第八章 光纤电磁量传感器优秀课件.ppt
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1、第八章 光纤电磁量传感器第1页,本讲稿共28页8.2 光纤磁场传感器光纤磁场传感器 光纤磁场传感器可分为两大类利用法拉光纤磁场传感器可分为两大类利用法拉第效应的传感器和利用磁致伸缩效应的第效应的传感器和利用磁致伸缩效应的传感器。传感器。第2页,本讲稿共28页 8.2.1 光纤法拉第磁强计光纤法拉第磁强计 光纤测磁场的法拉第传感器有传感型和光纤测磁场的法拉第传感器有传感型和传光型两种。传光型两种。传感型是将外磁场直接加在光纤的轴向,传感型是将外磁场直接加在光纤的轴向,使光纤中光波的线偏振方向偏转,进行使光纤中光波的线偏振方向偏转,进行检测。检测。传光型的光纤法拉第传感器,其磁场敏感传光型的光纤法
2、拉第传感器,其磁场敏感元件不是利用光纤自身,而是用其它材元件不是利用光纤自身,而是用其它材料制成,料制成,第3页,本讲稿共28页由于由于SiO2光纤的费尔德常数的值十分小因光纤的费尔德常数的值十分小因此,法拉第效应应用在普通的此,法拉第效应应用在普通的SiO2单模光单模光纤中只能检测高磁场和大电流。纤中只能检测高磁场和大电流。利用玻璃制成的法拉第盒作为敏感元件。利用玻璃制成的法拉第盒作为敏感元件。这种传感器灵敏度高、稳定性好,可以这种传感器灵敏度高、稳定性好,可以有效地应用于实际高压电力系统中。有效地应用于实际高压电力系统中。第4页,本讲稿共28页第5页,本讲稿共28页第6页,本讲稿共28页马
3、吕斯定律马吕斯定律强度为强度为I0的偏振光,通过检偏器后,透射光的强度为:的偏振光,通过检偏器后,透射光的强度为:I=I0 cos2其中其中为检偏器的偏振化方向与入射偏振光的偏为检偏器的偏振化方向与入射偏振光的偏振化方向之间的夹角。振化方向之间的夹角。AII0第7页,本讲稿共28页光强对光强对的变化率,即转换灵敏度的变化率,即转换灵敏度如果将交角固定在如果将交角固定在45,这,这时就有时就有第8页,本讲稿共28页光电管光电管D1接收的光强为接收的光强为光电管光电管D2接收的光强为接收的光强为第9页,本讲稿共28页将上式右边按级数展开,将上式右边按级数展开,舍去高阶项并令舍去高阶项并令上式通过乘
4、法器和加法器予以实现,输出上式通过乘法器和加法器予以实现,输出由法拉策公式可得由法拉策公式可得第10页,本讲稿共28页822 磁致伸缩效应光纤磁场传感器磁致伸缩效应光纤磁场传感器一、交流磁场光纤传感器一、交流磁场光纤传感器第11页,本讲稿共28页83 光纤电场传感器光纤电场传感器利用光纤测量电场利用光纤测量电场(或电压或电压)可以采用电可以采用电致光吸收原理、压电弹光原理或电光晶致光吸收原理、压电弹光原理或电光晶体传感原理。体传感原理。第12页,本讲稿共28页831 电致光吸收光纤电场传感原理电致光吸收光纤电场传感原理一、电场对离子吸一、电场对离子吸收光谱的影响收光谱的影响依量子力学原依量子力
5、学原理,线性谐振理,线性谐振于对应的能量于对应的能量外电场能影响光纤中杂质离子及杂质离子外层电子的吸收光谱,外电场能影响光纤中杂质离子及杂质离子外层电子的吸收光谱,因此能改变掺有适当杂质离子光纤的透光率,即所谓电致光吸收因此能改变掺有适当杂质离子光纤的透光率,即所谓电致光吸收效应。效应。第13页,本讲稿共28页832 压电弹光光纤电场传感器压电弹光光纤电场传感器 利用压电弹光效应测量电场的光纤传感器,实际上就是利用压电弹光效应测量电场的光纤传感器,实际上就是采用压电材料的压电效应与单模光纤的弹光效应相结合采用压电材料的压电效应与单模光纤的弹光效应相结合的方法。的方法。在压电弹光效应中如果压电材
6、料采用压电陶瓷,在压电弹光效应中如果压电材料采用压电陶瓷,则因压电材料无法与光纤制作在一起,而不宜测量高则因压电材料无法与光纤制作在一起,而不宜测量高压。压。如果用高分子聚合物作压电材料,则有可能用来测如果用高分子聚合物作压电材料,则有可能用来测量高压。高分子聚合物可作为光纤的外层与光纤合为量高压。高分子聚合物可作为光纤的外层与光纤合为一体,只要这种形式的光纤足够长就可以解决耐高压一体,只要这种形式的光纤足够长就可以解决耐高压与测量高压的问题。与测量高压的问题。第14页,本讲稿共28页第15页,本讲稿共28页833 BSO 晶体光纤电场传感器晶体光纤电场传感器 在高压系统电场的测量中,可以采在
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