荆门半导体设备项目招商引资方案【参考模板】.docx
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1、泓域咨询/荆门半导体设备项目招商引资方案目录第一章 项目背景及必要性9一、 海外设备厂商在手订单饱满,供应链限制延续9二、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加10三、 构建现代产业体系12四、 项目实施的必要性14第二章 行业发展分析15一、 清洗设备:去除晶圆片表面杂质,各制程前后均需使用15二、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开15第三章 项目概述18一、 项目名称及项目单位18二、 项目建设地点18三、 可行性研究范围18四、 编制依据和技术原则19五、 建设背景、规模19六、 项目建设进度20七、 环境影响21八、 建设投资估算21九、 项目主要技术经济指标22主要经济指
2、标一览表22十、 主要结论及建议24第四章 产品方案与建设规划25一、 建设规模及主要建设内容25二、 产品规划方案及生产纲领25产品规划方案一览表25第五章 建筑工程技术方案27一、 项目工程设计总体要求27二、 建设方案27三、 建筑工程建设指标28建筑工程投资一览表29第六章 运营管理模式31一、 公司经营宗旨31二、 公司的目标、主要职责31三、 各部门职责及权限32四、 财务会计制度35第七章 法人治理结构39一、 股东权利及义务39二、 董事42三、 高级管理人员46四、 监事48第八章 环境保护分析50一、 编制依据50二、 建设期大气环境影响分析51三、 建设期水环境影响分析5
3、3四、 建设期固体废弃物环境影响分析54五、 建设期声环境影响分析55六、 环境管理分析55七、 结论57八、 建议57第九章 原辅材料分析59一、 项目建设期原辅材料供应情况59二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理59第十章 组织机构、人力资源分析60一、 人力资源配置60劳动定员一览表60二、 员工技能培训60第十一章 项目节能说明63一、 项目节能概述63二、 能源消费种类和数量分析64能耗分析一览表65三、 项目节能措施65四、 节能综合评价67第十二章 工艺技术方案68一、 企业技术研发分析68二、 项目技术工艺分析70三、 质量管理71四、 设备选型方案72主要设备购置一览表73
4、第十三章 投资估算74一、 投资估算的依据和说明74二、 建设投资估算75建设投资估算表79三、 建设期利息79建设期利息估算表79固定资产投资估算表81四、 流动资金81流动资金估算表82五、 项目总投资83总投资及构成一览表83六、 资金筹措与投资计划84项目投资计划与资金筹措一览表84第十四章 经济效益评价86一、 基本假设及基础参数选取86二、 经济评价财务测算86营业收入、税金及附加和增值税估算表86综合总成本费用估算表88利润及利润分配表90三、 项目盈利能力分析91项目投资现金流量表92四、 财务生存能力分析94五、 偿债能力分析94借款还本付息计划表95六、 经济评价结论96第
5、十五章 招标及投资方案97一、 项目招标依据97二、 项目招标范围97三、 招标要求98四、 招标组织方式98五、 招标信息发布100第十六章 风险评估101一、 项目风险分析101二、 项目风险对策103第十七章 总结分析106第十八章 附表附件107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表107固定资产折旧费估算表108无形资产和其他资产摊销估算表109利润及利润分配表110项目投资现金流量表111借款还本付息计划表112建设投资估算表113建设投资估算表113建设期利息估算表114固定资产投资估算表115流动资金估算表116总投资及构成一览表117项目投资计划与资金筹
6、措一览表118报告说明半导体测试包括晶圆允收测试(WAT)、晶圆检测(CP)、成品测试(FT)。WAT环节涉及测试机、分选机、探针台;CP由测试机、探针台搭配完成;FT涉及测试机、分选机搭配完成。晶圆检测(CP)是指在晶圆完成后进行封装前,通过探针台和测试机的配合使用,对晶圆上的裸芯片进行功能和电参数测试。成品测试(FT)是指芯片完成封装后,通过分选机和测试机的配合使用,对封装完成后的芯片进行功能和电参数测试。测试机行业面临的测试任务日益复杂,测试机的测试能力和配置需求都在提高。随着集成电路管脚数增多、测试时间增长,包括华峰测控在内的测试机企业越来越多地采用多工位并测的方案来降低测试时间,推出
7、测试覆盖面更广、资源更多的测试设备,不断提高测试系统的可靠性和稳定性,以降低客户平均到每颗器件的测试成本。测试技术要求不断提高。测试产品技术发展趋势主要包括:(1)并行测试数量和测试速度的要求不断提升;(2)功能模块需求增加;(3)对测试精度的要求提升;(4)要求使用通用化软件开发平台;(5)对数据分析能力提升,全球半导体测试设备市场保持稳步增长,其中测试机占比最高。根据VLSI,全球半导体后道测试设备市场(含测试机、分选机、探针台)规模约50亿美元。检测设备市场空间大,包括CP测试和FT测试在内的半导体测试设备占半导体设备市场空间15%20%。整个测试设备市场中,测试机比重最高,分选机与探针
8、台相对较少。测试机按测试对象包括模拟、混合、数字、SOC、存储器测试机等市场。根据谨慎财务估算,项目总投资30674.14万元,其中:建设投资23889.82万元,占项目总投资的77.88%;建设期利息495.81万元,占项目总投资的1.62%;流动资金6288.51万元,占项目总投资的20.50%。项目正常运营每年营业收入61500.00万元,综合总成本费用45572.73万元,净利润11684.65万元,财务内部收益率30.12%,财务净现值23579.19万元,全部投资回收期5.14年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理,投资
9、方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目背景及必要性一、 海外设备厂商在手订单饱满,供应链限制延续在手订单依旧强劲,供应链限制延续,设备大厂积极扩产。1)供给高度紧张:ASML22Q1营收yoy-19%,下滑主要系部分订单确认延迟;毛利率同比-5pt,承压主要系材料、供应链、运输等成本上升;库存周转率降低。泛
10、林毛利率同比-1.7pt,主要系成本压力(原材料、物流、通胀等)。2)订单依旧强劲:ASML新增在手订单约70亿欧元,环比持平。KLA:当前在手订单交期总体56个月,部分产品78月。爱德万客户订单提前量增加,由于系半导体等材料和零件短缺,交期延长。3)积极扩产:ASML预计2030年产能至少翻番,2025年年产能增加到约90套0.33孔径EUV和600套DUV。泰瑞达预计2023研发费用1900亿日元,yoy+20.1%;资本开支750亿日元,yoy+31.1%,规划金额皆较往年有大幅提升。2022下半年展望乐观,全年需求强劲将有订单递延至明年。泛林2022Q2毛利率指引中枢仍略降,持续成本和
11、供应压力影响持续,二季度订单积压不断增加。随产能落地、产品竞争力效益显现及部分订单延迟多数企业对H2展望乐观。ASML预计2022H2表现强劲,毛利率约54%,高于全年52%指引,主要由EUV和DPV出货及安装基础管理业务利润率提升驱动。Q4部分EUV系统收入将递延到2023年。泛林预计2022WFE需求将超1000亿美元,未满足的设备需求将递延至明年。泰瑞达积极建立库存及扩产,预计H2出货有更大增量及灵活性,预计Q2实现增长,仅高端产品出货受限。二、 刻蚀设备:等离子刻蚀复杂程度高,且步骤逐渐增加刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除(光刻胶)开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、
12、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层,通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉,从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。电容性等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低,主要用于介质材料刻蚀(形成上层线路)诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等,以及3D闪存芯片工艺(氮化硅/氧化硅)的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀ICP:能量低、精度高,主要用于硅刻蚀和金属刻蚀(形成底层器件)硅浅槽隔离(STI)、锗(Ge)、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅(Strain
13、ed-Si)、金属导线、金属焊垫(Pad)、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。光刻技术中许多先进制程涉及多重图形技术。即使是EUV,波长为13.5nm,要实现7nm的精度,仍需要依靠多重图形技术,即多次刻蚀。因此制程升级,精度越高,需要的刻蚀复杂度、步骤数量也在提升。所以刻蚀设备和化学薄膜设备成为更关键的设备。刻蚀设备市场超过130亿美元,是晶圆设备占比最高的市场。2011年以来,刻蚀在晶圆设备的占比从11%逐渐提升到20%以上,2017年起成为全球晶圆设备中占比最高的装备类别,重要性不断提升。刻蚀设备市场基本是干法刻蚀设备,2020年全球干法刻蚀设备市场约137亿美元,其中
14、介质刻蚀(DielectricEtch)60亿美元,导体刻蚀(ConductorEtch)76亿美元。从导体刻蚀市场结构看,Lam一家独大,长期全球市占率超过50%;其次AMAT占据约30%市场份额。剩下的厂商如日立高新、TEL、KLA、北方华创、SEMES、中微公司等公司合计,在导体刻蚀合计市占率不超过20%。近两年,国内设备龙头厂商北方华创、中微公司该产品线放量加速,逐步提高半导体设备刻蚀供应链份额。从介质刻蚀市场结构看,TEL一家独大,长期全球市占率超过50%;其次Lam占据接近40%的市场份额,两家厂商主导整个市场,寡占程度较强。全球介质刻蚀设备供应商还有SEMES、中微公司、AMAT
15、、Ulvac、屹唐半导体等。中微公司开发了系列介质刻蚀装备,并承担多项重大科研项目,是国内领先的介质刻蚀设备厂商。三、 构建现代产业体系坚持把发展经济着力点放在实体经济上,大力建设制造强市、质量强市、网络强市,形成战略性新兴产业引领、先进制造业主导、现代服务业驱动的现代产业体系。“十四五”时期,工业总产值年均增长10%左右;到2025年,服务业增加值占GDP比重达到45%左右。(一)推动传统产业转型升级滚动实施“千企千亿技改”工程,编制重点技改项目清单和推进路线图,支持企业实施设备更新和升级换代,实现规模以上工业企业技术改造全覆盖。实施数字化赋能行动,以数字化、网络化、智能化改造为重点,加速推
16、进新一代信息技术与制造业深度融合发展,加大工业互联网推广应用力度,建设荆门工业云。发展产业链网络协同制造、个性化定制等新业态。推进结构性去产能、系统性优产能,以压旧上新、压低上高、压散上整为途径,加大淘汰落后产能和化解过剩产能力度,有效推进磷化工、建材、矿产、农产品加工等行业兼并重组。(二)培育壮大新兴产业实施战略性新兴产业倍增计划,培育新技术、新产品、新业态、新模式,打造经济发展新引擎。(三)突破性发展现代服务业实施现代服务业发展提速升级行动,加强服务业数字化、标准化、品牌化建设,加快发展现代物流、电子商务、金融保险、研发设计、工程咨询等服务业,推动生产性服务业向专业化和价值链高端延伸;加快
17、发展文化旅游、现代商贸、家政等服务业,推动生活性服务业向高品质和多样化发展。(四)提升产业基础能力和产业链现代化水平实行链长制,实施产业基础再造和产业链提升工程,抓好稳链、补链、延链、强链工作,提升荆门产业链供应链现代化水平。紧紧围绕精细化工、农产品精深加工、高端装备制造、新能源新材料、再生资源利用与环保、生物医药、电子信息等产业链供应链,激励龙头企业加大研发、技改升级、精深加工力度,围绕重点企业开展以商招商,加强产业链供应链上中下游配套,锻造产业链供应链长板,补齐产业链供应链短板,稳固产业链供应链底板。坚持军民融合发展,推动先进制造业与国防建设深度衔接、协调发展,创建国家军民融合创新示范区。
18、四、 项目实施的必要性(一)现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。(二)公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断研发新产品
19、,提升产品精密化程度,将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。第二章 行业发展分析一、 清洗设备:去除晶圆片表面杂质,各制程前后均需使用清洗机是将晶圆表面上产生的颗粒、有机物、自然氧化层、金属杂质等污染物去除,以获得所需洁净表面的工艺设备。从工艺应用上来说,清洗机目前已广泛应用于集成电路制造工艺中的成膜前/成膜后清洗、等离子刻蚀后清洗、离子注入后清洗、化学机械抛光后的清洗和金属沉积后清洗等各个环节。升级方向:高效且无损。在过去的25年中,随着制程升级,晶圆湿法清洗变得越来越复杂
20、和高效。清洗需要强力有效,还要减少对晶圆表面的损伤。清洁步骤占半导体工艺所有处理步骤1/3,最多已经达到200次。几乎所有制程的前后都需要清洗环节。二、 国内需求爆发,国产替代空间快速打开国内晶圆厂投资进入高峰期。根据集微网统计,20202022年国内晶圆厂总投资金额分别约1500/1400/1200亿元,其中内资晶圆厂投资金额约1000/1200/1100亿元。20202022年国内晶圆厂投资额将是历史上最高的三年,且未来还有新增项目的可能。设备国产化率较低,海外龙头垄断性较高。我国半导体设备市场仍非常依赖进口,从市场格局来看,细分市场均有较高集中度,主要参与厂商一般不超过5家,top3份额
21、往往高于90%,部分设备甚至出现一家独大的情况,目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆厂需求,尤其是内资投建的需求。制程越先进,设备投资额占比越高。设备投资一般占比7080%,当制程到16/14nm时,设备投资占比达85%;7nm及以下占比将更高。光刻、刻蚀、沉积、过程控制、热处理等均是重要投资环节。国内国产化逐渐起航,从0到1的过程基本完成。北方华创产品布局广泛,刻蚀机、PVD、CVD、氧化/扩散炉、退火炉、清洗机、ALD等设备新产品市场导入节奏加快,产品工艺覆盖率及客户渗透率进一步提高,在集成电路领域主流生产线实现批量销售,产品加速迭代;第三代半导体、新型显示、光伏设备产品线进一步拓宽,出货量
22、实现较快增长。拓荆科技作为国内唯一一家产业化应用PECVD和SACVD设备的供应商,PECVD累计发货150台,广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、合肥长鑫、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂,PEALD已实现销售;中微公司介质刻蚀机已经打入5nm制程,新款用于高性能Mini-LED量产的MOCVD设备UniMax2022Q1订单已超180腔;芯源微前道涂胶显影设备在28nm及以上多项技术及高产能结构方面取得进展,并实现多种核心零部件的国产替代,公司前道物理清洗设备已经达到国际先进水平并成功实现国产替代,新签订单结构中前道产品占比大幅提升;华海清科CMP设备在逻辑芯片、3DNAND、DRA
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