物厚度进一步下降,3DNAND和DRAM电容呈现高深宽比结构,在这种情况下,高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外,新型存储器也在快速发展,与闪存和DRAM相比,新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器(FeRAM)为例,其由电容和场效应管构成,其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜,该薄膜对于厚
9、度、质量均有非常高的要求,ALD技术可以较好地满足技术指标。(3)ALD典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜,并通过光刻技术形成布线,把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种,而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展,元件集成度提高、几何构架收缩,导致深宽比的增加,ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层,阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散,且作为粘附层促进互连铜的生长,给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势(1)半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升,全球半导体设备市场呈
10、现快速增长态势,拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充,另一方面受益于技术演进带来的增长机遇,包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储技术,全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元,保持年复合13.3%的增长速度。(2)进口替代空间巨大近年来,在国家政策的拉动和支持下,我国半导体产业快速发展,整体实力显著提升,设计、制造能力与国际先进水平不断缩小,但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造20
11、25对于半导体设备国产化提出明确要求:在2020年之前,90-32nm工艺设备国产化率达到50%,实现90nm光刻机国产化,封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前,20-14nm工艺设备国产化率达到30%,实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展,国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金,国家集成电路基金首期募资1,387亿元,二期募资超过2,000亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施,本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机,而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备,将会迎来巨大的进口替代市场空间。(3)薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过
12、程中,薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂,薄膜性能参数精细化要求也随之提高,如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高,台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的ALD设备因此被引入产线。(4)先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展,单位面积集成的电路规模不断扩大,芯片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线
13、,则超过100道薄膜沉积工序,涉及的薄膜材料由6种增加到近20种,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前,半导体行业的薄膜沉积设备中,PVD设备与CVD设备均已初步实现国产化,而ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备,在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时,与PVD设备和CVD设备相比,ALD设备的必要性更加凸显。目前,基于供应链安全考虑,国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势,以及国产化进程加快的背景下,国产半导体ALD设备迎来前所
14、未有的发展契机。三、 必要性分析(一)现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。(二)公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断
15、研发新产品,提升产品精密化程度,将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。第二章 风险管理规划一、 决策树分析法在风险管理措施多阶段决策问题中,前一个阶段的决策会产生一些附带结果,这些结果对下一个阶段的风险管理决策会产生影响。此时需要利用这些新的信息再次进行决策,这样又会产生一些新的情况,又需要决策。这样,决策、新情况、决策、新情况构成一个按时间先后顺序相互依赖的风险管理多阶段序列决策。描述以及用于这种序列的有效工具就是决策树分析。它是利用决策树描述风险管理多阶段序列决策问题,并
16、直接利用决策树进行计算与决策的一种方法。具体而言,决策树分析法是指分析每个决策或事件(即自然状态)时,都引出两个或多个事件和不同的结果,并把这种决策或事件的分支画成图形,这种图形很像一棵树的枝干,故称决策树分析法。一般都是自上而下生成的。每个决策或事件(即自然状态)都可能引出两个或多个事件,导致不同的结果,把这种决策分支画成图形很像一棵树的枝干,故称决策树。决策树分析法通常有五个步骤。第一步,明确决策问题,确定备选方案。对要解决的问题应该有清楚的界定,应该列出在不同决策时点的所有可能的备选方案。第二步,绘出决策树图形。决策树用三种不同的符号分别表示决策点、状态点、结果点。决策点用方框表示,放在
17、决策树的左端,每种备选方案即状态用从该结引出的树枝(线条)表示;实施每一个备选方案时都可能发生一系列风险事件,用图形符号圆圈表示,称为机会点,每一个机会点可能会有多个直接结果,例如,某种治疗方案有三个结果状态(治愈、改善、药物毒性致死),则状态点有三个枝。中间结果与最终结果都用有圆心的圆形节点表示,称为结果点,总是放在决策树每一枝的最右端。初始状态点在整个决策树的最左端,最终结果点放在整个决策树的最右端,从左至右状态点的顺序应该依照事件发生的时间先后关系而定。但不管状态点有多少个结果,从每个状态点引出的结果必须是互相排斥的状态,不能互相包容和交叉。第三步,确定并注明各种结果可能出现的概率及损益
18、值。所有这些概率都要在决策树上标示出来,在为每一个状态点引出的结局枝标记发生概率时,必须注意各概率相加之和必须为1.0.运用期望效用准则还要对中间结果及最终结局标注适宜的效用值赋值。第四步,计算每一种备选方案的决策变量值。计算期望值的方法是从“树枝末端”开始向“树根”的方向进行计算,将每一个状态点上所有风险状态的损益值或效用值与其发生概率分别相乘,其总和为该状态点的期望值或期望效用值。在每一个决策点中,将各状态点的期望值或期望效用值分别与其发生概率相乘,其总和为该决策方案的期望效用值,选择期望值或期望效用值最高的备选方案为最优方案。如果多阶段的时间跨度大,就还要考虑时间价值。第五步,应用敏感性
19、试验对决策分析的结论进行测试。敏感分析的目的是测试决策分析结论的真实性,敏感分析要回答的问题是当概率及结果效用值等在一个合理的范围内变动时,决策分析的结论会不会改变。二、 损失期望值分析法损失期望值法,首先要分析和估计项目风险概率和项目风险可能带来的损失(或收益)大小,然后二者相乘求出项目风险的损失(或收益)期望值,并使用项目损失期望值(或收益)去度量项目风险。在使用项目风险损失期望值作为项目风险大小的度量时,需要确定的项目风险概率和项目风险损失大小的具体描述如下:1、项目风险概率项目风险概率和概率分布是项目风险度量中最基本的内容,项目风险度量的首要工作就是确定项目风险事件的概率分布。一般说来
20、,项目风险概率及其分布应该根据历史信息资料来确定。当项目管理者没有足够历史信息和资料来确定项目风险概率及其分布时,也可以利用理论概率分布确定项目风险概率。由于项目的一次性和独特性,不同项目的风险彼此相差很远,所以在许多情况下人们只能根据很少的历史数据样本对项目风险概率进行估计,甚至有时完全是主观判断。因此,项目管理者在很多情况下要运用自己的经验,要主观判断项目风险概率及其概率分布,这样得到的项目风险概率被称为主观判断概率。虽然主观判断概率是凭人们的经验和主观判断估算或预测出来的,但它也不是纯粹主观随意性的东西,因为项目管理者的主观判断是依照过去的经验做出的,所以它仍然具有一定的客观性。2、项目
21、风险损失项目风险造成的损失或后果大小需要从三方面来衡量:(1)项目风险损失的性质。项目风险损失的性质是指项目风险可能造成的损失是经济性的,还是技术性的,还是其他方面的。(2)项目风险损失的大小与分布。项目风险损失的大小和分布包括是指项目风险可能带来的损失严重程度和这些损失的变化幅度,它们需要分别用损失的数学期望和方差表示。(3)项目风险损失的时间与影响。项目风险损失的时间分布是指项目风险是突发的,还是随时间的推移逐渐致损的,项目风险损失是在项目风险事件发生后马上就能感受到,还是需要随时间的推移而逐渐显露出来以及这些风险损失可能发生的时间等,项目风险影响是指项目风险会给哪些项目相关利益者造成损失
22、,从而影响它们的利益。3、项目风险损失期望值的计算项目风险损失期望值的计算一般是将上述项目风险概率与项目风险损失估计相乘得到,然后以此作为决策的依据,即选取损失期望值最小的风险管理方案。但是在实际操作中,即使自留风险方案的损失期望值小于投保方案,很多人仍宁愿选择购买保险作为风险管理决策方案。对这种行为的一种解释就是由于不确定性存在的隐性成本忧虑因素的影响。不论选择哪一个风险管理方案,风险的不确定性都是客观存在的。即风险事件可能发生,也可能不发生:损失程度可能很大,也可能很小。风险管理人员对于可能出现的最坏后果心存忧虑,这种忧虑无论未来风险事件是否发生都将存在。在运用数量方法选择风险管理决策的过
23、程中,需要把忧虑因素的影响代之以某个货币价值,从而产生了风险管理方案的忧虑成本。忧虑成本的确定是非常困难的,因为忧虑成本是一个极为主观的因素,然而仍然可以从分析影响忧虑成本的因素入手寻求估计忧虑成本的可行途径。首先,损失的概率分布,尤其是程度严重的损失和发生概率高的损失对风险管理人员的心理反应有直接的影响。其次,风险管理人员对未来损失的不确定性的把握程度也对忧虑心理的产生有直接影响。由于忧虑成本的加入,各种风险管理方案的损失期望值增加。对于投保方案而言,付出较净损失期望值更多的保险费后,将损失的不确定性化为确定性支出,能够大大减少管理者的忧虑心理,一般此时的忧虑成本为零,如果企业决定部分或全部
24、自留风险,即使采取必要的安全措施,也只能减轻而无法消除忧虑成本。忧虑成本的确定可以用调查问卷的办法,询问风险管理人员愿意付出多大的经济代价来消除由于损失的不确定性而造成的忧虑心理。三、 风险形成的机制1、风险因素风险因素是指促使和增加损失发生的频率或严重程度的条件,它是事故发生的潜在原因,是造成损失的内在或间接原因。根据风险因素的性质,可以将其分为有形风险因素和无形风险因素。有形风险因素是指直接影响事物物理功能的物理性风险因素。例如,建筑物的结构及灭火设施的分布等对于火灾来说就属于有形风险因素。而无形风险因素是指文化、习俗和生活态度等非物质的、影响损失发生可能性和受损程度的因素。无形风险因素主
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