衡阳汽车芯片项目招商引资方案.docx
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1、泓域咨询/衡阳汽车芯片项目招商引资方案报告说明2020年全球车规半导体市场规模约为350亿美元,同比增长约6%。分地区来看,欧洲、中国和北美为汽车半导体最大的三个消费市场,占全球比重分别为34%、20%和18%;分产品结构看,处理器、功率、传感器和存储芯片为汽车半导体占比最大的四个领域,占比分别为23%、22%、13%和9%。根据谨慎财务估算,项目总投资22222.85万元,其中:建设投资18216.85万元,占项目总投资的81.97%;建设期利息497.47万元,占项目总投资的2.24%;流动资金3508.53万元,占项目总投资的15.79%。项目正常运营每年营业收入42300.00万元,综
2、合总成本费用34287.01万元,净利润5852.08万元,财务内部收益率19.36%,财务净现值7836.71万元,全部投资回收期6.09年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本项目生产所需的原辅材料来源广泛,产品市场需求旺盛,潜力巨大;本项目产品生产技术先进,产品质量、成本具有较强的竞争力,三废排放少,能够达到国家排放标准;本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设;项目产品畅销,经济效益好,抗风险能力强,社会效益显著,符合国家的产业政策。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案
3、、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 背景、必要性分析8一、 MCU:集成度提高是发展趋势,电池管理系统/整车控制应用拉动需求增长8二、 功率半导体:电能转换与电路控制的核心器件,关注IGBT、SiC器件的增量机遇10三、 汽车“三化”驱动成长,国产替代前景可期15四、 坚持创新首位战略,建设更高水平的国家创新型城市16五、 切实加快高标准市场体系建设19第二章 项目基本情况20一、 项目名称及投资人20二、 编制原则20三、 编制依据21四、 编制范围及内容22五、 项目建设背景22六、 结论分析24主要经济指标一览表26第三章 项目
4、投资主体概况28一、 公司基本信息28二、 公司简介28三、 公司竞争优势29四、 公司主要财务数据30公司合并资产负债表主要数据30公司合并利润表主要数据30五、 核心人员介绍31六、 经营宗旨32七、 公司发展规划33第四章 产品方案与建设规划39一、 建设规模及主要建设内容39二、 产品规划方案及生产纲领39产品规划方案一览表39第五章 项目选址分析41一、 项目选址原则41二、 建设区基本情况41三、 深入实施市场主体培育工程45四、 项目选址综合评价45第六章 建筑工程方案分析46一、 项目工程设计总体要求46二、 建设方案47三、 建筑工程建设指标48建筑工程投资一览表48第七章
5、SWOT分析说明50一、 优势分析(S)50二、 劣势分析(W)51三、 机会分析(O)52四、 威胁分析(T)52第八章 发展规划60一、 公司发展规划60二、 保障措施66第九章 技术方案68一、 企业技术研发分析68二、 项目技术工艺分析70三、 质量管理71四、 设备选型方案72主要设备购置一览表73第十章 环境保护方案74一、 环境保护综述74二、 建设期大气环境影响分析75三、 建设期水环境影响分析79四、 建设期固体废弃物环境影响分析80五、 建设期声环境影响分析80六、 环境影响综合评价81第十一章 进度计划方案82一、 项目进度安排82项目实施进度计划一览表82二、 项目实施
6、保障措施83第十二章 劳动安全分析84一、 编制依据84二、 防范措施87三、 预期效果评价89第十三章 投资计划91一、 编制说明91二、 建设投资91建筑工程投资一览表92主要设备购置一览表93建设投资估算表94三、 建设期利息95建设期利息估算表95固定资产投资估算表96四、 流动资金97流动资金估算表98五、 项目总投资99总投资及构成一览表99六、 资金筹措与投资计划100项目投资计划与资金筹措一览表100第十四章 经济收益分析102一、 经济评价财务测算102营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表103固定资产折旧费估算表104无形资产和其他资产摊销估算表10
7、5利润及利润分配表107二、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表109三、 偿债能力分析110借款还本付息计划表111第十五章 项目招标方案113一、 项目招标依据113二、 项目招标范围113三、 招标要求113四、 招标组织方式114五、 招标信息发布117第十六章 风险防范118一、 项目风险分析118二、 项目风险对策120第十七章 项目总结122第十八章 补充表格125主要经济指标一览表125建设投资估算表126建设期利息估算表127固定资产投资估算表128流动资金估算表129总投资及构成一览表130项目投资计划与资金筹措一览表131营业收入、税金及附加和增值税估算表132综合
8、总成本费用估算表132利润及利润分配表133项目投资现金流量表134借款还本付息计划表136第一章 背景、必要性分析一、 MCU:集成度提高是发展趋势,电池管理系统/整车控制应用拉动需求增长MCU的定义。MCU(MicrocontrollerUnit)全称为微控制器,是将CPU、程序存储器、数据存储器、I/O端口、串行口、定时器/计数器、中断系统、特殊功能寄存器等部件集成在一片芯片上,形成芯片级的计算机,为不同的应用场合做不同组合控制,是智能控制的核心。MCU的主要功能是信号处理和控制,因其高性能、低功耗、可编程、灵活性的特征在消费电子、汽车电子、工业控制、通信等领域得到广泛应用。MCU集成度
9、提高是发展趋势,未来32位产品占比将不断上升。在产品应用占比方面,未来32位MCU占比将呈不断上升趋势。未来下游应用场景趋于复杂,要求MCU具备更高的集成度和更丰富的功能,32位MCU工作频率大多在100-350MHz之间,执行效能更佳,应用类型也更加多元。新能源汽车电池管理系统/整车控制应用驱动MCU市场需求增长。与燃油车相比,新能源汽车以电机替代了汽油发动机并增加了动力电池,电池管理系统和整车控制器应用的增加将驱动MCU市场需求的增长。动力电池是整车的核心部件之一,其充放电情况、温度状态、单体电池间的均衡均需要进行控制,因此电动车需额外配备一个电池管理系统(BMS),每个BMS的主控制器中
10、需要增加一颗MCU芯片,BMS中的MCU芯片起到处理模拟前端芯片(BMSAFE芯片)采集的信息并计算荷电状态(SOC)的作用。SOC是电池管理系统中较为重要的参数,其余参数均以SOC为基础计算得来,因此电池管理系统对MCU芯片的性能要求较高。行业格局:中高端市场由美日欧企业主导,中国企业渗透进度较慢。从全球市场竞争格局来看,中高端MCU市场中瑞萨电子、恩智浦、微芯科技、意法半导体、英飞凌等国外大厂占据较高市场份额,国产化率较低。根据Omdia统计,在2019年全球前十大MCU厂商中,暂无境内企业,主要原因为:(1)美日欧整车品牌全球市占率较高,供应链基本固化,海外一线厂商仅采购恩智浦、英飞凌、
11、瑞萨电子等成熟半导体厂商生产的MCU,中国半导体企业起步较晚,切入现有生态圈需要一定时间;(2)高性能MCU对芯片设计能力及晶圆制造工艺要求较高,特殊MCU(如BMSMCU芯片)需要大量专有技术(Know-how)经验积累,目前大量成熟解决方案被恩智浦等厂商掌握,中国企业渗透进度相对较慢。目前国内厂商正积极布局中高端MCU市场,长期自主可控可期。目前国内厂商积极布局中高端MCU市场,长期来看,自建生态系统、深入应用场景、打磨解决方案是国内MCU企业参与国际竞争的必经之路,以最终实现MCU在汽车电子、工业控制、物联网等中高端应用领域的自主可控。二、 功率半导体:电能转换与电路控制的核心器件,关注
12、IGBT、SiC器件的增量机遇功率半导体是电能转换与电路控制的核心器件。主要功能为改变电路中的电压、电流、频率、导通状态等物理特性,以实现对电能的管理。功率半导体在电子电路中起到功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等作用,广泛应用于汽车、工业控制、轨道交通、消费电子、发电与配电、移动通讯等电力电子领域,其实现电力转换的核心目标是提高能量转换率、减少功率损耗。功率半导体从早起简单的二极管向高性能、集成化方向发展。按类别划分,功率半导体可分为功率器件和功率IC两大类,其中功率器件主要包括二极管、晶体管和晶闸管,晶体管根据应用领域和制程不同又可分为IGBT、MOSFET和双极型晶体管等;功率
13、IC属于模拟IC,包含电源管理IC、驱动IC、AC/DC和DC/DC等。为满足更广泛的应用需求和复杂的应用环境,器件设计及制造难度逐渐提高。功率半导体器件根据不同的器件特性分别应用于不同应用领域,二极管、晶闸管等器件生产工艺相对简单,在中低端领域大量使用;IGBT、MOSFET等器件更多应用于高压、高可靠性领域,器件结构相对复杂并且生产工艺门槛较高,成本较高,在新能源汽车、轨道交通、工业变频等领域广泛使用。功率半导体下游应用广泛,几乎涵盖所有电子制造业。功率半导体的主要作用是电力转换和功率控制,核心目标为提高能量转换效率并减少功耗,其下游应用广泛,几乎涵盖所有电子制造业。从下游应用领域的占比来
14、看,汽车是功率半导体最主要的下游应用领域,2019年全球功率半导体细分市场规模占比从高到低依次为:汽车(35%)、工业(27%)、消费电子(13%)和其他(25%)领域;国内市场方面,2019年汽车、消费电子、工业电源、电力、通信等其他领域占功率半导体下游应用比重分别为27%、23%、19%、15%和16%。功率半导体市场结构:电源管理IC、MOSFET和IGBT位列前三。从市场结构来看,电源管理IC、MOSFET和IGBT为我国功率半导体占比最高的三个分支。根据IHS数据,截至2018年,我国电源管理IC市场规模为84.3亿美元,份额占比达61%,MOSFET和IGBT份额分别为20%和14
15、%,三者占比合计达95%。近几年,受益下游消费电子、通讯行业和新能源汽车的快速发展,电源管理IC市场维持稳健增长态势,而未来随着新能源汽车行业快速发展,IGBT和MOSFET有望步入快速发展期。而在功率器件方面,MOSFET、功率二极管和IGBT是功率器件中最重要的三个细分领域。从市场份额看,根据Yole数据,2017年全球MOSFET规模占功率器件市场的35.4%,位列第一,功率二极管和IGBT市场份额分别为31.3%和25.0%,分列第二、三位。汽车是功率最主要的下游应用领域,新能源汽车驱动功率市场发展。从下游应用领域看,汽车是功率半导体最主要的下游应用领域,2019年细分市场规模占比达3
16、5%。随着社会经济的快速发展及技术工艺的不断进步,新能源汽车及充电桩、智能装备制造、物联网、新能源发电、轨道交通等新兴应用领域逐渐成为功率半导体的重要应用市场,带动功率半导体需求快速增长。以新能源汽车为例,电驱系统是新能源汽车的动力源,相当于传统汽车的发动机和变速箱,是新能源汽车的核心部件。随着新能源汽车逐步渗透,对应功率半导体市场规模也有望迎来快速增长。根据Omdia统计,预计2024年功率半导体全球市场规模将达到538亿美元,中国作为全球最大的功率半导体消费国,预计2024年市场规模达到197亿美元,占全球场比重为36.6%。IGBT是工控领域的核心。IGBT(InsulatedGateB
17、ipolarTransistor)全称为绝缘栅双极晶体管,结构上由BJT和MOSFET组合而成,兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点,是未来功率半导体应用的主要发展方向之一。IGBT是一个非通即断的开关器件,通过栅源极电压的变化控制其关断状态,能够根据信号指令来调节电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的,是能量变换与传输的核心器件。行业格局:英飞凌保持领先,国内企业合计市场份额较低。根据Omdia统计,全球IGBT市场竞争格局较为集中,2019年全球前五大IGBT标准模块厂商分别为英飞凌、三菱电机、富士电机、赛米控
18、和日立功率半导体,合计市场份额约70%,其中英飞凌市场份额接近37%;在中国IGBT市场中,英飞凌仍保持领先的市场份额,国内企业合计市场份额较低,有巨大的发展空间。新能源汽车拉动IGBT需求。IGBT模块在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作用,是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。新能源汽车中的功率半导体价值量提升十分显著,根据英飞凌年报显示,新能源汽车中功率半导体器件的价值量约为传统燃油车的5倍以上。其中,IGBT约占新能源汽车电控系统成本的37%,是电控系统中最核心的电子器件之一,因此,未来新能源汽车市场的快速增长,有望带动以IGBT为代表的功率半导体器件的价值量显著
19、提升,从而有力推动IGBT市场的发展。EVTank指出,2018至2025年我国新能源汽车IGBT市场规模将从38亿元增长至165亿元,2018-2025年复合增长率为23.33%。IGBT模块方面,从2020年全球IGBT模块应用占比来看,工业控制占比33.5%,是目前IGBT最大的应用领域,新能源汽车占比14.2%。Omdia指出,未来,汽车电动化、智能化推动车规级IGBT成为增长最快的细分领域,新能源汽车在2024年将超过工业控制成为IGBT最大的下游应用领域,年均复合增长率达到29.4%,远超行业平均增速。SiC:SiC为代表的第三代半导体具有较高功率密度,适用于制作高温、高频、抗辐射
20、及大功率器件。目前车规级半导体主要采用硅基材料,但受自身性能极限限制,硅基器件的功率密度难以进一步提高,硅基材料在高开关频率及高压下损耗大幅提升。与硅基半导体材料相比,以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点,适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。SiC器件整体成本仍处于较高水平,未来有望逐步下降。与传统硅基材料相比,SiC在能量损耗、封装尺寸和工作频率等方面优势明显,但由于在生产成本但由于生产设备、制造工艺、良率与成本的劣势,碳化硅基器件过去仅在小范围内应用。目前国际主流SiC衬底尺寸为4英寸和6英寸,晶圆面积较小、芯片裁切效率较低
21、、单晶衬底及外延良率较低导致SiC器件成本高昂,叠加后续晶圆制造、封装良率较低,且载流能力和栅氧稳定性仍待提高,SiC器件整体成本仍处于较高水平。未来随着全球半导体厂商加速研发及扩产,产线良率将逐步提高,从而提高晶圆利用率,SiC器件的整体成本有望逐步下降。目前少量新能源汽车已采用SiC方案,未来行业整体格局仍存在不确定性。受益于新能源汽车市场的快速发展,SiC的性能优势使得相关产品的研发和应用加速,随着技术进步和产能的逐步释放,SiC器件的制备成本相比之前有所降低,目前SiC方案已被少量新能源汽车高端车型采用,在新能源汽车市场开始替代部分IGBT器件;而从全球市场竞争格局来看,产业链中以美国
22、、欧洲和日本企业居多,以科锐、英飞凌和罗姆半导体微店的IDM企业占据了较高市场份额,国内方面,比亚迪集团在整车中率先使用SiC器件,并率先实现了SiC三相全桥模块在电机驱动控制器中的大批量装车。整体而言,SiC市场仍处于发展的初期阶段,未来几年竞争格局仍存在一定不确定性。受益新能源及光伏领域需求量的高速增长,未来五年SiC市场复合增速有望超过20%。根据Omdia统计,2019年全球SiC功率半导体市场规模为8.9亿美元,受益于新能源汽车及光伏领域需求量的高速增长,预计2024年全球SiC功率半导体市场规模预计将达26.6亿美元,年均复合增长率达到24.5%。三、 汽车“三化”驱动成长,国产替
23、代前景可期新能源汽车渗透率快速提高,推动汽车电子市场规模扩张。在政策和市场的双重推动下,以电动汽车为代表的新能源汽车是未来汽车行业发展的重要方向,渗透率不断提高。与燃油车相比,新能源汽车中汽车电子成本占比更高,推动汽车电子市场规模快速扩张。中汽协预计到2022年,全球汽车电子市场规模达到21,399亿元,我国汽车电子市场规模将达到9,783亿元。汽车电动化、智能化带汽车半导体需求,功率半导体、车规MCU和CMOS等领域受益。汽车的智能化、网联化带来的新型器件需求主要在感知层和决策层,包括摄像头、雷达、IMU/GPS、V2X、ECU等,直接拉动各类传感器芯片和计算芯片的增长。根据Omdia统计,
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