电力电子变流技术试题.docx
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2、路中,晶闸管的触发方式有宽脉冲触发和_脉冲触发。6.在三相半波可控整流电路中,由于变压器漏抗的影响,使得整流输出平均值比理想情形_。7.当变流器直流侧具有与晶闸管导电方向一致的电势Ed,且变流电路控制角/2,满足|Ud|Ed|,此时变流器工作在_状态。8.单相反并联(双重)全控桥式整流电路,采用1=-2配合有环流的控制方式,当变流器I工作在待逆变状态时,变流器工作在_状态。9.反馈控制过流保护动作速度比常用的过流继电器_。10.电压型逆变器,其中间直流环节以_贮能,具有稳固直流侧电压的作用。11.PWM斩波器中,比较器反相输入端加_。12.为了使电力晶体管安全、可靠地运行,驱动电路和主电路可以
3、采用磁耦合隔离和_。13.当要求斩波电路输出电流比较_时,可采用瞬时值控制方式。14.脉冲宽度调制(PWM)电路的载波比K愈高,输出电压的谐波含量愈_。15.利用控制电压和_控制触发脉冲的相位的电路称为移相控制电路。二、单项挑选题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题1分,共20分)1.晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号,能坚持通态所需要的最小阳极电流,称为()。A.坚持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流2.与普通晶闸管不同,双向晶闸管的额定电流的标定用()。A.平均电流值B.通态平均电流值C.有效值D.最大电流值3.双极型
4、功率晶体管和MOSFET的复合器件是()。A.GTOB.IGBTC.GTRD.MCT4.单相半控桥,带电感性负载,晶闸管的导通角为()。A.90B.180C.120D.1505.单相全控桥,大电感负载,若负载平均电流为Id,则流过变压器二次电流的有效值为()。A.IdB. IdC. IdD.Id6.串联半波电抗器的反电动势负载的单相全控桥式整流电路,晶闸管的最大移相范畴是()。A.090B.0180C.0120D.01507.带电阻性负载的三相半波可控整流电路,晶闸管承担的最大正向电压为()。A. U2B.2U2C.U2D. U28.带电感性负载的三相全控桥,晶闸管承担的最大反向电压为()。A
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