南京刻蚀设备项目申请报告.docx
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1、泓域咨询/南京刻蚀设备项目申请报告南京刻蚀设备项目申请报告xx有限公司目录第一章 行业、市场分析8一、 全球设备市场创新高,受益于资本开支提升、制程节点进步8二、 全球市场受海外厂商主导,前五大厂商市占率较高11第二章 背景及必要性13一、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加13二、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开14三、 着力推动城乡区域协调发展提升省会城市功能和中心城市首位度16四、 提振发展实体经济优化升级现代产业体系21五、 项目实施的必要性26第三章 建设单位基本情况27一、 公司基本信息27二、 公司简介27三、 公司竞争优势28四、 公司主要财务数据29公司合并资
2、产负债表主要数据29公司合并利润表主要数据30五、 核心人员介绍30六、 经营宗旨32七、 公司发展规划32第四章 项目概况34一、 项目概述34二、 项目提出的理由36三、 项目总投资及资金构成41四、 资金筹措方案41五、 项目预期经济效益规划目标42六、 项目建设进度规划42七、 环境影响42八、 报告编制依据和原则42九、 研究范围44十、 研究结论45十一、 主要经济指标一览表45主要经济指标一览表45第五章 产品方案47一、 建设规模及主要建设内容47二、 产品规划方案及生产纲领47产品规划方案一览表48第六章 项目选址方案49一、 项目选址原则49二、 建设区基本情况49三、 发
3、挥“双区”联动优势推动国家级新区再跨越51四、 项目选址综合评价55第七章 法人治理结构56一、 股东权利及义务56二、 董事58三、 高级管理人员64四、 监事66第八章 运营管理模式69一、 公司经营宗旨69二、 公司的目标、主要职责69三、 各部门职责及权限70四、 财务会计制度73第九章 SWOT分析81一、 优势分析(S)81二、 劣势分析(W)82三、 机会分析(O)83四、 威胁分析(T)84第十章 进度规划方案90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表90二、 项目实施保障措施91第十一章 项目环保分析92一、 环境保护综述92二、 建设期大气环境影响分析92三、 建设期
4、水环境影响分析95四、 建设期固体废弃物环境影响分析95五、 建设期声环境影响分析95六、 环境影响综合评价96第十二章 劳动安全生产97一、 编制依据97二、 防范措施100三、 预期效果评价102第十三章 原辅材料供应、成品管理104一、 项目建设期原辅材料供应情况104二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理104第十四章 项目节能分析106一、 项目节能概述106二、 能源消费种类和数量分析107能耗分析一览表107三、 项目节能措施108四、 节能综合评价109第十五章 投资估算110一、 投资估算的编制说明110二、 建设投资估算110建设投资估算表112三、 建设期利息112建设期
5、利息估算表113四、 流动资金114流动资金估算表114五、 项目总投资115总投资及构成一览表115六、 资金筹措与投资计划116项目投资计划与资金筹措一览表117第十六章 项目经济效益评价119一、 基本假设及基础参数选取119二、 经济评价财务测算119营业收入、税金及附加和增值税估算表119综合总成本费用估算表121利润及利润分配表123三、 项目盈利能力分析124项目投资现金流量表125四、 财务生存能力分析127五、 偿债能力分析127借款还本付息计划表128六、 经济评价结论129第十七章 风险防范130一、 项目风险分析130二、 项目风险对策132第十八章 招投标方案135一
6、、 项目招标依据135二、 项目招标范围135三、 招标要求136四、 招标组织方式138五、 招标信息发布138第十九章 总结139第二十章 附表140营业收入、税金及附加和增值税估算表140综合总成本费用估算表140固定资产折旧费估算表141无形资产和其他资产摊销估算表142利润及利润分配表143项目投资现金流量表144借款还本付息计划表145建设投资估算表146建设投资估算表146建设期利息估算表147固定资产投资估算表148流动资金估算表149总投资及构成一览表150项目投资计划与资金筹措一览表151第一章 行业、市场分析一、 全球设备市场创新高,受益于资本开支提升、制程节点进步202
7、1年全球半导体设备市场规模创1026亿美元新高,大陆首次占比全球第一。根据SEMI,2021年半导体设备销售额1026亿美元,同比激增44%,全年销售额创历史新高。大陆设备市场在2013年之前占全球比重为10%以内,20142017年提升至1020%,2018年之后保持在20%以上,份额呈逐年上行趋势。2020-2021年,国内晶圆厂投建、半导体行业加大投入,大陆半导体设备市场规模首次在市场全球排首位,2021达到296.2亿美元,同比增长58%,占比28.9%。展望2022年,存储需求复苏,韩国预计将领跑全球,但大陆设备市场规模有望保持较高比重。北美半导体设备厂商月销售额2021年以来稳站3
8、0亿+美金。通过复盘半导体行业景气周期历史,北美半导体设备厂商月销售额对于全球半导体行业景气度分析具有重要意义,北美半导体设备销售额水平通常领先全球半导体销售额一个季度。2021年1月,北美半导体设备厂商月销售额首次突破了30亿美金关口,创历史新高,达到了30.4亿美金。此后月度销售额逐季创新高,至12月份销售额达到39.2亿美金,同比增长46%。与此同时全球半导体销售市场自2021年4月以来连续12个月同比增速超过20%,2022年3月,全球半导体销售额达到505.8亿美金,同比增长23.0%,展望2022全年,从各机构当前预测平均值来看,预计2022年全球半导体市场仍将保持10%以上同比增
9、长。半导体设备行业呈现明显的周期性,受下游厂商资本开支节奏变化较为明显。2017年,存储厂商的大幅资本开支推动半导体设备迎来巨大需求,且这一势头一直延续到2018年上半年。但随后产能过剩致使存储价格走低,导致DRAM和NAND厂商纷纷推迟设备订单。存储产能过剩一直持续到2019年上半年,同时上半年整体半导体行业景气度不佳,虽然下半年随着行业景气度恢复,以台积电为代表的晶圆厂陆续调高资本开支大幅扩产,2019年全年半导体设备需求同比仍回落约2%。2020年全球各地先后受疫情影响,但存储行业资本支出修复、先进制程投资叠加数字化、5G带来的下游各领域强劲需求,全年设备市场同比增长19%。伴随半导体厂
10、商新一轮资本开支开启,2021年全球设备市场继续大幅增长44%。当前海外设备龙头应用材料、泛林集团等均预计2022年全球设备市场规模将进一步增长。未来两年全球晶圆厂设备开支持续增长。2020年疫情带来的居家及远程办公带来笔电等消费电子需求激增作为本轮周期的催化剂,2020H2以车用芯片为代表的供应链开始紧张,下游持续增长的需求与上游有限产能的矛盾演绎为2021年全年行业供需失衡加剧。2022年以来,消费性电子、智能手机、PC等领域需求确有下滑,但更值得注意的是全球正步入第四轮硅含量提升周期,服务器、汽车、工业、物联网等需求大规模提升。在6月台积电召开的股东大会上,公司管理层表示未来10年是半导
11、体行业非常好的机会,主要原因就是5G及高效能运算的普及,生活数字化转型,带来对车用(新车半导体含量可达传统车的10倍)、手机、服务器等终端内半导体含量的增加,推动半导体需求大幅成长。中芯国际在22Q1法说会表示,尽管消费电子,手机等存量市场进入去库存阶段,开始软着陆,但高端物联网、电动车、绿色能源、工业等增量市场尚未建立足够的库存,近年来硅含量提升与晶圆厂有限的产能扩充矛盾,叠加产业链转移带来的本土化产能缺口,使得公司需要大幅扩产,推出新产品工艺平台,满足客户旺盛的增量需求。疫情、全球经济及半导体周期性虽然会带来短期内的不确定性,但是技术进步、硅含量提升是长期支撑半导体行业持续发展的最关键驱动
12、力。2020年开始全球领先的晶圆厂纷纷加速扩产提升资本开支,根据ICInsights,2021年全球半导体资本开支增速达到36%,预计2022年将继续增长24%,2020-2022年将会成为自1993-1995年以来的首次CapEx连续三年增速超过20%。半导体设备作为晶圆厂扩产的重要开支部分,根据SEMI,2021年全球晶圆厂前道设备支出增速达到42%,预计2022年将进一步增长18%。台积电、中芯国际纷纷增加资本开支,CapEx进入上行期。根据ICInsights,全球代工厂资本开支约占半导体总体的35%,根据头部代工厂的资本开支规划来看,2022年代工领域资本开支将进一步提升。台积电从2
13、020年170亿美金增长到2021年的300亿美金(用于N3/N5/N7的资本开支占80%),公司2021年4月1日公布未来三年资本开支1000亿美金,2022年资本开支将进一步提升至400-440亿美金,预计2023年资本开支仍有望超过400亿美金;联电2021年CapEx18亿美金,预计2022年翻倍达到36亿美金(其中90%将用于12英寸晶圆);GlobalFoundries于2021年IPO后资本开支大幅提升用于扩产,公司2020年CapEx4.5亿美金,2021年提升至16.6亿美金,预计2022年超过40亿美金;中芯国际2021年资本开支维持高位,达到45亿美金(大部分用于扩成熟制
14、程,尤其是8寸数量扩4.5万片/月),预计2022年达到50亿美金。二、 全球市场受海外厂商主导,前五大厂商市占率较高全球设备五强占市场主导角色。全球设备竞争格局,主要前道工艺(刻蚀、沉积、涂胶、热处理、清洗等)整合成三强AMAT、LAM、TEL。另外,光刻机龙头ASML市占率80%+;过程控制龙头KLA市占率50%。根据SEMI,ASML、AMAT、LAMResearch、TEL、KLA五大厂商2021年收入合计788亿美元,占全球市场约77%。综合看下来,设备五强市场在各赛道合计市占率基本在50%以上。AMSL优势在光刻方面遥遥领先;AMAT优势在产品线广,沉积(CVD、PVD)市占率高;
15、LAM优势在刻蚀领域;TEL优势在小赛道如涂胶、去胶、热处理;KLA优势在过程控制。第二章 背景及必要性一、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除(光刻胶)开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层,通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉,从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。电容性等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低,主要用于介质材料刻蚀(形成上层线路)诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶
16、嵌式和铝垫刻蚀等,以及3D闪存芯片工艺(氮化硅/氧化硅)的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀ICP:能量低、精度高,主要用于硅刻蚀和金属刻蚀(形成底层器件)硅浅槽隔离(STI)、锗(Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅(Strained-Si)、金属导线、金属焊垫(Pad)、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。光刻技术中许多先进制程涉及多重图形技术。即使是EUV,波长为13.5nm,要实现7nm的精度,仍需要依靠多重图形技术,即多次刻蚀。因此制程升级,精度越高,需要的刻蚀复杂度、步骤数量也在提升。所以刻蚀设备和化学薄膜设备成为更关键的设备。刻蚀设备市场超过1
17、30亿美元,是晶圆设备占比最高的市场。2011年以来,刻蚀在晶圆设备的占比从11%逐渐提升到20%以上,2017年起成为全球晶圆设备中占比最高的装备类别,重要性不断提升。刻蚀设备市场基本是干法刻蚀设备,2020年全球干法刻蚀设备市场约137亿美元,其中介质刻蚀(DielectricEtch)60亿美元,导体刻蚀(ConductorEtch)76亿美元。从导体刻蚀市场结构看,Lam一家独大,长期全球市占率超过50%;其次AMAT占据约30%市场份额。剩下的厂商如日立高新、TEL、KLA、北方华创、SEMES、中微公司等公司合计,在导体刻蚀合计市占率不超过20%。近两年,国内设备龙头厂商北方华创、
18、中微公司该产品线放量加速,逐步提高半导体设备刻蚀供应链份额。从介质刻蚀市场结构看,TEL一家独大,长期全球市占率超过50%;其次Lam占据接近40%的市场份额,两家厂商主导整个市场,寡占程度较强。全球介质刻蚀设备供应商还有SEMES、中微公司、AMAT、Ulvac、屹唐半导体等。中微公司开发了系列介质刻蚀装备,并承担多项重大科研项目,是国内领先的介质刻蚀设备厂商。二、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开国内晶圆厂投资进入高峰期。根据集微网统计,20202022年国内晶圆厂总投资金额分别约1500/1400/1200亿元,其中内资晶圆厂投资金额约1000/1200/1100亿元。20202022
19、年国内晶圆厂投资额将是历史上最高的三年,且未来还有新增项目的可能。设备国产化率较低,海外龙头垄断性较高。我国半导体设备市场仍非常依赖进口,从市场格局来看,细分市场均有较高集中度,主要参与厂商一般不超过5家,top3份额往往高于90%,部分设备甚至出现一家独大的情况,目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求,尤其是内资投建的需求。制程越先进,设备投资额占比越高。设备投资一般占比7080%,当制程到16/14nm时,设备投资占比达85%;7nm及以下占比将更高。光刻、刻蚀、沉积、过程控制、热处理等均是重要投资环节。国内国产化逐渐起航,从0到1的过程基本完成。北方华创产品布局广泛,刻蚀机、PVD、C
20、VD、氧化/扩散炉、退火炉、清洗机、ALD等设备新产品市场导入节奏加快,产品工艺覆盖率及客户渗透率进一步提高,在集成电路领域主流生产线实现批量销售,产品加速迭代;第三代半导体、新型显示、光伏设备产品线进一步拓宽,出货量实现较快增长。拓荆科技作为国内唯一一家产业化应用PECVD和SACVD设备的供应商,PECVD累计发货150台,广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、合肥长鑫、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂,PEALD已实现销售;中微公司介质刻蚀机已经打入5nm制程,新款用于高性能Mini-LED量产的MOCVD设备UniMax2022Q1订单已超180腔;芯源微前道涂胶显影设备在28nm
21、及以上多项技术及高产能结构方面取得进展,并实现多种核心零部件的国产替代,公司前道物理清洗设备已经达到国际先进水平并成功实现国产替代,新签订单结构中前道产品占比大幅提升;华海清科CMP设备在逻辑芯片、3DNAND、DRAM制造等领域的工艺技术水平已分别突破至14nm、128层、1X/1Ynm,到2021年底,公司CMP设备累计出货超过140台,未发出产品的在手订单超70台。Mattson(屹唐半导体)在去胶设备市占率全球第二;盛美半导体单片清洗机在海力士、长存、SMIC等产线量产。精测电子、上海睿励在测量领域突破国外垄断。设备国产化率较低,国产厂商成长空间巨大。我国半导体设备市场仍非常依赖进口,
22、目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求,尤其是内资投建的需求,潜在收入目标空间较大。三、 着力推动城乡区域协调发展提升省会城市功能和中心城市首位度(一)全方位融入长三角高质量一体化落实长三角区域一体化发展国家战略,加快建设在全国具有示范典型意义的现代化都市圈,提升南京战略枢纽地位,争创国家中心城市。1、主动服务对接上海发展深度融入长三角一体化发展格局,主动服务和支持上海发挥龙头作用,共同支撑以上海为中心的长三角世界级城市群建设。对接上海科技成果转化和现代金融、研发设计、高端中介服务等外溢功能,提升南京在区域及全球体系中的地位。2、建设现代化都市圈典范加快南京都市圈建设,着力培育具有重要影响力
23、的产业创新高地、长江经济带重要的资源配置中心、全国同城化发展样板区和高品质宜居生活圈,提升都市圈整体实力和竞争力。3、聚力推进宁镇扬一体化借鉴推广长三角生态绿色一体化发展示范区建设经验,更高质量推进宁镇扬一体化。4、推进区域深度交流合作打造沪宁产业创新带,推进沪宁沿线人才创新走廊建设,联合组织大科学计划、大科学工程和共性技术攻关,打造国内外领先的技术创新、产品研发、成果转化、科技服务等综合型平台。(二)以功能引领市域格局优化落实区域协调发展战略、主体功能区战略,优化国土空间布局,完善城市功能品质,更大力度促进城乡融合发展,加快提升城市综合承载和资源优化配置能力。1、构建国土空间开发保护新格局坚
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