邯郸薄膜设备项目申请报告.docx

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1、泓域咨询/邯郸薄膜设备项目申请报告邯郸薄膜设备项目申请报告xx有限公司报告说明半导体设备行业呈现明显的周期性，受下游厂商资本开支节奏变化较为明显。2017年，存储厂商的大幅资本开支推动半导体设备迎来巨大需求，且这一势头一直延续到2018年上半年。但随后产能过剩致使存储价格走低，导致DRAM和NAND厂商纷纷推迟设备订单。存储产能过剩一直持续到2019年上半年，同时上半年整体半导体行业景气度不佳，虽然下半年随着行业景气度恢复，以台积电为代表的晶圆厂陆续调高资本开支大幅扩产，2019年全年半导体设备需求同比仍回落约2%。2020年全球各地先后受疫情影响，但存储行业资本支出修复、先进制程投资叠加数字

2、化、5G带来的下游各领域强劲需求，全年设备市场同比增长19%。伴随半导体厂商新一轮资本开支开启，2021年全球设备市场继续大幅增长44%。当前海外设备龙头应用材料、泛林集团等均预计2022年全球设备市场规模将进一步增长。根据谨慎财务估算，项目总投资29320.22万元，其中：建设投资23010.06万元，占项目总投资的78.48%；建设期利息455.83万元，占项目总投资的1.55%；流动资金5854.33万元，占项目总投资的19.97%。项目正常运营每年营业收入56400.00万元，综合总成本费用46907.28万元，净利润6930.98万元，财务内部收益率16.03%，财务净现值3291.

3、11万元，全部投资回收期6.57年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目背景及必要性9一、 全球市场受海外厂商主导，前五大厂商市占率较高9二、 海外设备厂商在手订单饱满，供应链限制延续9三、 国内需求爆发，国产替代空间快速打开10四、 强化创新体系建设，全面塑造

4、发展新优势12五、 实施高水平对外开放，开拓区域合作新局面15六、 项目实施的必要性18第二章 项目概况20一、 项目名称及投资人20二、 编制原则20三、 编制依据21四、 编制范围及内容21五、 项目建设背景22六、 结论分析23主要经济指标一览表25第三章 市场分析27一、 全球设备市场创新高，受益于资本开支提升、制程节点进步27二、 薄膜设备：用于沉积物质，在设备市场占比较高30第四章 建设方案与产品规划33一、 建设规模及主要建设内容33二、 产品规划方案及生产纲领33产品规划方案一览表34第五章 项目选址分析35一、 项目选址原则35二、 建设区基本情况35三、 坚持扩大内需战略，

5、积极融入新发展格局38四、 项目选址综合评价41第六章 法人治理43一、 股东权利及义务43二、 董事45三、 高级管理人员50四、 监事53第七章 发展规划55一、 公司发展规划55二、 保障措施61第八章 运营模式分析63一、 公司经营宗旨63二、 公司的目标、主要职责63三、 各部门职责及权限64四、 财务会计制度67第九章 节能方案75一、 项目节能概述75二、 能源消费种类和数量分析76能耗分析一览表77三、 项目节能措施77四、 节能综合评价78第十章 原材料及成品管理80一、 项目建设期原辅材料供应情况80二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理80第十一章 进度规划方案82一、

6、项目进度安排82项目实施进度计划一览表82二、 项目实施保障措施83第十二章 安全生产分析84一、 编制依据84二、 防范措施87三、 预期效果评价91第十三章 工艺技术设计及设备选型方案92一、 企业技术研发分析92二、 项目技术工艺分析95三、 质量管理96四、 设备选型方案97主要设备购置一览表98第十四章 投资计划方案100一、 投资估算的依据和说明100二、 建设投资估算101建设投资估算表103三、 建设期利息103建设期利息估算表103四、 流动资金105流动资金估算表105五、 总投资106总投资及构成一览表106六、 资金筹措与投资计划107项目投资计划与资金筹措一览表108

7、第十五章 经济收益分析109一、 经济评价财务测算109营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表110固定资产折旧费估算表111无形资产和其他资产摊销估算表112利润及利润分配表114二、 项目盈利能力分析114项目投资现金流量表116三、 偿债能力分析117借款还本付息计划表118第十六章 风险风险及应对措施120一、 项目风险分析120二、 项目风险对策122第十七章 招标及投资方案125一、 项目招标依据125二、 项目招标范围125三、 招标要求126四、 招标组织方式126五、 招标信息发布126第十八章 项目综合评价说明127第十九章 附表129营业收入、税金及

8、附加和增值税估算表129综合总成本费用估算表129固定资产折旧费估算表130无形资产和其他资产摊销估算表131利润及利润分配表132项目投资现金流量表133借款还本付息计划表134建设投资估算表135建设投资估算表135建设期利息估算表136固定资产投资估算表137流动资金估算表138总投资及构成一览表139项目投资计划与资金筹措一览表140第一章 项目背景及必要性一、 全球市场受海外厂商主导，前五大厂商市占率较高全球设备五强占市场主导角色。全球设备竞争格局，主要前道工艺（刻蚀、沉积、涂胶、热处理、清洗等）整合成三强AMAT、LAM、TEL。另外，光刻机龙头ASML市占率80%+；过程控制龙头

9、KLA市占率50%。根据SEMI，ASML、AMAT、LAMResearch、TEL、KLA五大厂商2021年收入合计788亿美元，占全球市场约77%。综合看下来，设备五强市场在各赛道合计市占率基本在50%以上。AMSL优势在光刻方面遥遥领先；AMAT优势在产品线广，沉积（CVD、PVD）市占率高；LAM优势在刻蚀领域；TEL优势在小赛道如涂胶、去胶、热处理；KLA优势在过程控制。二、 海外设备厂商在手订单饱满，供应链限制延续在手订单依旧强劲，供应链限制延续，设备大厂积极扩产。1）供给高度紧张：ASML22Q1营收yoy-19%，下滑主要系部分订单确认延迟；毛利率同比-5pt，承压主要系材料、

10、供应链、运输等成本上升；库存周转率降低。泛林毛利率同比-1.7pt，主要系成本压力（原材料、物流、通胀等）。2）订单依旧强劲：ASML新增在手订单约70亿欧元，环比持平。KLA：当前在手订单交期总体56个月，部分产品78月。爱德万客户订单提前量增加，由于系半导体等材料和零件短缺，交期延长。3）积极扩产：ASML预计2030年产能至少翻番，2025年年产能增加到约90套0.33孔径EUV和600套DUV。泰瑞达预计2023研发费用1900亿日元，yoy+20.1%；资本开支750亿日元，yoy+31.1%，规划金额皆较往年有大幅提升。2022下半年展望乐观，全年需求强劲将有订单递延至明年。泛林2

11、022Q2毛利率指引中枢仍略降，持续成本和供应压力影响持续，二季度订单积压不断增加。随产能落地、产品竞争力效益显现及部分订单延迟多数企业对H2展望乐观。ASML预计2022H2表现强劲，毛利率约54%，高于全年52%指引，主要由EUV和DPV出货及安装基础管理业务利润率提升驱动。Q4部分EUV系统收入将递延到2023年。泛林预计2022WFE需求将超1000亿美元，未满足的设备需求将递延至明年。泰瑞达积极建立库存及扩产，预计H2出货有更大增量及灵活性，预计Q2实现增长，仅高端产品出货受限。三、 国内需求爆发，国产替代空间快速打开国内晶圆厂投资进入高峰期。根据集微网统计，20202022年国内晶

12、圆厂总投资金额分别约1500/1400/1200亿元，其中内资晶圆厂投资金额约1000/1200/1100亿元。20202022年国内晶圆厂投资额将是历史上最高的三年，且未来还有新增项目的可能。设备国产化率较低，海外龙头垄断性较高。我国半导体设备市场仍非常依赖进口，从市场格局来看，细分市场均有较高集中度，主要参与厂商一般不超过5家，top3份额往往高于90%，部分设备甚至出现一家独大的情况，目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求，尤其是内资投建的需求。制程越先进，设备投资额占比越高。设备投资一般占比7080%，当制程到16/14nm时，设备投资占比达85%；7nm及以下占比将更高。光刻、刻蚀

13、、沉积、过程控制、热处理等均是重要投资环节。国内国产化逐渐起航，从0到1的过程基本完成。北方华创产品布局广泛，刻蚀机、PVD、CVD、氧化/扩散炉、退火炉、清洗机、ALD等设备新产品市场导入节奏加快，产品工艺覆盖率及客户渗透率进一步提高，在集成电路领域主流生产线实现批量销售，产品加速迭代；第三代半导体、新型显示、光伏设备产品线进一步拓宽，出货量实现较快增长。拓荆科技作为国内唯一一家产业化应用PECVD和SACVD设备的供应商，PECVD累计发货150台，广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、合肥长鑫、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂，PEALD已实现销售；中微公司介质刻蚀机已经打入5nm制

14、程，新款用于高性能Mini-LED量产的MOCVD设备UniMax2022Q1订单已超180腔；芯源微前道涂胶显影设备在28nm及以上多项技术及高产能结构方面取得进展，并实现多种核心零部件的国产替代，公司前道物理清洗设备已经达到国际先进水平并成功实现国产替代，新签订单结构中前道产品占比大幅提升；华海清科CMP设备在逻辑芯片、3DNAND、DRAM制造等领域的工艺技术水平已分别突破至14nm、128层、1X/1Ynm，到2021年底，公司CMP设备累计出货超过140台，未发出产品的在手订单超70台。Mattson（屹唐半导体）在去胶设备市占率全球第二；盛美半导体单片清洗机在海力士、长存、SMIC

15、等产线量产。精测电子、上海睿励在测量领域突破国外垄断。设备国产化率较低，国产厂商成长空间巨大。我国半导体设备市场仍非常依赖进口，目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求，尤其是内资投建的需求，潜在收入目标空间较大。四、 强化创新体系建设，全面塑造发展新优势深入实施创新驱动发展战略，进一步聚集创新资源，壮大创新主体，优化创新生态，促进科技与经济社会深度融合，打造区域科技创新高地，为全市高质量发展提供科技支撑。（一）加快集聚科技创新力量实施科技强市行动，提升城市整体创新能力，建设国家创新型城市。强化科技与产业结合，突出天然提取物、铁基新材料、陶瓷新材料、高强度工程塑料、特种管材、氢能、特种气体、办

16、公耗材等领域创新优势，推进驻邯高校、科研院所、重点企业优化学科布局和研发布局，实施一批前沿性、战略性、关键性的重大科技项目，加快关键核心技术研发和成果转化力度。做强各类创新平台，依托冀南新区创建国家级高新技术产业开发区，推进邯郸国家农业科技园区提档升级，打造国家级科技创新平台，加速布局技术创新中心、产业技术研究院、新型研发机构、产业技术创新联盟等科研载体。夯实县域创新基础，深入实施县域科技创新跃升计划，补强县域科技投入、主体培育、创新条件等创新短板。（二）积极打造协同创新高地对接京津高校、大院大所、大企业、大集团等科技创新资源，推动国家技术创新中心、重点实验室等创新平台建设邯郸分中心，拓展与北

17、京大学邯郸创新研究院、北科院邯郸分院、国家遥感应用工程技术研究中心邯郸分中心合作领域，建设京津冀协同创新共同体和产业园区。融入京津冀技术市场一体化布局，争创国家科技成果转移转化示范区，加快建立“京津研发、邯郸转化”的创新协作新模式。充分利用国内外科技资源，重点面向长三角、粤港澳大湾区和发达国家，促进产学研对接交流，加强国际科技合作。（三）提升企业技术创新能力支持企业聚集产学研力量，成为技术创新决策、研发投入、科研组织、成果转化的主体。强化分类指导、梯度培育，发挥中国船舶718所、汉光重工、河钢邯钢、晨光生物等行业领军企业引领支撑作用，提高孵化器、众创空间、星创天地等双创平台孵化育成能力，建立科

18、技型企业加速成长机制，打造“科技型中小企业高新技术企业科技领军企业”的创新型企业梯队。大力弘扬科学家和企业家精神，提升企业创新意识、加大科技投入，支持企业开展科技攻关、成果引进及转化等研发活动，加强产业链上下游企业协同发展。加快建立全市统一的仪器共享、技术转移、知识产权、科技金融等科技服务平台，推广科技特派员、政策辅导团、技术经理人等服务方式，为企业提供全方位科技服务。（四）激发人才创新创造活力创新人才引进机制，建立人才需求储备库，依托科技部领军人才创新驱动中心等人才资源集聚平台，精准对接引进急需紧缺的科技人才，通过挂职兼职、技术咨询、远程指导、周末工程师等柔性方式，引进院士团队、科技领军人才

19、、创新团队、博硕人才等高层次人才队伍，支持高层次人才带成果、带项目到我市创新创业。健全高技能人才培养模式，积极推动河北工程大学、邯郸学院、邯郸职业技术学院、邯郸科技职业学院等建立重点产业人才培训实践基地，联合企业培养应用型人才，为重点行业、重点领域、战略性新兴产业不断输入人才。完善聚才、引才、用才及科技人才评价机制，在落实薪酬、股权、期权、分红等激励措施上创新举措，全面增强对人才的吸引力和凝聚力，逐步优化科技人才结构，壮大全市创新型人才队伍。深化邯郸英才服务卡制度，开展邯郸市杰出人才和突出贡献引进人才评定工作，营造尊才爱才用才的浓厚氛围。加强邯郸新型智库建设。（五）完善科技创新体制机制加快政府

20、职能向创新服务转变，抓好科技创新战略规划的统筹制定和落地实施，健全普惠的创新政策体系。完善监督绩效评价机制，营造良好的科研环境。加快科技管理职能转变，整合财政科研投入，通过风险补偿、投融资等方式放大财政资金的投入效应，支持企业扩大研发投入，提高全社会研发支出占生产总值比重。强化标准、计量、专利建设，加强知识产权保护，提升万人发明专利拥有量。构建军民科技协同创新体系，支持军民两用关键技术产品研发和创新成果双向转化应用。五、 实施高水平对外开放，开拓区域合作新局面坚定不移实施更大范围、更宽领域、更深层次对外开放，坚持高质量引进来和高水平走出去相结合，增强自身竞争实力，积极实现互利共赢。（一）加强与

21、京津协同发展坚持“四地一中心”功能定位，有效承接先进装备制造、食品加工、生物技术等京津产业转移，加强产业链供应链创新链协同对接。大力建设邯郸经济技术开发区、冀南新区等省级重点承接平台，鼓励以“微中心”“园中园”等模式，加快建设一批协作京津、链条互补的县域特色产业园区、产业集群。加强市场对接，推动邯郸优质特色农副产品稳定供应京津市场。积极融入“轨道上的京津冀”，加强与京津、雄安新区互联互通。促进京津优质教育、医疗资源向邯郸延伸，加快基本公共服务共建共享。积极对接雄安新区，促进装配式建筑、新型建材、新材料、新能源、安防应急等方面的产品配套、产业承接和项目延伸，推进“雄安建设、邯郸配套”联动发展。（

22、二）深度融入“一带一路”建设推进重点企业参与境外资源开发、传统优势产业跨国经营、服务贸易企业境外投资合作，支持企业共建共享海外仓，构建互利共赢的产业链供应链合作体系。深化国际产能和第三方市场合作，鼓励优势产能和装备走出去，支持新峰水泥、普阳钢铁、文安钢铁、晨光生物、企美农科等企业海外项目做大做强，打造境外生产基地和产业园区。支持邯郸国际陆港中欧班列常态化开行和双向对开，畅通国际物流渠道。与沿线国家在教育、科技、投资等多领域开展合作，促进经贸往来与人文交流。（三）着力稳定外资外贸实施外贸综合实力提升工程，支持外贸企业优化出口商品结构和国际市场布局，推动优质产品走向世界。加大对钢材、铸管、标准件、

23、陶瓷、童车、食品等县域特色产业外贸基地的支持力度。培育跨境电商、市场采购贸易、外贸综合服务等新业态新模式，支持河北陆港保税物流有限公司、青岛保税港区邯郸（鸡泽）功能区扩大进出口业务，发展跨境电商业务，拓展跨境寄递服务。持续建设义乌“邯郸产品展示中心”，发挥各类外贸综合服务平台作用，积极拓展外贸新渠道。全面执行外商投资法，推动贸易和投资自由化便利化，鼓励外商投资新开放领域。支持企业通过外资并购、境外上市等方式扩大利用外资，推动金融服务、装备制造、生态农业、科技教育、城市建设等领域引进外资。（四）积极扩大招商引资围绕主导产业和县域特色产业发展方向，编制“招商地图”，瞄准京津、长三角、粤港澳大湾区等

24、重点区域，突出对接央企、国际国内企业500强、民营企业500强、上市公司，开展精准招商、产业链招商、以商招商、委托招商，完善签约项目跟踪落地机制，提高招商精准性和实效性。积极争取举办国家级高端会议、展会和论坛，举办世界邯商大会等重大活动，提升邯郸影响力。打造特色招商推介平台，探索“特色产业专业展会”模式，加强主导产业专题推介。推动沿海开放、自贸区、新兴产业发展政策向我市延伸。密切中原经济协作区合作，建立旅游、钢铁、装备制造等产业联盟，提升区域市场一体化水平。（五）提升开发区能级和水平科学编制开发区产业发展规划，明确开发区主导产业，提升产业聚集度。加快开发区整合提升，有序推进扩区调区，提高项目承

25、载能力。提高市场化开发运营水平，合作引进一批国别（地区）合作产业园和省际合作产业园。加大开发区管理体制、人事薪酬制度等改革力度，逐步剥离邯郸经济技术开发区、冀南新区等各类开发区社会管理职能。强化考评激励，提高开发区产业集聚水平、投资强度、亩均效益，力争武安工业园区升级为国家级开发区。积极参与冀中南地区争列国家内陆开放型经济试验区。六、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市

26、场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第二章 项目概况一、 项目名称及投资人（一）项目名称邯郸薄膜设备项目（二）项目投资人xx

27、有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（待定）。二、 编制原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规，认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定；2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线，提高项目的竞争力和市场适应性；3、设备的布置根据现场实际情况，合理用地；4、严格执行“三同时”原则，积极推进“安全文明清洁”生产工艺，做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行，注意可持续发展要求，具有可操作弹性；5、形成以人为本、美观的生产环境，体现企业文化和企业形象；6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求；7、充分估计工程各类风险，采取规避措施，满足工

28、程可靠性要求。三、 编制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要；2、投资项目可行性研究指南；3、相关财务制度、会计制度；4、投资项目可行性研究指南；5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件；6、根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料；7、可行性研究与项目评价；8、建设项目经济评价方法与参数；9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资料、项目方案及基础材料。四、 编制范围及内容根据项目的特点，报告的研究范围主要包括：1、项目单位及项目概况；2、产业规划及产业政策；3、资源综合利用条件；4、建设用地与厂址方案；5、环境和生态影响分析；6、投资方案分析；7、经济效益和社会效益分析。通

29、过对以上内容的研究，力求提供较准确的资料和数据，对该项目是否可行做出客观、科学的结论，作为投资决策的依据。五、 项目建设背景台积电、中芯国际纷纷增加资本开支，CapEx进入上行期。根据ICInsights，全球代工厂资本开支约占半导体总体的35%，根据头部代工厂的资本开支规划来看，2022年代工领域资本开支将进一步提升。台积电从2020年170亿美金增长到2021年的300亿美金（用于N3/N5/N7的资本开支占80%），公司2021年4月1日公布未来三年资本开支1000亿美金，2022年资本开支将进一步提升至400-440亿美金，预计2023年资本开支仍有望超过400亿美金；联电2021年C

30、apEx18亿美金，预计2022年翻倍达到36亿美金（其中90%将用于12英寸晶圆）；GlobalFoundries于2021年IPO后资本开支大幅提升用于扩产，公司2020年CapEx4.5亿美金，2021年提升至16.6亿美金，预计2022年超过40亿美金；中芯国际2021年资本开支维持高位，达到45亿美金（大部分用于扩成熟制程，尤其是8寸数量扩4.5万片/月），预计2022年达到50亿美金。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（待定），占地面积约64.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xx套薄膜设备的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24

31、个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资29320.22万元，其中：建设投资23010.06万元，占项目总投资的78.48%；建设期利息455.83万元，占项目总投资的1.55%；流动资金5854.33万元，占项目总投资的19.97%。（五）资金筹措项目总投资29320.22万元，根据资金筹措方案，xx有限公司计划自筹资金（资本金）20017.69万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额9302.53万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：56400.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：46907.28万

32、元。3、项目达产年净利润（NP）：6930.98万元。4、财务内部收益率（FIRR）：16.03%。5、全部投资回收期（Pt）：6.57年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：23951.55万元（产值）。（七）社会效益本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技

33、术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积42667.00约64.00亩1.1总建筑面积87681.481.2基底面积27733.551.3投资强度万元/亩353.482总投资万元29320.222.1建设投资万元23010.062.1.1工程费用万元20140.242.1.2其他费用万元2419.242.1.3预备费万元450.582.2建设期利息万元455.832.3流动资金万元5854.333资金筹措万元29320.223.1自筹资金万元20017.693.2银行贷款万元9302.534营业收入万元56400.00正常运营年份5总成本费用万元46907.286利润总额万元92

34、41.317净利润万元6930.988所得税万元2310.339增值税万元2095.1010税金及附加万元251.4111纳税总额万元4656.8412工业增加值万元15904.3413盈亏平衡点万元23951.55产值14回收期年6.5715内部收益率16.03%所得税后16财务净现值万元3291.11所得税后第三章 市场分析一、 全球设备市场创新高，受益于资本开支提升、制程节点进步2021年全球半导体设备市场规模创1026亿美元新高，大陆首次占比全球第一。根据SEMI，2021年半导体设备销售额1026亿美元，同比激增44%，全年销售额创历史新高。大陆设备市场在2013年之前占全球比重为1

35、0%以内，20142017年提升至1020%，2018年之后保持在20%以上，份额呈逐年上行趋势。2020-2021年，国内晶圆厂投建、半导体行业加大投入，大陆半导体设备市场规模首次在市场全球排首位，2021达到296.2亿美元，同比增长58%，占比28.9%。展望2022年，存储需求复苏，韩国预计将领跑全球，但大陆设备市场规模有望保持较高比重。北美半导体设备厂商月销售额2021年以来稳站30亿+美金。通过复盘半导体行业景气周期历史，北美半导体设备厂商月销售额对于全球半导体行业景气度分析具有重要意义，北美半导体设备销售额水平通常领先全球半导体销售额一个季度。2021年1月，北美半导体设备厂商月

36、销售额首次突破了30亿美金关口，创历史新高，达到了30.4亿美金。此后月度销售额逐季创新高，至12月份销售额达到39.2亿美金，同比增长46%。与此同时全球半导体销售市场自2021年4月以来连续12个月同比增速超过20%，2022年3月，全球半导体销售额达到505.8亿美金，同比增长23.0%，展望2022全年，从各机构当前预测平均值来看，预计2022年全球半导体市场仍将保持10%以上同比增长。半导体设备行业呈现明显的周期性，受下游厂商资本开支节奏变化较为明显。2017年，存储厂商的大幅资本开支推动半导体设备迎来巨大需求，且这一势头一直延续到2018年上半年。但随后产能过剩致使存储价格走低，导

37、致DRAM和NAND厂商纷纷推迟设备订单。存储产能过剩一直持续到2019年上半年，同时上半年整体半导体行业景气度不佳，虽然下半年随着行业景气度恢复，以台积电为代表的晶圆厂陆续调高资本开支大幅扩产，2019年全年半导体设备需求同比仍回落约2%。2020年全球各地先后受疫情影响，但存储行业资本支出修复、先进制程投资叠加数字化、5G带来的下游各领域强劲需求，全年设备市场同比增长19%。伴随半导体厂商新一轮资本开支开启，2021年全球设备市场继续大幅增长44%。当前海外设备龙头应用材料、泛林集团等均预计2022年全球设备市场规模将进一步增长。未来两年全球晶圆厂设备开支持续增长。2020年疫情带来的居家

38、及远程办公带来笔电等消费电子需求激增作为本轮周期的催化剂，2020H2以车用芯片为代表的供应链开始紧张，下游持续增长的需求与上游有限产能的矛盾演绎为2021年全年行业供需失衡加剧。2022年以来，消费性电子、智能手机、PC等领域需求确有下滑，但更值得注意的是全球正步入第四轮硅含量提升周期，服务器、汽车、工业、物联网等需求大规模提升。在6月台积电召开的股东大会上，公司管理层表示未来10年是半导体行业非常好的机会，主要原因就是5G及高效能运算的普及，生活数字化转型，带来对车用（新车半导体含量可达传统车的10倍）、手机、服务器等终端内半导体含量的增加，推动半导体需求大幅成长。中芯国际在22Q1法说会

39、表示，尽管消费电子，手机等存量市场进入去库存阶段，开始软着陆，但高端物联网、电动车、绿色能源、工业等增量市场尚未建立足够的库存，近年来硅含量提升与晶圆厂有限的产能扩充矛盾，叠加产业链转移带来的本土化产能缺口，使得公司需要大幅扩产，推出新产品工艺平台，满足客户旺盛的增量需求。疫情、全球经济及半导体周期性虽然会带来短期内的不确定性，但是技术进步、硅含量提升是长期支撑半导体行业持续发展的最关键驱动力。2020年开始全球领先的晶圆厂纷纷加速扩产提升资本开支，根据ICInsights，2021年全球半导体资本开支增速达到36%，预计2022年将继续增长24%，2020-2022年将会成为自1993-19

40、95年以来的首次CapEx连续三年增速超过20%。半导体设备作为晶圆厂扩产的重要开支部分，根据SEMI，2021年全球晶圆厂前道设备支出增速达到42%，预计2022年将进一步增长18%。台积电、中芯国际纷纷增加资本开支，CapEx进入上行期。根据ICInsights，全球代工厂资本开支约占半导体总体的35%，根据头部代工厂的资本开支规划来看，2022年代工领域资本开支将进一步提升。台积电从2020年170亿美金增长到2021年的300亿美金（用于N3/N5/N7的资本开支占80%），公司2021年4月1日公布未来三年资本开支1000亿美金，2022年资本开支将进一步提升至400-440亿美金，

41、预计2023年资本开支仍有望超过400亿美金；联电2021年CapEx18亿美金，预计2022年翻倍达到36亿美金（其中90%将用于12英寸晶圆）；GlobalFoundries于2021年IPO后资本开支大幅提升用于扩产，公司2020年CapEx4.5亿美金，2021年提升至16.6亿美金，预计2022年超过40亿美金；中芯国际2021年资本开支维持高位，达到45亿美金（大部分用于扩成熟制程，尤其是8寸数量扩4.5万片/月），预计2022年达到50亿美金。二、 薄膜设备：用于沉积物质，在设备市场占比较高薄膜生长：采用物理或化学方法使物质附着于衬底材料表面的过程，常见生长物质包括金属、氧化物、

42、氮化物等不同薄膜。根据工作原理不同，薄膜沉积生长设备可分为：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积（CVD）和外延等类别。PVD和CVD是主要的薄膜设备，ALD是产业技术发展趋势。在半导体领域，薄膜主要分给绝缘薄膜、金属薄膜。大部分绝缘薄膜使用CVD，金属薄膜常用PVD（主要是溅射）。其他常用的镀膜方式包括ECD、SOD、MOCVD、Epitaxy等。在薄膜设备整体中，CVD的使用越来越广泛，基于CVD发展的ALD更是行业升级的技术方向。物理气相沉积（PVD）：利用蒸发或溅射，实现原子从源物质到沉底材料表面的物质转移，沉积形成薄膜。物理气相沉积是一种物理气相反应生长法，沉积过程是在真空或低压气体

43、放电条件下，涂层物质源是固态物质，经过“蒸发或溅射”后，在零件表面生成与基材性能完全不同的新的固态物质涂层。PVD具有成膜速率高、镀膜厚度及均匀性可控好、薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高等优点。PVD可以分为真空蒸镀（VacuumEvaporator）和溅射（Sputtering）。PVD发展初期以真空蒸镀镀膜为主，特点是工艺简单、操作容易、纯度较高，缺点是难以蒸发某些金属和氧化物。由于溅射设备制备的薄膜更加均匀、致密，对衬底附着性强，纯度更高，溅射设备取代了蒸镀设备。2020年全球薄膜设备市场达到138亿美元，占IC制造设备21%；其中主要是CVD和PVD，合计占IC制造设备18%。其中，C

44、VD市场规模高度89亿美元，主流是设备包括PECVD、TubeCVD、LPCVD和ALD等。整个薄膜市场市占率最高的是AMAT。高端领域如ALD受ASM、TEL和Lam等海外龙头主导。国内布局IC制造领域薄膜设备的主要国产厂商包括北方华创和沈阳拓荆。CVD市场主要由海外龙头主导，国内北方华创、沈阳拓荆积极布局。根据Gartner数据，全球CVD市场前五大供应商包括AMAT（28%）、LamResearch（25%）、TEL（17%）、Kokusai（原日立高新，8%）、ASM（11%）。国内半导体设备龙头北方华创、沈阳拓荆在该领域也有布局。从PVD市场格局来看，AMAT一家独大，长期占据约80

45、%的市占率。PVD市场主要供应商包括AMAT、ULVAC、Evatec、KLA、TEL、北方华创等。根据Gartner，2020年北方华创的半导体PVD设备全球市占率为3%，属于国内领先地位。随着国产替代加速，北方华创PVD业务有望加速成长。第四章 建设方案与产品规划一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积42667.00（折合约64.00亩），预计场区规划总建筑面积87681.48。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx套薄膜设备，预计年营业收入56400.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产

46、业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。薄膜生长：采用物理或化学方法使物质附着于衬底材料表面的过程，常见生长物质包括金属、氧化物、氮化物等不同薄膜。根据工作原理不同，薄膜沉积生长设备可分为：物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积（CVD）和外延等类别。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1薄膜设备套xx2薄膜设备套xx3薄膜设备套xx4.套5.套6.套合计xx56400.00第五章 项目选址分析一、 项目选址原则1、符合城乡建设总体规划，应符合当地工业项目占地使用规划的要求，并与大气污染防治、水资源和自然生