碳化硅器件产业园建设项目建议书参考模板.docx

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1、泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书碳化硅器件产业园建设项目碳化硅器件产业园建设项目建议书建议书xxxx 集团有限公司集团有限公司泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书报告说明报告说明OBC 中采用 SiC 二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC 的前级PFC 电路和后级 DC/DC 输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1）影响二极管损耗的指标包括正向导通压降（VF）、反向恢复电流（IR）、输入电容（QC）和开通关断速度等。相比于硅基 SBD，SiCSBD的最大优势在于 IR 可以忽略不计，使得反向恢复损耗极低，在 PFC 电路使用 SiCSBD 可有效提升 PFC 电路效率。同时，Q

2、C、VF 两个主要参数相比硅基二极管也具有优势，在后级输出电路中使用 SiCSBD 可以进一步提升输出整流的效率。同时，由于 SiC 材料的优势，SiC 二极管的结温更高，其可在更高温度下保持正常工作状态，在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外，SiC 二极管可实现更高频率及功率密度，从而提升系统整体效率。根据谨慎财务估算，项目总投资 14059.38 万元，其中：建设投资11278.29 万元，占项目总投资的 80.22%；建设期利息 316.37 万元，占项目总投资的 2.25%；流动资金 2464.72 万元，占项目总投资的17.53%。项目正常运营每年营业收入 27100.00 万元，

3、综合总成本费用22967.39 万元，净利润 3010.58 万元，财务内部收益率 14.48%，财务泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书净现值 1339.56 万元，全部投资回收期 6.76 年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研

4、究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录目录第一章第一章 绪论绪论.10一、项目名称及项目单位.10二、项目建设地点.10三、可行性研究范围.10四、编制依据和技术原则.10五、建设背景、规模.11六、项目建设进度.12七、环境影响.12八、建设投资估算.12九、项目主要技术经济指标.13泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书主要经济指标一览表.13十、主要结论及建议.15第二章第二章 市场预测市场预测.16一、直流充电桩：大功率充电占比提升，SiC 将加速替代.16二、射频：5G 推动 GaN-on-SiC 需求提升.17三、新能源汽车：800V 架构下的甜蜜时刻，SiC 渗透的核

5、心驱动力.18第三章第三章 项目承办单位基本情况项目承办单位基本情况.20一、公司基本信息.20二、公司简介.20三、公司竞争优势.21四、公司主要财务数据.22公司合并资产负债表主要数据.22公司合并利润表主要数据.22五、核心人员介绍.23六、经营宗旨.24七、公司发展规划.25第四章第四章 项目背景分析项目背景分析.27一、衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高.27二、SiC 材料：产业链核心环节，国内外厂商积极布局.29三、推进创新平台建设.29四、项目实施的必要性.31第五章第五章 产品方案产品方案.32泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书一、建设规模及主要建设内容.32二

6、、产品规划方案及生产纲领.32产品规划方案一览表.33第六章第六章 项目选址方案项目选址方案.34一、项目选址原则.34二、建设区基本情况.34三、在国内国际双循环中发挥更大作用.37四、项目选址综合评价.39第七章第七章 原辅材料供应及成品管理原辅材料供应及成品管理.40一、项目建设期原辅材料供应情况.40二、项目运营期原辅材料供应及质量管理.40第八章第八章 工艺技术及设备选型工艺技术及设备选型.41一、企业技术研发分析.41二、项目技术工艺分析.44三、质量管理.45四、设备选型方案.46主要设备购置一览表.47第九章第九章 建筑技术方案说明建筑技术方案说明.49一、项目工程设计总体要求

7、.49二、建设方案.50三、建筑工程建设指标.51建筑工程投资一览表.51泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书第十章第十章 项目节能方案项目节能方案.53一、项目节能概述.53二、能源消费种类和数量分析.54能耗分析一览表.54三、项目节能措施.55四、节能综合评价.56第十一章第十一章 进度实施计划进度实施计划.57一、项目进度安排.57项目实施进度计划一览表.57二、项目实施保障措施.58第十二章第十二章 环保方案分析环保方案分析.59一、编制依据.59二、环境影响合理性分析.60三、建设期大气环境影响分析.60四、建设期水环境影响分析.61五、建设期固体废弃物环境影响分析.62六、建

8、设期声环境影响分析.63七、环境管理分析.64八、结论及建议.65第十三章第十三章 劳动安全评价劳动安全评价.66一、编制依据.66二、防范措施.69泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书三、预期效果评价.73第十四章第十四章 组织机构及人力资源配置组织机构及人力资源配置.74一、人力资源配置.74劳动定员一览表.74二、员工技能培训.74第十五章第十五章 投资计划投资计划.76一、编制说明.76二、建设投资.76建筑工程投资一览表.77主要设备购置一览表.78建设投资估算表.79三、建设期利息.80建设期利息估算表.80固定资产投资估算表.81四、流动资金.82流动资金估算表.83五、项目

9、总投资.84总投资及构成一览表.84六、资金筹措与投资计划.85项目投资计划与资金筹措一览表.85第十六章第十六章 经济效益分析经济效益分析.87一、经济评价财务测算.87泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书营业收入、税金及附加和增值税估算表.87综合总成本费用估算表.88固定资产折旧费估算表.89无形资产和其他资产摊销估算表.90利润及利润分配表.92二、项目盈利能力分析.92项目投资现金流量表.94三、偿债能力分析.95借款还本付息计划表.96第十七章第十七章 风险风险及应对措施风险风险及应对措施.98一、项目风险分析.98二、项目风险对策.100第十八章第十八章 项目招标、投标分析项

10、目招标、投标分析.102一、项目招标依据.102二、项目招标范围.102三、招标要求.103四、招标组织方式.103五、招标信息发布.107第十九章第十九章 总结分析总结分析.108第二十章第二十章 附表附件附表附件.110营业收入、税金及附加和增值税估算表.110综合总成本费用估算表.110泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书固定资产折旧费估算表.111无形资产和其他资产摊销估算表.112利润及利润分配表.113项目投资现金流量表.114借款还本付息计划表.115建设投资估算表.116建设投资估算表.116建设期利息估算表.117固定资产投资估算表.118流动资金估算表.119总投资及构

11、成一览表.120项目投资计划与资金筹措一览表.121泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书第一章第一章 绪论绪论一、项目名称及项目单位项目名称及项目单位项目名称：碳化硅器件产业园建设项目项目单位：xx 集团有限公司二、项目建设地点项目建设地点本期项目选址位于 xxx（以选址意见书为准），占地面积约 27.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、可行性研究范围可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招

12、投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、编制依据和技术原则编制依据和技术原则（一）编制依据（一）编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035 年远景目标纲要；泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书2、中国制造 2025；3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。（二）技术原则（二）技术原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规，认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定；2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线，提高项目的

13、竞争力和市场适应性；3、设备的布置根据现场实际情况，合理用地；4、严格执行“三同时”原则，积极推进“安全文明清洁”生产工艺，做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行，注意可持续发展要求，具有可操作弹性；5、形成以人为本、美观的生产环境，体现企业文化和企业形象；6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求；7、充分估计工程各类风险，采取规避措施，满足工程可靠性要求。五、建设背景、规模建设背景、规模（一）项目背景（一）项目背景泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书根据测算，至 2025 年全球新能源汽车消耗 SiC 衬底数量将达到199.6 万片/年，考虑

14、到当前有效衬底产能仍然稀缺，预计 SiC 功率器件供需偏紧格局将保持相当长时间。（二）建设规模及产品方案（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积 18000.00（折合约 27.00 亩），预计场区规划总建筑面积 34852.80。其中：生产工程 21436.13，仓储工程7728.30，行政办公及生活服务设施 3889.38，公共工程 1798.99。项目建成后，形成年产 xx 吨碳化硅器件的生产能力。六、项目建设进度项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx 集团有限公司将项目工程的建设周期确定为 24 个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安

15、装调试、试车投产等。七、环境影响环境影响本期项目采用国内领先技术，把可能产生污染的各环节控制在生产工艺过程中，使外排的“三废”量达到最低限度，项目投产后不会给当地环境造成新污染。八、建设投资估算建设投资估算（一）项目总投资构成分析（一）项目总投资构成分析泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资 14059.38 万元，其中：建设投资 11278.29万元，占项目总投资的 80.22%；建设期利息 316.37 万元，占项目总投资的 2.25%；流动资金 2464.72 万元，占项目总投资的 17.53%。（二）建设投

16、资构成（二）建设投资构成本期项目建设投资 11278.29 万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用 9570.86 万元，工程建设其他费用1390.89 万元，预备费 316.54 万元。九、项目主要技术经济指标项目主要技术经济指标（一）财务效益分析（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入 27100.00 万元，综合总成本费用 22967.39 万元，纳税总额 2109.58 万元，净利润3010.58 万元，财务内部收益率 14.48%，财务净现值 1339.56 万元，全部投资回收期 6.76 年。（二）主要数据及技术指标表（二）主要数据及技术指标

17、表主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号序号项目项目单位单位指标指标备注备注1占地面积18000.00约 27.00 亩泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书1.1总建筑面积34852.80容积率 1.941.2基底面积11160.00建筑系数62.00%1.3投资强度万元/亩402.512总投资万元14059.382.1建设投资万元11278.292.1.1工程费用万元9570.862.1.2其他费用万元1390.892.1.3预备费万元316.542.2建设期利息万元316.372.3流动资金万元2464.723资金筹措万元14059.383.1自筹资金万元7602.713.2银行贷款

18、万元6456.674营业收入万元27100.00正常运营年份5总成本费用万元22967.396利润总额万元4014.107净利润万元3010.588所得税万元1003.52泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书9增值税万元987.5510税金及附加万元118.5111纳税总额万元2109.5812工业增加值万元7574.9113盈亏平衡点万元12483.91产值14回收期年6.7615内部收益率14.48%所得税后16财务净现值万元1339.56所得税后十、主要结论及建议主要结论及建议此项目建设条件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施，项目投资省、见效快；此项目贯彻“

19、先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书第二章第二章 市场预测市场预测一、直流充电桩：大功率充电占比提升，直流充电桩：大功率充电占比提升，SiC 将加速替代将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛，SiC 协力实现高效快充。政策方面，2020 年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一；2020 年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设，提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高，一个 150kW 的直流充电器可以在大约 15 分钟内为电动汽车增

20、加 200 公里续航，随电动汽车渗透率进一步提高，直流电充电方案需求将同步提升。Yole 预计 2020-2025 年，全球 200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过 30%的 CAGR 增长，高于平均的 15.6%。SiC 器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势，可被广泛应用于电动车直流充电方案中 AD-DCPFC、DC-DC 以及闸门驱动器等环节中，实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET 可简化直流充电桩 AC/DC 及 DC/DC 电路结构，减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌，在 DC/DC 中，使用 4 颗1200VSiCMOSFET 替代 8 颗 650V

21、 硅基 MOSFET，在同样功率下，可将原来的两相全桥 LLC 电路简化为单相全桥 LLC 电路，所用器件数量减少50%，提升电路整体效率。同样在 AC/DC 中，使用 SiCMOSFET 可将三相Vienna 整流器拓扑电路简化为两相结构，器件数量减少 50%实现效率泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书提升。同时，SiCMOSFET 的整体损耗也更小。综上，SiC 方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高，更好的满足快充要求。SiC 二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌，在48kHz 下，采用 SiC 二极管替代 Si 二极管，可显著降低损耗从而提升0.8%

22、的充电效率，可实现最多 80%输出功率的提升。二、射频：射频：5G 推动推动 GaN-on-SiC 需求提升需求提升5G 发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长，市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数，5G 通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势，在功率放大器上的应用可满足5G 通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前 5G 新建基站仍使用LDMOS 功率放大器，但随 5G 技术进一步发展，MIMO 基站建立需使用氮化镓功率放大器，氮化镓射频器件在功

23、率放大器中渗透率将持续提升。据 Yole 和 Wolfspeed 预测，2024 年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破 20 亿美元，2027 年进一步增长至 35 亿美元。根据预测，受益 5G 通讯快速发展，通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持高频性能的 PA，碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基 LDMOS 和 GaAs 的优泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书势将逐步凸显，2020 年全球碳化硅射频器件市场规模为 8.92 亿美元，预计到 2025 年将增长至 21.21 亿美元，对应 CAGR 为 18.9%，和 Yole和 Wolfspeed 预测基本一致。三、新能源汽车：新能源

24、汽车：800V 架构下的甜蜜时刻，架构下的甜蜜时刻，SiC 渗透的核心驱动力渗透的核心驱动力SiC 功率器件主要包括 SBD、JFET、MOSFET 和模块，在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期，主要器件类型为 SiC 二极管，以及在高端车系应用，目前渗透率较低。未来随着：1）特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”，更多车企将会逐步采用 SiC 方案；2）碳化硅器件价格逐步下降，成本经济效益不断提升；3）800V 架构时代来临，SiC 在高压下较 IGBT 性能优势更为明显，损耗降低幅度更大。SiC 在新能源车主逆变器及 OBC 中渗透

25、率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018 年，特斯拉 Model3 率先使用由意法半导体提供的 SiCMOSFET，开启电动汽车使用 SiC 先河，随后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中，在 2020 年比亚迪汉搭载自主研发制造的SiCMOSFET 控制模块，整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021年，碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段，国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息，在未来几年，小泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用 SiC 器件，新能源

26、汽车中应用 SiC 器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书第三章第三章 项目承办单位基本情况项目承办单位基本情况一、公司基本信息公司基本信息1、公司名称：xx 集团有限公司2、法定代表人：贺 xx3、注册资本：1300 万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx 市场监督管理局6、成立日期：2013-8-127、营业期限：2013-8-12 至无固定期限8、注册地址：xx 市 xx 区 xx9、经营范围：从事碳化硅器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活

27、动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、公司简介公司简介公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书公司不断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。三、公司竞争优势公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行

28、研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合泓域咨询/碳化硅

29、器件产业园建设项目建议书作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、公司主要财务数据公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据公司合并资产负债表主要数据项目项目20202020 年年 1212 月月20192019 年年 1212

30、 月月20182018 年年 1212 月月资产总额4908.183926.543681.14负债总额2845.222276.182133.91股东权益合计2062.961650.371547.22公司合并利润表主要数据公司合并利润表主要数据项目项目20202020 年度年度20192019 年度年度20182018 年度年度泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书营业收入12601.2710081.029450.95营业利润2985.612388.492239.21利润总额2782.432225.942086.82净利润2086.821627.721502.51归属于母公司所有者的净利润20

31、86.821627.721502.51五、核心人员介绍核心人员介绍1、贺 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958 年出生，本科学历，高级经济师职称。1994 年 6 月至 2002 年 6 月任 xxx 有限公司董事长；2002 年 6 月至 2011 年 4 月任 xxx 有限责任公司董事长；2016 年11 月至今任 xxx 有限公司董事、经理；2019 年 3 月至今任公司董事。2、金 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959 年出生，大专学历，高级工程师职称。2003 年 2 月至 2004 年 7 月在 xxx 股份有限公司兼任技术顾问；2004 年 8 月至 2011 年 3

32、 月任 xxx 有限责任公司总工程师。2018 年 3 月至今任公司董事、副总经理、总工程师。3、夏 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971 年出生，本科学历，中级会计师职称。2002 年 6 月至 2011 年 4 月任 xxx 有限责任公司泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书董事。2003 年 11 月至 2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司财务经理。2017 年 3 月至今任公司董事、副总经理、财务总监。4、范 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961 年出生，本科学历，高级工程师。2002 年 11 月至今任 xxx 总经理。2017 年 8 月至今任公司独立董事。5

33、、方 xx，中国国籍，1977 年出生，本科学历。2018 年 9 月至今历任公司办公室主任，2017 年 8 月至今任公司监事。6、谭 xx，1957 年出生，大专学历。1994 年 5 月至 2002 年 6 月就职于 xxx 有限公司；2002 年 6 月至 2011 年 4 月任 xxx 有限责任公司董事。2018 年 3 月至今任公司董事。7、段 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970 年出生，硕士研究生学历。2012 年 4 月至今任 xxx 有限公司监事。2018 年 8 月至今任公司独立董事。8、曹 xx，中国国籍，1976 年出生，本科学历。2003 年 5 月至2011

34、 年 9 月任 xxx 有限责任公司执行董事、总经理；2003 年 11 月至2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司执行董事、总经理；2004 年 4 月至2011 年 9 月任 xxx 有限责任公司执行董事、总经理。2018 年 3 月起至今任公司董事长、总经理。六、经营宗旨经营宗旨泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书依据有关法律、法规，自主开展各项业务，务实创新，开拓进取，不断提高产品质量和服务质量，改善经营管理，促进企业持续、稳定、健康发展，努力实现股东利益的最大化，促进行业的快速发展。七、公司发展规划公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量

35、产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。泓域咨询

36、/碳化硅器件产业园建设项目建议书在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书第四章第四章 项目背景分析项目背景分析一、衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟，主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型

37、碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录（2021 年版），碳化硅衬底可分为两类，一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，经 GaN 外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”，去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率（电阻率 1530mcm）的导电型碳化硅衬底，经 SiC 外延生长可进一步制成 SiC 二极管、SiCMOSFET 等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标，在 PVT 法下，相较半绝缘型衬底其生产难度更低，但在生产过程中，电阻率易发生分布不均情况，仍需更好扩径及掺杂控制技术

38、。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头，但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数，可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产 4 英寸和 6 英寸碳化硅衬泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿，各厂商都在致力于未来降低微管密度，部分龙头碳化硅企业如 II-VI 可将 4-6 寸产品的微管密度稳定控制在0

39、.1cm-2 以下，国内厂商的产品微管密度基本在 0.5-5cm-2，存在差距。同时，国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟，预计国产碳化硅产品种类不断丰富，产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产，但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段，海内外厂商均加速扩产，但应避免重复建设的问题，造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐，投资金额超 240 亿元、规划年产能超 420 万片。中国企业呈现小而散的局面，综合 Yole等第三

40、方机构数据，2020 年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为 8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动，我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐，积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计，截至 21 年底国内厂商对衬底环节的投资超过 240 亿元，规划产能超过 420 万片/年（等效 6 寸），对比 CASA 的泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书数据，2020 年底国内衬底产能仅为 25.8 万片/年（等效 6 寸）。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力，且以 4 寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产，但受衬底良率及

41、质量等因素影响，实际产能或严重不足。二、SiC 材料：产业链核心环节，国内外厂商积极布局材料：产业链核心环节，国内外厂商积极布局相比于 Si，SiC 衬底和外延为制造产业链核心环节，合计价值量占比超 60%。在传统硅基器件制造过程中，需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤，从而产生更高附加值。SiC 材料则仅用于分立器件制造，其前端工艺难度不大，而衬底和外延需在高温、高压环境中生成，生长速度缓慢，为关键技术难点，占据产业链主要价值量。据 CASAResearch 数据显示，在传统硅基器件中，硅片前道处理附加价值量达到 80%，衬底和外延环节仅占11%；而在碳化

42、硅器件的成本构成中，衬底和外延占比分别为 50%和25%，合计达到 75%，为产业链中价值量最高环节。此外，衬底和外延质量对器件性能优劣起至关重要作用，提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标。三、推进创新平台建设推进创新平台建设泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书加强自主创新平台建设。紧紧围绕国家战略科技力量，布局一批国家（重点）实验室、技术创新中心、产业创新中心、制造业创新中心等创新平台。推进长安汽车全球研发中心布局全球创新网络，支持望江加大风电齿轮箱、专用车等领域创新研发力度，实施种子企业、独角兽企业梯度培育计划，建立完善以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系，组建一批

43、产学研综合体。布局一批技术水平领先、服务能力突出、具备推广价值的创新示范应用工程。注重产业协同创新，支持字节跳动数字创新中心建设，推动汽车+互联网产业创新，建成汽车业务全国总部；发挥重庆国家金融科技认证中心作用，夯实金融科技发展支撑体系，带动金融科技企业向江北嘴聚集，争取建设国家金融与发展实验室重庆基地，打造金融创新高地。全面融入成渝地区科技创新共建共享，积极参与成渝地区关键核心技术攻关协作，推动优质资源向创新集中区域、科技园区、创新型优质企业聚集。到 2025 年，市级以上科技创新平台达到 12 个。强化科技成果转移孵化平台建设。用好用活西部唯一商标审查协作中心，发挥国家知识产权运营服务体系

44、建设重点城市作用，加强知识产权保护，推进科技成果使用权、处置权和收益权改革，着力建设知识产权综合运营服务平台，探索建立知识成果交易平台。聚合金融、设计、咨询、法律、国际交往等资源，打造一批中试基地、认证泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书中心，探索建立科技服务业产业园区，促进科技服务型企业集聚发展，引导科技型企业落户，建设成渝地区双城经济圈科技成果转移转化新高地。加快推动科技成果资本化，打造科技成果转化与产业应用高地。四、项目实施的必要性项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费

45、用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书第五章第五章 产品方案产品方案一、建设规模及主要建设内容建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模（一）项目场地规模该项目总占地面积 18000.00（折合约 27.00 亩），预计场区规划总建筑面积 34852.80。（二）产能规模（二）产能规模根据国内外市场需求和 xx 集团有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产 xx 吨碳化硅器件，预计年营业收入 27100.00 万元。二、产品规划方案及生产纲领产品规

46、划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。相比于 Si，SiC 衬底和外延为制造产业链核心环节，合计价值量占比超 60%。在传统硅基器件制造过程中，需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤，从而产生泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书更高附加值。SiC 材

47、料则仅用于分立器件制造，其前端工艺难度不大，而衬底和外延需在高温、高压环境中生成，生长速度缓慢，为关键技术难点，占据产业链主要价值量。据 CASAResearch 数据显示，在传统硅基器件中，硅片前道处理附加价值量达到 80%，衬底和外延环节仅占11%；而在碳化硅器件的成本构成中，衬底和外延占比分别为 50%和25%，合计达到 75%，为产业链中价值量最高环节。此外，衬底和外延质量对器件性能优劣起至关重要作用，提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标。产品规划方案一览表产品规划方案一览表序号序号产品（服务）产品（服务）名称名称单位单位单价（元）单价（元）年设计产量年设计产量产值产值1碳化硅器件吨

48、xxx2碳化硅器件吨xxx3碳化硅器件吨xxx4.吨5.吨6.吨合计xx27100.00泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书第六章第六章 项目选址方案项目选址方案一、项目选址原则项目选址原则1、符合城乡规划和相关标准规范的原则。2、符合产业政策、环境保护、耕地保护和可持续发展的原则。3、有利于产业发展、城乡功能完善和城乡空间资源合理配置与利用的原则。4、保障公共利益、改善人居环境的原则。5、保证城乡公共安全和项目建设安全的原则。6、经济效益、社会效益、环境效益相互协调的原则。二、建设区基本情况建设区基本情况江北区地处长江、嘉陵江两江之北，自西向东呈长条型带状分布，长江岸线 53 公里、嘉陵

49、江岸线 19 公里，幅员面积 220.8 平方公里，辖九街三镇，共有社区 108 个、村 13 个，常住人口 92.65 万，城镇化率 99.2%，相继荣获全国文明城区、全国社会治安综合治理“长安杯”、全国双拥模范城等荣誉称号。江北是一座历史悠久的城区。巴渝文化、抗战文化、兵工文化交融相汇，盘溪无铭阙、明玉珍睿陵、徐悲鸿故居、民国测候亭等名胜古迹星罗云布，保定门、三洞桥、寸滩老街、重庆大剧院、徐悲鸿美术馆重庆馆等串联成“文化珍珠泓域咨询/碳化硅器件产业园建设项目建议书链”，城市文态形神兼备，文化魅力历久弥新。江北是一个风光秀美的地方。长江与嘉陵江两江环抱，铜锣山与明月山黛青水秀，主城绿肺铁山坪

50、入选“重庆十大新名片”，鸿恩寺森林公园成为主城风光观景台，五宝镇蕴含田园牧歌之美，镶嵌出一幅天然的“两江三山四景五河”风景图，是“两江四岸”城市主轴上的精华篇章。江北是一方经济发展的热土。地区生产总值由 2016 年的 881 亿元增长到 2020 年的 1325 亿元、跻身全市行政区第四，全口径税收总量连续五年保持全市行政区第一。商贸发展加速转型，工业发展提质提效，数字经济、生物医药等新增长点茁壮成长，特别是金融发展持续壮大，汇集金融机构 490 余家，金融资产规模超 2 万亿元、约占全市 1/3，金融机构存贷款余额超 1.64 万亿元、约占全市 1/5，境内外上市企业 12 家、市值占全市