第二章二极管及基本电路优秀课件.ppt
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1、第二章二极管及基本电路1第1页,本讲稿共81页2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识1.导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体 自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体,金,金属一般都是导体。属一般都是导体。有的物质几乎不导电,称为有的物质几乎不导电,称为绝缘体绝缘体,如橡,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为之间,称为半导体半导体,如锗、硅、砷化镓和一些,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。硫化物、氧化物等。第2页,本讲稿共81页 半导体的导电机理不同于其它物质,
2、所半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于其它物质的特点。比如:以它具有不同于其它物质的特点。比如:当受外界热和光的作用时,它的导当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质,往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使它的导电能力明显改变。会使它的导电能力明显改变。第3页,本讲稿共81页2.本征半导体现代电子学中,用的最多的半导体是硅和现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们的最外层电子(价电子)都是四个。锗,它们的最外层电子(价电子)都是四个。GeSi第4页,本讲稿共81页通过一定的工艺过程,可以将半导体通过一定的工艺过程,可以将半导体制成制
3、成晶体晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体,完全纯净的、结构完整的半导体晶体,称为称为本征半导体本征半导体。在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵,每个原子都处在正四面体的中心,而四个其它原阵,每个原子都处在正四面体的中心,而四个其它原子位于四面体的顶点,每个原子与其相临的原子之间子位于四面体的顶点,每个原子与其相临的原子之间形成形成共价键共价键,共用一对价电子。,共用一对价电子。第5页,本讲稿共81页硅和锗的晶体结构第6页,本讲稿共81页硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4+4+4+4第7页,本讲稿共81页共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价
4、键共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为中,称为束缚电子束缚电子,常温下束缚电子很难脱,常温下束缚电子很难脱离共价键成为离共价键成为自由电子自由电子,因此本征半导体中,因此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。力很弱。共价键有很强的结合力,共价键有很强的结合力,使原子规则排列,形成晶体。使原子规则排列,形成晶体。+4+4+4+4第8页,本讲稿共81页本征半导体的导电机理在绝对在绝对0度(度(T=0K)和没有外界激发时)和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着,本征半导体价电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子
5、(即中没有可以运动的带电粒子(即载流子载流子),),它的导电能力为它的导电能力为0,相当于绝缘体。,相当于绝缘体。在常温下,由于热激发,使一些价电子在常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为为自由电子自由电子,同时共价键上留下一个空位,同时共价键上留下一个空位,称为称为空穴空穴。第9页,本讲稿共81页+4+4+4+4本征半导体的导电机理自由电子空穴束缚电子第10页,本讲稿共81页本征半导体的导电机理+4+4+4+4在其它力的作用下,在其它力的作用下,空穴吸引临近的电子空穴吸引临近的电子来填补,这样的结果来填补,这样的结果相当于空
6、穴的迁移,相当于空穴的迁移,而空穴的迁移相当于而空穴的迁移相当于正电荷的移动,因此正电荷的移动,因此可以认为空穴是载流可以认为空穴是载流子。子。第11页,本讲稿共81页本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即子,即自由电子自由电子和和空穴空穴。温度越高,载流子的浓度越高。因此本征温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体半导体的导电能力越强,温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的本征半导体的导电能力取决
7、于载流子的浓度。浓度。第12页,本讲稿共81页3.杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质,在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为称为N型半导体型半导体(电子半导体),使空穴浓(电子半导体),使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为度大大增加的杂质半导体称为P型半导体型半导体(空穴半导体)。(空穴半导体)。第13页,本讲稿共81页N型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷
8、(或锑),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子,其中四个与相临的半导体原子形成共价键,必定多出一个电子,这个电子几乎不受束缚,很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子,称为施主原子。第14页,本讲稿共81页+4+4+5+4N型半导体多余电子磷原子第15页,本讲稿共81页N型半导体N型半导体中的载流子1、由施主原子提供的电子,浓度与施主原子相、由施主原子提供的电子,浓度与施主原子相同同。2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。、本征半导体中成对产生的电子和空穴。3、掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,、掺杂浓度远
9、大于本征半导体中载流子浓度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数多数载流子载流子(多子多子),空穴称为),空穴称为少数载流子少数载流子(少子少子)。)。第16页,本讲稿共81页P型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如硼(或铟),晶体点阵中的某些半导体原子被硼(或铟),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,硼原子的最外层有三个价电子,与杂质取代,硼原子的最外层有三个价电子,与相临的半导体原子形成共价键时,产生一个空相临的半导体原子形成共价键时,产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补,使得穴。这个
10、空穴可能吸引束缚电子来填补,使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子,所以称为原子接受电子,所以称为受主原子受主原子。第17页,本讲稿共81页+4+4+3+4空穴P型半导体硼原子第18页,本讲稿共81页杂质半导体的示意表示法杂质半导体的示意表示法P型半导体+N型半导体第19页,本讲稿共81页总 结1、N型半导体中电子是多子,其中大部分是掺杂提供的型半导体中电子是多子,其中大部分是掺杂提供的电子,本征半导体中受激产生的电子只占少数。电子,本征半导体中受激产生的电子只占少数。N型型半导体中空穴是少子,少子的迁移也能形成电流,由半导体中空穴是少
11、子,少子的迁移也能形成电流,由于数量的关系,起导电作用的主要是多子于数量的关系,起导电作用的主要是多子。近似认。近似认为多子与杂质浓度相等。为多子与杂质浓度相等。2、P型半导体中空穴是多子,电子是少子型半导体中空穴是多子,电子是少子。第20页,本讲稿共81页2.2 PN结的形成及特性结的形成及特性1.PN 结的形成结的形成在同一片半导体基片上,分别制造在同一片半导体基片上,分别制造P型型半导体和半导体和N型半导体,经过载流子的扩散,型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了在它们的交界面处就形成了PN结。结。第21页,本讲稿共81页+扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区P型半导体N型半
12、导体PN结处载流子的运动第22页,本讲稿共81页+扩散运动内电场E漂移运动P型半导体N型半导体PN结处载流子的运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。第23页,本讲稿共81页+扩散运动内电场E漂移运动P型半导体N型半导体PN结处载流子的运动所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡,相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚度固定不变。第24页,本讲稿共81页+空间电荷区N型区P型区电位VV0第25页,本讲稿共81页请注意1、空间电荷区中没有载流子。、空间电荷区中没有载流子。2、空间电荷区中内电场阻碍、空间电荷区中内电场阻碍
13、P中的空穴、中的空穴、N中的电子(中的电子(都是多子都是多子)向对方运动)向对方运动(扩散运动扩散运动)。)。3、P中的电子和中的电子和N中的空穴(中的空穴(都是少子都是少子),),数量有限,因此由它们形成的电流很数量有限,因此由它们形成的电流很小。小。第26页,本讲稿共81页2.PN结的单向导电性 PN结结加上正向电压加上正向电压、正向偏置正向偏置的意的意思都是:思都是:P区加正、区加正、N区加负电压。区加负电压。PN结结加上反向电压加上反向电压、反向偏置反向偏置的意的意思都是:思都是:P区加负、区加负、N区加正电压。区加正电压。第27页,本讲稿共81页PN结正向偏置+内电场外电场变薄PN+
14、_内电场被削弱,多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。VFIF第28页,本讲稿共81页PN结反向偏置+内电场外电场变厚NP+_内电场被加强,多子的扩散受抑制。少子漂移加强,但少子数量有限,只能形成较小的反向电流。VRIR第29页,本讲稿共81页iD/mAvD/V00.51.0-0.5-1.01.0 0.5硅二极管PN结V-I特性PN结V-I特性的表达式IS:反相饱和电流,其值很小;VT:温度的电压当量,为26mV;第30页,本讲稿共81页vDiDVBRPN结的反相击穿当PN结两端反相电压增大到一定值(VBR)时,反相电流突然增大,这个现象称为反相击穿。0产生反相击穿的原因:在强电场的作用下大大
15、增加了自由电子和空穴的数目,引起反相电流剧增。两种反相击穿现象:雪崩击穿、齐纳击穿。第31页,本讲稿共81页2.3 半导体二极管半导体二极管1.基本结构PN结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。引线外壳线触丝线基片点接触型点接触型第32页,本讲稿共81页PN结面接触型面接触型PNak阳极阳极阴极阴极第33页,本讲稿共81页2、二极管的V-I 特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.6V,锗管锗管0.2V。导通压降导通压降:硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿电压反向击穿电压U(BR)正向特性反向特性反向击穿特性第34页,本讲稿共81页3.
16、二极管参数最大整流电流最大整流电流 IF二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。平均电流。反向击穿电压反向击穿电压VBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压给出的最高反向工作电压VWRM一般是一般是VBR的一半。的一半。第35页,本讲稿共81页反向电流反向电流 IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的
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- 第二 二极管 基本 电路 优秀 课件
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