我国电力电子与电力传动面临的挑战与机遇.doc
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1、2004 年 8 月第 19 卷第 8 期电工技术学报TRANSACTIONS 0F CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETYV0119 NO8Aug 2004我国电力电子与电力传动面临的挑战与机遇钱照明张军明吕征宇彭方正汪檩生(浙江大学电气工程学院杭州 310027)摘要对电力电子器件方面的最新发展和电力电子与电力传动技术在可再生能源、分布式发电系统和电能质量控制、牵引、电机驱动、绿色照明中的应用及电力电子系统集成等进行了综述,指出我国电力电子与电力传动产业面临着良好的机遇和严峻的挑战。关键词:电力电子与电力传动挑战与机遇电力电子应用电力电子系统集成中图分类号:TN60;
2、TM9210Challenge and Opportunity for Power Electronics andElectrical Drive in ChinaQian Zhaoming Zhang Junming LU Zhengyu Peng Fangzheng Wang Yousheng(ZhejiangUniversity Hangzhou 3 10027 China)Abstract Newest developments in power devices and applications of power electronicsandelectrical drives for
3、the renewable energy sources,the distributed power system,theenergy qualitycontrol,the traction and motor drive,and the green lighting,as well as thepower electronic system integration have been reviewedIt is pointed that the powerelectronics and electrical drives industry inChina is facing both goo
4、d opportunity andserious challengeKeywords:Power electronics and electrical drives,challenge and opportunity,appliedpower electronics,power electronic system integration1 引言自从第一支晶闸管问世,电力电子器件和应用技术的发展已有近 50 年的历史。电力电子器件的发展经历了不控和半控器件、电流全控器件、电压全控器件和功率集成电路(Poweric)等若干阶段。从最初的汞弧器件到目前的硅半导体器件,器件的体积减小了 3 到 4 个
5、数量级;大功率时的开关时问从毫秒级降到了微秒级,低功率时甚至达到了纳秒级;。工作频率从 50Hz 增加到兆赫级;变流器的功率水平从微伏安提高到几百兆伏安;封装与制造技术从单片微电子芯片制造技术直至用到高电压技术【2】。电力电子与电力传动技术的每个进步均已得到实际应用,它们在改造传统产业(电力、机械、矿冶、交通、化工、轻纺等),发展高新技术(航天、激光、通信、机器人等)和高效利用能源中具有极其重要的作用,电力电子技术已成为当今任何高新技术系统中不可缺少的关键技术之一,其应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门,它们与数字及计算机控制技术的密切结合,已迅速发展成为一个跨学科的高新技术【2。我国是一
6、个发展中的国家,目前尚处于前工业化阶段,传统产业仍然是我国国民经济的主力军,因此在近期或在较长一段时期内,传统产业的改造和发展将在很大程度上决定着我国经济的发展。电力、机械、冶金、石油、化工、交通运输是传统产业的重要支柱,这些产业技术水平的高低直接关系到我国工业基础的强弱。特别是,近年来随着经济的稳步发展,巨大的电力缺口与人们对电力的强烈需求之间的矛盾越来越明显,据统计,至 1999 年底全国总装机容量为 29106Mw;而国家预测到 2010 年的电力需求量将为54106MW,存在着近 25106MW 的电力缺口。由于我国常规能源资源的有限性和环保的巨大压力,能源建设必须走节电和开发利用可再
7、生能源之路,这就决定了在今后相当长的一段时期内,我国国民经济的发展和巨大的缺口。万方数据第 19 卷第 8 期钱照明等我国电力电子与电力传动面临的挑战与机遇用户市场对电力电子与电力传动应用技术具有巨大的、持久的需求,这就意味着我国电力电子和电力传动产业面临着良好的机遇。经济学家认为 21 世纪的经济将发生巨大变革,知识经济开始替代工业经济,这对世界经济的发展将有很大推动力。今后世界市场的竞争主要表现为高新技术的竞争,谁拥有电力电子这种先进的高新科技产品,谁就掌握竞争的优势。面临我国已加入世贸组织和必须适应国际大循环的形势,我们面临着严峻的挑战,因为总体说来我国当前电力电子与电力传动技术的水平落
8、后于国际先进水平,远远跟不上我国国民经济发展的需要,特别是还面临着国外产品严重冲击,因此,我们必需清醒地认识到这一挑战并且要勇敢地面对。本文将着重介绍电力电子与电力传动应用技术的最新动态,分析我们面临的技术挑战,以期我国电力电子和电力传动产业,在该领域的研究有所突破,工程技术人员能迎接挑战、抓住机遇,为我国电力电子与电力传动技术赶上世界先进水平作出贡献。2 电力电子器件的发展电力电子技术是伴随着电力电子器件的出现和发展而发展的。伴随硅技术的进步,电力电子器件取得了显著的进展,如图 1 所示。它的发展历史可以划分成三个时期:第一时期 19501960 年为摇篮期,在这一时期中,半导体器件包括电力
9、电子器件的关键技术几乎全部得以完善;第二个时期 19701980 年末,可以称之为成长期。主要的电力电子器件像 MOSFET、IGBT、GTO 和光触发晶闸管等迅速发展,功率变换对电力电子器件的主要要求随着上述器件的问世都基本上得以满足;第三个时期从 1990 年初一直到目前,为充分成长成熟期,基于硅材料的电压全控型电力电子器件和智能型集成功率模块技术得到了进一步的完善和发展。图 1 功率半导体器件发展1】Fig1 Development of the Semiconductor power devices【1】在电力电子器件的发展过程中,功率频率乘积(power frequency prod
10、uct)这个指标可以很好地反映器件水平的进展和状态,如图 2 所示。目前电力电子器件的水平基本上稳定在 1091010WHz 的水平【21。由于每一个功率开关器件都具有寄生二极管结构,它的 PN 结阻断反向电压,有源层控制正向电流导通,因而功率器件先天性地受到这个寄生二极管的限制。目前传统的功率器件已经逼近由于寄生二极管制约而能达到的材料极限,为突破目前的器件极限,有两大技术发展方向:一是采用新的器件结构,二是采用宽能带间隙的半导体器件。万方数据12 电工技术学报 2004 年 8 月频率 fHz图 2 功率半导体器件的功率频率乘积2】Fig2 The power frequency prod
11、uct of thesemiconductor power device【2】21 新的功率器件结构【l3,4】新功率器件结构通过 MOSFET、IGBT、GTO等的应用,进一步提高了这些器件的特性,如降低导通电阻和饱和压降、减小开关损耗和更方便的门极驱动等。人们已经开发出了超级结(Super Junction,SJ)和浮动结(Floating Junction,FJ)等新型结构的功率器件。这类器件的设计理念是通过在有源层(active layer)引入三维结构,降低 PN 结周围的最大电场值。以 SJMOSFET 为例,它在寄生二极管的有源层中采用了垂直 PN 细条的三维结构,它能维持相同的
12、阻断电压,但是由于减小了垂直 PN条的宽度,导通电阻得以成比例的减小。采用这个方法,单位面积导通电阻可降低 510 倍,开关、驱动损耗可降低 2 倍左右。现已商品化的 600VSJMOSFET(CoolMOS)的导通电阻只有普通MOSFET 导通电阻的 13,约 40mQcm2。导通电阻低于 26mf2cm2 的 600V SJMOSFET 也见诸报道,导通电阻低于 10mf2cm2 的 600V SJMOSFET不久也将进入市场【11。在低电压大电流应用场合,如 VRM 应用中,要求器件(MOSFET)具有更小的 R。a。(导通电阻和门极电荷乘积)的值,更小的米勒电容和更适合于与 CPU 集
13、成,以达到更高的效率和功率密度。根据 CPU 发展的进程图,预计在 2016 年,通用 CPU的供电电压将会下降到 04V,供电电流将达到400A,电流变化率为 400AIts,开关频率需要达到45MHz【5】。为了实现这些指标,用于同步整流的MOSFET 的尺。级值需要达到 065QpF,目前的垂直沟道 VDMOS 结构将不再适合于这方面将来的应用。尽管采用前述新的器件结构和工艺,如超级结 MOSFET 和沟槽(trench)MOSFET,可以获得更小的尺。Q。值,但这些工艺显然不适合集成电路工艺,如 BiCMOS 工艺,目前正在研究的基于薄绝缘硅片的横向轻掺杂漏极 MOSFET(LDDMO
14、SFET-SOI)可以提供更好的性能。其 R0Q。乘积比理论上最好的 VDMOS 还要小 3 倍,比沟槽MOSFET 小 7 倍。更重要的是,其工艺可以和 VLSI的 BiCMOS 工艺兼容【3】。可以预见,此类 LDDMOSFET-SOI 在低压大电流应用场合将会有广泛的应用前景。自 1985 年绝缘门极双极型晶体管(IGBT)进入实际应用以来,IGBT 已经涵盖了 600V65kV的电压范围和 13500A 的电流范围,如图 3 所示,并且表现出在更高和更低的电压和电流、更高的频率和更低的功率损耗方面具有进一步发展的诸多潜质。IGBT 在低功耗、高可控性方面取得的巨大进步,使得 10MW
15、级的 IGBT 功率变流器已进入商品化,100MW 级的逆变器同样也有商品问世。日本东芝公司提出了一种新的加强型 IGBT(也叫IEGT),在关断损耗和导通电压上均取得了很好的折衷。在中小功率应用场合,日本三菱公司最近提出了基于薄晶片 LPT 技术的反向导通型 IGBT(RCIGBT)和反向阻断型 IGBT(RBIGBT)具有良好的应用前景,尤其是 RBIGBT,由于其反向阻断能力,特别适合矩阵变换器等需要双向开关的应用场合【6】。在最近 12 年内,有关 IGBT 的研究工作已经开始出现减缓的迹象,因为目前 IGBT 的性能已经达到了一个很高的水平,如果在器件材料上没有新的突破,很难在不久的
16、将来期望 IGBT 在性能上有更大的突破。年份图 3 IGBT 器件电压电流耐量趋势71Fig3 The trend of the voltage and current ratingof IGBT devicest7】多r 钆静餐万方数据第 19 卷第 8 期钱照明等我国电力电子与电力传动面临的挑战与机遇 13在超大功率应用场合,门极可关断晶闸管(GTO)现在已经发展为逆阻断型晶闸管(GCT)或集成门极换流晶闸管(IGCT)【7】。与 GTO 比较,IGCT 的优点为:关断电流分布均匀、容许瞬态损耗大、可省略吸收电路、通断延迟时间仅为 GTO的 110,因而可提高开关频率、延迟时间的分散性小
17、,容易串并联、总损耗为 GTO 的一半、关断门极电荷仅为 12 等。这两种用来制造电压源 PWM逆变器和电流源 PWM 逆变器的器件目前都可以在市场上找到。22 采用宽能带间隙的半导体器件1“,791宽能带间隙半导体的出现突破了硅半导体器件原有的极限。由于材料的最高击穿电场强度决定了器件的最高阻断电压,故而可以通过使用宽能带间隙半导体材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和金刚石等,来改善最大阻断电压和导通电阻两者之间的折衷关系。Baliga 提出了一种比较有名的材料特征指标(BFM),上述几种材料的 BFM 如图 4 所示。图 4 Baliga 提出的半导体材料的特征指标(BFM)【11F
18、ig4 Figure of Merit(FOM)for semiconductormaterials proposed by Baliga【1】BFM=qt。鹾=4 喵 VZBDR。其中D阻断电压R。导通电阻玎电介质常数。电子迁移率E最大电场强度目前已有很多有关碳化硅器件的研究成果报道。根据材料特性,碳化硅器件与硅器件相比有如下优势:碳化硅的耐压强度是硅的十倍 碳化硅的饱和速率是硅的二倍 碳化硅的导热性是硅的三倍随着外延生长工艺和相关设备的显著进步,2英寸直径的碳化硅晶片目前市场上也有供应。由于碳化硅的宽能带隙,双极型器件有一个约 25V 的门槛或内置的结电压,所以碳化硅只适合于用于单极型多子
19、器件,例如肖特基二极管(SBD),结型场效应管(JFET),静电感应晶体管(SIT)或 MOSFET 等。碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)是一个最有前途的器件,它在关断时几乎没有反向恢复电流,同时在 3003000V、开关频率高于 50kHz 的应用场合格外有吸引力。目前,导通阻抗只有1 0mQcm2 的 600V SiC SBD 已经在实验室中试制成功,另外 600V 6A 等级的 SiC SBD已经在市场上供应。高达 1700V50A 的 SiCSBD 也将在未来几年内出现在市场上。这样的 SiC SBD 在电压源 PWM 逆变器中的应用将会使二极管关断损耗和 IGBT 开通损耗大幅度下
20、降。对基于 SiC 的开关器件,在导通损耗方面要比目前的 Si 器件有明显的改进,以1000V 级的器件为例,SiC 的开关器件导通电阻目前已做到了低于 3mr2cm2,只是目前SiMOSFET 导通电阻的十分之几,是 SiIGBT 导通电阻的十分之一。已有文献报道,采用 600V25A 等级的 SiCJFET 和 SiCSBD 制造的电压源 PWM 逆变器,在开关频率为 4kHz,负载 65kW 时的总逆变器损耗只有 411W。这就意味着基于 SiC 器件的逆变器效率可以达到 994,远远高于现有的硅器件逆变器的效率。由于碳化硅 pn 结固有电压(约 25V)比硅 pn 结结电压(0708V
21、)高得多,故而和硅半导体器件相比,碳化硅双极型器件如 SiCIGBT 和 SiCPIN 二极管等在几百伏工作电压范围内对降低导通损耗没有优势,但是它具有由窄的有源层带来的开关速度提高的优势。所以在高压(如大于 3kV 电压)应用场合,碳化硅双极型器件可望具有很好的优势。从上面的阐述可以发现,在过去的10 年里,受到合理利用能源、电子系统小型化和实际应用的推动,电力电子器件仍然有较大的发展,在未来的几年内,一些性能更优越的器件仍然有较大的需求,对器件的研发而言,这是不可缺少的动力。3 可再生能源、分布式发电系统和电能质量控制1012】在全球范围内,一方面,人们对电力需求持续不断增长,而当今电力生
22、产又主要依靠火力发电厂,它所排放的废气是造成空气污染、酸雨、烟雾、温室效应乃至使全球气侯变化的重要因素。据统计,火力发电厂效率每提高 1,可减少 25的 C02排放量;另一方面,传统的非可再生能源需要的基础设施造价昂贵,成本不断提高,而且还会带来严万方数据14 电工技术学报 2004 年 8 月重的环境污染。因此发达国家都在寻求新的清洁的发电方式(如风力,太阳能发电等),同时采取各种节能措施以力求节约能源,相当于提高发电效率。20 世纪 70 年代初,世界出现石油危机后,许多国家曾经加大过对新能源和可再生能源发展的投入和支持,但是后来由于其高昂的成本,新能源和可再生能源技术发展速度减缓;20
23、世纪 80 年代出现了第二次全球环境浪潮,对常规能源燃烧排放C02 可能导致地球气候变化开始关注。特别是自巴西里约热内卢召开国际环保大会以后,各国领导人对环保问题更加关注:煤电产生 C02、NOx、S02等污染物;油电、气电存在温室效应问题;核电虽说在发电期问污染比火电少,但核废料及核设备报废后的处理,始终没有可靠而妥善的解决办法;水电在发达国家进一步发展中也遇到了移民、鱼类保护以及其他各种问题。还有一种理论认为建了水电站,淹没了陆地,植物减少,植物的光合作用减少,氧气排放减少,会增加大气中的 C02 含量上述情况重新引起了各国政府对发展新能源和可再生能源的重视,并且一些新能源和可再生能源技术
24、迅速地实现了商业化(主要有五种:小水电、光伏发电、风电、生物质能、地热发电)。特别是风力发电和光伏电池,以令人惊叹速度蓬勃发展。当今,世界可再生能源增长率已远远地超过了常规能源的增长率,许多发达国家新能源和可再生能源消费已占其总能源消费的 510。我国具有丰富的新能源和可再生能源:水能可开发资源为 378 亿 kW,目前已开发利用 11;生物质能资源,包括农作物秸秆、薪柴和各种有机物,利用量约 26 亿 t 标准煤(每年),占农村生活能源消费 70,整个用能的 50;太阳能年总辐射超过 60 万 Jcm2,开发利用前景广阔;风能资源总量 16 亿 kW,约 10可供开发利用【1 21。为了让可
25、再生能源的市场以更快的速度增长,必须使其可靠性和成本达到传统供电系统的水平。为了提高能源的安全性和使用效率,分布式发电系统、电能质量控制的研究和开发也得到了人们普遍的关注。在几乎所有的可再生能源发电系统中,都涉及到一系列的大功率、高效、高质量的能量转换和控制,电力电子与电力传动技术是其中的关键、核心技术之一。因为可再生能源既可产生直流电,也可产生频率变化的交流电,它们必须通过功率变流器,产生与电网频率、相位、电压幅度一致的能量,可以直接供给用户或并入电网。随着可再生能源发电的装机容量到达上千兆瓦,电力电子与电力传动技术必需得到长足、同步的发展。不言而喻,人们对电力不断持续增长的需求、我国严重缺
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